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Fターム[4G026BE04]の内容

セラミックスの接合 (5,845) | 接合体の形状 (262) | その他の異形体 (157)

Fターム[4G026BE04]に分類される特許

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少なくとも1つの箇所でその表面がメタライズ部で覆われているセラミックボディを有するコンポーネントの場合、金属被覆部の耐久性および接着強度の問題が起こり得る。従って本発明により、セラミックボディの表面上の材料がメタライズ部の箇所で面全体または面の一部分で化学的プロセスまたは物理的プロセスによって化学的および/または結晶学的および/または物理的に、適した反応物質の添加によりまたは添加なしに変質されており、かつセラミックボディと接合される少なくとも0.001ナノメートルの同じまたは同じでない厚さを有する少なくとも1つの緻密な層または多孔性の層を形成し、前記層は少なくとも1つの均質なまたは不均質な新規の材料から成ることが提案される。
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常に比較的高い電圧領域における出力電子機器の広まりによって、高い絶縁電圧と、高い部分放電耐性に関する要求は厳しくなっている。したがって、セラミックボディ(2)がメタライジング部(5,6;11)によってセラミックボディ(2)の表面(3,4)の少なくとも1つの領域においてカバーされており、セラミックボディ(2)が立体的に構造化されていて、同種又は種々異なる材料から成るメタライジング部(5,6)の少なくとも2つの層の間、及びメタライジング部の層(5;11)とセラミックスとの間の部分放電耐性が20pCより小さい、セラミックボディ(2)を備えた構成部材(1)を提案する。
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【課題】改善された化学気相堆積炭化ケイ素物品および該物品の部品を結合する方法が求められている。
【解決手段】化学気相堆積炭化ケイ素物品および化学気相堆積炭化ケイ素物品を製造する方法が開示される。化学気相堆積炭化ケイ素物品は、焼結セラミック結合部116によって結合された複数の部品112、114で構成されている。結合部が強化され、物品の結合部における公差を維持する。物品は、半導体処理で使用され得る。 (もっと読む)


【課題】セラミックスとしての十分な強度を有しつつ、半導体プロセスにおける腐食性ガスやそのプラズマに曝される環境下において極めて耐食性に優れた静電チャック、ヒータ、サセプタ等の半導体製造装置用のセラミックス部材を製造コストを大幅に高騰させることなく提供する。
【解決手段】 イットリア部材2とアルミナ部材1との接合面同士が、両部材よりも溶融温度の低いセラミックス接合材からなる接合層4を介して接合されてなるセラミックス接合体と、該セラミックス接合体に埋設された金属部材3と、を備えるセラミックス部材であって、少なくとも腐食性ガスに曝される部位がイットリア部材からなることを特徴とするセラミックス部材。前記セラミックス接合材からなる接合層が、主結晶相であるゲーレナイトを95重量%以上含む複合酸化物により構成される。 (もっと読む)


【課題】耐ヒートサイクル性に優れた金属−セラミックス接合基板およびその金属−セラミックス接合基板に使用するろう材を提供する。
【解決手段】 0〜40質量%のCuと、0.5〜4.5質量%の活性金属と、0〜2質量%の酸化チタンと、0.1〜5質量%の酸化ジルコニウムと、残部としてAgを含む粉体をビヒクルに添加して混練することによって作製したペースト状ろう材をセラミックス基板に塗布した後、ろう材の上に金属板を配置して加熱することによって、ろう材を介して金属板をセラミックス基板に接合して金属−セラミックス接合基板を製造する。 (もっと読む)


【課題】歯科医師を目指す学生が、口腔内作業を体験し、治療の練習をする顎歯模型用に用いる歯牙に関し、具体的には支台歯形成、窩洞形成等の形体付与を体験する為に用いる歯牙組成に関し、従来の顎歯模型は、天然歯と切削感が異なることから支台歯形成や窩洞形成の練習をしても実際の口腔内で作業をした場合では異なる切削感、作業性から当惑する課題を解決した治療練習用の顎歯模型用の歯牙を提供する。
【解決手段】デンチン部分とエナメル部分からなり、デンチン部分とエナメル部分をCIM技術を用いて成型した後に、デンチン部分とエナメル部分の間にガラス粉末を介在させて、脱脂、焼成することによりデンチン部分とエナメル部分が接着されたことを特徴とする顎歯模型用歯牙とする。天然歯と同じ様な切削感を得られ、エナメル部分からデンチン部分へ移行する切削感が天然歯に近いことから、模型であっても天然歯牙を削る練習が容易に行なえる。 (もっと読む)


活性鑞材(32)によってセラミック基板(12)に直接接合されたビード(26)の形態の熱接点即ち測定接点を有する熱電対(16)を備えたセラミック加熱器(10)が提供される。別法としては、セラミック基板(12)上に金属化層(42)が形成され、通常の鑞材によって熱電対のビード(26)が金属化層(42)に直接接合される。セラミック基板にビードが直接接合されるため、ビードの温度はセラミック加熱器の温度をほぼ瞬時に反映し、したがって熱電対はセラミック加熱器の温度をより正確に測定することができる。
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【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるTa25が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ta25を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 (もっと読む)


【課題】接合部における不具合を抑制又は回避できる無機粉末成形体の接合体及び焼結体を提供する。
【解決手段】2以上の無機粉末成形体の接合体の焼結体を、前記接合体における2以上の前記無機粉末成形体に対応する第1の構成部分と、前記接合体における接合部に対応する第2の構成部分と、を備えるようにするとともに、以下の特徴(a)及び(b)のいずれかあるいは双方を有するようにする。
(a)前記第2の構成部分は前記第1の構成部分以下の表面粗さを有する。
(b)前記第2の構成部分は、その幅中心近傍において前記第1の構成部分以上の透光度を有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室102に配置され、処理室102にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出する複数のガス放出孔113aを備えたシャワープレート105において、ガス放出孔の長さと孔径のアスペクト比(長さ/孔径)を20以上とした。ガス放出孔113aは、シャワープレート106とは別体のセラミックス部材113に形成し、このセラミックス部材113をシャワープレート106に開けた縦孔105に装着した。 (もっと読む)


【課題】銀の融点より低温で接合でき、熱サイクルに対して優れた耐久性を備える接合層を得られる熱膨張係数が異なる部材の接合方法を提供する。
【解決手段】平均粒子径50nm以下の銀粒子3と、銀箔4または銀よりも縦弾性係数の小さい金属箔4とを、少なくとも一方は銀よりも熱膨張係数が小さい2種の部材1,2間に配置して加熱し、両部材1,2を接合する。平均粒子径50nm以下の銀粒子と、平均粒子径20μm以上の銀粒子または銀よりも縦弾性係数の小さい金属粒子とからなる混合粉末であり、且つ該銀粒子または金属粒子を該混合粉末全体の10〜40%の範囲の体積分率で含むろう材3を、両部材1,2間に配置して加熱し、両部材1,2を接合する。金属箔4、前記金属粒子は、表面に銀被覆層を備える。一方の部材1がSiまたはSiCからなり、他方の部材2がAlまたはCuからなる。 (もっと読む)


【課題】ニッケルボロンを成分とする耐食性に優れるメッキ層によってろう材部が有効に保護され、ろう付強度の低下が抑制されたセラミック接合体を製造すること。
【解決手段】セラミック接合体100の製造方法であって、セラミック基体105に設けられた金属パッド121上にろう材と接続端子130とを接触させ、該ろう材を溶融させることにより、ろう材部124を形成して前記金属パッド121と前記接続端子130を接合する工程と、少なくとも前記ろう材部124の表面を覆うようにニッケルボロンを成分とするメッキ層125を6μm以上の厚さに形成する工程と、前記メッキ層125が形成されたセラミック基体105を900℃以上で熱処理する工程とを具備するもの。 (もっと読む)


【課題】低コストで、実用に耐えうる十分な接合強度を有し、接合の信頼性が高く、低熱膨張かつ剛性及び比剛性の高い低熱膨張セラミックス接合体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】室温における熱膨張係数の絶対値が0.6×10−6/K以下、弾性率が100GPa以上、比剛性が40GPa・cm/g以上のコーディエライト結晶質焼結体からなる複数の部材の接合面同士を接触させ、熱処理により接合一体化した接合体およびその製造方法である。焼結体は当該焼結体の構成元素(Mg,Al,Si)中におけるSiの割合が酸化物(MgO,Al,SiO)換算で51.5〜70.0質量%となる条件でSiを含有する。焼結体中の余剰SiOが加熱時に液相を形成して物質移動を活性化し、これにより接合部の材料が実質的に母材と同じになり、熱膨張係数差に起因する残留応力を解消して、極めて高い接合強度の接合体が得られる。 (もっと読む)


【課題】焼結体の割れ及び未接合部分がなく、確実に炭化珪素焼結体の接合を行うことができる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】本炭化珪素焼結体の接合方法は、第1の炭化珪素焼結体1の遊嵌凹部1aに第2の炭化珪素焼結体2を遊嵌して形成される空隙gに介在する溶融Siを凝固させて、両炭化珪素焼結体1、2を接合するとともに、空隙gに水平方向空隙gと垂直方向空隙gを形成し、この垂直方向空隙gを0.1mm以上0.2mm以下にし、第1及び第2の炭化珪素焼結体1、2を水平方向と垂直方向を同時に接合する。 (もっと読む)


【課題】セラミックス回路基板の電気絶縁性を損なうことなく、張り出し長さのバラツキが少ないろう材張り出し部を有するセラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】活性金属ろう材2印刷後に、接合後のろう材層高さより低い高さのストッパ材3をろう材層端部から離間させて設けることで、ろう材除去、化学研磨等の薬液処理時間を減らし、ろう材張り出し部7の長さのバラツキ量が200μm以下で、かつセラミックス基板1の表面変質層の最大厚さが15μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】胴部と管状部とを嵌め合わせて焼成収縮を利用して接合する方法において、胴部と管状部とを強固に接合し、胴部の変形や反りを抑制できるようにする。
【解決手段】胴部用被焼成体12と管状部用被焼成体14とを固定する。胴部用被焼成体12の回転対称軸Aを含む断面において、胴部用被焼成体12の外周面12bの法線Dと内周面12cの法線Eとによって形成される仮想中心Fの軌跡FFの末端Pと胴部用被焼成体12の管状部14との接合面12aとが形成する交差角αが30°以上となるようにする。これらを熱処理することによって、胴部用被焼成体12および管状部用被焼成体14を焼結させて胴部および管状部を生成させると共に胴部と管状部とを接合する。 (もっと読む)


【課題】酸素イオン伝導性と電子伝導性を併せ持つ混合伝導性固体電解質セラミックスと、金属部材とが接合された、膜式酸素分離や膜型反応器に応用可能な、信頼性の高い複合構造体を提供する。
【解決手段】固体電解質セラミックスと金属部材とが銀ろうによって接合されてなる複合構造体であって、前記固体電解質セラミックスの少なくとも銀ろう接合する部位の表面に、銀と銅とを含んでいる金属ペースト塗布層を形成した後、前記固体電解質セラミックスと前記金属部材とが前記金属ペースト塗布層を介して銀ろう接合されていることを特徴とする複合構造体とその製造方法、及びこの複合構造体を用いた酸素分離装置及び膜型反応器である。 (もっと読む)


【課題】 低熱膨張セラミックス部材の接合不良を解消し、気密性に優れた中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体を提供することを目的とする。
【解決手段】 低熱膨張セラミックス部材の接合面同士が、該部材よりも溶融温度の低い低熱膨張セラミックス接合材からなる接合層を介して接合されてなる中空構造を有する低熱膨張セラミックス接合体であって、前記接合層は、接合面に垂直な方向に5〜60μmの厚みtを有し、一方の接合面に隣接する側壁面と他方の接合面に隣接する平面で形成される、中空部に面した角隅部が凹状曲面の接合材メニスカスにより被覆されており、前記側壁面の角縁部から接合材メニスカス面上の最短部までの距離δと接合材厚みtとの比δ/tが0.5以上5.0以下となっている。 (もっと読む)


【課題】 気密性に優れた中空構造を有するセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】 セラミックス部材の接合面同士が、該セラミックス部材よりも溶融温度の低いセラミックス接合材からなる接合層を介して接合されてなる中空構造を有するセラミックス接合体であって、前記接合層は、接合面に垂直な方向に0.01〜0.2mmの厚みtを有し、一方の接合面に隣接する側壁面と他方の接合面に隣接する平面で形成される角隅部が凹状曲面の接合材メニスカスにより被覆されており、前記側壁面の角縁部から接合材メニスカス面上の最短部までの距離δと接合材厚みtの比δ/tが0.5以上10以下となっている。 (もっと読む)


【課題】 絶縁性、接合強度、信頼性および熱伝導性を向上し、長期間にわたって優れた耐久性と放熱性を実現するセラミック回路基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 セラミック回路基板1は、非酸化物セラミックスで構成される基板2の厚み方向一方側表面に、RE−Si−O系酸化物およびRE−Si−O−N系酸化物の少なくとも一方を含む結晶質相で構成される中間層3が設けられ、この中間層3の厚み方向一方側表面に、所定のパターン形状を有する金属層4が接合されている。半導体素子11は、金属層4に電気的に接続されている。 (もっと読む)


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