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Fターム[4G030AA08]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 成分 (15,407) | アルカリ土類金属酸化物 (2,692) | 酸化カルシウム (717)

Fターム[4G030AA08]に分類される特許

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【課題】 外形加工や切断の処理工程において、表面にクラックあるいは脱粒に起因する欠陥の発生し難いガラスセラミック焼結体とそれを用いた反射部材および発光素子搭載用基板ならびに発光装置を提供する。
【解決手段】 ガラスセラミック焼結体1は、ガラス相中に、アノーサイト相と、石英相と、カルシウム・ジルコニウム・シリケート相と、ジルコニア相とを有する。また、発光素子搭載用基板は、発光素子を搭載するための搭載部11を備えた絶縁基体13と、該絶縁基体13の上面において、前記搭載部11を囲うように設けられた反射部材19とを有し、前記絶縁基体13および前記反射部材19のうち少なくとも一方が上記のガラスセラミック焼結体からなる。 (もっと読む)


【課題】 平面方向の剛性および表面部分の柔軟性が高いセラミックグリーンシート、およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 セラミック粉末が有機樹脂からなるバインダで結合されてなるセラミックグリーンシート1であって、バインダのガラス転移温度が、セラミックグリーンシート1の厚み方向の中央部1aにおいて上部1bおよび下部1cよりも高いセラミックグリーンシート1である。バインダのガラス転移点が高い中央部1aによってセラミックグリーンシート1の平面方向の剛性を高めることができる。また、上部1bおよび下部1cが比較的柔軟であるため、セラミックグリーンシート1の表面部分の柔軟性が高い。 (もっと読む)


【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 (もっと読む)


【課題】耐電圧特性に優れた絶縁材料及びこれを用いた点火プラグを提供すること。
【解決手段】アルミナ結晶を主相とし、該アルミナ結晶を構成する結晶粒11の粒界に非晶質の粒界相12を有するアルミナ質焼結体1からなる絶縁材料である。アルミナ質焼結体1において、粒界相12は、SiO2にCaO及び/又はMgOが添加されたガラス成分中に、特定成分として希土類元素の酸化物及び/又は周期律表第4族元素の酸化物を含有する。アルミナ質焼結体1の断面においては、アルミナ結晶の結晶粒11の平均結晶粒径が2μm以下であり、粒界相12の外周形の円形度の平均が0.4〜0.6である。また、アルミナ質焼結体1からなる絶縁材料を絶縁碍子として用いた点火プラグである。 (もっと読む)


【課題】セラミック粒子(単結晶粒子)よりも磁気異方性が大きい圧電体セラミックデバイス用のセラミック粒子集合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】この製造方法は、(1)セラミック粒子CPを多数含むスラリーSL1を用意する準備ステップ、(2)スラリーSL1中のセラミック粒子CPに分散力を付与することによって各セラミック粒子CPをばらばらに散らばらせる分散ステップ、(3)分散ステップ後のスラリーSL1中のセラミック粒子CPに磁場を印加することによって各セラミック粒子CPの結晶方位を揃える配向ステップ、(4)配向ステップ後のスラリーSL1中のセラミック粒子CPに凝集力を付与することによって結晶方位が揃っている複数のセラミック粒子CPが凝集したセラミック粒子集合体AScpを作製する凝集ステップ、(5)凝集ステップ後のスラリーSL1からセラミック粒子集合体AScpを取り出す取出ステップ、を備える。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えてM2+(N1−y4+4+)B(但し、0<y<1)の組成式で
表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶(超伝導特性を示さない結晶)の析出量が少なく、短時間の処理でBi系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル%表記で、Bi 7〜35%、SrO 25〜65%、CuO 25〜65%を含有する非晶質材料を、Ca含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】気泡に由来する球状をなす球状気孔が均一であるセラミックス多孔体、およびこの球状気孔が均一であるセラミックス多孔体を製造することができるセラミックス多孔体の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のセラミックス多孔体の製造方法は、リン酸カルシウム系化合物で構成され、球状気孔を有するセラミックス多孔体を製造するものであり、リン酸カルシウム系化合物で構成される粉体と、水溶性高分子化合物と、アルキルベンゼンスルフォン酸界面活性剤とを含有するスラリーを調製する第1の工程と、前記スラリーを撹拌することにより起泡させた後に、前記スラリーを高周波加熱により加熱することでゲル化させる第2の工程と、ゲル化した前記スラリーを乾燥させ、さらに焼結する第3の工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるAl、第1副原料としてのTi化合物及び第Sr、Ca、Mg及びBaのうち少なくとも1種を複合させた、第1副原料とは異なる2副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、p1=0.05〜1.50及びp2=0.05〜2.50により定義される「第1添加量範囲」又はp1=0.05〜0.60及びp2=0.05〜1.20により定義される「第2添加量範囲」に含まれるように調節される。 (もっと読む)


【課題】希少金属を使用しない遠赤外線放射セラミックスを提供する。
【解決手段】アルミナ(Al2O3を45.82wt%、シリカ(SiO2)を15.2wt%、チタニア(TiO2)
を3.8wt%、酸化第2鉄(Fe2O3)
を1.2wt%、酸化マグネシウム(MgO)を0.02wt%、酸化カルシウム(CaO)を0.2wt%、酸化ナトリウム(Na20)を0.23wt%、5酸化リン(P2O5)を2.35wt%、ジルコニア(ZrO2)を20.5wt%、酸化ランタン(La2O3)を3.45wt%及び水分を7.23wt%の重量比で混合して焼成したことを特徴とする遠赤外線放射セラミックス。 (もっと読む)


【課題】環境汚染がなく、且つ低融点低抵抗金属と同時焼成可能で基板の反りが少なく、白色性が強い無鉛ガラスセラミックス組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は40〜55重量%のガラス粉末と45〜60重量%の無機フィラーを配合・焼成されてなり、該ガラス粉末のガラス組成が、重量%でSiO2を55〜60%、Al2O3を11〜12%、CaOを16〜18%、ZnOを0〜4%含有しており、且つ実質的にPbO、MgOおよびAs2O3、Sb2O3を含有しないことを特徴とする無鉛白色ガラスセラミックス組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】MoSを主成分とするスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、Hf,Re,Ta,W,Nb,Zr,V,Al,In,Sn,Ga,Zn,Si,Ge,Mn,Ni,Fe,Co,Cu,Ag,Y,Sc,Mg,Caからなる群から選ばれた少なくとも一種類以上の元素を合計で0.1〜10.0wt%含有し、残部がMoSおよび不可避的不純物からなることを特徴とするスパッタリングターゲットである。 (もっと読む)


【課題】結晶配向を制御したセラミックスの製法の提供。このように結晶配向制御されたセラミックスは電気抵抗に異方性を持ち、熱電変換セラミックスとして利用することができる。
【解決手段】拡散による結晶粒間の変形の緩和が生じうる温度と歪み速度を選定することにより大歪み加工を達成した。即ち、不整合結晶構造を持つCo酸化物から成る多結晶を800℃以上から該結晶の融点の30℃下の温度までの温度範囲にて1.0×10−5〜1.0×10−3−1の歪み速度で圧縮加工を行うことにより、この多結晶の(001)面上ですべり変形を生じさせることができる。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbOで表される第一の相と、一般式(Ba1−x)(Ti1−y)O(ただし、MはCa、SrおよびMgから選択される少なくとも1種類)、(ただし、LはZr、Hf、Co、V、Ta、Cr、Mo、W、Mgの中から選択される少なくとも1種類)で表される第二の相との混合相から成る。 (もっと読む)


【課題】熱電性能と信頼性・耐久性を両立できる熱電変換素子を提供する。
【解決手段】軸方向の一端面と他端面の温度差を利用して熱エネルギーを電気エネルギーに、又は電気エネルギーを熱エネルギーに変換するための柱状の熱電変換素子を、心材となる第1の熱電変換部と、前記第1の熱電変換部の周面に所定の厚さで形成された被覆層となる第2の熱電変換部とを有する構成とする。また、第1の熱電変換部をNaCo系酸化物で構成し、第2の熱電変換部をCaCo系酸化物で構成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、優秀なマイクロ波誘電特性を持つ非ガラス系マイクロ波誘電体セラミックス、及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 上記の課題を達成するための本発明による誘電体セラミックス組成物は、次の組成式で表現される組成物を含むことを特徴とする誘電体セラミックス組成物であって、
2+4+
但し、MはBa、Ca及びSrの中のいずれか一つであり、NはSn、Zr及びTiの中のいずれか一つであり、
前記誘電体セラミックス組成物の前記Mサイトを、前記Ba、Ca及びSrの中の互いに異なる2個で複数置き換え、また前記誘電体セラミックス組成物の前記Nサイトを、前記Sn、Zr及びTiの中の互いに異なる2個で複数置き換えて(M1−x2+2+)(N1−y4+4+)B(但し、0<x<1及び0<y<1)の組成式で表現される組成物を含む。 (もっと読む)


【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲(−55〜400℃)において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式KNbで表される第一の相と、一般式BaαTiβで表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記m、n、α、βが0.990≦m/n≦1.005、0.995≦α/β≦1.010、且つ、m/nとα/βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、酸素イオン伝導性に優れたイオン伝導体を提供すること。
【解決手段】酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、酸素イオン伝導性材料および酸素イオン非伝導性材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造イオン伝導体。 (もっと読む)


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