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Fターム[4G030CA03]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 構造 (2,852) | 組成、組織が層状に異なるもの (100)

Fターム[4G030CA03]に分類される特許

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【課題】絶縁基体と、この絶縁基体内に埋設された発熱抵抗体とを備え、耐久性の良好なセラミックヒータの製造方法、及びこのようなセラミックヒータを有するグロープラグの製造方法を提供する。
【解決手段】焼成により絶縁基体10の一部となる第1成形体30及び焼成により発熱抵抗体11となる未焼成発熱抵抗体33を有する半成形体34を成形する半成形体成形工程と、焼成により絶縁基体10の残部となる第2成形体35を、半成形体34と一体に成形する第2成形体成形工程とを備え、未焼成発熱抵抗体33の未焼成曲げ返し部32は、一部が第1成形体30中に埋められる一方、残部が第1成形体30から突出しており、半成形体成形工程は、未焼成曲げ返し部32と成形体内側部52とがなす内側角θiと未焼成曲げ返し部32と成形体外側部55とがなす外側角θoの少なくともいずれかが、90度よりも大きい形態に、半成形体34を成形する。 (もっと読む)


【課題】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボにおいて、前記内層が外層から剥離し難いシリカ焼結体ルツボを提供する。
【解決手段】ルツボの基体となる外層と、前記外層の内周面に形成された、シリコン等の溶融液と接する内層とを備えたシリカ焼結体ルツボであって、前記外層が、溶融シリカ粒子からなる層であり、前記内層が、球状のシリカ粒子及びシリカ微粉末からなる層であり、前記内層と外層の界面近傍における球状のシリカ粒子の間の空間もしくは溶融シリカ粒子の間の空間が、前記シリカ微粉末によって閉塞されている。 (もっと読む)


【課題】ナノ構造を有し、高い比誘電率を有する強誘電体を提供すること。
【解決手段】格子定数が下記式(1):
1≦(a/a)×100≦80 (1)
(式(1)中、aは第一強誘電材料の格子定数であり、aは第二強誘電材料の格子定数であり、a>aである。)
で表される条件を満たす第一強誘電材料および第二強誘電材料のうちの一方の無機成分からなるマトリックス中に、前記第一強誘電材料および前記第二強誘電材料のうちの他方の無機成分が、球状、柱状およびジャイロイド状からなる群から選択される形状で、三次元的且つ周期的に配置しており、繰り返し構造の一単位の長さの平均値が1nm〜100nmである三次元的周期構造を有していることを特徴とするナノヘテロ構造強誘電体。 (もっと読む)


【課題】色度バラツキがなく、安定的に発光する白色又は有色LEDを得るために、青色光を均一に波長変換することができ、発光分布のバラツキが抑制されたセラミックス複合体を提供する。
【解決手段】セラミックス複合体を、Al23で構成されるマトリックス相2と、前記マトリックス相2内に形成され、一般式A3512:Ce(AはY、Gd、Tb、Yb及びLuのうちから選ばれる少なくとも1種であり、BはAl、Ga及びScのうちから選ばれる少なくとも1種である。)で表される物質で構成される主蛍光体相3と、前記マトリックス相2及び前記主蛍光体相3中に混在しているCeAl1118相4とを備えた構成とする。 (もっと読む)


【課題】1200℃以下で焼成される焼結体であり、適度に高い熱膨張性と高い耐熱衝撃性を有するマイクロ波を吸収して発熱する白色セラミックスからなる陶磁器を提供する。
【解決手段】釉層が焼結体の表面に形成された陶磁器であり、当該焼結体は、全成分に対して(a)70〜92質量%のZnO、(b)5〜19質量%のSiO2及び(c)3〜18質量%のAl23を含有し、(a)〜(c)成分の全成分に対する配合割合の合計は98質量%以上であり、当該焼結体の平均線膨張係数は4.0×10-6〜5.7×10-6/Kである。 (もっと読む)


【課題】 直流電界の印加による比誘電率の低下が抑制されるとともに,高い比誘電率を有するセラミック組成物を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施形態に係るセラミック組成物は、コアシェル構造を有するセラミック粒子を含む。一実施形態において,当該セラミック組成物は,反強誘電体から成るコアと、強誘電体又は常誘電体から成り前記コアを取り囲むシェルと、を備える。 (もっと読む)


【課題】高い機械的負荷容量および良好な視覚的特性(すなわち、できるだけ自然な外観)を有する歯科修復物の調製を可能にするプロセスを提供すること。
【解決手段】本発明は、成形本体の生産力のある調製のためのプロセスであって、ここで(a)セラミックスリップは、層をなして支持体に付与されて、硬化され、(b)さらなる層は、工程(a)からの硬化された層に付与されて、硬化され、(c)工程(b)は所望される幾何学的形を有する本体が得られるまで反復され、(d)上記本体は次に、化学処理または熱処理に供されて、結合剤を除去(脱脂)され、そして(e)工程(d)からの上記本体が焼結され、ここで少なくとも2つの異なって構成されたセラミックスリップが層の調製のために工程(a)および(b)において使用される、プロセスを提供する。 (もっと読む)


【課題】半導体材料等として有用な新規なIn−Ga−Zn系酸化物とその製造方法を提供する。
【解決手段】In、Ga、Znを含む酸化物であって、4つの層状構造を1ユニットとする繰り返し構造を含み、前記層状構造はそれぞれIn、Ga、Znのうち少なくとも1つを含む酸化物からなる酸化物。 (もっと読む)


【課題】比抵抗値を広い範囲内で調整することができると共に、比抵抗値の温度依存性を調整することが可能な導電性セラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性セラミックスの粗大粒子、微細粒子、及び/または、加熱により非導電性セラミックスを生成する原料を含む混合原料から成形体を得る成形工程、及び、成形体を焼成する焼成工程を具備し、成形工程でドーパントを含む化合物が添加された混合原料から成形体を得ることにより、及び/または、焼成工程をドーパントが存在する雰囲気下で行うことにより、微細粒子及び/または非導電性セラミックス生成原料に由来しドーパントとしてアクセプター及びドナーを含む半導体セラミックスの第一相10と、粗大粒子に由来する非導電性の第二相20とを備える焼結体を製造し、第一相におけるアクセプター及びドナーの濃度により、焼結体の比抵抗値及び比抵抗値の温度依存性を変化させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、バインダー層を下段に分離して積層性を高め、仮焼後にセラミック粉末の間の脱バインダーによる気孔発生を最小化するセラミックシート製品及びその製造方法に関する。
【解決手段】バインダー樹脂からなるバインダー層と、上記バインダー層上に形成されるセラミックグリーンシートを含んで構成され、これによりセラミックスラリー内の高分子バインダー含量が最小化するため、分散性が大きく向上し粘度が低くなりセラミック粉末分率を大きく高めることが出来る。このような高いグリーン密度により仮焼後に気孔率が低いため、体積収縮率が低く焼成密度が高くなる。 (もっと読む)


【課題】遊色効果に加え、ピンク色ないし金赤色の色調をさらに呈する宝飾部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】規則的に三次元配列している非晶質珪酸からなる複数の球状体2と、該複数の球状体2が互いに隣接することによって形成されている間隙4に位置している金3と、を備える、宝飾部材1とその製造方法である。複数の球状体2は、単純立方構造、面心立方構造、六方最密構造、体心立方構造、およびこれらが部分的に共存している複合構造から選ばれる少なくとも1種の構造をなすように配列している。 (もっと読む)


【課題】700℃以下の中低温域においても発電効率40%以上を実現する電気化学セル及びその発電方法を提供する。
【解決手段】上記電気化学セルが燃料ガスと界面を有する燃料極、緻密なイオン伝導体(電解質)、空気(酸素)と界面を有する空気極がその順番に積層されている構造を有し、燃料極と空気極は接触することなく電解質によって分離され、燃料ガスとの界面である燃料極表面全面あるいは一部に電気化学反応を促進する多孔質構造の機能層が積層されている構造を有する電気化学セル。
【効果】気体水素燃料を利用する電気化学発電システムにおいて、気体水素燃料ガスの燃料極内部拡散による抵抗を大幅に低減し、700℃以下の中低温域においても発電効率40%以上を単セルレベルで実現することを可能とする、環境・エネルギー問題の解決に資する高効率な電気化学反応システムを提供できる。 (もっと読む)


【課題】 リチウム含有化合物用熱処理容器及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明のリチウム含有化合物用熱処理容器は、リチウム含有化合物を熱処理するときにリチウム含有化合物が配されるリチウム含有化合物用熱処理容器において、60〜95mass%でアルミナを含有する基部と、20〜80mass%でスピネルを含有してなり、基部と一体に形成された表面部と、を有することを特徴とする。また、本発明の製造方法は、アルミナ系粉末を配置する工程と、スピネル系粉末をアルミナ系粉末の上方に配置する工程と、圧縮して成形する工程と、焼成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アノード支持基板と電解質層とを有するアノード支持型ハーフセルであって、その周縁部の反り上がりを低減されており、セルスタックとして多層積層した場合でも割れや破損を生じ難く、周縁部のシール性に優れ、且つ、スクリーン印刷によりカソード層を安定して形成できるアノード支持型ハーフセルを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のアノード支持型ハーフセルは、アノード支持基板と、前記アノード支持基板に積層された電解質層とを有するアノード支持型ハーフセルであって、電解質層が上面となるように載置し、レーザー光学式三次元形状測定装置を使用し、電解質層表面にレーザー光を照射してその反射光を三次元解析することにより求められる電解質層周縁端部の高さ(h1)と、周縁端部からハーフセルの中心方向に3mmの位置における電解質層の高さ(h2)との差(Δh)が100μm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】初期圧力損失の増加を抑制することができ、かつ、粒子状物質の初期捕集効率が高いハニカムフィルタを提供する。
【解決手段】流体の流路となる一方の端面から他方の端面まで延びる複数のセルを区画形成する多孔質の隔壁母材を有するハニカム基材と、前記一方の端面である流体の流入側の端面における所定のセルの開口部及び前記他方の端面である流体の流出側の端面における残余のセルの開口部に配設された目封止部と、残余のセル内の隔壁母材の表面に配設された多孔質の捕集層とを備え、セルの延びる方向に直交する断面において、セルの形状が長方形であり、捕集層の、セルの角部に位置する部分の厚さが、捕集層の、セルの辺の中央部に位置する部分の厚さの1〜3倍であるハニカムフィルタ。 (もっと読む)


【課題】セラミック基板上の金属膜(第1の金属層、第2の金属層)のエッチング工程の歩留まりを向上させることのできるセラミック基板を提供する。
【解決手段】セラミック部2と、セラミック部2の少なくとも1面に、ビスマス(Bi)、カドミウム(Cd)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)から選択された少なくとも1つの金属が拡散されためっき抑制層3と、から構成されるセラミック基板としたので、第1の金属層7を形成する際に、これらビスマス(Bi)、カドミウム(Cd)、錫(Sn)、亜鉛(Zn)から選択された少なくとも1つの金属が触媒毒として働き、第1の金属層7の成分がセラミック部2の表面深くから成長するのを抑制できるため、容易に金属膜(特に第1の金属膜7)をエッチングによって除去でき、その結果として、セラミック基板上の金属膜(第1の金属層7、第2の金属層8)のエッチング工程の歩留まりを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】焼結体のターゲットであっても、ランニングコストを低減することが可能なターゲット、およびこれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】クランプ27によって冷却板22に固定されるターゲット25は、金属粉体としてのZnの粉体と、Znの融点よりも融点が高い金属酸化物としてのZnOの粉体とを含む混合物が、t<T<t(ただし、上記式中、tはZnの融点、tはZnOの融点または昇華点である)で表される焼結温度Tで焼結された亜酸化物の焼結体である。 (もっと読む)


【課題】耐熱性;耐燃性;酸、アルカリ、有機溶媒等に対する耐薬品性;導電性;軽量性等に優れた化合物やそれを含有する組成物を比較的安価に得ること、化学的に有害な物質や形状的に有害な物質を、安全な操作によって無害な物質へと変換させる資源リサイクルにも貢献する廃棄物処理方法を提供すること。
【解決手段】無機化合物粒子又は無機化合物粒子を含有する複合物に、ポリ塩化アルミニウム及び有機物を含有する水溶液を含浸させ、260℃〜2800℃で焼成してなるものであることを特徴とする炭素アルミニウム複合化合物被覆無機化合物構造体であり、また、針状無機化合物を含有する廃棄物を、ポリ塩化アルミニウム水溶液を吹き付けながら剥離してから水溶性有機物を含有させ、焼成して該炭素アルミニウム複合化合物被覆無機化合物構造体を形成しつつ廃棄物を処理する方法である。 (もっと読む)


【課題】発光素子用基板におけるガラスセラミックスの変色を抑制できるアルミナフィラーを提供すること。
【解決手段】発光素子を搭載する発光素子用基板の製造に用いられるアルミナフィラーであって、アルミナフィラーと、前記アルミナフィラーの表面を被覆し、アルミニウム以外の金属の酸化物からなる被覆層とを有することを特徴とする被覆アルミナフィラー。 (もっと読む)


【課題】焼成により生じる表面変質層が極力少ないIGZO焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉体を成形し、得られた成形体を焼成することによりIGZO焼結体を製造するに際し、成形体の焼成は、成形体を、所定の開口部以外の部分は密閉された容器内に配置して行うようにする。さらには、該容器内に、酸化亜鉛粉末を敷いて焼成を行うようにする。これにより、焼成時において表面に生じるInGaZnを含む表面変質層の厚さが1mm以下となる。 (もっと読む)


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