【課題】 配向度の高いニオブ酸バリウムビスマス系のタングステンブロンズ構造金属酸化物の圧電材料を提供する。また、それを用いた圧電素子、液体吐出ヘッド、超音波モータおよび塵埃除去装置を提供する。
【解決手段】 そのための本発明は少なくともＢａ、Ｂｉ、Ｎｂの金属元素を含み、前記金属元素がモル換算で以下の条件を満たすタングステンブロンズ構造金属酸化物を含有する圧電材料であって、前記圧電材料にＷが含有されており、前記Ｗの含有量が前記タングステンブロンズ構造金属酸化物１００重量部に対して金属換算で０．４０重量部以上３．００重量部以下であり、前記タングステンブロンズ構造金属酸化物がｃ軸配向を有することを特徴とする圧電材料である。Ｂａ／Ｎｂ＝ａとしたときのａが：０．３０≦ａ≦０．４００、Ｂｉ／Ｎｂ＝ｂとしたときのｂが：０．０１２≦ｂ≦０．０８４ （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体磁器は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含む副成分とを含み、Ｘ線回折において、主相であるＭｇ₂ＳｉＯ₄の２θが３６．０°から３７．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、未反応なまま存在する亜鉛酸化物の２θが３１．０°から３２．０°及び３３．０°から３４．０°におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが１０％以下であると共に、相対密度が９６％以上である。 （もっと読む）

【課題】スパッタ成膜時に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ元素、Ｃｕ元素及びＧａ元素をＣｕ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．０９及びＧａ／（Ｃｕ＋Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．００１〜０．９０の原子比で含む金属酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】低いエネルギー消費で、炭素コートセラミック粉末、更にセラミックスを提供する。
【解決手段】液体、固体、気体又は不均一な形態の少なくともひとつの炭素源、例えば炭化水素、又は精油所廃棄物中に懸濁しているグラファイト粒子等の存在下で、熱処理によりセラミック粉末をもたらす事のできる前駆体の混合物を均一に混合、分散を促進させる方法。 （もっと読む）

【解決手段】ＳｎをＳｎＯ₂換算で５質量％以下含有し、残留応力が−６５０〜−２００ＭＰａであることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲットである。前記残留応力は、ＩＴＯスパッタリングターゲットがボンディングされるバッキングプレートの熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃以下である場合には−６００〜−２００ＭＰａ、熱膨張係数が２．３８６×１０^-5／℃より大きい場合には−６５０〜−２５０ＭＰａであることが好ましい。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ₂の含有量が５質量％以下であっても割れにくく、銅製のバッキングプレート等にボンディングするときであっても割れを生じにくい。 （もっと読む）

【課題】結晶配向度が大きく、かつ熱伝導率及び比抵抗を小さくすることが可能な、優れた熱電特性を有する配向熱電材料の製造方法及びその製造方法により形成された配向熱電材料を提供する。
【解決手段】熱電材料を磁場中で成形して配向熱電材料を製造する配向熱電材料の製造方法において、前記熱電材料中に、炭素成分を含有する磁性成分を添加する工程（ステップＳ１２）を具備する。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュ発生の抑制が可能であり、成膜装置の供給口での詰まりが発生しにくい酸化マグネシウム焼結体、及び、これを用いたＰＤＰの保護膜用蒸着材、並びに、前記焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化マグネシウムと、マグネシウム以外の周期表第２Ａ族元素の酸化物３〜５０質量％と、必要によりアルミニウム、イットリウム、セリウム、ジルコニウム、スカンジウム、及びクロムからなる群より選ばれる一種類又は二種類以上の元素を１０００ｐｐｍ以下を含む酸化マグネシウム焼結体であって、その形状が、円板状、楕円板状、多角形板状若しくは半月板状であるか、又は、立方体若しくは直方体の頂点に丸みを持たせた形状である酸化マグネシウム焼結体。 （もっと読む）

【課題】常圧焼結法により安定して一定の圧電特性を持ち緻密化した焼結体となる、アルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスおよび製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分に酸化ビスマスおよび酸化亜鉛からなる焼結助剤を添加した圧電セラミックスであって、仮焼工程、主成分の仮焼粉と焼結助剤とを混合する混合工程、混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程を経ることで常圧焼結法により緻密化したアルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】常圧大気中での焼結によっても、高密度の焼結体を実現できるアルカリニオブ酸系圧電セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＭＯ_３（Ａはアルカリ金属、ＭはＮｂを必須とする遷移金属、Ｏは酸素）で表わされるニオブ系圧電セラミックスの製造方法において、目的組成に対してアルカリ金属成分を１０重量％未満（但し０重量％を除く）減じた組成の粉末を合成し、当該減じた分量のアルカリ金属を含有する粉末を前記合成粉末に混合し、成形した後、９００℃以上１２８０℃以下の温度で焼成する。このような工程を経ることにより、高密度のアルカリニオブ酸系圧電セラミックスを常圧大気中での焼結によっても提供できる。 （もっと読む）

【課題】高い配向性を維持しながら、クラックの無い焼結性の良好な機能性セラミックス材料の製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物粉体を分散させた第一のスラリーを基材上に設置する工程と、前記第一のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第一の成形体からなる下引き層を形成する工程と、前記下引き層の上に、前記セラミックスを構成する金属酸化物粉体を含む第二のスラリーを設置する工程と、前記第二のスラリーに対して磁場を印加し凝固させて第二の成形体を形成して前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を得る工程と、前記第二の成形体と前記下引き層の積層体から前記下引き層を除去した後に焼成するか、又は前記第二の成形体と前記下引き層の積層体を焼成した後に前記下引き層を除去して、前記第二の成形体からなるセラミックスを得る工程を有するセラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】圧電特性や誘電性の向上を図り、これらの基板面内での均一性に優れた圧電体素子、その製造方法、及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体素子は、表面に酸化膜が形成された基板１と、密着層２と、下部電極層３と、（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３で表される圧電薄膜４を有し、圧電薄膜４が、擬立方晶、立方晶、正方晶、斜方晶、六方晶、単斜晶、三斜晶、もしくは斜方面体の結晶構造、または少なくとも一つの結晶構造が共存した状態を有しており、ある特定の軸に優先的に配向しており、圧電薄膜４の基板面内の格子面間隔ａと基板面外の基板法線方向の格子面間隔ｃとの結晶格子歪量ｃ／ａ、及び圧電定数、比誘電率、誘電損失のうち少なくとも一つの物理量の相対標準偏差が、ｃ／ａでは０．２％未満、圧電定数では４．３％以下、比誘電率では３．２％以下、あるいは誘電損失では１０．１％以下である。 （もっと読む）

【課題】クラック、ポア、又は成形型からの剥れの発生を伴わずに、厚いセラミック成形体を製造する方法を提供する。
【解決手段】セラミック粉体、溶剤、及び熱硬化性樹脂前駆体を含んでなるセラミックスラリーを成形し、固化乾燥してセラミック成形体を得る、セラミック成形体の製造方法であって、
前記熱硬化性樹脂前駆体が、イソシアネート基を有するゲル化剤と、１５０以下の分子量を有する低分子量ジオールとを含んでなり、
前記低分子量ジオールが、前記ゲル化剤のイソシアネート基に対する前記低分子量ジオールの水酸基のモル比（ＯＨ／ＮＣＯ比）が０．６〜１．０になるように配合されており、かつ
前記セラミックスラリーにおける水分率が０．３重量％以下である、
ことを特徴とする、セラミック成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含む。 （もっと読む）

【課題】圧電定数の大きな圧電磁器およびそれを用いた圧電素子の提供。
【解決手段】組成式を（１−α−β）｛（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）_１−ｙＬｉ_ｙ｝ＮｂＯ_３＋αＢｉ（Ｍｇ_２／３Ｎｂ_１／３）Ｏ_３＋βＢａ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３と表したとき、０．４６≦ｘ≦０．５６、０．０４５≦ｙ≦０．０６０であるとともに、αおよびβを（α、β）と表したとき、αおよびβが、点Ａ（０．０００５、０）、点Ｂ（０．００５、０）、点Ｃ（０．００５、０．００５）、点Ｄ（０、０．０１２５）および点Ｅ（０、０．００１）を結ぶ範囲内である成分１００質量部に対して、ＭｎをＭｎＯ_２換算で０．０１〜０．５質量部含有する圧電磁器を用いる。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が低く、かつ、光の透過率が高い薄膜を形成することができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体は、ＺｎＧａ₂Ｏ₄結晶で形成される第１相と、Ｉｎ₂Ｏ₃結晶で形成される第２相とを含み、焼結体の任意の断面における全ての相に対する第１相および第２相の合計の相面積比率が７０％以上１００％以下である。また、本Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法は、ＺｎＯ粉末とＧａ₂Ｏ₃粉末とを混合して第１混合物を調製する第１混合工程と、第１混合物を８００℃以上１３００℃以下で仮焼してＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末を形成する仮焼工程と、ＺｎＧａ₂Ｏ₄を含む粉末とＩｎ₂Ｏ₃粉末とを混合して第２混合物を調製する第２混合工程と、第２混合物を焼結する焼結工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性酸化物焼結体に含まれる結晶相の種類や量の制御を容易化し得る導電性酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む導電性酸化物焼結体を製造する方法は、酸化亜鉛と酸化ガリウムの混合物を調製した後に仮焼することによってＧａ_２ＺｎＯ_４粉体を形成する工程を含む。この仮焼の後には、Ｇａ_２ＺｎＯ_４粉体とＩｎおよびＯを含む粉体とを混合または粉砕混合して第２の混合物を調製し、この第２の混合物の成形体を作製し、そしてこの成形体を焼結する工程をさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ａを還元処理して、前記酸化物結晶Ａと同じ結晶系を有する酸化物結晶Ｂを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】一般的なアルミナ粉末で作製された成形体を低温で焼結する。
【解決手段】本発明のアルミナ焼結体の製法は、（ａ）少なくともＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂との混合粉末又はＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂とＭｇＯとの混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、（ｂ）該成形体を真空雰囲気下又は非酸化性雰囲気下でホットプレス焼成してアルミナ焼結体とする工程であって、Ａｌ₂Ｏ₃１００重量部に対するＭｇＦ₂の使用量をＸ（重量部）、ホットプレス焼成温度をＹ（℃）としたときに下記式（１）〜（４）を満たすようにホットプレス焼成温度を設定する工程と、を含む。
１１２０≦Ｙ≦１３００ …（１），０．１５≦Ｘ≦１．８９ …（２）
Ｙ≦−７８．７Ｘ＋１３４９ …（３），Ｙ≧−２００Ｘ＋１２１２ …（４） （もっと読む）