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Fターム[4G030GA03]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 製法 (11,361) | 原料粉末の製造、処理方法 (2,418) | 粉砕 (408)

Fターム[4G030GA03]に分類される特許

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【課題】高温域での安定性に優れ、優れた誘電体特性有する誘電体磁器組成物および、この誘電体磁器組成物を用いたコンデンサ及び、その誘電体磁器組成物を製造するのに好適な製造方法を提供すること
【解決手段】組成式(KNaLiDO (元素Cはアルカリ土類金属であるCa,Sr,Baのうちの少なくとも1種、元素DはNbとTaのうちの少なくとも1種、a,b,c,dはa+b+c+d=1を満たし、0.97≦e≦1.10,fは任意)で表されるニオブ/タンタル酸アルカリ系ペロブスカイト酸化物からなる第1結晶相と、 A−Ti−B−O系複合酸化物(元素Aはアルカリ金属、元素BはNbとTaのうちの少なくとも1種、元素Aと元素BとTiの含有量はいずれもゼロで無い)で構成される第2結晶相と、を含むコンデンサ用の誘電体磁器組成物 (もっと読む)


【課題】スパッタリング用ターゲットとして好ましく使用され得る導電性酸化物およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶質In23と、結晶質Ga2ZnO4とを含む導電性酸化物であって、導電性酸化物において、Znの原子濃度比を1とした場合に、Inの原子濃度比が0.4以上1.8以下であり、かつ、Gaの原子濃度比が0.4以上1.8以下の導電性酸化物とし、In−Ga−Zn−O酸化物のスパッタリング用のターゲットとして用いること。 (もっと読む)


【課題】新規な非シリコン系半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ガリウムが酸化インジウムに固溶していて、原子比Ga/(Ga+In)が0.001〜0.12であり、全金属原子に対するインジウムとガリウムの含有率が80原子%以上であり、Inのビックスバイト構造を有する酸化物薄膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタ。 (もっと読む)


【課題】スパッタリング法を用いて酸化物半導体膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】In、Ga、及びAlの割合が下記式(1)及び(2)の原子比となるように原料化合物を混合後、成形体とする工程、及び、前記成形体を、800℃から焼結温度までの温度範囲を0.1℃/分〜2℃/分の昇温速度で昇温した後、1450℃〜1650℃に10〜50時間保持することにより焼結する工程を含むことを特徴とする焼結体の製造方法。
Ga/(In+Ga+Al)=0.01〜0.08 (1)
Al/(In+Ga+Al)=0.0001〜0.03 (2) (もっと読む)


【課題】混合粉体が異形と粒子径のバラツキが大きいことから出来上がる成形体は粗密化となり、成形体を焼結させるが、ボイド数の発生が多くなり、寸法精度が悪かった。
【解決手段】セラミック原料とバインダとの混合物Mが供給される供給口4bを設け、外周部に混合物Mを磨砕するための磨砕面を有する第1粉砕部材4と、該第1粉砕部材4の下方に配置され、外周部に第1粉砕部材4の磨砕面と間隙をあけて対向する磨砕面を有する第2粉砕部材5と、を備え、第1粉砕部材4および第2粉砕部材5の少なくとも一方は、対向する磨砕面に対して回転可能に構成されており、第1粉砕部材4および第2粉砕部材5の少なくとも一方の回転動作により、第1粉砕部材4の磨砕面と第2砕部材5の磨砕面との間隙に混合物Mを移動させ、磨砕面間で混合物Mを粉砕および造粒する。 (もっと読む)


【課題】アスベスト含有セメント成形品を無害化処理して焼成品として再利用するにあたって、焼成収縮を小さくすることができると共に、比重を小さくして軽量化を図ることができる焼成品を提供する。
【解決手段】アスベスト含有セメント成形品を無害化処理して粉砕して得られた粉粒体と、石炭灰及び蝋石から選ばれるものとが質量比20:80〜80:20の範囲で配合され、1100〜1200℃で焼成されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ガラス粉末の粉砕時間を短縮しかつ安定させることができるガラスセラミックグリーンシートの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明のガラスセラミックグリーンシートの製造方法は、ガラス粉末を、有機溶剤、玉石と混合して所定粒径まで粉砕してスラリーを作製し、その後このスラリーをシート成形することからなるガラスセラミックグリーンシートの製造方法であって、前記粉砕を室温より高い温度で一定に保持した状態で行うようにしたものである。 (もっと読む)


【課題】イオン導電性を向上させ、長期間の使用に耐え得る化学的安定性を賦与させることが可能なアパタイトセラミックスの製造方法と、このアパタイトセラミックス用いた燃料電池を提供する。
【解決手段】ランタノイドとSi(ケイ素)とを含む原料を反応させてランタノイドシリケートからなるアパタイトセラミックスを合成する際に、下記組成式(1)のアパタイトセラミックスが生成されるようAl又はMgの少なくとも一方をドープすると共に、遷移金属を添加することを特徴とするアパタイトセラミックスの製造方法。(1−α){Ln9.333+x(Si6-yu+y)O26+1.5x-(2-0.5u)y}−α(MOγ)…(1)(但し、Ln;ランタノイド、T;Al又はMgの少なくとも一方の元素、M;遷移金属、0.3<x<0.867、0.1≦y≦0.4、0.002≦α<0.05、γ;遷移金属Mの価数に応じて決定される変数) (もっと読む)


【課題】 保水性セラミックスは、雨水の保全も含めて自然の循環により地球温暖化を防止できる材料であるが、特殊原料を使用して調製されるため、高コストでその利用が制限されていた。
【解決手段】 セラミックスの技術分野ではタブーとされた燃料物質を組成物として内蔵させて熱効率を向上させるため、キュポラダスト、石炭灰から産出される低コストのコークス微粉をセラミックス焼成用原料組成物に配合して燃料物質として活用することにより、セラミックス焼成の時間とコストを大幅に低減し、また、廃棄物由来のケイ酸塩類の粒度5mm以下の粗粒子や、着色瓶ガラスなどの廃材の利用で原材料コストを圧縮しつつ、保水性能の高いセラミックス舗装材を得る。 (もっと読む)


【課題】粗大な粒子が存在しない焼結体の製造に適した一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末、及びそれを用いて製造した酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】BET比表面積が1m/g以上10m/g以下であり、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率90%粒径が5μm以下である一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末は、粉砕ボール径が1mmφ以上10mmφ以下であるボールミルにより粉砕処理が施された後、目開きが50μm以上120μm以下の篩にかけて選別されたものである。 (もっと読む)


【課題】TFT特性の均一性、TFT特性の再現性及びTFTの歩留りが良好なTFTパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】In、Zn及びSnを含み、焼結体密度が相対密度で90%以上であり、平均結晶粒径が10μm以下であり、バルク抵抗が30mΩcm以下であり、直径10μm以上の酸化スズの凝集粒子数が、1.00mmあたり2.5個以下である複合酸化物焼結体。 (もっと読む)


【課題】 規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットが、一般式:{(FePt100−x(100−y)(100−z)、ここでAがAuおよびCuの少なくとも一方からなる金属であり、原子比により30≦x≦80、1≦y≦30、3≦z≦63で表される組成を有した焼結体からなる。また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、AuPt合金粉およびCuPt合金粉の少なくとも一方と、AgPt合金粉と、FePt合金粉と、Pt粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 (もっと読む)


【課題】 熱膨張係数が小さくかつ誘電正接の小さいムライト質焼結体とこれを絶縁層とする多層配線基板ならびにプローブカードを提供する。
【解決手段】 ムライト質焼結体がムライトを主結晶相とし、チタン酸アルミニウムマグネシウムを含有してなるものであり、また、このムライト質焼結体を多層配線基板やプローブカードの絶縁層として適用する。 (もっと読む)


【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いZnO系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ga及び/又はAlを含むZnO系粉体に、Bを0.4wt%以下を添加したことを特徴とするZnO系ターゲット。Ga及び/又はAlを含むZnO粉体にB粉体を混合した後、700〜1000℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、1200℃超の温度で焼結することを特徴とするZnO系焼結ターゲットの製造方法。 (もっと読む)


【課題】強度が高く、耐熱衝撃性に優れた複合セラミック体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】複合セラミック体1は、平均粒径0.5〜1μmのアルミナ粒子11のマトリクスに平均粒径0.3μm以下のジルコニア粒子12を分散させてなり、アルミナ粒子11とジルコニア粒子12との含有量が両者の重量%比で80:20〜95:5である。JIS R 1601に基づく4点曲げ試験を行った複合セラミック体1の破面を観察し、破壊の起点となった内部欠陥の投影面積の平方根を欠陥サイズとした場合に、その欠陥サイズが55μm以下である。 (もっと読む)


【課題】焼結性を向上させることができると共に耐還元性を付与することができ、しかも比誘電率を高めることができる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ1は、積層された複数の誘電体セラミック層2と、これらの誘電体セラミック層間に配置された内部電極3A3Bと、これらの内部電極に電気的に接続された外部電極4A4Bと、を備え、上記誘電体セラミック層は、組成式(K1−yNa)SrNb15(但し、0≦y<0.2)で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分として含む誘電体セラミック組成物によって形成されていると共に、上記組成式中のNbの20モル%以下が副成分で置換されており、上記副成分として、Mnが含まれると共にCr、Co、Fe、Ni、Zn、Mg、Siから選択される少なくとも一種が含まれることがある。 (もっと読む)


【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Erを添加したYAGの単結晶粒子群と希土類を添加しないYAGの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Erを添加したYAGがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないYAGがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 (もっと読む)


【課題】KNa(1−x)Nb0を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れる圧電材料をより安価に提供する。
【解決手段】一般式KNa(1−x)Nb0で表される化合物を主成分として含んだ圧電材料であって、0.1≦x≦0.7であるとともに、Cu酸化物が10mol%以下、BaTiOが、1.0mol%以上、20mol%以下添加されている圧電材料とした。また。さらに、ガラスが0.1wt%以上10wt%以下添加されている圧電材料とすればより好ましい。 (もっと読む)


【課題】安定放電可能な酸化物焼結体ターゲット、および低抵抗かつ可視光域から近赤外域の広範囲で高い透過率を有する透明導電膜を提供する。
【解決手段】亜鉛、元素L(Lはアルミニウムおよび/またはガリウム)、スカンジウム並びに酸素から成る複合酸化物焼結体であって、原子比が、
L/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.001〜0.100
スカンジウム/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.001〜0.100
である酸化物焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により成膜し、原子比が
L/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.002〜0.100
スカンジウム/(亜鉛+L+スカンジウム)=0.002〜0.100
である透明導電膜を得て、それを受光素子に使用する。 (もっと読む)


【課題】使用済み炭素含有耐火物を、残留炭素量の少ない耐火物用原料に再生させると共に、使途に応じた再利用しやすい形の耐火物原料を得る方法を提案する。
【解決手段】使用済み炭素含有耐火物を粉砕したのち篩分けし、次いで、大気中において700℃以上の温度に加熱することにより、残留炭素を燃焼除去して再生したものを耐火物原料として再利用する方法であって、使用目的に応じ、加熱後の再生炭素含有耐火物原料中の炭素含有率(β)を、加熱前の使用済み炭素含有耐火物中の炭素含有率(α)と、篩分け後の加熱前使用済み炭素含有耐火物の最大粒径(Dmax)との関係が、所定の範囲になるように再成させる方法。 (もっと読む)


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