【課題】
電子材料基板を封着するための低融点ガラスであって、実質的にＰｂＯを含まない無鉛低融点ガラスが望まれている。
【解決手段】質量％でＳｉＯ_２を１〜６、Ｂ_２Ｏ_３を５〜１２、Ａｌ_２Ｏ_３を０〜５、ＺｎＯを５〜２０、ＲＯ（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）を０．１〜３、ＣｕＯを０．１〜７、Ｂｉ_２Ｏ_３を６０〜７５含むことを特徴とする無鉛低融点ガラス組成物及びそれを用いた導電性ペースト材料である。該無鉛低融点ガラス組成物は３０〜３００℃における熱膨張係数が（７０〜１００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上５００℃以下である特徴も持つ。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体素子を封入することが可能であり、しかも耐酸性に優れた半導体封入用無鉛ガラス及び半導体封入用外套管を提供する。
【解決手段】 ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４６〜６０％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｂ_２Ｏ_３ １３〜３０％、ＭｇＯ ０〜１０％、ＣａＯ ０〜１０％、ＺｎＯ ０〜２０％、Ｌｉ_２Ｏ ９〜２５％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜７％、ＴｉＯ_２ ０〜８％含有し、Ｌｉ_２Ｏ／（Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）がモル比で０．４８〜１．００の範囲にあることを特徴とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温で半導体素子を封入することが可能であり、しかも耐酸性に優れ、またガラス管成形時に結晶が析出し難い半導体封入用無鉛ガラス及び半導体封入用外套管を提供する。
【解決手段】 ガラス組成として、モル％で、ＳｉＯ_２ ４５〜５８％、Ａｌ_２Ｏ_３ ０〜６％、Ｂ_２Ｏ_３ １４．５〜３０％、ＭｇＯ ０〜３％、ＣａＯ ０〜３％、ＺｎＯ ４．２〜１４．２％、Ｌｉ_２Ｏ ５〜１２％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１５％、Ｋ_２Ｏ ０〜７％、Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ １５〜３０％、ＴｉＯ_２ ０．１〜８％含有し、ＺｎＯ／Ｌｉ_２Ｏが０．８４〜２の範囲内にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路層上に半導体素子をはんだ材を介して、容易に、かつ、確実に接合することが可能なパワーモジュール用基板、冷却器付パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びこのパワーモジュール用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１１の一方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる回路層１２が配設され、この回路層１２上にはんだ層２を介して半導体素子３が配設されるパワーモジュール用基板１０であって、回路層１２の一方の面には、ＺｎＯ含有の無鉛ガラスを含有するＡｇペーストの焼成体からなるＡｇ焼成層３０が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】レーザ封着に好適な封着材料を創案することにより、有機ＥＬディスプレイ等の信頼性を高める。
【解決手段】本発明の封着材料は、ＳｎＯ含有ガラス粉末を含む無機粉末 ９９〜９９．９５質量％と、顔料 ０．０５〜１質量％を含有する封着材料であって、顔料の一次粒子の平均粒径が１〜１００ｎｍであり、且つレーザ封着に用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁反射層を形成するための絶縁白色ガラスペーストを提供する。
【解決手段】有機媒質と、光反射充填剤としてのジルコニア粉末およびガラスフリットを含む無機構成成分と、を含む照明装置基板上に具備すべき絶縁反射層を形成するのに適した絶縁白色ガラスペースト。 （もっと読む）

【課題】配線のダメージあるいは真空度劣化を回避し、高信頼性、かつ長寿命の平面型ディスプレイ装置を構成するのに好適な接合用ガラスを提供する。
【解決手段】酸化物換算で、Ｖ₂Ｏ₅：２５〜５０ｗｔ％、ＢａＯ：５〜３０ｗｔ％、ＴｅＯ₂：２０〜４０ｗｔ％、ＷＯ₃：１〜２５ｗｔ％、Ｐ₂Ｏ₅：０〜２０ｗｔ％を含有する。 （もっと読む）

【課題】無鉛であることに加え、軟化点が低く、色堅牢性が高いガラスから構成されるカラーマーキングを付したガラスアンプルを提供すること。
【解決手段】頭部の、カットキズ近傍にカラーマーキングを付したガラスアンプルであって、カラーマーキングは、Ａｌ₂Ｏ₃を０．５〜３０重量％、ＺｎＯを３〜２５重量％、ＳｉＯ₂を２０〜４０重量％、Ｂ₂Ｏ₃を３〜１５重量％、Ｎａ₂Ｏを１〜５重量％、Ｌｉ₂Ｏを０．５〜５重量％、ＢａＯを３〜１０重量％、Ｂｉ₂Ｏ₃を１０〜２５重量％、Ｃｏ₂Ｏ₃を３〜２３重量％、ＴｉＯ₂を０．１〜５重量％、Ｋ₂Ｏを０〜３重量％、ＣａＯを０〜３重量％、ＺｒＯ₂を０〜３重量％で、Ｃｒ₂Ｏ₃を０〜３重量％、Ｆｅ₂Ｏ₃を０〜３重量％、ＭｎＯを０〜３重量％、Ｌａ₂Ｏ₃を０〜３重量％、ＳｒＯを０〜３重量％、ＳｎＯ₂を０〜３重量％、ＭｇＯを０〜３重量％の割合で含有する無鉛ガラス組成物を含むことを特徴とするカラーマーキング付きアンプル。 （もっと読む）

【課題】溶融温度が低く、再溶融により、透明度が極めて高く且つ気泡の発生がほとんどなく、しかも顔料や陶磁器質基材に対して高い接着性を有するガラスが得られるガラスフリットを提供する。
【解決手段】ガラスフリットは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ホウ素及びアルカリ金属酸化物を主成分とし、且つ酸化カルシウム、酸化ストロンチウム及び酸化マグネシウムからなる群より選択された少なくとも１種の周期表２族金属酸化物を含むガラスフリットであって、酸化ケイ素の含有量が３５〜４９重量％、酸化アルミニウムの含有量が１〜４．５重量％、酸化ホウ素の含有量が２０〜３５重量％、アルカリ金属酸化物、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム及び酸化マグネシウムの総含有量が１４〜３０重量％である。 （もっと読む）

【課題】組成中のＰ⁵⁺の含有量が少ないフツリン酸ガラスを製造するのに、化学的耐久性と熱的安定性のバランスが取れた組成とすること。
【解決手段】Ｏ^2-／Ｐ⁵⁺≧３．７、Ａ１³⁺が所定量以上、Ｐ⁵⁺が所定量以下のフツリン酸ガラスを製造するのに、Ａｌ₂Ｏ₃の占める割合を１〜５質量％の範囲に制限したＡｌＦ₃を用いてガラス原料を調合し、この原料を溶融してフツリン酸ガラスを製造する。 （もっと読む）

【課題】石英ガラス基板の両板の対向面にガラスペーストを印刷してリブを形成しても、焼成で熔解により崩壊せずに、高さが５０〜５００μｍの流路形成用ガラス組成物から成る微細流路が形成でき、石英ガラス基板を強固に接合でき、クラックが発生しない線熱膨張係数の小さな、ホウ珪酸塩ガラスを含有する流路形成用ガラス組成物を提供する。
【解決手段】本発明の流路形成用ガラス組成物は、ホウ珪酸塩ガラスのガラスフリット及びβスポジュメン、コーディエライト、熔融シリカ、酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウムを含み、該ホウ珪酸塩ガラスのガラスフリットが、Ｂ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、アルカリ金属酸化物及びアルカリ土類金属酸化物を必須成分として含み、これらの含有量が前記流路形成用ガラス組成物の全重量に対して６８〜８４重量％の範囲にあり、上記βスポジュメン、コーディエライト、熔融シリカ、酸化アルミニウム又は酸化ジルコニウムの含有量が上記全重量に対して４〜２２重量％の範囲にあることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂ、Ｇｅ、Ｇａ等の酸化物、もしくはフッ素などのハロゲン成分を含まずとも、または、Ｓｎ、Ｃｕの酸化物を多量に含まずとも、耐水性に優れ、封着時またはその後の熱処理においても結晶化しにくく、低い封着温度および所望の膨張係数を実現でき、Ｔｇが４５０℃以下の封着等に適したガラスを提供する。
【解決手段】 酸化物基準のモル％表示で、３０％〜５５％のＰ_２Ｏ_５、１０％〜４０％のＺｎＯ、０．０１％〜３０％のＡｌ_２Ｏ_３、０％〜３０％のＲ_２Ｏ（但し、ＲはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓから選ばれる一種以上）の各成分を含有し、酸化物基準のモル％で表されたＡｌ_２Ｏ_３／ Ｐ_２Ｏ_５の比の値が０．０１以上１以下であることを特徴とするガラス。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、ファイアスルー性が良好であり、またファイアスルーの際にシリコン太陽電池の光電変換効率を低下させ難く、しかも低温で焼結可能なビスマス系ガラスを創案することにより、シリコン太陽電池の光電変換効率を高めることである。
【解決手段】本発明の電極形成用ガラスは、ガラス組成として、質量％で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ６５．２〜９０％、Ｂ_２Ｏ_３ ０〜５．４％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ＋ＺｎＯ＋ＣｕＯ＋Ｆｅ_２Ｏ_３＋Ｎｄ_２Ｏ_３＋ＣｅＯ_２＋Ｓｂ_２Ｏ_３（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｎｄ_２Ｏ_３、ＣｅＯ_２、及びＳｂ_２Ｏ_３の合量） ０．１〜３４．５％を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】環境への負担が小さくて表面電荷密度が大きく、かつ化学耐久性に優れた半導体被覆用ガラスを提供する。
【解決手段】組成として質量％で、ＺｎＯ ４０〜６０％、Ｂ_２Ｏ_３ ５〜２５％、ＳｉＯ_２ １５〜３５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１２％を含有し、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体被覆用ガラス、および当該半導体被覆用ガラスからなるガラス粉末を含むことを特徴とする半導体被覆用材料。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉ_２Ｏ_３を成分として含有しながらも、低い屈伏点を有し、且つ広い範囲の屈折率、高屈折率をもつ光学ガラスの提供を課題とする。
【解決手段】Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ、Ｐ_２Ｏ_５からなる３成分の各１００モル％をそれぞれ正三角形の頂点とする３元系成分組成図上において、前記３成分が下記Ａ〜Ｇの７点を結ぶ線で囲まれる領域にある。Ａ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（２．５モル％、６０．０モル％）、Ｂ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（１２．５モル％、５０．０モル％）、Ｃ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（１２．５モル％、４２．５モル％）、Ｄ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（３２．５モル％、２．５モル％）、Ｅ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（１７．５モル％、２．５モル％）、Ｆ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（１７．５モル％、１０．０モル％）、Ｇ：（Ｂｉ_２Ｏ_３、Ａｇ_２Ｏ）＝（２．５モル％、２５．０モル％）。 （もっと読む）

【課題】減圧雰囲気であっても、５００〜８００℃の中温度域で金属製二重容器を良好に封止可能なＳｎＯ−Ｐ_２Ｏ_５系ガラスからなる封止ガラスを創案することにより、長期間に亘って、金属製二重容器の気密性を確保すること。
【解決手段】本発明の封止ガラスは、ガラス組成として、モル％表示で、ＳｎＯ １５〜３０％（但し、３０％を含まず）、Ｐ_２Ｏ_５ ２０〜４０％、ＷＯ_３ ５〜２０％（但し、５％を含まず）、ＺｎＯ ３．４〜３０％（但し、３０％を含まず）を含有し、モル比ＳｎＯ／ＺｎＯが１以上４．５以下であると共に、金属製二重容器の封止に用いることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】封着材料層のコーナー部へのレーザ照射に起因するガラス基板や封着層のクラックや割れ、また封着ガラスの発泡による気密性の低下等を抑制することを可能にした封着材料層付きガラス部材およびそれを用いた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ガラス基板３は封止領域５を備える。ガラス基板３の封止領域７上には、封着ガラスと低膨張充填材とレーザ吸収材とを含有する封着材料からなる封着材料層７が設けられている。枠状の封着材料層７は直線部７ａとコーナー部７ｂとで構成されている。封着材料層７はコーナー部７ｂの幅Ｌ₁₂が直線部７ａの幅Ｌ₁₁より広い。 （もっと読む）

【課題】 ６００℃以下の温度で焼成することができ、焼成時に分相せず、Ａｇ電極との反応による黄変が少なく、高い透過率と低い誘電率を有する誘電体層を得ることが可能なプラズマディスプレイパネル用誘電体材料及びそれを用いて形成された誘電体層を備えてなるプラズマディスプレイパネル用ガラス板を提供することである。
【解決手段】 本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２系ガラス粉末からなるプラズマディスプレイパネル用誘電体材料であって、該ガラス粉末が、実質的にＰｂＯを含まず、モル百分率で、Ｂ_２Ｏ_３ ２６〜４５％、ＳｉＯ_２ ４２超〜５７％、Ａｌ_２Ｏ_３ １〜８％、Ｎａ_２Ｏ ０〜１０％、Ｋ_２Ｏ １〜１５％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ ４〜２０％、ＺｎＯ ０〜５％、ＣｕＯ＋ＭｏＯ_３＋ＣｅＯ_２＋ＭｎＯ_２＋ＣｏＯ ０〜６％含有するガラスからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温での信頼性に優れる封着性を維持しつつ、封着後のガラス（封着部）の耐候性を向上させた封着用ガラスを提供する。
【解決手段】封着用ガラスは、酸化物基準のモル％表示で、３０〜３３％のＰ₂Ｏ₅と、６３〜６９％のＳｎＯと、０〜３％のＺｎＯと、０．１〜３％のＷＯ₃、ＴｅＯ₂、ＧｅＯ₂、Ｇａ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｌａ₂Ｏ₃、ＣａＯ、及びＳｒＯからなる群より選ばれる少なくとも１種とを含むガラス組成物からなり、ガラス転移温度が２５０℃以下である。 （もっと読む）

【課題】レーザ封着に代表される光加熱封着に適用する際に、広い波長域で十分な光吸収率を有すると共に、封着温度を低温化することを可能にした封着用ガラスを提供する。
【解決手段】封着用ガラスは、酸化物基準のモル％表示で、２７〜３３％のＰ₂Ｏ₅、５０〜７０％のＳｎＯ、０．５〜３％のＴｅＯ₂、０〜１０％のＺｎＯ、０〜５％のＣａＯ、０〜５％のＳｒＯ、０〜５％のＢ₂Ｏ₃、０〜５％のＧａ₂Ｏ₃、０〜３％のＧｅＯ₂、０〜３％のＩｎ₂Ｏ₃、０〜３％のＬａ₂Ｏ₃、及び０〜３％のＷＯ₃を含むガラス組成物からなる。封着用ガラスはレーザ光等の光ビームで加熱する封着工程に適用され、電子デバイス１の封着層６の形成に使用される。 （もっと読む）