【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ単結晶シリコンは体積固有抵抗やライフ・タイム等、品質上はＣＺ単結晶シリコンに比べて優れているにも拘わらず、コストが「約５〜８倍」と高価なため、太陽電池用としては使用されていない。このため、本発明では太陽電池用に特化することにより、大幅なコスト・ダウンをはかる手段を提供することにより、ＦＺ単結晶シリコンを使用し大幅に効率アップした太陽電池の普及に貢献する。
【解決手段】
単結晶製造のスムーズな引き上げのみを考慮した単純な製造機器により、成長スピードを２〜５ｍｍ／ｍｉｎ、場合により８ｍｍ／ｍｉｎまであげる。
又、芯ドープには空洞部に特殊加工したドーピングマザーメタルを使用する等を行う。
亜鉛還元法によるシリコンについては、熔融が簡単で短時間融解で済み、吸い上げを含めても石英等とのコンタミネーションも極端に少なくなる。 （もっと読む）

【課題】人工水晶育成時の結晶の成長速度が大幅に向上するとともに、不純物及びインクルージョン含有量の少ない高品質の水晶を低原価で製造することができる人工水晶の製造装置を提供する。
【解決手段】人工水晶育成炉本体容器２１の下部領域２１ｂにおいてアルカリ溶液で溶融した原料水晶３０を、また、該本体容器２１の上部領域２１ａにおいて育成枠８に配設した種子水晶３に原料水晶３０を再結晶させて人工水晶を育成する人工水晶の製造方法及び装置２０において、該種子水晶３を前記容器２１の鉛直線を中心として所定角度傾け、かつ、反時計回り、または時計回りに回転らせん状に配設し、さらに前記種子水晶３を製品用種子水晶と、該製品用種子水晶と異なるカットの種子水晶から構成して、同じ前記人工水晶育成炉本体容器２１内に同時に配置して人工水晶を育成することを特徴とする人工水晶の製造方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極３上に二酸化ケイ素４を載置させた状態で当該二酸化ケイ素４を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン又はシリコン含有材料のピラー化粒子を製造する方法及び粒子をその活物質として含む電極、電気化学的電池、リチウム蓄電池のアノード、電池、電池によって駆動されるデバイス、複合電極を作成する方法、リチウム蓄電池を製造する方法、及び、シリコン含有ファイバーを製造する方法の開発。
【解決手段】ピラー化粒子は、次の５つの工程により製造される。粉砕（grinding）及びふるい分け；洗浄；核形成（nucleation）；エッチング；及び銀除去。
【効果】それらの粒子は、高分子バインダー、導電剤及び金属ホイル集電体を有する複合アノード構造及び電極構造の両方を作成するために用いられ得る。該粒子の構造は、充電／放電の容量損失の問題を克服できる。 （もっと読む）

【課題】
シリコン基材から、表面安定性の高い、粒径が少なくとも数百ｎｍ以下のシリコン（Ｓｉ）微細粒子を形成し、それを用いて太陽電池を創製する。
【解決手段】
シリコン基材から粉砕後、ビーズミル法で粉砕して得た，少なくとも粒径数百ｎｍ以下のＳｉ微細粒子を、フッ化水素酸水溶液（ＨＦ）のみに分散させて処理することで、処理直後のＳｉ粒子表面のＳｉＯ_２層がほぼゼロ、また、大気中で１ヶ月放置しても、そのＳｉＯ_２層厚は高々０．６ｎｍ程度と、自然酸化膜成長の小さい、表面安定性の高いＳｉ微細粒子が実現でき、それを用いて太陽電池を創製した。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いＳｉインゴット結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するＳｉ融液の表面近傍でＳｉ種結晶を用いて核形成させ、Ｓｉ種結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第１の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第２の工程と、融液内に残った結晶からＳｉ融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第３の工程とを含み、上記第２及び第３の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 円筒状シリコンインゴットの側面剥ぎ切断装置上で、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する方法および外周刃の横揺れ幅を小さくすることができる自己補償機構の提供。
【解決手段】 加圧冷却液供給パッド一対９６ｐ，９６ｐを外周刃９１ａを挟んで外周刃の前面および後面に設け、ポンプ９６ｐより供給される加圧液体の供給管を２分岐し、分岐された供給管のそれぞれの先端を前記一対の加圧冷却液供給パッドの液体貯め空間に望ませた外周刃横揺れ自己補償機構９６。および、レーザ光反射型変位センサｓを用い、円筒状単結晶シリコンインゴットの結晶方位を正確に検知する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】明るく、高コントラストで駆動電圧の低い、優れた表示性能を有する液晶表示素子を製造することが可能な液晶シリカナノ粒子を提供する。
【解決手段】平均粒子径が400nm以下のシリカナノ粒子の内部に液晶性物質を分散してなる液晶含有シリカナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】＜１＞高容量と良好なサイクル特性を実現する、＜２＞多孔質体内部でシリコン化合物による導電パスの確保としたリチウムイオン電池用の負極材料に好適な多孔質シリコン複合体粒子を得る。
【解決手段】シリコン微粒子３とシリコン化合物粒子５が接合してなる多孔質シリコン複合体粒子１であって、前記シリコン化合物粒子は、シリコンと、Ａｓ、Ｂａ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｅｒ、Ｆｅ、Ｇｄ、Ｈｆ、Ｌｕ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｏｓ、Ｐｒ、Ｐｔ、Ｐｕ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｃ、Ｓｍ、Ｓｒ、Ｔａ、Ｔｅ、Ｔｈ、Ｔｉ、Ｔｍ、Ｕ、Ｖ、Ｗ、Ｙ、Ｙｂ、Ｚｒからなる群より選ばれた一つ以上の複合体元素との化合物を含み、前記多孔質シリコン複合体粒子の平均粒径が、０．１μｍ〜１０００μｍであり、多孔質シリコン複合体粒子が、連続した空隙からなる三次元網目構造を有することを特徴とする多孔質シリコン複合体粒子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループット、成膜均一性を低下させることなく、電極の接続面へのプロセスガスの回り込みを抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハwが導入される反応室11と、反応室11にプロセスガスを供給するガス供給機構12と、反応室11よりガスを排出するガス排出機構13と、ウェーハwを載置するウェーハ支持部材15と、ウェーハ支持部材15を載置するリング16と、リング16と接続され、ウェーハwを回転させるための回転駆動制御機構17と、リング16内に設置され、ウェーハwを所定の温度に加熱するために設けられるヒータ18と、ヒータ18と接続され、ねじ込み用凹部19aを有する電極部品19と、ねじ込み用凹部19aで電極部品19と接続されるねじ込み部21aを有する電極21と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路１２を備え、前記被処理物通路１２のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端１２ａが、前記炉体の中央を通る垂直線Ｃを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能又は機能の異なる２以上の多結晶シリコンウエハを備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】一方を溶融状態とし他方を固体状態として相互に一体化した、同心円状の比抵抗が２桁以上異なる２種類以上の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを主成分とするウエハからなることを特徴とするハイブリッドシリコンウエハであり、高比抵抗のシリコン又はシリコンを主成分とするインゴット１を、坩堝２内の中心部又は偏芯させた一部に配置すると共に、前記坩堝とインゴット周囲の空隙部に、前記インゴットよりも比抵抗が２桁以上低いナゲット３又は粉末状のシリコンを充填し、前記ナゲット又は粉末状のシリコンを選択的に溶解して、前記インゴットと一体化させて複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンウエハと単結晶ウエハの双方の機能を備えたハイブリッドシリコンウエハを提供する。
【解決手段】溶融状態の多結晶シリコンと固体状態の単結晶シリコンを用いて相互に一体化したウエハであって、単結晶部との境界から１０ｍｍ以内の多結晶部の平均結晶粒径が８ｍｍ以下の微細結晶を有することを特徴とするハイブリッドシリコンウエハ。予め鋳型の中に円柱状の単結晶シリコンインゴットをセットし、この単結晶インゴットの周囲に、溶融したシリコンを鋳込んで一体化して単結晶シリコンと多結晶シリコンの複合体とし、これをさらにウエハ状に切り出すことを特徴とするハイブリッドシリコンウエハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面にクラックが存在していても、エッチング後のエッチング剤の付着量を腐食性ガスの発生量が顕著とならない程度とすることが可能であり、かつ清浄度の高いシリコン破砕物を得ることが可能なシリコン塊の処理方法を提供する。
【解決手段】下記（ａ）〜（ｆ）の工程を備えるシリコン塊の処理方法。（ａ）常温のシリコン塊を加熱する工程、（ｂ）前記加熱したシリコン塊を冷却し、クラックを発生させる工程、（ｃ）前記クラックが発生したシリコン塊を破砕してシリコン破砕物とする工程、（ｄ）前記シリコン破砕物を純水に浸漬し、冷却または破砕により表面に発生したクラックに純水を浸透させる工程、（ｅ）前記純水に浸漬したシリコン破砕物の表面を、エッチング剤を用いてエッチングする工程、および（ｆ）前記エッチングしたシリコン破砕物の表面を純水で洗浄し、前記エッチング剤を除去する工程。 （もっと読む）

【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 （もっと読む）