【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガイドに多結晶が付着することを抑制することができるＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器９には、中空部９ｂを構成する側部９ｄに当該反応容器９の中心軸に沿った導入通路９ｃを形成する。ガイド１０には、内部が空洞とされて空洞部１０ｃを構成すると共に空洞部１０ｃを導入通路９ｃと連通する連通孔１０ｄを形成し、筒部１０ａの内周壁面に空洞部１０ｃと中空部９ｂとを連通する第１出口孔１０ｅを形成する。そして、導入通路９ｃおよび空洞部１０ｃを介して第１出口孔１０ｅから不活性ガス１６またはエッチングガスを中空部９ｂに導入する。 （もっと読む）

【課題】結晶育成時におけるタンタル酸リチウム単結晶の曲がりを抑制してその生産性が改善されたタンタル酸リチウム単結晶の育成方法を提供すること。
【解決手段】この育成方法は、坩堝３に収容された原料の溶融液10に種結晶８を接触させ上記種結晶を回転させつつ上方に引き上げることでタンタル酸リチウム単結晶11を育成する方法であって、タンタル酸リチウム単結晶の直胴部を育成するとき該単結晶の回転方向を５〜８００分の一定間隔で反転させることを特徴とする。この育成方法によれば、結晶育成中におけるタンタル酸リチウム単結晶がＸ軸方向へ曲がる現象を抑制できるため、育成されたタンタル酸リチウム単結晶インゴットからウエハーを得る場合、直径不良のウエハーが発生し難くなる。従って、ウエハーの取得可能枚数を増大できるためウエハーの生産性が大幅に向上してコスト削減に寄与できる効果を有する。 （もっと読む）

【課題】放射線照射に対して高い輝度の発光を示すシンチレーター並びにシンチレーターに好適な金属フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】ＬｉＣａ_{（１−ｘ）}Ｍｇ_ｘＧａＦ_６（０．１≦ｘ≦０．９）の組成を持ち、賦活材としてランタノイドを含有する金属フッ化物結晶について、放射線照射に対して高い発光輝度を示す様子が分かった。この金属フッ化物結晶は、発光素子としての用途に好適に使用でき、特に、中性子検出用途を含むシンチレーターに好適である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＬＰＤが極限まで低減され、検査工程及び出荷段階で不良品発生率が低いシリコンウェーハを、歩留まり良く製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明では、ＣＺ法により育成された無欠陥シリコン単結晶からシリコンウェーハを製造する方法であって、
前記無欠陥シリコン単結晶からスライスされ、鏡面研磨されたシリコンウェーハを準備した後に、
前記鏡面研磨されたシリコンウェーハを、５００℃以上６００℃以下の温度で、４時間以上６時間以下の時間で熱処理する熱処理工程と、
前記熱処理工程後のシリコンウェーハを、研磨量が１．５μｍ以上となるように再研磨する再研磨工程とを行うことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液の周辺領域の温度がばらつくのを抑制しつつ、ＳｉＣ種結晶の近傍領域を効率良く冷却可能な、溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】シードシャフト３０と、坩堝１４とを備える。シードシャフト３０は、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有する。坩堝１４は、ＳｉＣ溶液１６を収容する。坩堝１４は、本体１４０と、中蓋４２と、上蓋４４とを備える。本体１４０は、第１筒部３８と、第１筒部３８の下端部に配置される底部４０とを備える。中蓋４２は、本体１４０内のＳｉＣ溶液１６の液面の上方であって第１筒部３８内に配置される。中蓋４２は、シードシャフト３０を通す第１貫通孔４８を有する。上蓋４４は、中蓋４２の上方に配置される。上蓋４４は、シードシャフト３０を通す第２貫通孔５２を有する。 （もっと読む）

【課題】引上げ中に生じた予想し得ない外乱がヒータ温度に与える影響を抑制することが可能な半導体単結晶の引上げ方法及び引上げ装置を提供する。
【解決手段】予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の単結晶の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の単結晶の引上げデータから次に引上げる単結晶のヒータの温度プロファイルを第１評価機能に基づいて評価する。第１評価機能に基づいて次に引上げる単結晶のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。単結晶１１の引上げ中に所定の引上げ長毎に上記修正された温度プロファイルを更に自動修正しこの自動修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】熱電変換材料の単結晶を製造するに際し、結晶成長を継続させることができる熱電変換材料結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長装置は、熱電変換材料を溶融させた溶液１１が配置されるるつぼ１０と、棒状の一端側の先端２１における結晶支持点２２に熱電変換材料の種結晶６０が固定される結晶支持棒２０と、種結晶６０に成長する熱電変換材料の単結晶６１を結晶支持棒２０を介して冷却することにより溶液１１の温度に対して単結晶６１の結晶成長面６２の温度を低下させる冷却手段４０と、を備えている。そして、種結晶６０を溶液１１に浸し、冷却手段４０によって単結晶６１の結晶成長面６２の熱を結晶支持棒２０に引き出すことで結晶成長面６２の温度と溶液１１の温度との温度差を確保する。 （もっと読む）

【課題】高い光透過率および高い発光量を有するシンチレータアレイを提供するとともに、当該シンチレータアレイを用いた検出感度の高い放射線検出器を提供すること。
【解決手段】本発明によれば、放射線を吸収して発光する複数の柱状のシンチレータからなるシンチレータアレイと、前記シンチレータの発光を検知する受光器とを備える放射線検出器であって、前記複数の柱状のシンチレータは、その長手方向に前記放射線が入射するように、複数の行・列に二次元配列され、前記シンチレータは、Ｇｄ、Ａｌ、Ｏ、およびＣｅ、ならびにＧａ、Ｓｃ、Ｙ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種を含むガーネット型シンチレータ結晶であり、前記シンチレータは、５５０ｎｍの波長の光に対する吸光係数が０．００５ｍｍ^−１以下である、放射線検出器が提供される。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できる、特定の物性を有する炭素繊維強化炭素複合材からなる炭素繊維強化炭素複合円筒部材及び炭素繊維強化炭素複合円筒部材の製造方法、並びに炭素繊維強化炭素複合材ルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられ、底部２２と、前記底部の上方に設けられた直胴部（円筒部材）２１とを有する炭素繊維強化炭素複合材ルツボ２０であって、少なくとも前記直胴部（円筒部材）が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃の温度域における直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下である。 （もっと読む）

【課題】高品質かつ長尺な単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】坩堝１内には、単結晶９の原料２および種結晶４が対向配置される。また坩堝１内には、原料２が昇華したガスを種結晶４へと導くガイド３および種結晶４の周囲を囲みタンタル又は炭化タンタルから成るタンタルリング６が配設される。坩堝１の内壁、ガイド３およびタンタルリング６で囲まれる密閉空間には、断熱材５が配設される。以上の構成の坩堝１を加熱して原料２を昇華させることにより、種結晶４上に単結晶９を成長させる。 （もっと読む）

【課題】冷却時における石英ガラスルツボの食い込みを抑制でき、石英ガラスルツボを破壊することなく、石英ガラスルツボを容易に取り外すことができ、更には珪化を抑制できるルツボ及びこのルツボの製造方法を提供する。
【解決手段】溶融材料を収容する石英ガラスルツボを支持、保持するために用いられる、底部と、前記底部の上方に設けられた直胴部とを有するルツボであって、前記底部が黒鉛材で形成されると共に、前記直胴部が、引張弾性率が４００ＧＰａ以上９００ＧＰａ以下のピッチ系炭素繊維を用いた炭素繊維織布を含む炭素繊維強化炭素複合材から形成され、かつ常温から８００℃に昇温した際の直胴部の周方向の平均線熱膨張係数が、石英ガラスの平均線熱膨張係数以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高品質で大型のＴＧＧ結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。前記ＴＧＧ結晶は、組成Ｔｂ₃ Ｍ_x Ｇａ_5-x Ｏ₁₂で表され、ＭがＳｃ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種の３価元素であって、基板がＧＧＧの場合には０．１≦ｘ≦０．５を満たし、基板がＳＧＧＧの場合は０．９≦ｘ≦１．６５を満たしており、且つ前記基板と育成したＴＧＧ結晶の垂直方向の格子定数差を±０．０２Å以下とする。必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ₂ Ｏ₃ をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。融液中に、ＳｉＯ₂ 、ＧｅＯ₂ 、ＴｉＯ₂ から選ばれる１種以上の酸化物、あるいはＣｅＯ₂ が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したＴＧＧ結晶を還元処理する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、ボイドのような欠陥のないタンタル酸リチウム単結晶の製造に適したルツボを提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法で融液から酸化物単結晶を育成するのに使用するイリジウムルツボであって、側面の板厚と底面の板厚をそれぞれｔ及びｔ’とした場合、ｔ>ｔ’であり、前記ｔ’値が0.5ｔ≦ｔ’≦0.95ｔ、前記ｔ値が1.5ｍｍ〜10.0mmであり、さらに前記イリジウムルツボの底面の形状が丸味を帯びていることが好ましい。。 （もっと読む）

【課題】高品質の単結晶を成長させることができる単結晶の製造方法と、それに用いる種結晶固定剤とを提供する。
【解決手段】種結晶固定剤３１を用いて台座４１に種結晶１１の裏面が固定される。種結晶１１の裏面が固定される際、加熱により種結晶固定剤３１が硬化させられる。種結晶固定剤３１は、加熱されることによって難黒鉛化炭素となる樹脂と、ダイヤモンド微粒子とを含む。台座４１に固定された種結晶上に単結晶が成長させられる。 （もっと読む）

【課題】単結晶のネック部を所定径まで拡げるクラウン工程において、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】種結晶Ｐをルツボ３内のシリコン融液Ｍに接触させ、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶Ｃを引き上げる単結晶引上方法であって、前記種結晶から形成した単結晶のネック部Ｐ１を所定径まで拡げたクラウン部Ｃ１を形成する工程において、前記クラウン部の径をｄ（ｍｍ）、前記クラウン部の引上方向長さをＬ（ｍｍ）とすると、結晶回転速度ｓω（ｒｐｍ）とルツボ回転速度ｃω（ｒｐｍ）とは、式（１）及び式（２）により規定する回転速度に制御される。
［数１］
ｓω＝α／（ｃω×ｄ） ・・・（１）
α＝４×１０-^４×Ｌ^４−３×１０-^７×Ｌ^３−６×１０-^５×Ｌ^２−０．００６９×Ｌ＋０．３ ・・・（２） （もっと読む）

【課題】反り及びクラックが発生することなく自立基板を製造することのできる自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、異種基板上に第１薄膜を成長させる第１ステップ；イオンを注入して前記第１薄膜内にイオン注入層を形成する第２ステップ；前記イオン注入層を基準に、前記第１薄膜を上部薄膜と下部薄膜とに分離する第３ステップ；及び、前記上部薄膜上に第２薄膜を成長させる第４ステップを含むことを特徴とする自立（Ｆｒｅｅ‐Ｓｔａｎｄｉｎｇ）基板の製造方法を提供し、反り及びクラックが発生することなく自立基板を製造することができ、異種基板と成長した自立基板とを分離するためのレーザー（Ｌａｓｅｒ）分離工程等の追加的な工程を必要としない効果を有する。 （もっと読む）

【課題】異方位結晶や異種多形結晶が少なく、かつ、大口径の｛０００１｝面基板を切り出すことが可能なＳｉＣ単結晶及びその製造方法、並びに、このようなＳｉＣ単結晶から切り出されるＳｉＣウェハを提供すること。
【解決手段】ａ面成長を繰り返して｛０００１｝面口径の大きいＳｉＣ単結晶を製造する場合において、成長面の総面積（Ｓ₂）に対するＳｉ面側ファセット領域の面積（Ｓ₁）の割合Ｓ_fcaet（＝Ｓ₁×１００／Ｓ₂）が２０％以下に維持されるように、ＳｉＣ単結晶をａ面成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体単結晶の直径変動を低減し、その直径制御の操作量である引上げ速度の変動を抑制し、設定通りの半導体単結晶を引上げて、高品質な半導体単結晶を製造する。
【解決手段】半導体原料をヒータ１８により融解してるつぼ１３に半導体融液１４を貯留し、予め設定された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。ヒータ１８の温度プロファイルの設定に寄与する過去の半導体単結晶１１の引上げデータをデータベースに蓄積し、この過去の半導体単結晶１１の引上げデータから次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを特定の評価機能に基づいて評価する。この特定の評価機能に基づいて次に引上げる半導体単結晶１１のヒータ１８の温度プロファイルを引上げ前に修正し、この修正された温度プロファイルに基づいてヒータ１８を制御しながら半導体単結晶１１を引上げる。 （もっと読む）

【課題】内部の歪を緩和し、大口径の炭化珪素結晶ウエハに生じる反りを抑制することができる炭化珪素結晶インゴット、炭化珪素結晶ウエハおよび炭化珪素結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】直径が４インチ以上の表面を有し、ｎ型ドーパントの濃度が１×１０¹⁵個／ｃｍ³以上１×１０²⁰個／ｃｍ³以下であり、金属原子の濃度が１×１０¹⁴個／ｃｍ³以上１×１０¹⁸個／ｃｍ³以下、かつｎ型ドーパントの濃度以下であって、金属原子の濃度勾配が１×１０¹⁷個／（ｃｍ³・ｍｍ）以下である炭化珪素結晶インゴットと、それを用いて作製された炭化珪素結晶ウエハ。前記炭化珪素結晶インゴットは、炭化珪素粉末の結晶中に珪素よりも原子半径の大きな金属原子を格子間原子および置換原子の少なくとも一方として含む原料粉末を酸洗浄した後、前記原料粉末６を用いて炭化珪素結晶インゴット５を気相成長させることにより製造する。 （もっと読む）