【課題】ＬＳＡ工程でのシリコン基板内に生じる物理的現象を正確に予測できる、シミュレーションによるＬＳＡを施す際に生じるＢＭＤからの発生転位予測方法を提供する。
【解決手段】第１〜第５ステップで、基板をメッシュ要素に細分化してメッシュ化し、ＬＳＡのレーザービームの入射エネルギーを負荷として基板の温度分布の時間変化を求め、更にこの温度分布から熱応力分布の時間変化を求める。第６〜第８ステップで、任意の位置Ａにおける深さ方向の分布を各時間で選び出し、選び出した温度分布からＢＭＤから発生する転位の臨界応力を求め、選び出した応力分布からせん断応力を求める。第９〜第１１ステップで、臨界応力とせん断応力とを各深さ位置ごとに比較し、比較結果から各深さ位置の転位長さを求め、この転位長さからスリップ発生の深さを求める。 （もっと読む）

【課題】非極性面や半極性面の主面を有する結晶成長において、結晶成長に伴う積層欠陥を抑制し、かつ結晶面がｃ軸方向に反ってしまう結晶の反りを抑制することを課題とする。
【解決手段】結晶成長工程において、結晶表面に洗濯岩状の形状を呈するように結晶成長させることで、課題を解決する。具体的には、結晶表面に複数の凹部及び凸部を形成させ、且つ隣り合う前記凹部及び凸部の成長方向高さの差が５００μｍ以上である箇所を連続して２以上形成させることで課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】製造する単結晶の直径及び方位毎の適切な操業発振周波数を決定することにより、良好な抵抗率バラツキの単結晶を安定して製造する単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】高周波発振器から高周波電圧が供給される誘導加熱コイルで原料結晶を部分的に加熱溶融して浮遊帯域を形成し、該浮遊帯域を移動させて単結晶を製造するＦＺ法（フローティングゾーン法又は浮遊帯溶融法）による単結晶製造方法であって、予め、前記製造する単結晶と同一直径及び同一方位を有する単結晶に関して、供給する高周波電圧の発振周波数を変化させた場合の発振周波数毎の抵抗率バラツキを調べ、該発振周波数と抵抗率バラツキの関係に応じて前記製造する単結晶の直径及び方位毎の操業発振周波数を決定し、該決定した操業発振周波数に合わせて前記高周波発振器の調整を行い、該調整した高周波発振器を使用して単結晶を製造することを特徴とする単結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】４００℃を越える高い温度範囲でも使用することができ、さらにその抵抗率の温度依存性が小さい高温領域圧電素子用材料を提供する。
【解決手段】ＲＥ_３Ｇａ_５−ｘＡｌ_ｘＳｉＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５）、ＲＥ_３Ｔａ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）及びＲＥ_３Ｎｂ_０．５Ｇａ_{５．５−ｘ}Ａｌ_ｘＯ_１４（式中、ＲＥは希土類を表し、０＜ｘ＜５．５）からなる群から選択される組成を有し、１００℃〜６００℃の範囲の抵抗率変化が１０^４以下であることを特徴とする。酸化性ガスを含む不活性ガス雰囲気中で溶液から単結晶を育成し、次いで、不活性ガス中の酸化性ガスのモル分率（ｚ）を、前記育成工程における酸化性ガスのモル分率よりも低下させて冷却を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ルツボの構成材料に含まれるアルカリ金属によってルツボ内のシリコン融液が汚染されるのを防止することができ、しかも、シリコン融液の保持のための十分な強度を備えており、シリコン単結晶引上げの歩留向上を図ることができるシリコン単結晶引上げ用石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】ルツボ内層が合成石英ガラスからなり、ルツボ外層が２〜１０ｐｐｍの添加Ａｌが固溶した天然石英ガラスからなる石英ガラスルツボを構成する。 （もっと読む）

【課題】単結晶組織サイズが微細で且つ均一化された酸化物共晶体を製造できる酸化物共晶体の製造方法及び酸化物共晶体を提供すること。
【解決手段】２種以上の酸化物の融液を収容するルツボ内に設置したダイ１を用いて酸化物共晶体を製造する酸化物共晶体の製造方法であって、ダイ１に形成された経路２を通って吸い上げられ、融液配置面１ａ上に配置された融液３に種結晶１４を接触させる種結晶接触工程と、種結晶１４を引き上げ、酸化物共晶体１５を得る種結晶引上げ工程とを含み、種結晶引上げ工程が、種結晶１４を回転させる種結晶回転工程を含む酸化物共晶体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線ＣＴ装置のような放射線検出に用いるシンチレータにおいて、クロストーク防止のための隔壁形成を不要とする光導波機能を有する一方向性相分離構造からなるシンチレータを提供する。
【解決手段】本発明のシンチレータは、一方向性を有する複数の柱状晶からなる第一の結晶相と、第一の結晶相の側面を埋める第二の結晶相とからなる相分離構造を有し、前記第二の結晶相がＣｓ_３Ｃｕ_２〔Ｘ_ａＹ_１−ａ〕_５であらわされ、ＸとＹは異なる元素であるとともにＩ、Ｂｒ、Ｃｌから選択され、かつ０≦ａ≦１の範囲である材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】昇華法によるＳｉＣ単結晶等の製造において、高品質な単結晶を低コストで得る単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置８は、蓋部に種結晶支持部を有し、昇華原料を収容する円筒形の坩堝１と、坩堝１の周囲に設置する誘導加熱コイル７と、坩堝１の下方に設けられた成形断熱材２と、坩堝１と成形断熱材２の間に設けられたグラファイト製円筒耐熱材３と、を備える。前記構成により、成形断熱材２の断熱性の再現性、均一性のばらつきに起因する坩堝温度のばらつきを防ぐことができるので、結晶成長条件が安定化し、高品質な単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制し、よりＳｉＣ単結晶を長時間成長させることが可能なＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガス３のうちの未反応ガスの排出経路にパージガス拡散導入部材９、１０ｃを配置し、パージガス拡散導入部材９、１０ｃのほぼ全域でパージガス１５を導入できるようにする。例えば、かさ密度が０．７×１０³ｋｇ／ｍｍ³以下の多孔質物質もしくは繊維状物質でパージガス拡散導入部材９、１０ｃを構成する。これにより、排出経路の詰まりをより広い範囲に渡って抑制することが可能となり、ＳｉＣ単結晶製造装置１をよりＳｉＣ単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 （もっと読む）

【課題】インナーシールドを保持しながら熱ロスを低減することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液を収容するルツボ４と、該ルツボ４を取り囲むように配置されたヒーター６と、該ヒーター６を取り囲むように配置されたシールド１６とを格納するメインチャンバー２を有するチョクラルスキー法による単結晶育成装置１であって、前記シールド１６は、炭素繊維断熱材からなるヒートシールド８と、少なくとも該ヒートシールド８の前記ヒーター６側に炭素材又は炭素繊維複合材からなるインナーシールド７とを有するものであり、前記インナーシールド７は、複数本の足を有する支持部材１４によって前記メインチャンバー２の底部から支えられたものであることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化アルミニウム単結晶を製造することができる窒化アルミニウム単結晶の製造方法及び製造装置を提供すること。
【解決手段】成長容器２内に内側ガス導入部２ｆを経て窒素ガスを導入するとともに成長容器２内のガスをガス排出部２ｅを経て排出させながら、成長容器２内に収容した窒化アルミニウムからなる原料を昇華させ、成長容器２内の種結晶１０上に結晶１２を成長させて窒化アルミニウム単結晶を得る結晶成長工程を含み、結晶成長工程において、成長容器２を収容する反応管３内に外側ガス導入部３ｂを経て、窒素ガス又は窒化アルミニウムの生成反応に対する不活性ガスからなる外側ガスを導入することにより、ガス排出部２ｅの外側に外側ガスを流す窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】レジン固定砥粒ワイヤを用いて、大型で反りおよび表面粗さの小さいＩＩＩ窒化物結晶基板を効率よくかつ歩留まり良く製造できるＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物結晶体を準備する工程Ｓ１と、レジン固定砥粒ワイヤを用いてＩＩＩ族窒化物結晶体をスライスすることによりＩＩＩ族窒化物結晶基板を作製する工程Ｓ２と、を含む。 （もっと読む）

【課題】六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなり、ｍ面である表面を有する下地結晶１０の前記表面上に、前記下地結晶１０のｃ軸に沿って延びる複数のストライプ２２を含むマスク２０を形成する工程と、前記マスク２２が形成された前記表面の上にＧａＮ系半導体結晶３０をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状ＧａＮ系半導体結晶の製造方法において、ＧａＮ系半導体結晶３０は下地結晶１０の露出面１５から成長し始め、マスク２０と略同じ厚さのＧａＮ系半導体結晶膜４０がまず形成される。更にＧａＮ系半導体結晶３０を成長させ続けると、ＧａＮ系半導体結晶膜４０の上に六角棒状ＧａＮ系半導体結晶３０が形成される。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からｃ軸方向に±９０°傾斜した面をＫ面と定義したとき、該Ｋ面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 （もっと読む）

【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、よりＳｉＣ単結晶を長時間成長させることが可能なＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】台座９の外周にパージガス１５が導入されるようにし、外周容器８ｂの内径が原料ガス３およびパージガス１５の流動方向下流側に進むに連れて徐々に大きくなるようにする。これにより、パージガス１５が外周容器８ｂの内周面に沿って流れる効果が高められるようにできる。したがって、効果的に排出経路にＳｉＣ多結晶が堆積することを抑制することが可能となり、ＳｉＣ単結晶製造装置１をよりＳｉＣ単結晶を長時間成長させることが可能な構成にできる。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では製造の困難であった機能材料も製造することの可能な機能材料の製造方法で用いられる高重力場発生装置用ロータを提供する。
【解決手段】高重力場発生装置用ロータは、一の軸と直交する面内においてその軸を中心として点対称の形状となっている。高重力場発生装置用ロータは、その軸との関係で平行または所定の角度だけ傾いた平坦面を複数有する側面によって囲まれた内部空間を有している。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。スライス工程（Ｓ１２０）では、主表面における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、十点平均粗さＲｚｊｉｓのうちの少なくとも１つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）