【課題】原料の無駄を抑えながら、歩留まり良く品質が良い窒化物結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】反応容器内に、原料、種結晶、鉱化剤、および、窒素を含有する溶媒を配置し、反応容器内の温度および圧力を溶媒が超臨界状態および／または亜臨界状態となるように制御して種結晶の表面に窒化物結晶を成長させる際に、原料を溶解するための原料溶解領域（９）と窒化物結晶を成長させるための結晶成長領域（６）とを含む反応容器（２０）を採用し、種結晶（７）を結晶成長領域に配置し、結晶成長領域内側の表面積（Ａ）と種結晶の表面積の総和（Ｂ）とが（Ｂ）／（Ａ）＝０．１〜７の関係を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】昇華法による単結晶インゴットの製造において使用される黒鉛ルツボ等の耐久性に優れた高耐熱部材を提供する。
【解決手段】等方性黒鉛からなる黒鉛基材と、この黒鉛基材の表面を被覆する炭化物（炭化タンタル等）からなる炭化物被膜とを有する高耐熱部材であって、炭化物被膜は、（１１１）面におけるＸ線回折スペクトルの回折ピークの半値全幅が０．２°以下となる大きさの結晶子が無配向に集積した無配向粒状組織からなることを特徴とする。この炭化物被膜の配向性は、Ｘ線回折スペクトルに基づいてLotgering法により算出される配向度（Ｆ）がいずれのミラー（Miller）面についても−０．２〜０．２であるか否かにより判定できる。無配向粒状組織からなる炭化物被膜は、クラックの発生や進展を生じ難く、高温環境下でも安定している。従って、この炭化物被膜で表面が被覆された高耐熱部材も、優れた耐久性を発揮する。 （もっと読む）

【課題】非極性面または半極性面を主面とする大型で良質なIII族窒化物半導体結晶をより簡便に製造する方法を提供する。
【解決手段】極性面を主面とする下地基板１０上に、極性面以外のファセット面１１〜１８を含む凸状ライン部２１〜２４を２５００μｍ以上のピッチで複数本形成し、前記主面に垂直な方向にIII族窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶Ｃを包囲するようにルツボ上方に配置される輻射シールド６であって、円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部開口６ａを形成する下肩部６ｃとを有し、前記下端部開口の周縁部において、周方向の所定位置に、所定幅をもって径方向に突出すると共に、高さ方向に所定の厚さ寸法を有する熱遮蔽部材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体結晶のクラック発生を抑制でき、窒化物半導体結晶の歩留の向上が図れる窒化物半導体結晶の製造方法、及び窒化物半導体エピタキシヤルウエハおよび窒化物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】
種結晶基板上に窒化物半導体結晶を成長する窒化物半導体結晶の製造方法であって、前記窒化物半導体結晶の成長中に、前記種結晶基板の外周端部にエッチング作用を加えながら、前記窒化物半導体結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶成長面内の温度分布のバラつきを低減し、良好な結晶性を有する単結晶を提供可能な単結晶の製造装置、および単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】本発明の単結晶の製造装置２０は、単結晶の原料６を配置する原料配置部４ａ及び種結晶５を原料６に対して対向配置する種結晶配置部７ａを有する成長容器１０と、成長容器１０を加熱する加熱手段８とを備え、成長容器１０は、その内部空間Ｓにおける縦断面の形状が矩形状であり、前記矩形状の縦断面における長辺と短辺のアスペクト比（長辺寸法／短辺寸法）が２よりも大きく、種結晶配置部７ａは、成長容器１０の内部空間Ｓを前記長辺方向に３等分に区画したとき、中央の区画に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度、ＢＭＤサイズの面内均一性を高めることができ、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、７００℃以上９００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して保持した後、非酸化性ガス雰囲気中、第２の最高到達温度から１１００℃以上１２５０℃以下の範囲内の第３の最高到達温度まで昇温して第３の最高到達温度を保持した後、降温する。 （もっと読む）

【課題】種結晶が保持部材から剥離されることを抑制することが可能な結晶育成装置および結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】坩堝内にある炭化珪素の融液に、保持部材２の下端面２Ａに接着材３を介して固定した炭化珪素からなる種結晶４の下面４Ｂを接触させて、下面４Ｂに融液から炭化珪素の結晶を成長させる結晶育成装置において、保持部材２は炭素からなるとともに、接着材３は、沸点が炭化珪素の融点よりも低い材料と炭素とを含み、保持部材２の下端面２Ａは、算術平均粗さＲａが５μｍ以上３０μｍ以下の粗面である。また、結晶の育成方法において、保持部材２の下端面２Ａを所定の粗さの粗面にする工程と、下端面２Ａに、接着材３を塗布する工程と、種結晶４を接着材３に接触させることによって、種結晶４を保持部材２の下端面２Ａに接着材３を介して固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】アモノサーマル法や液相法によりIII族窒化物結晶を簡便で効率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】貫通孔１０２を有する１００ｍｇ以上のIII族窒化物単結晶シード１０１に、前記貫通孔を利用して前記貫通孔にワイヤーを通して、前記III族窒化物単結晶シードを位置決めした状態で、オートクレーブ１中に吊り下げ、超臨界状態及び／又は亜臨界状態にある窒素を含有する溶媒６中でIII族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長時に台座と種結晶との間に空隙が生じることを抑制可能な窒化アルミニウム種結晶の固定方法、該固定方法を用いて得られる台座−種結晶固定体、前記固定方法を用いて固定された種結晶を用いた窒化アルミニウム単結晶の製造方法、及び該製造方法により得られる窒化アルミニウム単結晶の提供。
【解決手段】本発明の窒化アルミニウム種結晶の固定方法は、窒化アルミニウム単結晶を成長させるための窒化アルミニウム種結晶を台座に固定する方法であって、タングステンまたはタンタルを含んでなる台座１の一面上に、融点１９００℃以下で且つ加熱処理により前記台座と反応しうる金属材料からなる金属層２を形成する第１工程と、金属層２上に窒化アルミニウムの種結晶３を配置する第２工程と、台座１と金属層２と種結晶３とがこの順に積層された積層体５を加熱処理し、台座１上方に種結晶３を固定する第３工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 磁気転移温度より高い温度でも電気磁気効果を発現する電気磁気効果材料を提供する。
【解決手段】 磁性イオンを含むオケルマナイト構造を有する電気磁気効果材料を用いた電気磁気効果素子であって、前記電気磁気効果材料はＡ_２ＭＸ_２Ｏ_７であって、ＡはＣａ，Ｓｒ，Ｂａであり、ＸはＧｅ，Ｓｉであり、Ｍは磁性イオンである電気磁気効果素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィなどに用いるレンズ材料として利用することができる蛍石（ＣａＦ2、フッ化カルシウム）であって、レーザ耐久性がより優れた蛍石を提供する。
【解決手段】（１１１）面のエッチピットの分布をVoronoi分割した図形におけるVoronoi領域の面積の標準偏差が６０００μｍ^２以下であるか、或いは、（１１１）面のエッチピットの分布をDelaunay分割した図形におけるDelaunay辺の距離の標準偏差が８０μｍ以下である蛍石。 （もっと読む）

【課題】チッピングやクラック、剥離等を無くした、酸化ガリウム基板の提供と、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム基板１６の（100）に対して90±5度で交わり、かつ(100)を除く面で構成される主面１５に対しても90±5度で交わり、さらに主面１５の中心点を通る法線を回転軸として、回転角度にして±5度の誤差内で、主面１５の周縁部に形成された第１のオリエンテーションフラット１４を形成し、更に酸化ガリウム基板１６の主面１５の中心点を対称点にして第２のオリエンテーションフラット１７を他方の主面周縁に形成し、酸化ガリウム基板１６の直径をWD、第１のオリエンテーションフラット１４と第２のオリエンテーションフラット１７のそれぞれの直径方向における奥行きをOLと表したとき、OLを0.003×WD以上0.181×WD以下の範囲に設定して、酸化ガリウム基板１６を作製する。 （もっと読む）

【課題】台座から分離された、欠陥の少ないＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる台座の主面上に昇華法により炭化珪素結晶を形成する工程Ｓ１と、炭化珪素結晶を台座とを一体で取り出し、台座のうち炭化珪素結晶と接する部分が残存するように台座の一部をワイヤーソーを用いた切断などにより除去する工程Ｓ２と、台座の残部と炭化珪素結晶を加熱装置の内部空間に収容し、酸素含有雰囲気で加熱することにより台座の炭素を酸化してより炭化珪素結晶から台座を除去する工程Ｓ３とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶化プレートに設けられている結晶化ウェル内に生成されているタンパク質の生成度合いを観察する場合、強磁場から結晶化プレートを取り出す必要がなく、結晶ができていない場合でも、結晶成長が乱されず、つまり、タンパク質が結晶化する過程をその場観察することができる結晶化プレートを提供することを目的とする。
【解決手段】柱状空間を具備するリング体と、タンパク質の結晶化に必要な沈殿剤を収容し、上記リング体に設けられているリザーバと、タンパク質の結晶が生成される部位であり、上記リング体に設けられている結晶生成部と、上記リング体の柱状空間に設けられる光源の光が、上記結晶生成部に達し、上記結晶生成部からの光を反射する反射手段とを有し、上記リザーバが上記リング体の外周近傍に設けられ、上記結晶生成部が上記リング体の内周近傍に設けられている。 （もっと読む）

【課題】ホモエピタキシャルＬＥＤ、ＬＤ、光検出器又は電子デバイスを形成するために役立つＧａＮ基板の形成方法の提供。
【解決手段】約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板上に配設された１以上のエピタキシャル半導体層を含むデバイス。かかる電子デバイスは、発光ダイオード（ＬＥＤ）及びレーザーダイオード（ＬＤ）用途のような照明用途、並びにＧａＮを基材とするトランジスター、整流器、サイリスター及びカスコードスイッチなどのデバイスの形態を有し得る。また、約１０^４／ｃｍ^２未満の転位密度を有し、傾角粒界が実質的に存在せず、酸素不純物レベルが１０^１９ｃｍ^−３未満の窒化ガリウムからなる単結晶基板を形成し、該基板上に１以上の半導体層をホモエピタキシャルに形成する方法及び電子デバイス。 （もっと読む）

【課題】優れた特性のデバイスを安定して製造することが可能な炭化珪素基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板８０は、炭化珪素の単結晶からなり、幅が１００ｍｍ以上、マイクロパイプ密度が７ｃｍ^-2以下、貫通螺旋転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、貫通刃状転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、基底面転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下、積層欠陥密度が０．１ｃｍ^-1以下、導電性不純物濃度が１×１０¹⁸ｃｍ^-2以上、残留不純物濃度が１×１０¹⁶ｃｍ^-2以下、Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｐｈａｓｅ Ｉｎｃｌｕｓｉｏｎｓが１個・ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】低コストで、電気機械結合係数が向上された弾性表面波デバイス用圧電基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】タンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる弾性表面波デバイス用圧電基板であって、該弾性表面波デバイス用圧電基板は、引き上げ法により得られたコングルエント組成のタンタル酸リチウム単結晶又はニオブ酸リチウム単結晶からなる基板の表層に、リチウムが拡散されたものであり、該リチウムが拡散された表層の厚さは、弾性表面波の波長で規格化した値で３〜１５波長の範囲である弾性表面波デバイス用圧電基板。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）