【課題】結晶成長又は凝固させたフッ化カルシウムの一部を除去することなく、製品（蛍石結晶）の透過率を高めることができる、新たな蛍石結晶の製造方法を提案する。
【解決手段】フッ化カルシウム粉末とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ａを得、得られた溶融凝固体Ａの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とし、この溶融凝固体破砕物全量とスカベンジャーの混合物を溶融し、続いて冷却して凝固させて溶融凝固体Ｂを得る溶融凝固工程と、該溶融凝固工程で得られた溶融凝固体Ｂの全量を砕いて溶融凝固体破砕物とする破砕工程と、前記溶融凝固体破砕物を溶融させた後、冷却して結晶成長させて蛍石結晶を得る結晶育成工程と、結晶育成工程で得られた蛍石結晶を熱処理する熱処理工程と、を備えた蛍石結晶の製造方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では製造の困難であった機能材料も製造することの可能な機能材料の製造方法で用いられる高重力場発生装置用ロータを提供する。
【解決手段】高重力場発生装置用ロータは、一の軸と直交する面内においてその軸を中心として点対称の形状となっている。高重力場発生装置用ロータは、その軸との関係で平行または所定の角度だけ傾いた平坦面を複数有する側面によって囲まれた内部空間を有している。 （もっと読む）

【課題】低コストで板形状を制御した基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に従った基板の製造方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）からなるインゴットを準備する工程としてのインゴット成長工程（Ｓ１１０）と、インゴットをスライスして窒化ガリウムからなる基板を得る工程としてのスライス工程（Ｓ１２０）とを備える。スライス工程（Ｓ１２０）では、スライス後の基板の主表面の算術平均粗さＲａが１０ｍｍ線上で０．０５μｍ以上１μｍ以下となっている。スライス工程（Ｓ１２０）では、主表面における算術平均粗さＲａ、最大高さＲｚ、十点平均粗さＲｚｊｉｓのうちの少なくとも１つについて、ワイヤソーを用いてスライス加工したときのワイヤソーの延在方向に沿った方向で測定した値よりワイヤソーの延在方向に垂直な方向で測定した値の方が大きくなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ法のサファイア基板上又はＳｉ基板上に、所望の組成比率ｘのＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】 アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたＨＶＰＥ法によって、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を０以上０．１未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。 （もっと読む）

【課題】排出経路の詰まりを更に抑制し、かつ、ＳｉＣ単結晶の成長表面の保温や形状制御を行い易くすることができるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器７と成長結晶引上保温ガイド１０との間に隙間を設け、この隙間を通じて原料ガス３のうちの未反応ガスが外側に排出されるようにする。つまり、台座９の外周を通過して真空容器６の上方から未反応ガスを排出する形態ではなく、台座９の下方においてＳｉＣ単結晶２０の径方向外側に向かって未反応ガスを排出する形態とする。このため、台座９の外周を通過する場合と比較して、排出経路の幅を広くすることが可能になり、排出経路の詰まりを更に抑制することが可能になる。また、台座９の外周の排出経路の詰まりを見込む必要がないため、第２加熱装置１４の制御に基づいてＳｉＣ単結晶２０の成長表面の保温や形状制御を行うことが容易となる。 （もっと読む）

【課題】湾曲が抑制された炭化珪素基板であって、かつ鏡面である第１の面と、非鏡面である第２の面とを有するものを提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶が準備される。炭化珪素単結晶を材料として、第１の面Ｐ１と、第１の面Ｐ１の反対側に位置する第２の面Ｐ２とを有する炭化珪素基板８０が形成される。炭化珪素基板８０が形成される際に、第１および第２の面Ｐ１、Ｐ２のそれぞれに第１および第２の加工ダメージ層７１、７２が形成される。第１の加工ダメージ層７１の少なくとも一部を除去しかつ第１の面Ｐ１の表面粗さが５ｎｍ以下となるように、第１の面Ｐ１が研磨される。第２の面Ｐ２の表面粗さを１０ｎｍ以上に保ちながら第２の加工ダメージ層７２の少なくとも一部が除去される。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生や不純物汚染を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、インゴットを切断してＶ−リッチ領域からなるスライスウェーハを得る工程と、スライスウェーハの表裏面を平坦化処理し、更にエッチング処理する工程と、エッチング後のウェーハを、熱処理用部材を用いて枚葉で単数又は複数保持して酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下熱処理する工程と、酸化膜を除去する工程と、少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】種晶の入れ替えにかかる時間を顕著に短縮し、生産性を向上し、更に繰り返し的な冷却及び再加熱による変形及び寿命減少を防止すること。
【解決手段】本発明のサファイア単結晶成長装置は、アルミナを収納しアルミナが溶融される第１チャンバーであって上面に挿入口が形成されている第１チャンバーと、第１チャンバーの挿入口と連通するように第１チャンバーの上部に設けられた第２チャンバーと、第２チャンバーを通過して第１チャンバー内に下降するか、または第１チャンバーから上昇する種晶ロッドであって終端に種晶が設けられた種晶ロッドと、第２チャンバーの下端に設けられ挿入口を開閉するチャンバー遮断部とを含み、種晶の入れ替えのために種晶ロッドの終端が上昇し第２チャンバーの内部に収納されれば、チャンバー遮断部は、挿入口を閉鎖することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内の溶融液面において、育成中結晶の外周近傍から外側に向けて流れる離心流（外向流）を形成し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、前記単結晶とルツボ３とを互いに逆方向に回転させ、前記単結晶の回転速度を、該単結晶と溶融液との固液界面における結晶外周の周方向線速度が１５０ｍｍ／ｓ以上となるように制御し、前記ルツボの回転速度を、０〜５ｒｐｍの間で制御することによって、前記溶融液の液面にルツボ中央側から外側に向けて流れる離心流を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリカガラスルツボを製作するための黒鉛製モールドのおいて、製作が容易で安価であり、冷却に長時間を要せず、気体の除去が容易である、黒鉛製モールドを提供する。
【解決手段】溶融シリカルツボを製造するためのモールド６６が内部穴８０を有する円筒状缶７８を含む。黒鉛インサート７０は前記穴内に受容されかつ前記ルツボの下面を形成するように設けられた上面を有し、前記缶の内部穴が前記ルツボの側壁を形成する。シリカ粒子１２４は前記モールドが回転する間に該モールド内に投入される。前記インサートの上方の前記缶の内部及び前記インサートの内部に形成された穴は溶融中に前記シリカを介して空気を吸引する。 （もっと読む）

【課題】成長する単結晶に熱を供給するためのリング形状の抵抗ヒータを提供する。
【解決手段】抵抗ヒータは、上部リング１と下部リング２とを含み、上部リング１と下部リング２とは、これらのリングを通って導電される電流の流れ方向がこれらのリングにおいて反対であるように、下部リング２のリングギャップに隣接するループ部により電気的に導電的に接続される。上記抵抗ヒータはさらに、上部リング１と下部リング２とをある距離にて一緒に保持する接続要素１８と、上部リング１および下部リング２を通って電流を導電するための電流リード１１，１２とを含む。 （もっと読む）

【課題】目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を出発原料として、混晶単結晶の育成のための種結晶を、より短い育成時間とより少ない加工工数により得る。
【解決手段】チョクラルスキー法による混晶単結晶育成用の種結晶を得る際に、目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を基部(12a)として、該基部(12a)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良を生じない範囲となるように融液を調整して、該基部の先端側に混晶層(12b)を育成し、必要に応じて、この混晶層(12b)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良が生じない範囲となるように融液を調整して、該混晶層(12b)の先端側にさらなる混晶層(12c)を育成することにより、多層の混晶層を備える混晶単結晶(13)育成用の種結晶(12)を得る。 （もっと読む）

【課題】主成分として有害物質鉛元素を含まずに、強誘電性を示しかつ外部磁場によって分極の大きさを制御可能な新規なマンガン酸化物、およびそのメモリへの利用を提供する。
【解決手段】マンガン酸化物は、ペロブスカイト構造を有する、式（１）Ｓｒ_１−ｘＢａ_ｘＭｎＯ_３（１≧ｘ＞０．４）・・・（１）で表されるマンガン酸化物である。単位格子１の対称中心には磁性イオンであるＭｎイオン３が存在する。単位格子１の対称中心をＭｎサイトとする。単位格子１が有する８個の頂点には、ＳｒイオンおよびＢａイオンのうちいずれか一方が存在している。単位格子１が有する頂点をＳｒサイト２とする。単位格子１が有する６面の面心には、Ｏイオン４が存在する。 （もっと読む）

【課題】成長した結晶の損傷を抑えながら安全かつ簡便で低コストに結晶を取り出すことができ、なおかつ使用した反応容器の再利用を図りやすくした窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器に原料とアンモニア溶媒を充填して密閉した後、耐圧性容器内に前記反応容器を設置し、さらに前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、前記反応容器中で超臨界または亜臨界アンモニア雰囲気において結晶成長を行い、さらに前記耐圧性容器と前記反応容器の間の空隙に存在するガスを排出することによって反応容器を破裂させる。 （もっと読む）

【課題】引き上げる単結晶の大きさに拘わらず、１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度を有する単結晶を有転位化させることなく育成することができる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、炉内圧力を４０〜８０ｔｏｒｒ、ルツボ回転数を３〜８ｒｐｍの間で制御すると共に、上下一対の電磁コイル１３，１４により印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比（上部磁場／下部磁場）を０．７〜０．９５の間で制御し、かつ、シリコン溶融液Ｍの液面Ｍ１を０（ｍｍ）位置とし、前記液面Ｍ１に対して垂直である鉛直方向における前記液面Ｍ１から上方向を正の方向、前記液面Ｍ１から下方向を負の方向としたとき、前記単結晶Ｃの中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が０（ガウス）となる０磁場水平位置を−１０〜＋１００ｍｍの間に制御する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板の表面にダメージを与えることなく、平坦な表面を有する窒化物半導体基板を製造できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれか、又はこれらいずれかの金属の窒化物から形成される表面を有する定盤を用い、前記定盤の前記表面と窒化物半導体基板の平坦化する表面とを対向して近接して配置し、対向配置の前記定盤および前記窒化物半導体基板を９００℃以上の高温状態とし、前記定盤の表面と前記窒化物半導体基板の表面との間に少なくとも水素とアンモニアを含むガスを供給することにより、前記定盤に対向する前記窒化物半導体基板の表面をエッチングして平坦化する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】大型であって、かつ半導体装置を高い歩留りで製造することができる炭化珪素基板を提供する。
【解決手段】第１の単結晶板１１は、第１の側面Ｓ１を有し、炭化珪素からなる。第２の単結晶板１２は、第１の側面Ｓ１と対向する第２の側面Ｓ２を有し、炭化珪素からなる。接合部ＢＤａは、第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２の間で第１および第２の側面Ｓ１、Ｓ２を互いにつないでいる。接合部ＢＤａの少なくとも一部は、炭化珪素から作られた１μｍ以下の最大長さを有する粒子から作られている。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性も確保できるＣＺ法単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３と前記原料融液５を加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、該メインチャンバー２の底部に設置され前記ルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する炭素材からなる湯漏れ受皿８を具備するチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶育成装置１であって、前記湯漏れ受皿８は、該湯漏れ受皿内に充填された複数個の受皿充填断熱材１６を有し該受皿充填断熱材１６の占める充填容積は、前記ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、前記受皿充填断熱材１６のうち少なくとも湯漏れ融液１７が落下する近傍の受皿充填断熱材１６は、直径１ｃｍ以上１０ｃｍ以下である球形状又は多面体形状であることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ３０であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部３２と、結晶成長部３２とネック部３８を介して連通して設けられた種子結晶４０の収納部３４とを備え、ネック部２８は、種子結晶４０の収納部３４よりも細く形成されている。 （もっと読む）

【課題】 レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する方法を提供する。
【解決手段】 スチルバゾリウム誘導体からなる有機光学単結晶を、不活性ガス中で有機光学単結晶の融点以下かつ結晶分子の自由度が高まる温度以上の範囲でアニーリング処理することにより、レーザー照射により結晶の内部に損傷が生じた有機光学結晶の損傷を修復する修復方法により、テラヘルツ波の発生時間が向上した有機光学単結晶を安定して容易にかつ簡便に提供することができる。 （もっと読む）