【課題】高品質な１３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶２５は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の１３族窒化物結晶であって、ｃ軸を横切る断面の内側に設けられた第１領域２５ａと、該断面の最外側に設けられ第１領域２５ａと結晶特性の異なる第３領域２５ｄと、該断面における第１領域２５ａと第３領域２５ｄとの間の少なくとも一部の領域に設けられた結晶成長の遷移領域であり、該第１領域２５ａ及び該第３領域２５ｄと結晶特性の異なる第２領域２５ｃと、を備える。 （もっと読む）

【課題】入射側部材と出射側部材との間に生じる隙間を減少させることにより、積層部材を確実に密着し、接合不良が起き難く且つ安定したレーザ接合をすることができるレーザ接合装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の透明部材１０２，１０４からなる積層部材１００の接合領域１０１にレーザ光１１０を照射し、積層部材を接合するレーザ接合装置１であって、積層部材を載置する載置部２と、積層部材にレーザ光を出射するレーザ光源ユニット５と、載置された積層部材の一方の面に接する第１の押え部材８１であって、レーザ接合時において、積層部材の少なくとも２つの透明部材の合わせ面１０３とレーザ光とが交わる領域に対して、合わせ面の法線方向に位置する第１押え部材と、載置された積層部材の一方の面と対向する他方の面に接する第２の押え部材８０とを備え、第１及び第２の押え部材の少なくとも一方は、積層部材を押圧する、構成とした。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶の製造方法は、ｃ軸方向の長さＬが９．７ｍｍ以上であり、前記長さＬとｃ面における結晶径ｄとの比Ｌ／ｄが、０．８１３より大きい六方晶構造の窒化ガリウム結晶２５を種結晶として、六方晶構造の１３族窒化物の結晶を成長させて１３族窒化物結晶２７を製造する結晶成長工程を含み、前記結晶成長工程は、結晶側面に、｛１０−１０｝面を含む外周面と、｛１０−１１｝面を含む外周面とを形成し、結晶底面に、｛０００１｝面を含む外周面を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】高品質な１３族窒化物結晶、及び１３族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】１３族窒化物結晶１９は、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＴｌからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の１３族窒化物結晶であって、ｃ軸を横切る断面の内側に設けられた第１領域２１と、第１領域２１の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが第１領域２１の最大径より大きく、且つ第１領域２１よりキャリア濃度の高い第２領域２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属坩堝を１０００℃以上の高温で使用するための坩堝炉において、高温時の坩堝近傍の雰囲気を制御すると共に、ルツボ内の温度制御の精密化、ルツボの長寿命化が可能となる坩堝炉を提供する。
【解決手段】１０００℃以上の高温において、金属坩堝４中で化合物の処理を行うための坩堝炉であって、坩堝４の周辺に耐熱性で着脱可能な薄い緻密質セラミックスからなる第一のスリーブ１を置き、該第一のスリーブ１の外側に断熱材からなる第二のスリーブ２並びに加熱装置３を置いたことを特徴とする坩堝炉である。 （もっと読む）

【課題】 偏光照明露光装置の偏光材料として要求される結晶性が良く、かつ、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向であるＭｇＦ_２単結晶体からなる光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でＭｇＦ_２単結晶体を製造するに際し、種結晶体として、＜１００＞軸が、鉛直方向から＜００１＞方向に向かって７°乃至４５°、好ましくは７°乃至１５°傾いた種結晶体を用いる。傾けた種結晶体を用いることにより、育成される単結晶体の軸方向も同じ角度で傾いたものとなるが、このようにして育成された単結晶体の結晶性は、育成方向を＜００１＞軸方向とした場合と遜色ない結晶性を示す。また育成方向を＜００１＞軸方向とした場合に比べて、｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体の取得効率がよい。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の製造時のように２０００℃以上の高温での使用環境下において、開封部の形状変化を抑制した耐久性に優れたルツボを提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンを主成分とするルツボ本体部とルツボ本体部の側壁部５に融点２１００℃以上の金属または合金からなるリング状補強部材３を具備するルツボ１であって、前記リング状補強部材３は、タングステンまたはタングステンを主成分とする合金からなることが好ましく、また、ルツボ本体部の高さＬ１とリング状補強部材の高さＬ２の比（Ｌ２／Ｌ１）が０．００１〜１であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板として利用可能な、直径が４インチ超のＳｉＣ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素結晶の製造方法は、成長容器内に、種基板および炭化珪素結晶の原料を配置する工程と、昇華法により、種基板の表面に直径が４インチを超える炭化珪素結晶を成長させる工程と、を備える。上記成長させる工程において、成長容器内の圧力が所定の圧力から所定の変動割合で変動する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】反応容器の変形を抑制しながら、高品質な窒化物結晶を製造すること。
【解決手段】反応容器に原料と第一溶媒とを充填して密閉した後、該反応容器を耐圧性容器内に設置し、さらに該耐圧性容器の内壁と該反応容器の外壁の間の空隙に第二溶媒を充填して前記耐圧性容器を密閉した後、該反応容器中で超臨界および／または超亜臨界状態において結晶成長を行う窒化物結晶の製造方法において、前記反応容器の内部短軸長（ＩＤ［Ｃ］）と、前記耐圧性容器の内部短軸長（ＩＤ［Ａ］）との比（ＩＤ［Ｃ］／ＩＤ［Ａ］）を０．６０〜０．９８とするか、前記反応容器内の自由容積（ＩＶ）と、前記耐圧性容器の内壁と前記反応容器の外壁の間の空隙における自由容積（ＯＶ）との比（ＩＶ／ＯＶ）を０．２０〜４０とする。 （もっと読む）

【課題】装置構成がシンプルであり、メンテナンス性にも優れ、しかも高品質なアルミニウム系III族窒化物単結晶を高生産性で製造することができるハイドライド気相エピタキシー装置を提供する。
【解決手段】III族ハロゲン化物ガスと窒素源ガスとを反応させて目的とするアルミニウム系III族窒化物単結晶を成長させる反応ゾーンを有する反応器本体２０と、III族ハロゲン化物ガスを作り出すためにIII族元素の単体４６とハロゲン原料ガスとを加熱下で反応させてIII族ハロゲン化物ガスを発生させるIII族源ガス発生部４０と、III族源ガス発生部で製造されたIII族ハロゲン化物ガスを、反応器本体の反応ゾーン２２へ供給するIII族ハロゲン化物ガス導入管５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶のスライス時の割れを低減でき、窒化物半導体基板の歩留を向上できる窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶基板上に気相成長により窒化物半導体単結晶を成長する成長工程と、成長した前記窒化物半導体単結晶の外周面を研削する研削工程と、前記外周面が研削された前記窒化物半導体単結晶をスライスするスライス工程とを含む窒化物半導体基板の製造方法であって、前記研削工程における前記窒化物半導体単結晶の前記外周面の研削量が１.５ｍｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】大型で品質が良好なIII族窒化物結晶を簡便で効率良く短期間で製造すること。
【解決手段】窒化物結晶からなる複数の下地基板を配置する下地基板準備工程、該複数の下地基板上に気相法により窒化物結晶層を成長させて一体となったシードを得るシード作成工程、および、 該シード上にアモノサーマル法によりIII族窒化物結晶を成長させる結晶成長工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ溶液成長が実施可能な高温で、雰囲気ガス圧力が０．１ＭＰａ以上の加圧条件においても、特別な装置を用いることなく、かつ気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制できる溶液法によるＳｉＣ単結晶の製造を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶を該溶液に浸漬する前に、該溶液の温度を一時的に結晶成長温度よりも５０〜３００℃高温に保って製造して、結晶成長部分のボイド密度を１００００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）を主成分とする常磁性ガーネット結晶（組成式Ｔｂ_３Ｇａ_５Ｏ_１２）をチョクラルスキー法によって容易に製造できるＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、ＴＧＧと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が１７５０℃以上、かつＴＧＧとの格子定数差が±３％以下である結晶を用いることを特徴とするＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Ｃｚ法によって結晶を引き上げる際に、融点及びＴＧＧとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なＴＧＧ結晶が育成できる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族−窒化物ウェハーの生成方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ族−窒化物の結晶を成長させるための方法であって、以下の工程：
（ａ）熱アンモニア法により、元の種結晶上でＩＩＩ族−窒化物のインゴットを成長させる工程；
（ｂ）該インゴットからウェハーをスライスする工程；
（ｃ）該元の種結晶の窒素極側から取り出したウェハーを、引き続く熱アンモニア法によるインゴットの成長のための新しい種結晶として用いる工程；
を包含する、方法。 （もっと読む）

【課題】積層欠陥が少ないIII族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】III族窒化物からなり半極性面又は非極性面を主面とする種結晶１０１上にIII族窒化物半導体層１０２が形成されたIII族窒化物結晶１００であって、前記種結晶１０１の主面内の輝線密度（α）と前記III族窒化物半導体層１０２の前記主面と平行な面内の輝線密度（β）との比（β／α）が１０以下であるか、｜β−α｜が５０以下であるIII族窒化物結晶１００。 （もっと読む）

【課題】成長温度、成長に用いる雰囲気ガスによらず、溶液法によるＳｉＣ単結晶製造において気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制しうる製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む溶液中に、ＳｉＣの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりＳｉＣを析出・成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を９０°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を１０００個／ｃｍ^３以下としたＳｉＣ単結晶およびＳｉＣ単結晶の製造方法。 （もっと読む）