【課題】単結晶銀ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナ及びその製造方法、単結晶金属ナノワイヤを利用した光学ナノアンテナを提供すること。
【解決手段】光学ナノアンテナは、単結晶銀ナノワイヤを含む。前記単結晶銀ナノワイヤは可視光線領域の全波長帯域の入射光に基づいて複数のローブが前記単結晶銀ナノワイヤを中心に放射状に配置されるマルチローブ形態の放射パターンを含む光学アンテナ放射パターンを出力することによって、可視光線領域内の全波長範囲で作動することができ、多重共鳴及び広いスペクトル範囲を有することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ １０〜４０％、ＣａＯ １０〜４０％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｓｒ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】グラフェンリボンの幅を揃えることを可能にすると共に、幅の揃ったグラフェンリボンを基板全面に備えることが出来る、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板の製造方法、及び、グラフェンリボンを備える単結晶絶縁性基板を提供する。
【解決手段】単結晶絶縁性基板を用意し、基板表面にグラフェンを固定し、コア粒子を内包するタンパク質の外径をピッチとして、コア粒子を内包するタンパク質を等間隔にグラフェン上に配置し、タンパク質を除去してコア粒子をグラフェン上に配置し、コア粒子によりグラフェンを切断して、グラフェンリボンを形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒金属の混入を抑えることの可能な窒化ガリウム柱状構造の形成方法、及び該方法を用いる窒化ガリウム柱状構造の形成装置を提供する。
【解決手段】
窒化ガリウム柱状構造を下地層上に反応性スパッタによって形成する。このとき、真空槽１１内に供給されるアルゴンガス及び窒素ガスの総流量に占める窒素ガスの流量の割合である窒素濃度を窒化ガリウム膜の成長速度が窒素供給によって律速され、且つ、窒化ガリウムの成長速度における極大値の９１％以上１００％以下の窒化ガリウムの成長速度となるような窒素濃度とする。また、基板Ｓの温度Ｔ、ガリウムのターゲット１４に供給される周波数が１３．５６ＭＨｚであるバイアス電力Ｐが、６００≦Ｔ≦１２００、０＜Ｐ≦４．６３、Ｐ＜０．００８８Ｔ−６．６０、Ｐ≧０．０１１６Ｔ−１１．３７を満たす条件にて窒化ガリウム柱状構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色素増感型太陽電池の電極材料として好適な新規な酸化亜鉛半導体材料およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】化学浴堆積法を用いて酸化亜鉛半導体ナノロッド結晶を析出させる方法において、析出反応液におけるアルミニウム原子と亜鉛原子のモル比(Ａｌ／Ｚｎ)を０.０００１×１０^−２ 〜 １０×１０^−２の範囲に調整する。その結果、アルミニウムドープ酸化亜鉛ナノロッド構造は、ロッド径が太くなり、結晶内の電子伝導性が向上する。さらに、アルミニウムドープ酸化亜鉛ナノロッドの高い電子伝導性を維持した状態で結晶構造を伸長させることよって、低電気抵抗と高い開放電圧が同時に実現される。 （もっと読む）

【課題】生産するのが容易で医療または診断用途のために有利に使用できる受容体およびその用途の提供。
【解決手段】本発明による組換え可溶性Fc受容体は、膜貫通ドメイン、シグナルペプチドおよびグリコシル化の存在しない点に特徴がある。この種のFc受容体は、原核宿主細胞においてそれぞれの核酸を発現させ、得られた封入体を再生することにより容易に取得することができ、この方法からは非常に均質で純粋な産物が得られる。かかる産物は診断および医薬用途のために、さらに結晶構造データの生成のために使用することができる。このような結晶構造データは人工分子のモデリングに使用することができる。さらなる実施形態は、本発明によるFc受容体を、抗体の分離および／または濃縮に使用しうるクロマトグラフィー材料などの固相材料に結合させることを含む。 （もっと読む）

【課題】合金形態の半導体結晶、その製造方法及び有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体結晶の製造方法は、（ａ）１種以上の１２族金属前駆体を分散剤及び溶媒と混合し、これを加熱して１２族金属前駆体溶液を得る段階と、（ｂ）１種以上の１６族元素前駆体をこれと配位可能な溶媒に溶解して１６族元素前駆体溶液を得る段階と、（ｃ）前記１種以上の１２族金属前駆体溶液と１種以上の１６族元素前駆体溶液とを混合して反応させた後、結晶を成長させる段階と、を含み、前記結晶のサイズ分布を表す光励起発光スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以下、かつ、発光効率が３０％以上であり、前記１２族金属前駆体溶液、及び前記１６族元素前駆体溶液の濃度は０．００１Ｍないし２Ｍであり、前記（ａ）段階において、加熱が１００ないし４００℃であり、前記（ｃ）段階において、反応温度は５０℃ないし４００℃であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンの針状構造物を得る。
【解決手段】金属基板上にＬＰＣＶＤ法により結晶性シリコン領域を形成すると、｛１１１｝面を双晶面とし、＜１１０＞方向、もしくは＜２１１＞方向に成長する多結晶体よりなるウィスカ状結晶性シリコンが得られる。ウィスカ状結晶性シリコンは、双晶を形成しながら（積層欠陥を導入しながら）成長し、ウィスカ状結晶性シリコン成長方向と垂直な面内（輪切り面内）に双晶面の法線方向＜１１１＞が必ず含まれるように初期核が配置される。このような材料をリチウムイオン二次電池の負極活物質や太陽電池等の光電変換装置として用いる。 （もっと読む）

【課題】メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】導電性材料からなる第一の環状の部材１３ａと光透過性材料からなる第二の環状の部材１３ｂとの積層体からアフターヒータ１３を構成して第二の環状の部材１３ｂを第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリング１５には引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓としての縦スリット１５ａを配置し、アウターリング１５を引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】亜鉛が有する物性を生かした用途への適用可能な、純亜鉛を多く含んだ亜鉛柱状構造体を提供することを課題とする。本発明により、従来存在する酸化亜鉛の微細構造体の用途とは異なった適用可能性が広がる。具体的には、超伝導体への応用、高感度熱電素子展開、半導体前駆体としてのエレクトロニクス、光エレクトロニクス、フォトニクスへの用途が考えられる。
【解決手段】平均長さが５μｍ以上、３００μｍ以下であり、アスペクト比が５以上、３００以下である亜鉛柱状構造体であって、亜鉛柱状構造体における純亜鉛の含有量が１０重量％以上、１００重量％以下である亜鉛柱状構造体。 （もっと読む）

【課題】 ＫＬｕ_２Ｆ_７単結晶、及び当該単結晶のＬｕ元素の一部をＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素で置換した単結晶を融液成長法によって効率よく製造する方法、および、当該製造方法によって製造される単斜晶型フッ化物単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式Ｋ（Ｍ_ｘＬｕ_１−ｘ）_２Ｆ_７（ただし、ＭはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素を表わし、ｘは０〜０．２の範囲である）で表わされ、単斜晶型結晶構造を有することを特徴とするフッ化物単結晶、該単結晶からなる真空紫外発光素子、該単結晶からなるシンチレーター、及び該単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より放電容量を高めることが可能な負極活物質を提供すること、さらに、該負極活物質を用いた高性能な蓄電装置を提供するである。
【解決手段】複数の結晶領域を含むシリコン結晶体であって、前記シリコン結晶体は一方向の伸張方向を有し、前記複数の結晶領域は略一致する一の結晶方位（優先方位ともいう）をそれぞれ有し、前記伸張方向と前記優先方位は略一致するシリコン結晶体を形成することである。さらに、当該シリコン結晶体を負極活物質として適用し、蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】複雑な形態に基づく大きな表面積を維持しつつ、分散や高密度充填に有利な形態のフラーレンを提供する。
【解決手段】複数のウィスカー状構造が放射状に伸びた構造、あるいは、複数のウィスカー状構造が放射状に伸び、該ウィスカー状構造がさらに分枝してフラクタル的構造を形成したフラーレン結晶である。このようなフラーレン結晶は、フラーレンを第１の溶媒に溶解した溶液に、前記第１の溶媒よりもフラーレンを溶解する能力が低く、かつ、前記第１の溶媒よりも沸点が高い第２の溶媒を、フラーレンが析出しない範囲で添加し、得られた溶液から前記第１の溶媒および前記第２の溶媒を蒸発させて結晶を析出させることで得られる。 （もっと読む）

【課題】優れた特性の炭化ケイ素半導体素子を作製することが可能な、ステップテラス構造を持った炭化ケイ素単結晶基板を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素単結晶の（０００１）面に対して傾いた主面を有する炭化ケイ素単結晶基板であって、前記主面はステップｓとテラスｔとのステップテラス構造を有し、前記ステップテラス構造における前記ステップｓの平均高さｈが０.２５ｎｍ以上３ｎｍ
以下であり、前記主面の（０００１）面に対する傾斜角をθとするとき、前記主面内のいずれかの場所において、前記ステップｓに沿う方向に対して垂直な方向に、前記ステップｓと前記テラスｔとが連続する１０対の前記ステップテラス構造におけるテラス幅Ｗ_１〜Ｗ_１０のうち９０％以上が、Ｗ_０＝ｈ／ｔａｎθで求まる平均テラス幅Ｗ_０との相対誤差が１０％以内にある。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置の半導体層の形成に好適に使用できる酸化チタン構造体及びその製造方法、並びに高い光電変換効率を有する光電変換装置を提供すること。
【解決手段】酸化チタン構造体の製造方法は、Ｔｉ基板の面に酸化チタンナノワイヤを作製する工程と、オキシ硫酸チタン、尿素を溶解させた溶液中に酸化チタンナノワイヤを浸漬させて、酸化チタンナノワイヤ３ａの表面に酸化チタン微粒子３ｂを形成する工程と、酸化チタン微粒子が形成された酸化チタンナノワイヤを回収し、乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】真空紫外領域で高輝度発光し、フォトリソグラフィー、半導体や液晶の基板洗浄、殺菌、次世代大容量光ディスク、及び医療（眼科治療、ＤＮＡ切断）等に好適に使用できる金属フッ化物結晶及び真空紫外発光素子を提供する。
【解決手段】化学式ＢａＣａＭ_２Ｆ_１０で表され、ＭがＹ、Ｌｕ又はＬａである金属フッ化物結晶であって、Ｎｄ，Ｅｒ，Ｔｍ及びＹｂからなる群から選ばれる少なくとも１種の原子を含有する金属フッ化物結晶、及び当該金属フッ化物結晶からなる真空紫外発光素子。 （もっと読む）

【課題】表面増強ラマン散乱の研究用の基板を提供する。
【解決手段】基板は、銀、金、白金、銅及び／又はそれらの合金から成る群から選択された金属により被覆されている、ウィスカーを含む半導体表面を含んでおり、半導体はガリウム含有窒化物であり、本質的に各ウィスカーは内部に線状欠陥を含んでいる。ウィスカーは、半導体表面から離れた末端を介して互いに接続されて、円錐状の束を形成している。被覆金属の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、好ましくは７０ｎｍ〜８０ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率が高い発光中心添加ＣｓＩ柱状膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】柱状のＣｓＩ結晶から構成されるＣｓＩ柱状膜２を蒸着法により作製する工程と、ＣｓＩ柱状膜２と発光中心原料１とを非接触な状態で閉空間３に配置し、ＣｓＩ柱状膜２を、発光中心原料１の昇華温度以上、柱状の形態を維持可能な温度以下の範囲で加熱し、かつ発光中心原料１を昇華温度以上に加熱し、ＣｓＩ柱状膜２に発光中心を添加する工程からなることを特徴とするシンチレータの製造方法。 （もっと読む）

【課題】光電子デバイス、太陽電池、及びフォトディテクタ等の光電子デバイスを構成するナノウィスカであって、III−Ｖ族半導体物質からなる幅の制御された複数のナノウィスカでの製造方法を提供する。
【解決手段】共鳴トンネルダイオード（ＲＴＤ）は、基板にシード粒子を付着させることと、該シード粒子を物質にさらし、その際物質がシード粒子と共にメルトを形成するように温度と圧力の条件を制御し、それによってシード粒子がコラムの頂上に乗ってナノウィスカを形成することからなる方法によって形成され、ナノウィスカのコラムはナノメートル寸法の一定の径を有し、コラムの成長の間上記気体の組成を変更し、それによってエピタキシャル成長を維持しながらコラムの物質組成をその長さに沿った領域で変更し、これによって各部分の物質の間の格子不整合がその境界におけるウィスカの径方向外向きの膨張によって調整される。 （もっと読む）