【課題】炭素質膜へのプラズマ照射による官能基の導入を効率良く行うことができるようにする。
【解決手段】炭素質膜は、基材１０１の表面に形成された炭素質膜本体１０３と、炭素質膜本体１０３の表面に導入された官能基１０５とを備えている。炭素質膜本体１０３は、少なくとも表面側の部分において炭素−炭素結合を炭素−水素結合よりも多く含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、例えば、電子感知器、高出力電子機器等の分野や装飾用途（例えば、磨製ジェムストーン）等に使用することができる、ホウ素濃度が均一に分布しているダイヤモンドを提供することである。
【解決手段】本発明は、ＣＶＤにより製造され、ホウ素濃度が均一になっている単結晶ホウ素ドーピングされたダイヤモンド層で、この層は、単一の成長部分から形成されているか；又は、１００μｍを超える厚さを有しているか；又は、１ｍｍ^３を超える体積を有しているか；又は、そのような特徴の組み合せを有するものである。 （もっと読む）

【課題】アモルファスカーボン等のカーボン不純物が含まれるカーボンナノチューブやナノカーボン粗生成物から、カーボンナノチューブ等のナノカーボンを高純度で且つ容易に精製できる、ナノカーボンの精製方法を提供する。また、ナノカーボンを精製する過程において、ナノカーボン粗生成物を分析する方法を提供する。
【解決手段】還元雰囲気中において、原料ナノカーボン粗生成物を、６００〜９００℃に加熱して精製することを特徴とする、ナノカーボンの精製方法。また、ダイナミックＴＧ法、広角Ｘ線回折装置およびＲＡＭＡＮ分光法により測定することを特徴とするナノカーボン粗生成物の分析方法。 （もっと読む）

本発明は、再生可能原料および有機残留物を水熱炭化するための連続的な方法に関し、この方法では、第１のプロセス段階で、実質的に炭化の圧力レベルへの圧力上昇が行われ、第２のプロセス段階、すなわち炭化段階で、低くとも５ｂａｒの圧力および最高で水の沸騰温度で炭化が実施され、得られた炭化した生成物は少なくとも一部が沈降物として堆積し、かつ第２のプロセス段階での水の充填高さは水の取出しにより調整され、第２のプロセス段階から吐出された沈降物の温度は水の蒸発により下げられ、そして第３のプロセス段階、すなわち蒸気雰囲気中で乾燥を行う蒸気加熱乾燥段階に送られ、続いてプロセスから吐出される。

（もっと読む）

【課題】グラフェン酸化物の水分散物を形成する工程を含むグラフェン製造方法を提供する。
【解決手段】該分散物に溶剤を加えて溶液を形成する工程、及び該溶液の温度を制御してグラフェンを形成する工程をさらに含む。グラフェン酸化物を水に分散する工程が音波処理によること。分散物がおよそ１ミリリットルの水に対しておよそ１ミリグラムのグラフェン酸化物の割合で含むこと。溶剤が水混和性溶剤であること。水混和性溶剤がｎ−メチルピロリドン、エチレングリコール、グリセリン、ジメチルピロリドン、アセトン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド、アミン、及びアルコールの少なくとも１つであること。分散物に溶剤を加える工程が前記分散物の量とおよそ等量の溶剤を加えること。 （もっと読む）

【課題】 初期サイクル時にみられる充放電不可逆容量が十分に小さく、優れた高温保存特性を有し、初期サイクル時、及び高温保存時におけるガス発生が低減されるリチウムイオン二次電池を得ることが可能な負極材料を提供する。
【解決手段】 下記式１で表される表面官能基量Ｏ／Ｃ値が１％以上、４％以下であり、かつ、下記式２で表される表面官能基量Ｃｌ／Ｃ値と下記式３で表される表面官能基量Ｓ_１６５／Ｃ値の和（Ｃｌ／Ｃ＋Ｓ_１６５／Ｃ）が０．０５％以上、０．５％以下であることを特徴とするリチウムイオン二次電池用炭素材料。
式１
Ｏ／Ｃ値（％）＝Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）分析におけるＯ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＯ原子濃度／ＸＰＳ分析におけるＣ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＣ原子濃度×１００
式２
Ｃｌ／Ｃ値（％）＝ＸＰＳ分析におけるＣｌ２pのスペクトルのピーク面積に基づいて
求めたＣｌ原子濃度／ＸＰＳ分析におけるＣ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＣ原子濃度×１００
式３
Ｓ_１６５／Ｃ値（％）＝ＸＰＳ分析におけるＳ２ｐに対応するスペクトルのうち１６５ｅＶ付近のピークのピーク面積に基づいて求めたＳ_１６５原子濃度／ＸＰＳ分析におけるＣ１ｓのスペクトルのピーク面積に基づいて求めたＣ原子濃度×１００ （もっと読む）

（ａ）粉の最大粒子サイズが２μｍ以上で、かつ１ｍｍ以下の結晶質のダイヤモンド粉を供給すること；（ｂ）微粉を製造するために、窒素ジェットミリングによる微粒子化を用いて前記結晶質のミクロンダイヤモンド粉を粉砕すること；（ｃ）炭化タングステンの遊星ボールミルを用いてステップｂ）に記載の微粉をナノミリングすること；（ｄ）ステップｃ）に記載のナノミリングされた粉を酸処理すること；（ｅ）遠心分離によって立方晶ダイヤモンドのナノ結晶（１０）を抽出すること；の連続したステップを含む、立方晶ダイヤモンドのナノ結晶（１０）を製造する方法。有利には円形の立方晶ダイヤモンドのナノ結晶が製造される。 （もっと読む）

【課題】高比表面積、高純度でありかつ高さあるいは長さの飛躍的なラージスケール化を達成した、パターニング化された配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】金属触媒を基板上にパターニングして設け、前記金属触媒から反応雰囲気ガス中で炭素源として炭素化合物を用いて、複数本の単層カーボンナノチューブを生成することにより、パターニングされた単層カーボンナノチューブ・バルク構造体を製造する。 （もっと読む）

【課題】
本発明はカーボンナノチューブを含む簡易的スイッチング素子の製造方法とその素子の電気特性測定方法を提供する。
【解決手段】
本発明はカーボンナノチューブを含む膜、独立した２個以上の領域に分割されている上部電極膜を順次形成する工程と、前記基板の下部電極膜と上部電極膜に電位差を印加して電気特性を評価する工程と、前記基板の電気特性評価結果に基づいて、カーボンナノチューブの平均長径の分布、平均直径の分布、ＳＷＣＮＴ／ＭＷＣＮＴの比率、金属性ＣＮＴと半導体性ＣＮＴの比率および不純物含有量を同時に解析する方法を含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】初期充放電容量が一層向上した、リチウムイオン二次電池などの電極用材料となる炭素材料の製造方法を提供する。
【解決手段】分子内に、少なくとも１個の式（２ａ）


（式中、Ｘは酸素原子または硫黄原子を表わす。）で示される２価の基または少なくとも２個の式（２ｂ）


（式中、Ｘは前記と同じ意味表わし、Ｒ^１は、アルキル基またはアリール基を表わす。）で表される２価の基を有する炭素数１〜３０の化合物、及び、アルデヒド化合物を重合させる重合工程と、前記重合工程で得られた重合物を不活性ガス雰囲気下、６００℃〜３０００℃で加熱する炭化工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造後の炭素繊維に含まれる鉄系不純物を乾式で効率よく除去する気相法炭素繊維の鉄系不純物除去方法を提供する。
【解決手段】炭素源と鉄系触媒を用いて製造された気相法炭素繊維中の鉄系不純物の乾式の除去方法であって、炭素繊維と鉄系不純物とを含む炭素繊維の凝集体を解砕手段３により解砕し、次いで、解砕された炭素繊維を、電磁石を具備する鉄系不純物除去手段４に供給して鉄系不純物を除去処理する気相法炭素繊維中の鉄系不純物の除去方法である。 （もっと読む）

【課題】製造後の炭素繊維に含まれる鉄系不純物を、乾式で効率よく除去することができる気相法炭素繊維の鉄系不純物除去装置を提供する。
【解決手段】炭素源と鉄系触媒を用いて製造された気相法炭素繊維中の鉄系不純物を除去する鉄系不純物除去装置であって、鉄系不純物を除去する鉄系不純物除去手段と、鉄系不純物が除去された炭素繊維の排出手段と、除去された鉄系不純物の排出手段と、前記炭素繊維の排出手段と鉄系不純物の排出手段とを切り替える切替手段と、鉄系不純物除去手段の空気を吸引、又は圧送する空気吸引又は圧送手段と、を有することを特徴とする気相法炭素繊維中の鉄系不純物除去装置、好ましくは、鉄系不純物除去装置の上流側に、さらに解砕手段を備えた鉄系不純物除去装置である。 （もっと読む）

本発明は、カーボンナノチューブを使用してナノ粒子を調製する方法およびかかる方法により調製されたナノ粒子に関する。特に、物理的に強固で、化学的に強力な結合を有するカーボンナノチューブを、金属、ポリマーまたはセラミックの粉末粒子をナノサイズの粒子に砕くために使用する。さらに、かかる方法により調製されたナノ粒子は、小さなサイズであり、カーボンナノチューブを含むことから、それらのナノ粒子を良好な酸化性を有する金属について採用するという条件で、可燃性を必要とする、例えば固形燃料、火薬などの適用に利用することができる。また、優れた機械的特性および伝導性により、カーボンナノチューブを関連製品に適用することができる。
（もっと読む）

【課題】本発明は、不純物含有量が少ない高純度化活性炭を得るために活性炭を洗浄する際、用いる洗浄水の量を少なくすることのできる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の高純度化活性炭の製造方法は、無機酸を含有している活性炭を、沸点未満の水で洗浄する工程と、前記水で洗浄した活性炭を、加熱除去可能な塩基性物質を用いて洗浄する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高比表面積、高純度でありかつ高さあるいは長さの飛躍的なラージスケール化を達成した配向単層カーボンナノチューブ・バルク構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】配向した単層カーボンナノチューブが複数本集って構成され、かつ比表面積８００〜２５００ｍ^２／ｇ、及び蛍光Ｘ線で測定した純度；９８％以上を備えることを特徴とする単層カーボンナノチューブ・バルク構造体。この構造体を、金属触媒の厚さを制御して該金属触媒を基板上に設け、前記金属触媒から複数本のカーボンナノチューブを反応雰囲気ガス中で炭素源として炭素化合物を用いて、かつ反応雰囲気中に水蒸気、酸素、オゾン、もしくは、低炭素数の含酸素化合物、またはこれらの混合ガスを添加して気相成長法により所定の方向に配向させて形成する。 （もっと読む）

【課題】安価で高性能な触媒材料となる多孔質炭素材料及びその製造方法並びに燃料電池を提供する。
【解決手段】グラファイトを液相酸化させて酸化グラファイトを生成する工程と、酸化グラファイトを含有させたアルカリ性の溶液に金属錯体を添加してイオン交換によって酸化グラファイトに金属錯体中の金属を導入する工程と、金属が導入された酸化グラファイトを濾別して乾燥させる工程と、乾燥させた酸化グラファイトを空気中、真空中または不活性ガス中で焼成する工程とにより多孔質炭素材料を製造する。この多孔質炭素材料で生成した触媒を備えた燃料電池とする。 （もっと読む）

例えば非リグノセルロース炭素前駆体の炭化及び活性化によって得られる、活性炭材料は０.０８以下の構造秩序比及び０.２重量％より大きい窒素含有量を有する。活性炭材料は、７０Ｆ/ｃｍ^３以上の体積比静電容量、０.１Ω-ｃｍ^２以下の面積比抵抗及び／または３００ｍ^２/ｇより大きい比表面積も有することができ、高エネルギー密度デバイスに用いるための改善された炭素系電極の形成に適する。
（もっと読む）

【課題】電極表面の濡れ性の低下に起因した、静電容量の劣化や電解液の分解等を抑制して、長寿命化を図ることができる電気二重層キャパシタ用の電極材料を提供する。
【解決手段】ヤシ殻活性炭を４０００ｐｐｍの一酸化窒素を含む不活性ガス雰囲気下で、８００℃で３時間熱処理することにより、窒素を原子比で０．３〜０．６％、酸素を原子比で０．７〜１．２％含有する多孔質炭素を製造し、電気二重層キャパシタ用の電極材料とする。 （もっと読む）

【課題】基板との密着性に優れ、かつ電気特性の低下を引き起こさないカーボンナノチューブ薄膜を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ薄膜は、カーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ薄膜であって、カーボンナノチューブとフッ素を含有する化合物とを含み、フッ素を含有する化合物は、少なくとも１つのヘプタフルオロイソプロピル基を含有する。ヘプタフルオロイソプロピル基を含有するフッ素を含有する化合物を含むことにより、親カーボンナノチューブ性と高い基板との密着性を得ることができる。 （もっと読む）