【課題】放射線に対する耐性に優れ、放射性セシウムの吸着除去能力の高い吸着剤を提供する。
【解決手段】フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したダイヤモンド微粒子、及び／又はフェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持したカーボンナノチューブからなる、セシウムを吸着するための複合吸着剤。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で導電性を向上させることの出来るカーボンナノチューブ膜および製造方法を提供する
【解決手段】（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合してなるカーボンナノチューブ分散体層を基材上に形成させてなる薄膜、（１）カーボンナノチューブ含有組成物と（２）スルホン酸塩を含む高分子と（３）スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合し、（１）カーボンナノチューブ含有組成物を溶媒中に分散させてなるカーボンナノチューブ分散液を用いて基材上にカーボンナノチューブ分散体層を形成させることを特徴とする薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なグラフェンが、低コストで大面積に、より容易に作製できるようにする。
【解決手段】加熱することで金属層１０２に炭素を溶解させた後、加熱の温度を低下させ、金属層１０２の表面に溶解していた炭素を析出させることで、グラフェン１０４を形成する。例えば、９００℃で３０分間保持してニッケルからなる金属層１０２に炭素を溶解させた後、毎分２０℃で室温まで降温することで、金属層１０２の上にグラフェン１０４が析出する。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブの双極性を単極性に変換し、トップゲート型薄膜トランジスタのチャネルとする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、（A）基板を準備すること、（B）該基板上に、ソース電極、ドレイン電極、及びSWCNT（単層カーボンナノチューブ）層を形成すること（該ソース電極及び該ドレイン電極は互いに隔てられ、且つ、SWCNT層は、該ソース電極と該ドレイン電極の間に挿入される）、（C）SWCNT層上にゲート酸化物層を形成すること、（D）該ゲート酸化物層を、酸素又は窒素ガスと共に500℃から600℃でアニールすること、及び、（E）該ゲート酸化物層の上にゲート電極を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェン薄膜を製膜する。
【解決手段】単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。遷移金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金である。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造体の長尺化や形状の安定化が可能なカーボンナノ構造体の製造装置およびカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノ構造体の製造装置１は、カーボンナノ構造体２０を成長させる触媒部材４と、原料ガス供給部１１および原料ガス供給管５と、磁場発生部材（コイル７、８）と、加熱部材（ヒータ６）とを備える。原料ガス供給部１１および原料ガス供給管５は、触媒部材４に、カーボンナノチューブ２０を構成するための炭素を供給する。磁場発生部材（コイル７、８）は、触媒部材４の一方表面から、当該一方表面と対向する他方表面に向けて、磁場強度が徐々に高くなる勾配磁場（たとえば磁束線９、１０で示されるカスプ磁場）を印加する。加熱部材（ヒータ６）は、触媒部材４を加熱する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配置される粒子の凝集を低減して、基板表面に分散性よく粒子が配置された、基板複合体、及び、基板の表面にカーボンナノチューブが高密度で形成されたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】基板複合体が、基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に配置された粒子群を有する層と、を備え、前記層は、遷移金属及びアルカリ金属を含む。また、カーボンナノチューブ複合体は、前記基板複合体と、前記粒子群に一端が接続されている複数本のカーボンナノチューブと、を有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れる転写シートの提供およびその製造方法の提供にある。
【解決手段】グラフェンからなる透明導電膜層の作成において、平滑性があり触媒となる金属薄膜層を使用することにより、品質の良いグラフェンを作製するとともに、後の金属薄膜除去の工程が簡易となり、量産性のある転写シートおよびその製造方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で安定的に、垂直性が高く、かつ結晶性の高いカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上にニッケル、コバルト、鉄のいずれか一種もしくは複数の触媒金属ＭとカーボンＣを提供する第１のステップ、プラズマＣＶＤ法を適用して、プラズマ分解されたカーボンを基板Ｗに提供し、該プラズマ分解されたカーボンを触媒金属Ｍを起点として基板Ｗ上で成長させてカーボンナノチューブＣＮＴを製造する第２のステップからなるカーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ホウ素を含む場合であっても、ＢＥＴ比表面積を飛躍的に増大させることにより、顕著な性能向上を図ることができる多孔質炭素及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】少なくとも表面にはＣ−Ｂ−Ｏ結合構造が存在し、７７Ｋにおける窒素吸着等温線から求められるＢＥＴ比表面積が３００ｍ^２／ｇ以上であることを特徴とする多孔質炭素であり、ホウ酸とクエン酸マグネシウムとを混合して混合物を作製するステップと、上記混合物を、真空雰囲気、非酸化性雰囲気、又は還元性雰囲気で加熱焼成して焼成物を作製するステップと、上記焼成物中の上記鋳型を除去するステップとを有する製造方法によって作製することができる。 （もっと読む）

【課題】より効率よくカーボンナノチューブ配向集合体を製造する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体製造用基材は、基板、触媒担持層及び触媒層を備え、前記触媒担持層は前記基板の上にあり、板状構造のアルミニウム酸化物であり、その表面には孔が空いており、前記触媒層は、前記孔の少なくとも一部を選択的に露出して、前記表面の上であって孔の空いていない場所にある、触媒の粒子の層である。 （もっと読む）

【課題】高導電性の導電体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を有し、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０であることを特徴とする導電体、および、基材の少なくとも片面にカーボンナノチューブからなる導電層を形成した後、硝酸で処理することにより、導電面側のＸＰＳスペクトルの４０５ｅＶの強度Ｉ_４０５と４００ｅＶの強度Ｉ_４００の強度比Ｉ_４０５／Ｉ_４００が０．４〜１．０の範囲にある導電体を製造することを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた特性が良好な半導体基板、その製造方法、および電子装置を提供することにある。
【解決手段】
本発明の一態様による半導体基板は、一主面に下部電極を有する基板と、前記基板上の前記下部電極以外の部分に設けられた層間絶縁膜と、前記下部電極の上に設けられた触媒層と、前記触媒層上に設けられ、前記下部電極の一主面に垂直な方向に延伸する複数のカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブ上に設けられ、前記下部電極と対向する上部電極と、前記触媒層および前記カーボンナノチューブの前記触媒層側の端部を覆う第１の埋め込み膜と、前記カーボンナノチューブの他端部の間に満たされ、前記第１の埋め込み膜よりも高密度のである第２の埋め込み膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度に優れ、半導電性を有する液晶ポリエステル組成物の製造方法の提供。
【解決手段】液晶ポリエステルと、下記（Ａ）の要件を満たすナノ構造中空炭素材料とを含有する液晶ポリエステル組成物の製造方法であって、前記液晶ポリエステル８５〜９９質量部と、前記ナノ構造中空炭素材料１〜１５質量部とを、１０００〜９０００／秒のせん断下で溶融混練する工程を有することを特徴とする液晶ポリエステル組成物の製造方法。
（Ａ）ナノ構造中空炭素材料が、炭素部及び中空部を有し、前記中空部の一部又は全体が前記炭素部により囲まれた構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 燃料電池に用いた際に短絡や反応ガスのクロスリークが生じにくい、基材表面において結着が不十分な炭素短繊維や樹脂炭化物が十分に除去された多孔質炭素電極基材およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 以下の（１）〜（３）の工程を含む、多孔質炭素電極基材の製造方法。
（１）炭素短繊維が炭素により結着された炭素シートを製造する工程。
（２）前記炭素シートを、炭素シートの少なくとも一方の面に弾性を有するシートを配置し、連続的な加圧手段を用いて線圧５ｋＮ／ｍ〜３０ｋＮ／ｍで加圧する工程。
（３）次いで、炭素シートに付着した炭素粉を連続的に除去する工程。 （もっと読む）

【課題】多孔質炭素材料と製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の具体例は、多孔質炭素材料の製造方法を提供し、界面活性剤と炭素原材料を溶剤中に溶解し、有機テンプレート前駆体溶液を形成するステップと、ケイ酸塩水溶液を準備するステップと、有機テンプレート前駆体溶液を前記ケイ酸塩水溶液に注入して、界面活性剤、前記炭素原材料と酸化ケイ素テンプレートを含む中間体を凝結するステップと、中間体を加熱して、中間体を炭化するステップと、酸化ケイ素テンプレートを除去して、多孔質炭素材料を形成するステップと、からなる。本発明の別の具体例は、多孔質炭素材料を提供する。 （もっと読む）

【課題】カーボン・ナノチューブを浸出したファイバを提供する。
【解決手段】 本発明のカーボン・ナノチューブを浸出したファイバを含む組成物は、
（ａ）複数のフィラメントを有する母材であるファイバと、（ｂ）前記母材であるファイバに共有結合されたカーボン・ナノチューブと、を有する。本発明の組成物は、（ｃ）レジンをさらに含む。前記母材であるファイバは、ファイバ・トウを含む。前記母材であるファイバは、サイジング材料を含まないファイバである。前記カーボン・ナノチューブを浸出したファイバの電気抵抗率は、前記母材であるファイバのそれより低い。 （もっと読む）

【課題】比表面積が極めて高く、しかも、比抵抗が小さな多孔質炭素を提供することを目的としている。
【解決手段】メソ孔とこのメソ孔の外郭を構成する炭素質壁とを備えた多孔質炭素であって、比抵抗が１．０×１０^２Ω・ｃｍ以下であることを特徴とする。また、上記炭素質壁は３次元網目構造を成すことが望ましく、比表面積は２００ｍ^２／ｇ以上１５００ｍ^２／ｇ以下であることが望ましく、上記メソ孔は開気孔であって、気孔部分が連続するような構成となっていることが望ましい。 （もっと読む）