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Fターム[4G146BB22]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−前処理、ピッチ等の製造、処理 (3,151) | 原料以外(装置含む)の前処理 (1,362) | 添加剤(触媒含む)の処理 (675)

Fターム[4G146BB22]に分類される特許

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【課題】配向CNTをより一層安価に量産することができる配向CNTの製造方法を提供する。
【解決手段】還元ガス、原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、基板の触媒被膜形成面に直交する方向に配向するカーボンナノチューブを化学気相成長により製造するための方法であり、基板の触媒被膜形成面を臨む位置に設けられた複数の噴出孔を備えるシャワーヘッドの該噴出孔から還元ガスを噴出させ、該噴出された還元ガスによって触媒被膜形成面に存在する金属触媒粒子の密度を1.0×1011から1.0×1013個/cmに調整させ、かつ、該シャワーヘッドの噴出孔から原料ガス及び触媒賦活物質を噴出させ、該噴出された原料ガス及び触媒活性物質を前記成長して配向したカーボンナノチューブの集合体中を拡散させて触媒被覆形成面と接触させるようにしたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】目的とする触媒の担持状態に応じたグラフェンシートの微細構造を設計することが可能なマリモカーボンの製造技術を提供すること。
【解決手段】表面が酸化されたダイヤモンド微粒子と、このダイヤモンド微粒子の表面に担持された遷移金属触媒と、この遷移金属触媒から等方向的に放射伸長しマリモ状に成長した多数のカーボンナノフィラメントからなる、ほぼ球状形態を有するマリモカーボンであって、
前記カーボンナノフィラメントは、ほぼ円錐カップ形状からなるグラフェンシートが該円錐の軸方向に積層して線状に成長してなる1次構造を有し、
前記前記グラフェンシートの前記円錐の半頂角の角度分布が比較的揃った分布を有するカーボンナノフィラメントによって構成されることを特徴とする、マリモカーボン。 (もっと読む)


【課題】高い電気伝導度を実現できるとともに、柔軟性等の特性の劣化の少ないカーボンナノチューブ糸を実現できるカーボンナノチューブ糸及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】CNT糸5は、並列に配置されて束ねられた基材であるCNT(基材CNT)3の間に、各基材CNT3間を電気的に繋ぐように多数のCNT(成長CNT)11が形成されている。この成長CNT11によって、基材CNT3間の空間がある程度埋まっている。つまり、成長CNT11を有するCNT糸5の場合は、成長CNT11が無い場合に比べて、基材CNT3間の空間が少なくなり、CNT糸5と成長CNT11との電気的接続によって、CNT糸5の電気伝導度が向上する。 (もっと読む)


【課題】高導電性の導電体、またその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の片面に、親水性カーボンナノチューブと分散剤とを含む未処理導電層を形成し、該未処理導電層に0.02〜1.0質量%の塩化金酸水溶液を10〜60秒間接触させた後、乾燥させる、導電体の製造方法。また、基材の片面に親水性カーボンナノチューブと0価の金ナノ粒子と3価の金イオンと分散剤とを含む導電層を有し、親水性カーボンナノチューブが、導電層の導電面側のXPSスペクトルにおいて、82〜89eVにピークトップを含むピークの面積強度[C]と89〜92eVにピークトップを含むピークの面積強度[D]との比([C]/[D])が5〜20であり、かつ金元素に対応するピークの面積強度[E]と炭素元素に対応するピークの面積強度[F]との比が[E]/[F]=0.001〜0.05であるカーボンナノチューブからなる導電体。 (もっと読む)


【課題】広い面積にわたって基板上にナノ粒子を均一に堆積することができる方法を提供する。
【解決手段】パターニングした基板上にナノ粒子を位置付ける方法を対象とし、この方法は、パターニングした基板に選択的に位置付けたくぼみを設けるステップと、パターニングした基板にナノ粒子の溶液または懸濁液を塗布してぬれた基板を形成するステップと、を含む。ぬれた基板の表面をワイパ部材で拭いて、ぬれた基板から塗布したナノ粒子の一部を除去して、塗布したナノ粒子の残り部分の大多数が基板の選択的に位置付けたくぼみ内に配されるように残す。また、本発明は、位置付けたナノ粒子からカーボン・ナノチューブを形成する方法も対象とする。 (もっと読む)


【課題】電解質に対する耐久性に優れるカーボンナノファイバ複合電極を提供すること。
【解決手段】不動態を形成する金属基板1と、金属基板1上に設けられ、不定形炭素で構成される不定形炭素層2と、不定形炭素層2に結合される多数のカーボンナノファイバ3とを備えることを特徴とするカーボンナノファイバ複合電極20。 (もっと読む)


【課題】充放電容量密度と、充放電サイクル特性を一層向上させたリチウムイオン二次電池を提供し得るリチウムイオン二次電池用炭素材、リチウムイオン二次電池用負極合剤、リチウムイオン二次電池用負極及びリチウムイオン二次電池を提供すること。
【解決手段】フェノール樹脂とシリカ粒子とを含む樹脂組成物を混合して混合物を得る混合工程と、前記混合工程で得られた混合物を噴霧して液滴を形成する噴霧工程と、前記噴霧工程で得られた液滴に第一の熱処理を施して炭素前駆体を生成する第一の熱処理工程と、前記第一の熱処理工程で得られた炭素前駆体に、第一の熱処理工程よりも高温である第二の熱処理を施して炭素とSiOx(0<X<2)で示される酸化ケイ素を含有する炭素材生成する第二の熱処理工程を含むことを特徴とするリチウムイオン二次電池用炭素材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドに炭素以外の異種元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加され炭素以外の元素である異種元素3と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド1の結晶粒径は500nm以下である。上記多結晶ダイヤモンド1は、炭素以外の元素である異種元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加された黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド1は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたV族元素3と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド1の結晶粒径は500nm以下である。上記多結晶ダイヤモンド1は、V族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が10μm以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 (もっと読む)


【課題】高密度かつ高い垂直配向性でカーボンナノチューブを形成するために、触媒金属微粒子を効率よく活性化する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成のための前処理方法は、触媒金属層にプラズマを作用させて触媒金属を微粒子化して触媒金属微粒子を形成する第1のプラズマ処理工程と、触媒金属微粒子に、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマを作用させて触媒金属微粒子を活性化させる第2のプラズマ処理工程と、を備えている。前記触媒金属層の下に、TiN、TaNなどの窒化物からなる助触媒層を備えていることが好ましく、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマにより助触媒層が窒化され、触媒金属微粒子の活性化比率が向上する。 (もっと読む)


【課題】従来技術と比較して低温下で金属表面にグラファイトの薄膜を形成する手段を提供する。
【解決手段】レゾール型フェノール樹脂の10パーセントアルコール溶液をA液として準備する。酢酸鉄(III)の1パーセントアルコール溶液をB液として準備する。還元剤としてジエチレングリコールをC液として準備する。A液50ミリリットルとB液50ミリリットルとC液1ミリリットルとを十分混合する。それにより得られた混合液を鉄板上に塗布した後、低温側の温度(摂氏160度)で30分間加熱処理を行い、さらに、酸素不在かで高温側の温度(摂氏500度)で60分間加熱処理する。これにより、グラファイトの薄膜で被覆された鉄板が得られる。 (もっと読む)


【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤を使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中の金属原子を、(a)フェロシアン化金属化合物及び/又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合ダイヤモンド微粒子、及び/又は(b)フェロシアン化金属化合物及び/又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合カーボンナノチューブを用いて除去及び回収する廃液処理方法であって、前記廃液に、前記複合ダイヤモンド微粒子及び/又は複合カーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記複合ダイヤモンド微粒子及び/又は複合カーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 (もっと読む)


【課題】良好な再現性を有し、カーボンナノチューブを安定して紡績することのできるカーボンナノチューブ膜の製造方法の提供。
【解決手段】平板状の基板の表面に金属触媒を堆積させ、続いて、その基板の雰囲気を図1に示すように変化させて、当該基板の表面にカーボンナノチューブ膜を製造した。すなわち、基板の雰囲気を水素ガスで置換し、基板及びその雰囲気を金属触媒活性化温度としての500℃まで昇温させて3分間その温度に保持した。続いて、基板及びその雰囲気を200〜500℃まで降温し、基板の雰囲気に炭化水素ガスを導入した。そして、基板及びその雰囲気を0〜3分間その温度に保持した後、CNT合成温度としての700℃まで基板及びその雰囲気を昇温した。基板及びその雰囲気を炭化水素ガスを導入しながら700℃に10分間保持してカーボンナノチューブ膜を形成した。 (もっと読む)


【課題】微細加工技術を用いることなく任意の幅のグラフェンリボンを形成しうるグラフェンリボンの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に触媒金属材料を堆積し、基板上に堆積した触媒金属材料を熱処理し、表面にストライプ状の双晶領域を有する触媒金属膜を形成し、触媒金属膜の双晶領域上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に成長する。 (もっと読む)


【課題】配向性が高いカーボンナノチューブを安定して生成し得るカーボンナノチューブ生成用基板を、高い生産性で製造し得る製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】基板K上に形成されてシリカからなる中間層Bと、この中間層B上に形成されてカーボンナノチューブを生成するための触媒層とを備えたカーボンナノチューブ生成用基板の製造方法であって、基板Kにシリカ溶液塗布器11でシリカ溶液を塗布して、当該シリカ溶液を第一加熱乾燥炉15で乾燥させた後に焼成し、基板K上に中間層Bを形成する工程と、エッチング部31で上記中間層Bの表面をアルカリエッチングにより滑らかにする工程と、滑らかにされた中間層Bの表面に触媒溶液塗布器21で触媒溶液を塗布して、当該触媒溶液を第二加熱乾燥炉25により乾燥させた後に焼成し、中間層B上に触媒層を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】欠損状細孔を側面に有するカーボンナノチューブで形成されたカーボンナノチューブ並走集合体、その製造方法、炭素系電極および蓄電デバイスを提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ並走集合体は、同じ方向に沿って並走しつつ配向している並走配向性を有する多数のカーボンナノチューブを集合させて形成されている。カーボンナノチューブ並走集合体を成長させたままの状態において、カーボンナノチューブ並走集合体を構成するカーボンナノチューブは、側面に欠損状細孔を備えている。I/I比率は0.80以上である。 (もっと読む)


【課題】電気機器に用いることのできる、リチウムイオンを透過するグラフェンを提供する。
【解決手段】好ましいグラフェンは、炭素原子が酸素原子と結合してできた欠陥を有し、その数密度は0.0001以上0.1以下である。また、上記の数密度で欠陥を有するため、グラフェンの酸素濃度は0.3原子%以上30原子%以下である。このようなグラフェンはリチウムイオンを容易に透過させるため、電極や活物質表面を被覆しても、リチウムイオンの移動を妨げない。一方で、電極や活物質と電解液との反応を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成された金属触媒層の裏面と、基板の表面との間での炭素膜の成長の制御性を高めることのできる炭素膜の形成装置、及び炭素膜の形成方法を提供する。
【解決手段】熱CVD装置10は、金属触媒層に対してアセチレンガスを供給する炭素含有ガス供給部16と、基板における金属触媒層側である表面側に配置されたランプヒータ13と、基板における金属触媒層とは反対側である裏面側に配置された水冷ステージ12とを有している。ランプヒータ13は、金属触媒層の表面をアセチレンガスの分解される温度に加熱し、また、水冷ステージ12は、基板の裏面を冷却することで、ランプヒータ13によって加熱された金属触媒層の表面と該金属触媒層の裏面とに所定の温度差を形成する。これにより、炭素膜が、基板の表面と金属触媒層の裏面との間に析出する。 (もっと読む)


【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


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