【課題】環境親和的で且つ経済的な低級炭化水素直接分解用触媒を提供する。
【解決手段】主成分シリカ（SiO₂）の担体の表面に、非鉄金属酸化物の被覆を介して鉄を担持させることにより、低級炭化水素直接分解用触媒を調製する。例えば、主成分シリカの担体に非鉄金属塩溶液を含浸させて乾燥・焼成したのち、鉄塩溶液を含浸させて乾燥・焼成する。主成分シリカの担体に非鉄金属塩及び鉄塩の混合溶液を含浸させて乾燥・焼成することにより製造することも可能である。好ましくは、非鉄金属酸化物をアルミナ（Al₂O₃）とする。更に好ましくは、主成分シリカの担体を発泡ガラスとする。発泡ガラスは、例えば廃ガラスの粉砕物に発泡剤を加えて溶融発泡させた塊状多孔体とすることができる。発泡ガラスは、独立気泡に比し連続気孔の割合が高いものが望ましい。
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【課題】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜の特性を制御することができる水素脱離方法および水素脱離装置を提供する。
【解決手段】 ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜、樹脂膜またはＩＩＩ−Ｖ族半導体薄膜に、少なくとも１０ｅＶよりも大きいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。また、ダイヤモンド薄膜、ダイヤモンド状炭素膜、炭素薄膜または樹脂膜に、膜の温度が２００℃未満である状態で、少なくとも３ｅＶよりも大きく１０ｅＶよりも小さいエネルギを有する光子を含む光を照射することによって、膜中から水素を脱離させる水素脱離方法である。 （もっと読む）

【課題】触媒ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを合成する装置において、移動床などの固体触媒に層厚みを形成させて反応させる場合、固体触媒層にムラなく炭素含有ガスを接触させ、かつ、固体触媒が連続的に搬出できることが不可欠になる。本発明はこれらの課題を解決する方法を見いだす。
【解決手段】固体触媒層にアルミナボールなどを希釈材として混ぜることにより、固体触媒層と炭素含有ガスの気固接触が良好に保たれ、かつ、希釈材層を攪拌することで、炭素含有ガス流れ方向に固体触媒を搬出させることができ、有益な直径を有するカーボンナノチューブの合成反応を連続的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 微細炭素繊維の流動性を向上させることができる熱処理装置を提供すること。
【解決手段】
解砕された微細炭素繊維を流動可能に収容する一の流路１４１が形成された筒体１４０と、流路１４１の排出側に設けられ圧力変動を生じさせる移送装置１５０とを備えるように熱処理装置１１０を構成する。そして、筒体１４０は、流路１４１の上流部に設けられ収容された微細炭素繊維を加熱精製するガス抜き炉１０３と、流路１４１の下流部に設けられ収容された微細炭素繊維を加熱改質するアニール炉１０４とを有している。 （もっと読む）

【課題】同心的なほぼ円筒状のグラフェン二重層よりなる壁部を持つ中空炭素ナノチューブで構成される固体物質並びにその製造および使用方法の提供。
【解決手段】炭素原子の二重層（３）からなる円筒壁部を有するフラーレン炭素ナノチューブ並びに炭素供給原料および実質的に元素周期律表の鉄族の遷移金属および硫黄からなる触媒を実質的に水素含有ガスからなるＤＷＮＴ形成雰囲気を持った反応帯域に供給し、炭素および触媒を反応帯域にて熱にかけるその製造および使用方法に関するものであり、さらに調節数の炭素層を有するナノチューブおよびその大規模量の製造方法。さらにたとえば発光ＣＲＴからなる低温フィールド電子放出装置のようなその使用方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成長するＳＷＮＴの配向状態を、平行方向又は垂直方向に制御することのできるＳＷＮＴ合成用触媒；基板上に分散・担持される主触媒金属の分散密度を制御できるＳＷＮＴ合成用触媒の調製方法；一酸化炭素を用いた容易かつ低コストであって、常圧、低温で行うことができ、基板上に成長するＳＷＮＴの配向状態を制御できるＳＷＮＴの製造方法を提供。
【解決手段】 基板２上に触媒金属が担持されてなる単層カーボンナノチューブ合成用触媒であって、前記触媒金属が、８族、９族、１０族からなる主触媒金属３と、６族からなる助触媒金属４とから構成され、この主触媒金属３が、前記基板２上に疎に分散されて担持されている。 （もっと読む）

【課題】 単層カーボンナノチューブ６の合成に用いられる触媒金属の作製の手間を軽減し、効率的、かつ安価に単層カーボンナノチューブ６を合成する製法を提供する。また、単層カーボンナノチューブ６中に触媒金属粒子が含まれず、構造欠陥が少なく、高純度で精製処理が不要な単層カーボンナノチューブ６を合成する製法を提供する。さらに、炭素源として安価な一酸化炭素を用いるとともに、反応条件が低温、低圧である製法を提供する。
【解決手段】 炭素含有ガスを触媒金属が担持された支持体２上に流し、気相成長法により支持体２上に単層カーボンナノチューブ６を成長させ、得られた単層カーボンナノチューブ６を回収した後、この支持体２をそのまま再使用して、この支持体２上に単層カーボンナノチューブ６を成長させる。 （もっと読む）

【課題】気体状態の炭素源を鉄を含む少なくとも一種の遷移金属の酸化されていない金属の被覆を有する多孔質アルミナ担体から成る少なくとも一種の担持固体触媒と接触させる、炭素源の分解によって規則化されたカーボンナノチューブを選択的に製造する方法。
【解決方法】使用する担持固体触媒が25μｍ〜2.5mmの平均粒径を有し、鉄合金皮膜がアルミナ担体のマクロ形状の表面の75％以上を被覆している触媒粒子から主として成る。鉄合金皮膜は複数の互いに凝集した金属球から成るクラスタの形をしていることができる。
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【課題】本発明の課題は、高品質、かつ高収率で、大きな生産量をもって、カーボンナノファイバーを製造することのできるカーボンナノファイバー製造装置を提供することである。
【解決手段】本発明の課題を解決するための手段は、平板状の反応室壁が相対向するように配置された一対の反応室壁部材を備えた反応室と、前記反応室内を加熱する加熱手段とを備え、前記反応室内において浮遊状態で気相成長炭素繊維を製造可能に形成されて成ることを特徴とする気相成長炭素繊維製造装置である。 （もっと読む）

【課題】炭素系微細繊維を基板上でほぼ均一に成長させることができる炭素系微細繊維形成方法を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によって基板上に炭素系微細繊維を形成するに際し、先ず、基板１上に触媒金属層２を形成する。次いで、炭素系微細繊維５と触媒金属層２との間の赤外線反射率を有する反射率調整材料層４を、触媒金属層２上にアイランド状又はクラスタ状に形成する。最後に、熱ＣＶＤ法により、触媒金属層２が形成された箇所で炭素系微細繊維５を析出させる。 （もっと読む）

炭素ナノ構造体を大量合成する方法、工程、装置が提供される。小さな粒径と狭い粒径分布を有する金属触媒を調製し、エーロゾルとして反応器に連続的に注入する。金属触媒は実質的に炭素を含まない支持体上に担持される。反応器は、反応時間ならびに反応物質と反応器の壁との接触が制御可能なように、ガス流を制御できるようになっている。単層カーボンナノチューブを大量に高収率で合成することができる。 （もっと読む）

【課題】水系結合剤を用いる場合において、良好な充放電特性とサイクル特性、特に優れた急速充放電効率を発揮できるリチウムイオン二次電池用負極材料とその製造方法、該負極材料を含むリチウムイオン二次電池用負極、および該負極を用いたリチウムイオン二次電池の提供。
【解決手段】黒鉛質物を含有する粒状炭素材料の少なくとも一部に、親水性気相成長炭素繊維が付着した粒状複合炭素材料。該粒状複合炭素材料を含有することを特徴とするリチウムイオン二次電池用負極材料およびリチウムイオン二次電池。また、親水性気相成長炭素繊維を、黒鉛質物を含有する粒状炭素材料に、機械的エネルギーを付与して付着させる粒状複合炭素材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを用いて集積回路の導電性パスを形成することによって、好結果のデバイスを設計する。
【解決手段】 集積回路の導電体パスが、銅であることが好ましい導電性金属に埋設された複数の画一的なカーボンナノチューブを用いて形成される。導電体パスは、導電体層の間に延びるビアを含むことが好ましい。複合材ビアは、導電体上のビアが作られる位置に金属触媒パッドを形成するステップと、誘電体層を堆積しエッチングして空洞部を形成するステップと、空洞部内の触媒の上に実質的に平行なカーボンナノチューブを成長させるステップと、残された空洞部内の空隙を銅で埋めるステップによって形成されることが好ましい。次に、ビア・ホールの上に導電体層が形成される。 （もっと読む）

要約
課題 ＣＯＦ_２を収率よく、工業的に製造できる方法の提供。
解決手段 一酸化炭素Ａとフッ素Ｂを、希釈ガスとともに反応容器１内に連続的に供給し、反応させてフッ化カルボニルを製造する方法であって、希釈ガスとしてフッ化水素またはフッ化カルボニルを用いることを特徴とするフッ化カルボニルの製造方法。一酸化炭素Ａとフッ素Ｂとを反応させてフッ化カルボニルを生成させるフッ化カルボニルの製造装置であって、一酸化炭素Ａの供給手段、フッ素Ｂの供給手段、フッ化水素またはフッ化カルボニルからなる希釈ガスの供給手段、および反応容器を備えてなることを特徴とするフッ化カルボニルの製造装置。 （もっと読む）

化学気相輸送法（CVT）を用いて、低温低圧で、基板にダイヤモンドコーティングを製作する方法であって、ワイヤ巻付グラファイト組立部材と、基板とをチャンバ室内に提供するステップと、チャンバ室に水素を充填するステップと、チャンバ室の内部圧力を真空にしてから、水素を再度充填するステップと、1気圧未満の水素を含有したままチャンバ室を密閉するステップと、基板が125℃〜750℃の範囲に加熱されるまで、グラファイト棒に電流を流すステップと、を有する方法によって、優れた特性が得られる温度で、高品質ダイヤモンドが形成される。
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最初に、金属酸化物を、１０〜２０％の水素中で、７０〜９０分の間に５℃／分の速度で３５０〜５００℃へ加熱すること、場合により１０〜６０分間、その温度を維持すること、次いで炭素質供給原料の流通を開始することによって、ナノカーボン合成用触媒の予備還元ステップを除去または削減するための方法。 （もっと読む）

カーボンナノチューブチップを有する複数の装置の製造方法であって、複数の前駆体チップ（２０２）を備えた第１面（１０２）を有する第１基板（１００）を提供し、第１面（１０２）に面する第２面（３０２）を有する第２基板（３００）を提供し、実質的にすべての前駆体チップ（２０２）にカーボンナノチューブチップを生成し、第２面（３０２）と前駆体チップの末端にあるカーボンナノチューブの端部との間に電位を印加することを有する製造方法である。

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カーボンナノファイバー系が、非常に高純度（９５％超）で、カーボン形態選択性を有し、特段に高い収量で合成される。粒径が１０ｎｍ以下で、表面積の大きな（５０ｍ^２／ｇ超）カスタムメードの触媒が、より高い形態選択性とより高い収量を提供する。この触媒粒子の反応性は、２４時間の反応後でも、収量が触媒１ｇ当たりカーボン２００ｇ／を超えるほどに維持される。生成物および達成収量にとって必須である触媒は、米国特許第６，１３２，６５３号に教示されるようなフレーム合成法により、指定された特定のパラメーター（粒度分布、組成、および結晶性）に合わせて調製される。
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凝集物の製造方法であって、１つまたは複数のガス状反応物質の流れを反応器に通す工程と、反応器の反応領域内で１つまたは複数のガス状反応物質を反応させて、生成物粒子を形成する工程と、生成物粒子を凝集物へと凝集させる工程と、凝集物に力を加えて、それを反応領域外に連続的に移動させる工程とを含む方法。

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