【課題】カーボンナノ構造体を製造する際の析出効率を向上させることが可能な触媒基材、および該触媒基材を用いたカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長によってカーボン結晶を成長させカーボンナノ構造体を製造するために用いられる触媒基材の製造方法であって、原料ガス供給面から結晶成長面に貫通する触媒材料を有する触媒構造体を形成する工程と、前記触媒構造体の結晶成長面側の触媒材料を水を用いて酸化処理する工程とを含む、触媒基材の製造方法および該触媒基材を用いたカーボンナノ構造体の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 低温でカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブ成長用基板の作製方法及びカーボンナノチューブの作製方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブ成長用基板の作製方法は、基板Ｓ上に形成された触媒層１１に、ＣＶＤ法を用いて炭素含有ガスを接触させて触媒層１１から炭素系物質１２を成長させ、次いでこの炭素系物質１２を除去してカーボンナノチューブ成長用基板１を作製する。カーボンナノチューブの作製方法は、このカーボンナノチューブ成長用基板からカーボンナノチューブ１４を成長させる。 （もっと読む）

【課題】平均粒子径が小さく、かつ粒度の揃った、比表面積が比較的大きい電気二重層キャパシタ用活性炭を容易に、かつ安いコストで製造する方法を提供する。
【解決手段】易黒鉛化性炭素材料を原料として、酸化性ガス雰囲気下で焼成処理して得られる炭素材を粒度調整した後に賦活処理して製造して得られることを特徴とする電気二重層キャパシタ電極用活性炭の製造方法。 （もっと読む）

高品質なカーボン単層ナノチューブ（ＳＷＮＴ）を合成する方法およびプロセスを提供する。前記方法により、触媒単位重量当たりの炭素前駆体量および輸送ガス量を最適化する手段を提供する。７８０℃にて、約４．２×１０^−３モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ）の流量で、炭素前駆体ガスを担体に担持した触媒に接触させたとき、約２０％の変換効率を達成できる。また、炭素前駆体ガスの流量を約１．７×１０^−２モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ）以上にすると、品質が向上し、より速くカーボンＳＷＮＴが成長する結果になった。一方、炭素原子の供給速度を遅くすると（約４．５×１０^２０Ｃ原子／秒−ｇ、すなわち６．４×１０^−４モルＣＨ_４/秒−ｇ（Ｆｅ））、欠陥の多いナノチューブが生成する結果になった。 （もっと読む）

【課題】その成長位置が制御された状態で、基板上で一方向に高密度に配向成長したカーボンナノチューブを製造する方法を提供する。
【解決手段】表面の結晶面がＲ面であるサファイア単結晶基板の表面に、カーボンナノチューブ生成用金属系触媒からなる所定のパターン構造を形成し、ＣＶＤ法により前記パターン構造から前記Ｒ面における正のｃ軸投影方向の１８０°反対方向を主体にカーボンナノチューブを配向成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）

【課題】純度及び安定性の高い高品質のナノカーボンを低コストで効率よく量産すること、及び一定条件で運転して殆ど半永久的にナノカーボンを生成しつづけることができ、ナノカーボンを大量に供給することを課題とする。
【解決手段】還元雰囲気の加熱炉容器１１と、加熱炉容器の外周部に配置された加熱源１３と、加熱炉容器の上流側に配置され，加熱炉容器内に炭化水素と微量の金属触媒粉とを混合噴霧する炭化水素・触媒混合噴霧ノズル１５と、加熱炉容器の下流側に配置された生成ナノカーボン排出ノズル１８とを具備し、炭化水素・触媒混合噴霧ノズル１５より金属触媒粉の混合した金属触媒粉混合炭化水素を連続的に或いは間欠的に噴霧することにより加熱炉容器内で反応させてナノカーボンを成長させ、成長した生成ナノカーボンを排出ノズルにより排出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れた機械的特性および高い比表面積を兼ね備え、さらには、粘着剤として用いた場合に優れた粘着特性を示すカーボンナノチューブ集合体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ集合体の製造方法は、複数層を有するカーボンナノチューブを備えるカーボンナノチューブ集合体の製造方法であって、表面に親水性保護膜を有する基板の該親水性保護膜上にＡｌ_２Ｏ_３膜を形成し、該Ａｌ_２Ｏ_３膜上に触媒層を形成し、該触媒層上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】酸化層の前堆積を行うことなく、導体または半導体材料上に高密度のカーボンナノチューブマットを製造する方法を提供する。
【解決手段】拡散バリア５２０、拡散バリア上にアモルファスシリコン層５３０、アモルファスシリコン層上に金属層を含む触媒複合体を導体または半導体基板５１０上に堆積させる。次いで前記金属層に酸化処理を行い、最後に、酸化処理された金属層からカーボンナノチューブマット５８０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少なくとも二つのボンディングパッド間に水平方向の電気接続を確立することを可能にする装置に関する。
【解決手段】本装置はボンディングパッドの垂直壁を接続する水平なカーボンナノチューブを備え、ボンディングパッドは少なくとも二つの物質を積層させることによって形成されていて、その一つはナノチューブ成長に触媒作用をもたらし、他の一つはナノチューブ成長に触媒作用をもたらす物質の層間のスペーサとして機能する。 （もっと読む）

【課題】 バクテリアセルロース膜から作られるカーボンナノチューブ様薄膜を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ様材料が開示されている。カーボンナノチューブ様材料は、無酸素雰囲気下で炭化されるバクテリアセルロースを含む。また、バクテリアセルロースとLiFePO₄を含むカソード材料、炭化されたバクテリアセルロースを含むアノード材料、アルデヒド処理したバクテリアセルロースを含むセパレータ膜、バクテリアセルロースを含む部品を含むリチウム電池が開示されている。 （もっと読む）

【課題】 多層カーボンナノチューブをより高温で再現性良く超伝導状態にすることができる超伝導素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 多孔質膜２中の細孔２１内に多層カーボンナノチューブが形成されており、当該多層カーボンナノチューブは、その直径が５〜３０ｎｍ、その層数が２〜２０である超伝導素子であって、前記多層カーボンナノチューブが、多層カーボンナノチューブを構成する炭素原子の一部がホウ素原子で置換されたホウ素置換型多層カーボンナノチューブ３である。 （もっと読む）

【課題】製造設備のコンパクト化が図れ、特に高収率のフラーレンを含有する炭素微粒子を大量かつ簡単に製造できる方法を提供する。
【解決手段】炭化水素化合物および水素を含有する混合物と、酸素含有ガスとを反応炉２内に導入し、水素、一部の炭化水素化合物および酸素で燃焼反応を生じさせて二酸化炭素と水蒸気からなる1200〜2000℃の高温ガスを生成させるとともに、この高温ガスの熱を利用して前記反応炉２内に導入した残りの炭化水素化合物を90kPa以下の減圧雰囲気下で熱分解反応を生じさせることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも約２２ＭＰａ ｍ^１／２の靭性を有する単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドに関する。本発明はさらに、単結晶ホウ素ドープＣＶＤダイヤモンドを製造する方法に関する。本発明のダイヤモンドの成長速度は約２０μｍ／ｈ〜１００μｍ／ｈであり得る。 （もっと読む）

【課題】良質のカーボンナノコイルを高い収率で製造することが可能なカーボンナノコイル製造用触媒を得る。
【解決手段】セラミックス微粒子１の表面に、酸化鉄もしくはオキシ水酸化鉄と、酸化スズとの混合物からなる被膜２を形成する。被膜２の厚みを３００ｎｍ以上とし、被膜２における鉄とスズの元素比を１：１〜６：１の範囲内とすることを特徴とする。被膜２の厚みは１０００ｎｍ以上がより好ましく、鉄とスズの元素比は３：１が最も好ましい。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続的成長メカニズムを最適化でき、高品質のカーボンナノ構造物を製造することのできるカーボンナノ構造物の製造方法、及びカーボンナノ構造物の製造に用いるカーボンナノ構造物製造用ガスを提供する。
【解決手段】本発明に係る、連続的に長さを制御可能なカーボンナノ構造物の製造方法においては、キャリアガスと原料ガスを反応室４に供給して触媒体６によりカーボンナノ構造物２を製造するとき、キャリアガスや原料ガス中に、上記原料ガスに対して還元性を有する水素などの還元性ガスを含有させ、さらには酸化性を有する水などの酸化性ガスを含有させ、その濃度を適度に制御することにより、良質のカーボンナノ構造物を高効率に製造することができる。これにより、例えば全長７ｍｍというこれまでに例の無いカーボンナノチューブの製造を可能とする。 （もっと読む）

【課題】高純度アセチレンガスを用いて、良質なダイヤモンドでかつ接合強度の高いダイヤモンド皮膜を合成する燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法を提供する。
【解決手段】燃焼炎法によるダイヤモンド皮膜合成方法において、ガスボンベの残量に関わらず、ほぼ一定の純度（Ｃ２Ｈ２９９．５％以上）を保つことのできる高純度アセチレンガス３を用いた高純度アセチレン−酸素の燃焼ガスを使用し、ダイヤモンドの合成促進成分として窒素ガス４を用いる。より具体的には、高純度アセチレン−酸素の流量比（Ｏ_２／Ｃ_２Ｈ_２）０．９の燃焼ガスにダイヤモンド合成促進成分として窒素ガスを流量比（Ｎ_２／(Ｃ_２Ｈ_２＋Ｏ_２＋Ｎ_２)）０．２８％〜０．４０％混合する。 （もっと読む）

【課題】配向ＣＮＴ集合体の成長高さに応じたＣＶＤ装置の自動制御が可能であり、所望の高さの配向ＣＮＴ集合体を量産し得る製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板２上で成長中の配向カーボンナノチューブ集合体１１に平行光Ｌを照射し、その影の大きさを焦点距離が無限遠であるように機能するテレセントリック光学系を用いた測定部１３にて測定することによって配向カーボンナノチューブ集合体の成長高さをリアルタイムに検出しつつ配向カーボンナノチューブ集合体を合成し、配向カーボンナノチューブ集合体の成長高さが所定状態になったときに配向カーボンナノチューブ集合体の合成を停止させるものとする。 （もっと読む）

【課題】膜面積の大きい単層カーボンナノチューブ膜を製造することができ、且つ該膜を自立膜として回収することができる単層カーボンナノチューブ製造方法、及び該方法の実施に適した製造装置を提供する。
【解決手段】製造装置１は、前記対向する一対の電極を構成する陰極１２と陽極１１の各々に一つずつ電気的に接続された状態で、且つ、該一対の電極１１，１２間の隙間１４の距離Ｌ_１よりも距離が長い隙間２４（距離Ｌ_２）をあけて対向した状態で配置される一対の導電板２１，２２を備える。前記アーク放電により蒸発したカーボンからなる単層カーボンナノチューブを、前記一対の導電板２１，２２のうち陰極１２側に配置された導電板２２における前記陽極１１と対向する面２２ａに膜状に堆積させて捕捉する。 （もっと読む）

【課題】ＣＡＴ−ＣＶＤ法により高硬度なビッカース硬度を有したＤＬＣ膜を安定に形成することが可能なＤＬＣ膜製造装置を提供すること。
【解決手段】ＣＡＴ−ＣＶＤ法により基材２１にＤＬＣ膜を形成するＤＬＣ膜の製造装置１０であって、基材２１の被成膜面とは反対側に配置され、基材２１を加熱するための第一手段１１と、所定の温度範囲内で基材２１の温度が変動するように、第一手段１１を制御する第二手段１２とを少なくとも備えたこと。 （もっと読む）

【課題】廃タイヤを、高付加価値ナノ炭素材料を選択的且つ安価に供給する実用化技術を提供する。廃タイヤの有効資源化は、Ｃ４およびＣ５の原油成分から複雑な処理プロセスを経て初めて合成される合成ゴム成分（ブタジエン、イソプレン等）を用いるカーボンナノチューブなどの合成よりも簡便で、工学的、社会的、経済的に合理的な廃タイヤの有効利用に資する技術を提供する。
【解決手段】廃タイヤを分解炉中で加熱分離して１次油を採取し、この１次油をさらに加熱処理して、廃タイヤの主成分であるＡ〜Ｃ重油成分及び固形物、硫黄からなる不純物を分離除去したカーボンナノチューブの合成原料となる残油成分である２次油を抽出し、当該残油成分である２次油をキャリヤーガスと共に、ＣＶＤ装置に配置した基板上に導入して、当該基板上にカーボンナノチューブを加熱合成することを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 （もっと読む）