【課題】広い面積にわたって基板上にナノ粒子を均一に堆積することができる方法を提供する。
【解決手段】パターニングした基板上にナノ粒子を位置付ける方法を対象とし、この方法は、パターニングした基板に選択的に位置付けたくぼみを設けるステップと、パターニングした基板にナノ粒子の溶液または懸濁液を塗布してぬれた基板を形成するステップと、を含む。ぬれた基板の表面をワイパ部材で拭いて、ぬれた基板から塗布したナノ粒子の一部を除去して、塗布したナノ粒子の残り部分の大多数が基板の選択的に位置付けたくぼみ内に配されるように残す。また、本発明は、位置付けたナノ粒子からカーボン・ナノチューブを形成する方法も対象とする。 （もっと読む）

【課題】容易な処理で金属を担持するナノグラファイトを製造する。
【解決手段】基板１上に形成されたカーボンナノウォール２ａを利用してカーボンナノウォール２ａより微小な１又は複数のナノグラファイト２ｂで構成されるカーボンナノウォール片２ｃを生成するステップと、生成されたカーボンナノウォール片２ｃが分散する液体に、担持させる金属を混合するステップと、カーボンナノウォール片２ｃ及び金属を含む液体に還元剤を注入し、カーボンナノウォール片２ｃに金属を担持させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 高強度炭素系線材等をはじめとする工業材料として有用な、直径が制御され、高純度な単層カーボンナノチューブ、特に直径が１.０〜２.０ｎｍの範囲内にある均一な単層カーボンナノチューブおよびその効率的、且つ大量・安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】第１炭素源として常温で液体の飽和脂肪族炭化水素を、第２炭素源として常温で気体の不飽和脂肪族炭化水素を用い、流動気相ＣＶＤ法による炭素源から、単層カーボンナノチューブを製造する方法であり、得られた単層カーボンナノチューブは直径が１.０〜２.０ｎｍの範囲内にあり、且つラマンスペクトルにおけるＧバンドとＤバンドの強度比ＩＧ/ＩＤが２００以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】スピントロニクスデバイス、単分子磁気デバイス等への応用が期待されるニッケル内包フラーレンは、鉄やニッケルなどに代表される遷移金属がフラーレンとの間で効率の良い電子移動が起こらず金属原子が生成途中でフラーレンから脱離するために、ニッケル内包フラーレンの合成は困難とされていた。
【解決手段】るつぼに入れたニッケル金属に対し電子ビームを照射し、蒸発したニッケル原子に電子を衝突させ、電子とニッケルイオンからなるプラズマを生成し、プラズマとフラーレンの反応により堆積基板上にニッケル内包フラーレンを含む堆積物を形成した。電子ビームのエミッション電流を制御することにより、ニッケル内包フラーレンの高効率合成が可能になった。 （もっと読む）

【課題】本技術の目的は、ドーピングされたグラフェンの経時劣化を抑制することが可能なグラフェン構造体、その製造方法、光電変換素子、太陽電池及び撮像装置を提供すること
【解決手段】本技術のグラフェン構造体は、導電層と保護層とを具備する。導電層は、ドーパントによりドーピングされたグラフェンからなる。保護層は、前記導電層に積層された、水より酸化還元電位が高い物質からなる。 （もっと読む）

【課題】平面に対して垂直な方向において、イオンの移動が可能なグラフェンを提供する。
【解決手段】炭素で構成される六員環と、炭素、または炭素及び酸素で構成される七員環以上の多員環と、該六員環または七員環以上の多員環を構成する炭素に結合する酸素とを有する複数のグラフェンが層状に重なり、複数のグラフェンの層間距離が０．３４ｎｍより大であり０．５ｎｍ以下、好ましくは０．３８ｎｍ以上０．４２ｎｍ以下である多層グラフェンである。 （もっと読む）

【課題】高密度かつ高い垂直配向性でカーボンナノチューブを形成するために、触媒金属微粒子を効率よく活性化する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成のための前処理方法は、触媒金属層にプラズマを作用させて触媒金属を微粒子化して触媒金属微粒子を形成する第１のプラズマ処理工程と、触媒金属微粒子に、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマを作用させて触媒金属微粒子を活性化させる第２のプラズマ処理工程と、を備えている。前記触媒金属層の下に、ＴｉＮ、ＴａＮなどの窒化物からなる助触媒層を備えていることが好ましく、水素含有ガスと窒素ガスとの混合ガスのプラズマにより助触媒層が窒化され、触媒金属微粒子の活性化比率が向上する。 （もっと読む）

【課題】リチウムなどのイオンを透過させる能力と導電性を併せ持つグラフェンを提供する。また、該グラフェンを用いることにより、充放電特性に優れた蓄電装置を提供する。
【解決手段】炭素と窒素で形成された環状構造の内側の空孔を有するグラフェンは、リチウムなどのイオンを透過させる能力と、導電性を有する。グラフェンに含まれる窒素濃度は、０．４原子％以上４０原子％以下であることが好ましい。また、該グラフェンを用いると、リチウムなどのイオンを好適に透過させることができるため、充放電特性に優れた蓄電装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】高純度かつ高硬度のナノ多結晶ダイヤモンドを作製可能な黒鉛およびその製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛１は、炭素と、該炭素以外の複数の不純物とで構成される。複数の不純物の濃度は、それぞれ０．０１質量％以下であり、黒鉛は、一体の固体であり、結晶化部分を含む。上記黒鉛１は、真空チャンバ内で１５００℃以上の温度に基材を加熱し、上記真空チャンバ内に９９．９９％以上の純度の炭化水素ガスを導入し、基材上で炭化水素ガスを分解することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して低温下で金属表面にグラファイトの薄膜を形成する手段を提供する。
【解決手段】レゾール型フェノール樹脂の１０パーセントアルコール溶液をＡ液として準備する。酢酸鉄（III）の１パーセントアルコール溶液をＢ液として準備する。還元剤としてジエチレングリコールをＣ液として準備する。Ａ液５０ミリリットルとＢ液５０ミリリットルとＣ液１ミリリットルとを十分混合する。それにより得られた混合液を鉄板上に塗布した後、低温側の温度（摂氏１６０度）で３０分間加熱処理を行い、さらに、酸素不在かで高温側の温度（摂氏５００度）で６０分間加熱処理する。これにより、グラファイトの薄膜で被覆された鉄板が得られる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が１．０×１０^−８（ｍ^２・Ｋ/Ｗ）以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】触媒金属膜の任意の領域にグラフェンを選択的に合成しうるグラフェンの合成方法を提供する。
【解決手段】基板の所定の領域上に、触媒金属膜を形成する。次いで、触媒金属膜の側面に、触媒金属膜よりも触媒能の低い被覆膜を形成する。次いで、触媒金属膜の上面上に、触媒金属膜を触媒としてグラフェンを選択的に合成し、グラフェンチャネルを形成する。次いで、基板上に、グラフェンチャネルに接合されたソース電極及びドレイン電極を形成する。次いで、触媒金属膜及び被覆膜を除去する。次いで、グラフェンチャネル上に、ゲート絶縁膜及びゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】少数層グラフェンを触媒金属基板一面の大面積で容易に形成できるようにする。
【解決手段】まず、銅とニッケルを主成分とする合金からなる触媒金属構造体を用意し、この触媒金属構造体を、触媒作用によりグラフェンの合成が進行する所定の温度まで加熱する（Ｓ１０１）。次に、触媒金属構造体へ炭素原料ガスを供給し、触媒金属構造体の表面にグラフェンを合成する（Ｓ１０２）。炭素原料ガスからの炭素が触媒金属により反応し、触媒金属構造体の表面に少数層グラフェンが形成される。 （もっと読む）

【課題】静電容量が高く、高電位でも安定な多孔質炭素材料、その製造方法、これを用いた電極、キャパシタの提供。
【解決手段】下記の条件（ａ）〜（ｄ）を満たす多孔質炭素材料その製造方法、これを用いた電極、キャパシタ。
（ａ）窒素含有量が５〜３０質量％
（ｂ）窒素吸着法により算出される比表面積が１，０００ｍ²／ｇ以上
（ｃ）細孔容積が０．５ｃｃ/ｇ以上
（ｄ）窒素ガス雰囲気下における、６００℃での加熱後の重量減少が０．１％以下 （もっと読む）

【課題】優れた物理特性及び難燃性を有する難燃性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】合成樹脂１００重量部と、比表面積が５０〜２６００ｍ²／ｇである薄片化黒鉛１〜２０重量部とを含有する難燃性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンに沿ってカーボンナノウォールを配向させることが可能なカーボンナノウォール配列体を提供する。
【解決手段】カーボンナノウォール配列体１０は、基板１と、カーボンナノウォール２〜９とを備える。基板１は、シリコンからなる。そして、基板１は、凸部１１と凹部１２とを含む。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に沿って基板１の一方の表面に形成される。凸部１１および凹部１２は、方向ＤＲ１に垂直な方向ＤＲ２において、交互に形成される。凸部１１は、方向ＤＲ２において、０．１〜０．５μｍの長さを有し、凹部１２は、方向ＤＲ２において、０．６〜１．５μｍの長さを有する。また、凸部１１の高さは、０．３〜０．６μｍである。カーボンナノウォール２〜９の各々は、基板１の凸部１１の長さ方向（＝方向ＤＲ１）に沿って凸部１１上に形成される。 （もっと読む）

【課題】固体表面上に金属を高分散で担持させるための炭素材料を提供する。
【解決手段】細孔を有する炭素材料にリン配位子が導入されてなる、リン配位子を有する炭素材料である。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該基板と該繊維状柱状構造体との密着力が非常に高い繊維状柱状構造体集合体を提供する。
【解決手段】本発明の繊維状柱状構造体集合体は、基板の表面に複数の繊維状柱状構造体を備えた繊維状柱状構造体集合体であって、該複数の繊維状柱状構造体の片端が該基板の表面に密着しており、該複数の繊維状柱状構造体と該基板の表面との密着力が２５℃において２５Ｎ／ｃｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤とを使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中から金属原子を除去及び回収する処理方法であって、前記廃液に、ダイヤモンド微粒子又はカーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記ダイヤモンド微粒子又はカーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）

【課題】金属原子、特に放射性金属原子に対する吸着能力が高い吸着剤と、その吸着剤を収率よく沈降させることのできる凝集剤を使用することにより、廃液から前記金属原子を効率よく除去することのできる処理方法を提供する。
【解決手段】廃液中の金属原子を、(a)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合ダイヤモンド微粒子、及び／又は(b)フェロシアン化金属化合物及び／又はフェリシアン化金属化合物を担持してなる複合カーボンナノチューブを用いて除去及び回収する廃液処理方法であって、前記廃液に、前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合する工程、及び前記複合ダイヤモンド微粒子及び／又は複合カーボンナノチューブを添加混合した廃液に、凝集剤を添加する工程を有することを特徴とする処理方法。 （もっと読む）