【課題】単層カーボンナノチューブの双極性を単極性に変換し、トップゲート型薄膜トランジスタのチャネルとする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの製造方法は、（A）基板を準備すること、（B）該基板上に、ソース電極、ドレイン電極、及びSWCNT（単層カーボンナノチューブ）層を形成すること（該ソース電極及び該ドレイン電極は互いに隔てられ、且つ、SWCNT層は、該ソース電極と該ドレイン電極の間に挿入される）、（C）SWCNT層上にゲート酸化物層を形成すること、（D）該ゲート酸化物層を、酸素又は窒素ガスと共に500℃から600℃でアニールすること、及び、（E）該ゲート酸化物層の上にゲート電極を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】高品質でドメインバウンダリーが無い均一なグラフェン薄膜を製膜する。
【解決手段】単結晶基板にエピタキシャルに成長した遷移金属単結晶薄膜を加熱し、遷移金属の表面に炭素を供給することでグラフェンを成長させるグラフェンの製造方法において、単結晶基板として、Ｍｉｃａ（１００）、もしくはＹＳＺ（１１１）を用いることとする。遷移金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｗ、Ｒｅ、Ｉｒ、Ｐｔまたはこれらの合金である。遷移金属単結晶薄膜は3回対称または6回対称の表面を有する （もっと読む）

【課題】基板上に配置される粒子の凝集を低減して、基板表面に分散性よく粒子が配置された、基板複合体、及び、基板の表面にカーボンナノチューブが高密度で形成されたカーボンナノチューブ複合体を提供する。
【解決手段】基板複合体が、基板と、前記基板の少なくとも一方の表面に配置された粒子群を有する層と、を備え、前記層は、遷移金属及びアルカリ金属を含む。また、カーボンナノチューブ複合体は、前記基板複合体と、前記粒子群に一端が接続されている複数本のカーボンナノチューブと、を有する。 （もっと読む）

【課題】比較的低温で安定的に、垂直性が高く、かつ結晶性の高いカーボンナノチューブを成長させることのできるカーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗ上にニッケル、コバルト、鉄のいずれか一種もしくは複数の触媒金属ＭとカーボンＣを提供する第１のステップ、プラズマＣＶＤ法を適用して、プラズマ分解されたカーボンを基板Ｗに提供し、該プラズマ分解されたカーボンを触媒金属Ｍを起点として基板Ｗ上で成長させてカーボンナノチューブＣＮＴを製造する第２のステップからなるカーボンナノチューブの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】より効率よくカーボンナノチューブ配向集合体を製造する。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブ配向集合体製造用基材は、基板、触媒担持層及び触媒層を備え、前記触媒担持層は前記基板の上にあり、板状構造のアルミニウム酸化物であり、その表面には孔が空いており、前記触媒層は、前記孔の少なくとも一部を選択的に露出して、前記表面の上であって孔の空いていない場所にある、触媒の粒子の層である。 （もっと読む）

【課題】分散性が良く、導電性が高く、かつ、カーボンナノチューブ生成用の触媒をほぼ含まない、新たなカーボンナノチューブナノホーン結合体を提供する。
【解決手段】 カーボンナノチューブ３と、カーボンナノホーン２とを含み、
カーボンナノチューブ３は、チューブ状のグラファイト層から形成され、
カーボンナノホーン２は、少なくとも一方の端が閉じたチューブ状のグラファイト層から形成され、
カーボンナノホーン２における前記グラファイト層を形成する炭素−炭素結合の一部が切断され、その炭素原子が、カーボンナノチューブ３の炭素原子と化学的に結合されており、
カーボンナノホーン２が、カーボンナノチューブ生成用の触媒を実質的に含まないことを特徴とするカーボンナノチューブナノホーン結合体４。 （もっと読む）

【課題】触媒層の膜厚をナノサイズのオーダーで基板全面に均質に形成することが可能であり、均質且つ形状の揃った高配向カーボンナノチューブを低コストで大量に合成することが可能な高配向カーボンナノチューブの製造方法を提供する。
【解決手段】触媒金属を溶媒に溶解させて触媒溶液を調整する工程と、触媒溶液をインクジェット法によって基板に塗布する工程と、基板を熱処理して溶媒を除去する工程と、を備えることを特徴とする高配向カーボンナノチューブの製造方法を選択する。 （もっと読む）

【課題】グラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェン‐カーボンナノチューブ複合構造体は、グラフェン構造体及びカーボンナノチューブ構造体からなる。前記カーボンナノチューブ構造体は、複数の微孔を有し、分子間力で長軸方向の端と端が接続された複数のカーボンナノチューブからなる。前記カーボンナノチューブ構造体における複数のカーボンナノチューブの面積と前記複数の微孔の面積との比は１：１０００〜１：１０である。前記グラフェン構造体は、前記複数の微孔を被覆する。 （もっと読む）

【課題】カーボン・ナノチューブを浸出したファイバを提供する。
【解決手段】 本発明のカーボン・ナノチューブを浸出したファイバを含む組成物は、
（ａ）複数のフィラメントを有する母材であるファイバと、（ｂ）前記母材であるファイバに共有結合されたカーボン・ナノチューブと、を有する。本発明の組成物は、（ｃ）レジンをさらに含む。前記母材であるファイバは、ファイバ・トウを含む。前記母材であるファイバは、サイジング材料を含まないファイバである。前記カーボン・ナノチューブを浸出したファイバの電気抵抗率は、前記母材であるファイバのそれより低い。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率と高い赤外線吸収率を有し、高温での高い耐久性と高い耐油性をも兼ね備えた、新規な赤外吸収熱伝導部材を提供する。
【解決手段】本発明の赤外吸収熱伝導部材は、複数層を有するカーボンナノチューブの複数が長さ方向に配向したカーボンナノチューブ集合体を含み、赤外線吸収率が０．８以上であり、厚さ方向の熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ以上である。 （もっと読む）

【課題】大面積のグラフェンを低コストで生産可能なグラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】圧延平行方向及び圧延直角方向の６０度光沢度が共に５００％以上であり、１０００℃で１時間加熱後の平均結晶粒径が２００μｍ以上であるグラフェン製造用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】高品質のグラフェンオキシドナノプレートを得る方法を提供すること。
【解決手段】この方法は２つの段階からなり、第１の段階は、カーボンナノフィラメントからなる中間物質を得るものであり、この場合、カーボンナノフィラメントは、少数の層のグラフェン層を有するグラファイト物質のリボンが、その主軸に沿ってその周りに螺旋状に巻かれている構造を有する。第２の段階は、前記カーボンナノフィラメントを熱処理して、それを清浄にし、その結晶性を高め、次いで、酸化による化学的エッチングにより細分化し、劈開を開始させて、グラフェンオキシドナノプレートを得るものである。 （もっと読む）

【課題】単位質量当たりに導入可能な官能基の量に優れたナノカーボンを提供すること。
【解決手段】触媒支援化学的気相成長法において、マグネシウム、カルシウム及びアルミニウムからなる第１の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物と、ニッケル、鉄及びコバルトからなる第２の金属群から選ばれる少なくとも１種以上の金属の酸化物とを、特定の割合で含有する多孔質複合金属酸化物を触媒として用いる。 （もっと読む）

【課題】単層カーボンナノチューブを合成するための方法を提供する。
【解決手段】担体上の少なくとも一つの触媒を用意し、この触媒の粒径を決定し、決定した前記粒径に基づく温度で不活性ガスを含む炭素前駆体ガスをこの触媒と接触させて、ＳＷＮＴの直径の平均値の２５％内の直径を有するＳＷＮＴを形成させる。前記温度は、相図に基づく前記触媒の金属−炭素相が炭素誘発液化によって液化する最低温度よりも５℃から１５０℃高くする。前記炭素前駆体ガスは、メタンであり、前記触媒は、鉄、モリブデン又はこれらの組み合わせであり、担体は、粉末状酸化物であり、粉末状酸化物は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＭｇＯ及びゼオライトからなるグループから選択され、触媒は、１ｎｍから１０ｎｍの間の粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の連続合成過程で原料ガスの拡散を防止して原料ガスの初期濃度を高濃度に維持でき、高品質のカーボンナノ構造物の量産を行うことのできる原料ガス拡散抑制型カーボンナノ構造物製造装置を提供することである。
【解決手段】触媒層３１を表面に形成した搬送ベルト１９により反応炉１内に搬入して昇温領域３及び反応領域２を順に搬送し、昇温領域３を通過した触媒層を反応領域２に移送して原料ガスにより触媒層上にＣＮＴを成長させる。拡散抑制体６、７により、搬送ベルト１９が通過可能な間隙８を残して炉内断面を縮減して昇温領域３及び反応領域２の境界領域を仕切り、反応領域２に供給された原料ガスの、昇温領域３側への拡散を抑制する。 （もっと読む）

【課題】触媒層上に秀麗な配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収した後、基板層の再利用を実現することを目的とする。
【解決手段】本発明のＣＮＴ製造用の四層型触媒基体１は、基板層２の上に耐熱性樹脂層４を形成し、前記耐熱性樹脂層４の上にＡｌ層６を形成し、前記Ａｌ層６の上にＣＮＴ合成用の触媒層８を形成している。また、前記基板層２がベルト状に形成された基板ベルトであり、前記基板ベルトの上に前記耐熱性樹脂層４、前記Ａｌ層６及び前記触媒層８を積層して四層型触媒基体ベルトも提供できる。４００℃以上、好適には５００℃以上の耐熱温度を有した耐熱性樹脂層４を形成して、ＣＮＴ合成時に耐熱性樹脂層４が基板層２と樹脂層８との反応を防ぎ、触媒層８上に配向ＣＮＴを合成でき、ＣＮＴを分離回収しても基板層２の表面は合成前の状態であり、基板ベルトを含む基板層２の再利用を実現できる。 （もっと読む）

【課題】所望のグラフェンシート層数を有するカーボンナノチューブからなり、炭素材料として利用可能なカーボンナノチューブ集合体を提供すること。
【解決手段】基板上に直接成長したカーボンナノチューブの集合体であって、下記(i)〜(iv)の条件を満たすカーボンナノチューブ集合体。
(i)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち２層カーボンナノチューブの占める割合が７０％以上。
(ii集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち３層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。
(iii)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち４層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。
(iv)集合体に含まれるカーボンナノチューブのうち５層カーボンナノチューブの占める割合が５０％以上。 （もっと読む）

【課題】 低濃度の窒素及び低い拡張欠陥密度を含む単一結晶ダイヤモンドの製造方法を提供することである。
【解決手段】 本発明は、低濃度の窒素を含むダイヤモンドの結晶完全性を改良する方法に及ぶ。詳細には、本発明の方法は、高温及び高圧、代表的には２１００から２５００℃の間の温度及び６〜８ＧＰａの圧力で、成長したダイヤモンドを熱処理するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、カーボンナノチューブの分散性を維持しつつ高い導電性を示す導電性複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】分子内にスルホン酸基を有する分散剤（Ａ）とカーボンナノチューブを含有する組成物（Ｂ）を基材上へ製膜する第一の工程、および組成物（Ｂ）が製膜された面にオーバーコート剤を積層する第二の工程を含む導電性複合体の製造方法であって、第一の工程における導電層の表面抵抗値Ｒ_Ａと第二の工程を経た後の導電層の表面抵抗値Ｒ_Ｂとの関係がＲ_Ａ＞Ｒ_Ｂとなることを特徴とする導電性複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐熱安定性、耐湿熱安定性に優れ、高導電性の導電性体、またその簡便な製造方法を提供すること。
【解決手段】カーボンナノチューブ［Ａ］と、カルボキシメチルセルロース［Ｂ］とが、［Ａ］に対する［Ｂ］の質量比（［Ｂ］の含有量／［Ａ］の含有量）が０．５〜９で含まれる、水［Ｃ］を分散媒とした分散液を、基材上に［Ａ］を１〜４０ｍｇ／ｍ^２の範囲となるよう塗布し乾燥した塗布面に、酸触媒［Ｄ］とアルコール［Ｅ］とを、［Ｅ］に対する［Ｄ］の質量比（［Ｄ］の含有量／［Ｅ］の含有量）が０．００５〜０．１である処理液を２５℃〜１００℃、５秒〜２０分の条件で接触させた後、乾燥させることを特徴とする導電体の製造方法。 （もっと読む）