説明

Fターム[4G146BC42]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−製造工程、製造条件 (14,091) | 添加剤の使用 (2,974) | 反応触媒 (717)

Fターム[4G146BC42]に分類される特許

21 - 40 / 717


【課題】カーボンナノファイバを十分に成長させることができるカーボンナノファイバ形成用構造体、カーボンナノファイバ構造体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】基材10と、基材10上に設けられ、金属酸化物からなる金属酸化物層20と、金属酸化物層20に担持される金属触媒30とを備え、金属酸化物層20の少なくとも一部の厚さが、0.5〜10nmであるカーボンナノファイバ形成用構造体40。 (もっと読む)


【課題】目的とする触媒の担持状態に応じたグラフェンシートの微細構造を設計することが可能なマリモカーボンの製造技術を提供すること。
【解決手段】表面が酸化されたダイヤモンド微粒子と、このダイヤモンド微粒子の表面に担持された遷移金属触媒と、この遷移金属触媒から等方向的に放射伸長しマリモ状に成長した多数のカーボンナノフィラメントからなる、ほぼ球状形態を有するマリモカーボンであって、
前記カーボンナノフィラメントは、ほぼ円錐カップ形状からなるグラフェンシートが該円錐の軸方向に積層して線状に成長してなる1次構造を有し、
前記前記グラフェンシートの前記円錐の半頂角の角度分布が比較的揃った分布を有するカーボンナノフィラメントによって構成されることを特徴とする、マリモカーボン。 (もっと読む)


【課題】高導電性の導電体、またその簡便な製造方法を提供する。
【解決手段】基材の片面に、親水性カーボンナノチューブと分散剤とを含む未処理導電層を形成し、該未処理導電層に0.02〜1.0質量%の塩化金酸水溶液を10〜60秒間接触させた後、乾燥させる、導電体の製造方法。また、基材の片面に親水性カーボンナノチューブと0価の金ナノ粒子と3価の金イオンと分散剤とを含む導電層を有し、親水性カーボンナノチューブが、導電層の導電面側のXPSスペクトルにおいて、82〜89eVにピークトップを含むピークの面積強度[C]と89〜92eVにピークトップを含むピークの面積強度[D]との比([C]/[D])が5〜20であり、かつ金元素に対応するピークの面積強度[E]と炭素元素に対応するピークの面積強度[F]との比が[E]/[F]=0.001〜0.05であるカーボンナノチューブからなる導電体。 (もっと読む)


【課題】広い面積にわたって基板上にナノ粒子を均一に堆積することができる方法を提供する。
【解決手段】パターニングした基板上にナノ粒子を位置付ける方法を対象とし、この方法は、パターニングした基板に選択的に位置付けたくぼみを設けるステップと、パターニングした基板にナノ粒子の溶液または懸濁液を塗布してぬれた基板を形成するステップと、を含む。ぬれた基板の表面をワイパ部材で拭いて、ぬれた基板から塗布したナノ粒子の一部を除去して、塗布したナノ粒子の残り部分の大多数が基板の選択的に位置付けたくぼみ内に配されるように残す。また、本発明は、位置付けたナノ粒子からカーボン・ナノチューブを形成する方法も対象とする。 (もっと読む)


【課題】電解質に対する耐久性に優れるカーボンナノファイバ複合電極を提供すること。
【解決手段】不動態を形成する金属基板1と、金属基板1上に設けられ、不定形炭素で構成される不定形炭素層2と、不定形炭素層2に結合される多数のカーボンナノファイバ3とを備えることを特徴とするカーボンナノファイバ複合電極20。 (もっと読む)


【課題】低コストでグラフェンを高速で製造できる量産性のよいグラフェンの製造方法を提供する。
【解決手段】反応容器1内に有機溶媒Sを収容する工程と、有機溶媒中に浸漬した一対の電極2間にパルス電圧を印加して有機溶媒Sを気化させ、このとき生じた気泡中でグロー放電を起こしてプラズマPを発生させる工程と、プラズマ中の活性種により有機溶媒を分解してグラフェンGを析出させる工程と、有機溶媒からグラフェンを回収し、この回収したグラフェンを乾燥する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板の表面に連続的にカーボンナノチューブを形成し得るとともに原料ガスを基板の表面に均一に供給し得る熱CVD装置を提供する。
【解決手段】加熱炉1の炉本体2内の一端側に基板Kを構成する薄板材が巻き付けられた巻出しロール16を、他端側にこの基板Kを巻き取る巻取りロール17をそれぞれ配置し、これら両ロール16,17同士の間に、基板Kを挿通し得る連通用開口部3aを有する区画壁3により所定寸法の平面視矩形状の加熱室13を形成し、この加熱室13内の基板Kの上方位置に加熱装置41を配置し、加熱室13の下部に原料ガスGを供給し得るガス供給口5を設け、このガス供給口5に胴部が円柱状で且つ上端部が半球状にされた多孔質材料より成るガス分散部材21を配置し、加熱室13内を所定の真空度に減圧し得る排気装置23を具備したものである。 (もっと読む)


【課題】既存の電極材料と比較してより高い比容量を示し、繰り返し充放電によっても電池性能の劣化することのない蓄電デバイスを製造することのできる電極材料(特にリチウムイオン二次電池の負極材料)を、安価に製造するための方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、4族メタロセンと
アルキルリチウム、アルキルアルミニウム、アルキルマグネシウムおよびアルキルマグネシウムハライドから選ばれるアルキル化剤と
を接触させて得られる触媒ならびに導電性炭素粒子の存在下でSiHを重合して得たポリヒドロシラン/導電性炭素組成物を、不活性雰囲気下で加熱する工程を経ることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子部品素子としての有望な輸送特性と機械的強靭性を併せもち透明導電材料や電子放出素子材料として有用な、単層型カーボンナノチューブと二層型カーボンナノチューブが混合してなる、高純度かつ高品質のカーボンナノチューブ集合体およびその、効率的、且つ大量・安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】気相流動CVD法により炭素源からカーボンナノチューブを製造する方法において、少なくとも水素と不活性ガスで構成される混合型キャリアガス雰囲気中、トルエンなどの液体炭化水素を第1炭素源に、メタンを第2炭素源に用いる。 (もっと読む)


【課題】少数層グラフェンを触媒金属基板一面の大面積で容易に形成できるようにする。
【解決手段】まず、銅とニッケルを主成分とする合金からなる触媒金属構造体を用意し、この触媒金属構造体を、触媒作用によりグラフェンの合成が進行する所定の温度まで加熱する(S101)。次に、触媒金属構造体へ炭素原料ガスを供給し、触媒金属構造体の表面にグラフェンを合成する(S102)。炭素原料ガスからの炭素が触媒金属により反応し、触媒金属構造体の表面に少数層グラフェンが形成される。 (もっと読む)


【課題】気相成長法により、単層カーボンナノチューブを所定のピッチにて配列した状態で形成させる方法、及びそのような方法で使用されるカーボンナノチューブ生成用触媒を提供すること。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも1つ有する含窒素デンドリマー化合物に8、9又は10族の遷移金属元素を配位させた化合物からなる触媒を基板の表面に付着させる触媒付着工程と、前記触媒の付着した基板の表面に炭素化合物を供給しながら、当該炭素化合物を前記基板の近傍で熱分解させる熱分解工程と、を含む。また、本発明のカーボンナノチューブ生成用触媒は、金属元素が配位することのできる窒素原子を少なくとも1つ有する含窒素デンドリマー化合物に8、9又は10族の遷移金属元素を配位させた化合物である。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノチューブ連続繊維を安定して連続的に製造することができる実用的な装置を提供する。
【解決手段】流動気相CVD法によって炭素源と触媒とキャリアガスとから連続的にカーボンナノチューブを合成する管状反応炉2と、管状反応炉の下流側に設けられた、内径が、管状反応炉の内径の0.1〜0.5倍の範囲の筒状体12と、管状反応炉内から連続的に引き出したカーボンナノチューブのスライバーを挟持しながら加撚し送り出す一対のベルトニップツイスター410と、得られたカーボンナノチューブ連続繊維を連続的に巻き取る巻取装置500とを備えたカーボンナノチューブ連続繊維の製造装置とする。 (もっと読む)


【課題】良好な再現性を有し、カーボンナノチューブを安定して紡績することのできるカーボンナノチューブ膜の製造方法の提供。
【解決手段】平板状の基板の表面に金属触媒を堆積させ、続いて、その基板の雰囲気を図1に示すように変化させて、当該基板の表面にカーボンナノチューブ膜を製造した。すなわち、基板の雰囲気を水素ガスで置換し、基板及びその雰囲気を金属触媒活性化温度としての500℃まで昇温させて3分間その温度に保持した。続いて、基板及びその雰囲気を200〜500℃まで降温し、基板の雰囲気に炭化水素ガスを導入した。そして、基板及びその雰囲気を0〜3分間その温度に保持した後、CNT合成温度としての700℃まで基板及びその雰囲気を昇温した。基板及びその雰囲気を炭化水素ガスを導入しながら700℃に10分間保持してカーボンナノチューブ膜を形成した。 (もっと読む)


【課題】配向性が高いカーボンナノチューブを安定して生成し得るカーボンナノチューブ生成用基板を、高い生産性で製造し得る製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】基板K上に形成されてシリカからなる中間層Bと、この中間層B上に形成されてカーボンナノチューブを生成するための触媒層とを備えたカーボンナノチューブ生成用基板の製造方法であって、基板Kにシリカ溶液塗布器11でシリカ溶液を塗布して、当該シリカ溶液を第一加熱乾燥炉15で乾燥させた後に焼成し、基板K上に中間層Bを形成する工程と、エッチング部31で上記中間層Bの表面をアルカリエッチングにより滑らかにする工程と、滑らかにされた中間層Bの表面に触媒溶液塗布器21で触媒溶液を塗布して、当該触媒溶液を第二加熱乾燥炉25により乾燥させた後に焼成し、中間層B上に触媒層を形成する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】CNT配向集合体を連続的に製造する際に、CNTの収率及び品質の低下を防ぐことができる製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】表面に触媒を有する複数の基材111上にカーボンナノチューブ配向集合体を成長させるカーボンナノチューブ配向集合体の製造方法であって、複数の基材111を成長炉104a内に連続的に搬入し、かつ成長炉104a内において前記触媒の周囲環境を原料ガス環境とすると共に前記触媒及び前記原料ガスのうち少なくとも一方を加熱して、前記カーボンナノチューブ配向集合体を成長させる成長工程と、少なくとも酸素原子を含むクリーニングガスを用いて成長炉104a内をクリーニングするクリーニング工程とを含み、前記成長工程と前記クリーニング工程とを交互に繰り返して行なう。 (もっと読む)


【課題】炭素薄膜の製造方法、炭素薄膜を含んだ電子素子及び炭素薄膜を含んだ電気化学素子を提供する。
【解決手段】基板上にコールタール及びコールタールピッチのうち一つ以上を含んだ前駆体膜を形成する段階と、基板と前駆体膜との間の触媒膜、及び前駆体膜上の保護膜のうち一つ以上を形成する段階と、基板を熱処理し、基板上に炭素薄膜を形成する段階と、を含む炭素薄膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】放射線に対する耐性に優れ、放射性セシウムの吸着除去能力の高い吸着剤を提供する。
【解決手段】フェロシアン化金属化合物及び/又はフェリシアン化金属化合物を担持したダイヤモンド微粒子、及び/又はフェロシアン化金属化合物及び/又はフェリシアン化金属化合物を担持したカーボンナノチューブからなる、セシウムを吸着するための複合吸着剤。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で導電性を向上させることの出来るカーボンナノチューブ膜および製造方法を提供する
【解決手段】(1)カーボンナノチューブ含有組成物と(2)スルホン酸塩を含む高分子と(3)スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合してなるカーボンナノチューブ分散体層を基材上に形成させてなる薄膜、(1)カーボンナノチューブ含有組成物と(2)スルホン酸塩を含む高分子と(3)スルホン酸塩の陽イオンと交換可能な金属塩を配合し、(1)カーボンナノチューブ含有組成物を溶媒中に分散させてなるカーボンナノチューブ分散液を用いて基材上にカーボンナノチューブ分散体層を形成させることを特徴とする薄膜の製造方法。 (もっと読む)


【課題】製造に必要なエネルギーを低く抑えつつ、ナノ炭素を量産することができ、また二酸化炭素の発生量を抑えることができるナノ炭素の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒1が収容され、低級炭化水素と酸素とが供給されて自己燃焼可能な流動層反応器2と、流動層反応器2に接続され、流動層反応器2内に低級炭化水素と酸素とを供給するガス供給部5と、流動層反応器2に接続され、流動層反応器2内の排ガスを外部に排出する排ガス路8と、流動層反応器2に接続され、流動層反応器2内に流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒1を補給する補給部2aとを有するナノ炭素の製造装置を用い、流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒1に低級炭化水素と酸素とを供給して流動層を形成し、低級炭化水素と酸素との自己燃焼を伴う低級炭化水素の分解反応によって、ナノ炭素と水素とを生成する。 (もっと読む)


【課題】カーボンナノ構造体の長尺化や形状の安定化が可能なカーボンナノ構造体の製造装置およびカーボンナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノ構造体の製造装置1は、カーボンナノ構造体20を成長させる触媒部材4と、原料ガス供給部11および原料ガス供給管5と、磁場発生部材(コイル7、8)と、加熱部材(ヒータ6)とを備える。原料ガス供給部11および原料ガス供給管5は、触媒部材4に、カーボンナノチューブ20を構成するための炭素を供給する。磁場発生部材(コイル7、8)は、触媒部材4の一方表面から、当該一方表面と対向する他方表面に向けて、磁場強度が徐々に高くなる勾配磁場(たとえば磁束線9、10で示されるカスプ磁場)を印加する。加熱部材(ヒータ6)は、触媒部材4を加熱する。 (もっと読む)


21 - 40 / 717