説明

Fターム[4G146BC42]の内容

炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−製造工程、製造条件 (14,091) | 添加剤の使用 (2,974) | 反応触媒 (717)

Fターム[4G146BC42]に分類される特許

161 - 180 / 717


【課題】 スプリングプローブとしてのカーボンナノチューブカラム、及びカーボンナノチューブカラムを備えるスプリングプローブの作成及び使用方法を提供すること。
【解決手段】それぞれがカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブカラムは、導電性コンタクトプローブとして利用できる。カラムを成長させることができ、カラムを成長させるためのプロセスのパラメータは、カラムの成長長さに沿ってカラムの機械的特徴を変更するために、カラムの成長の間に変更できる。次に、カラムの内側及び/又は外側に金属を堆積させることができ、これによってカラムの導電性を高くすることができる。金属化されたカラムは、配線基板の端子に結合できる。コンタクトチップは、カラムの端部に形成できるか、又はこれに取り付けることができる。カーボンナノチューブカラムがコンタクトプローブとして機能できる電気装置を形成するために、配線基板を他の電子コンポーネントと組み合わせることができる。 (もっと読む)


【課題】サイズが大きく一様でまた転写が容易なグラフェンフィルムを提供する。
【解決手段】HOPG基板100の表面にNiなどの触媒層101をデポジットする。このような触媒層付きHOPG基板を所定時間高温に維持し、その後冷却することで、HOPG基板から供給される炭素により触媒層の上に形成された、高品質でサイズの大きなグラフェンフィルム102が得られる。エッチングなどで触媒層を除去することにより、グラフェンフィルム101をHOPG基板から分離することができる。 (もっと読む)


【課題】ポリマーや粉体とのコンポジット化における分散性や混練性を改善し、コンポジットの加工性に優れ、またコンポジットの導電性、熱伝導性、摺動性、補強等の機能発現に優れる微細な炭素繊維の高嵩密度粉体及びその効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】炭素原子のみからなるグラファイト網面が、閉じた頭頂部と、下部が開いた胴部とを有する釣鐘状構造単位を形成し、前記胴部の母線と繊維軸のなす角θが0°<θ<15°であり、前記釣鐘状構造単位が、中心軸を共有して2〜30個層状に積み重なって集合体を形成し、前記集合体が、Head−to−Tail様式で数個〜数十個連結している微細な炭素繊維に衝撃圧縮応力を加えることにより、微細な炭素繊維の高嵩密度粉体を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、カーボンナノチューブフィルムの製造方法に関する。
【解決手段】本発明のカーボンナノチューブフィルムの製造方法は、基板に、垂直に配列された複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブアレイを成長させる第一ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの、基板と接触する表面とは反対側の表面に、互いに平行し、間隔をおいて配置された少なくとも二つの溝部を形成する第二ステップと、前記カーボンナノチューブアレイの隣接した溝部の間における複数のカーボンナノチューブの端部を、引き出す装置に固定させる第三ステップと、前記溝部の長さ方向に沿って前記引き出す装置を移動させ、前記複数のカーボンナノチューブをカーボンナノチューブアレイから離し、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを得る第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


本発明は、カーボンナノチューブの凝集形態での製造方法、およびこれから得られる新規カーボンナノチューブ凝集体に関する。 (もっと読む)


【課題】高い電気伝導率を有するカーボンナノチューブ繊維複合体およびそのカーボンナノチューブ繊維複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】
CNT(カーボンナノチューブ)配向膜1を壁開し、CNTを50mm/minの速度でCNTの配向方向とは直交する方向に引き出し、複数のCNTの束が連続的に繋がった長いCNT繊維3を形成した。このCNT繊維3を、トルエンに分散した0.5wt%のAuナノ粒子の溶液4に通じ、Auナノ粒子をCNT繊維3に分散させた。次に、CNT繊維3を、加熱炉5により大気下,60℃にて30分乾燥し、溶媒であるトルエンを除去した。次に、CNT繊維3を、高周波加熱炉6により、不活性ガス(Ar)雰囲気で600℃にて2.0時間熱処理した。その後、CNT繊維3に撚りを掛けることでAu粒子が内部まで均一分散したCNT繊維複合体7を作製した。 (もっと読む)


本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層(TCC)としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス(例えば、C22、CH4などといった)からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗(例えば、150オーム/スクウェア未満でかつドープされているときより低い)および高い透過係数(transmission value)(例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて)を示してもよい。
(もっと読む)


本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層(TCC)としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス(例えば、C22、CH4などといった)からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗(例えば、150オーム/スクウェア未満でかつドープされているときより低い)および高い透過係数(transmission value)(例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて)を示してもよい。
(もっと読む)


本発明のあるいくつかの例示的な実施形態は、透明導電層(TCC)としてのグラフェンの使用に関する。本発明のあるいくつかの例示的な実施形態において、グラフェン薄膜は、広い領域上に、例えば触媒薄膜上に、炭化水素ガス(例えば、C22、CH4などといった)からヘテロエピタキシャル成長する。あるいくつかの例示的な実施形態のグラフェン薄膜は、ドープされていてもアンドープであってもよい。あるいくつかの例示的な実施形態において、一旦形成されたグラフェン薄膜は、それらのキャリア基板をリフトオフされていても、例えば中間および最終生成物を含め、受電基板に転写されていてもよい。この方法で成長させ、リフトされかつ転写されたグラフェンは、低いシート抵抗(例えば、150オーム/スクウェア未満でかつドープされているときより低い)および高い透過係数(transmission value)(例えば、少なくとも可視および赤外線スペクトルにおいて)を示してもよい。 (もっと読む)


【課題】少量配合した場合でも樹脂複合材料に導電性の付与が可能なフィラー材料として有用な炭素繊維凝集体を提供する。
【解決手段】黒鉛層が繊維軸に対しほぼ平行に伸張している非直線状の炭素繊維が凝集してなる非直線状の二次凝集繊維がさらに凝集してなる凝集塊を含み、比表面積が20〜400m2/gであることを特徴とする炭素繊維凝集体。 (もっと読む)


【課題】アーク放電による合成直後の粗製煤中にグラファイトが殆ど含まれないようにして、簡易な精製により製造することができる、高純度のカーボンナノチューブおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンを主成分とする陽極を使用してアーク放電により生成したカーボンナノチューブを含む煤を大気中において350℃以上の温度で加熱して燃焼酸化し、酸に浸して処理し、大気中において前の燃焼酸化における加熱温度以上且つ500℃以上の温度で加熱して燃焼酸化し、再び酸に浸して処理する。 (もっと読む)


【課題】基板上に成膜するナノ炭素材料への電界集中を好適に行なうことの出来るナノ炭素材料複合基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、ナノ炭素材料を形成前に触媒層の一部を剥離しスポットを形成する。ナノ炭素材料は触媒層の残存部から生成されることから、生成されたナノ炭素材料の極近傍にナノ炭素材料の存在しないスポットが存在する。このため、電界の集中しやすいナノ炭素材料よりなるエッジ部位を多数備えたナノ炭素材料複合基板を製造することが出来る。 (もっと読む)


【課題】基板損傷無く、不純物の混入少なく、カーボンファイバを剥離回収する。
【解決手段】固体炭酸ガス微粒子7を基板1上のカーボンナノチューブ3に吹き付けてカーボンナノチューブ7を基板1上から剥離するに際して固体炭酸ガス微粒子7に水分を含ませてその剥離性能を調整する工程を含む。 (もっと読む)


本発明は、単層カーボンナノチューブの形成方法に関する。本方法は、ガス状炭素源を適切な条件においてメソポーラスTUD‐1シリケートに接触させることを含む。メソポーラスTUD‐1シリケートは、元素周期表の3〜13族の金属を備える。
(もっと読む)


【課題】保護構造体を有するカーボンナノチューブ構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】保護構造体を有するカーボンナノチューブ構造体100は、少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルム120と、基膜110と、保護膜130と、を備え、前記カーボンナノチューブフィルム120は、前記基膜110及び保護膜130の間に挟まれ、前記保護膜130は剥離層134を含み、前記剥離層134は、前記カーボンナノチューブフィルム120に接触する。 (もっと読む)


本発明は、ナノチューブを包含するナノ構造物の形成および処理に関する。いくつかの実施形態は、比較的穏やかな条件(例えば、低温)を使用するナノ構造物成長の方法を提供する。場合により、本発明の方法は、ナノ構造物形成の効率(例えば、触媒効率)を向上させることもあり、ナノ構造物形成中の所望されない副生成物(揮発性有機化合物および/または多環式芳香族炭化水素を包含する)の生成を減少させることもある。そのような方法は、ナノ構造物形成に関連したコストをを減少させることができ、環境および公衆衛生および安全における、ナノ構造物製造の有害作用も減少させることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体性又は金属性のSWNTの一方のみ、すなわちカイラリティの制御されたSWNTの選択的な製造法を提供する。
【解決手段】片浦プロットから求められた所定の直径の単層カーボンナノチューブの遷移エネルギーに対応する光吸収波長又はその近似の波長の自由電子レーザーを照射しながら、アルコール化学気相成長法によって単層カーボンナノチューブを生成、成長させることを特徴とするカイラリティの制御された単層カーボンナノチューブの製造法。 (もっと読む)


【課題】優れた機械的強度を有するカーボンナノチューブバルク素材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブバルク素材100は、マトリックスを構成するカーボンナノチューブ110と、上記カーボンナノチューブの間に介在される高分子結合剤120とを含み、上記高分子結合剤は、高分子バックボーンと、上記高分子バックボーンの末端または側面にグラフトされ、且つ1つ以上のヒドロキシ基が結合されたC−C24芳香族作用基を含む1つ以上の有機モイアティ(moiety)とを含む。カーボンナノチューブバルク素材の製造方法は、高分子結合剤を揮発性溶媒に溶解した高分子結合剤溶液を、カーボンナノチューブエアロゲルに浸透させる段階と、揮発性溶媒を除去し、カーボンナノチューブエアロゲルを緻密化させる段階を含む。 (もっと読む)


カーボンナノチューブの成長を促進するのに十分な第1の温度まで加熱する成長チャンバーを準備するステップと、基材を成長チャンバーに通すステップと、少なくとも一部の原料ガスを少なくとも遊離炭素ラジカルに解離するのに十分な第2の温度まで予熱した成長チャンバーに導入し、これによって基材上でカーボンナノチューブの形成を開始するステップと、を含んで構成されたカーボンナノチューブ(CNT)合成方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、熱伝導部材及び該熱伝導部材の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の熱伝導部材は、低融点の金属材料基体と、該低融点の金属材料基体の中に配置されたパターン化されたカーボンナノチューブアレイとを含む。前記パターン化されたカーボンナノチューブアレイが、複数のカーボンナノチューブサブアレイを含み、隣接するカーボンナノチューブサブアレイの間に前記低融点の金属材料基体の材料が充填されている。また、本発明は、前記熱伝導部材の製造方法を提供する。 (もっと読む)


161 - 180 / 717