【課題】カーボン粉末を効率的に黒鉛化する。
【解決手段】黒鉛化炉は、移動自在に設けられた導電性の分割電極１２２と、分割電極の下端部１２２ａがカーボン粉末に埋設されると共に、分割電極の上端部がカーボン粉末から露出した状態でカーボン粉末が収容された導電性の坩堝１２０と、下端部１９０ａが、分割電極の上端部１２２ｂと対向するように配置された上方電極棒１９０と、上端部１９２ａが、坩堝の底部１２０ｂと対向するように配置された下方電極棒１９２と、上方電極棒の下端部が分割電極の上端部に当接し、下方電極棒の上端部が坩堝の底部に当接した状態で、上方電極棒と下方電極棒との間に電圧を印加する電源部１３２とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造に必要なエネルギーを低く抑えつつ、ナノ炭素を量産することができ、また二酸化炭素の発生量を抑えることができるナノ炭素の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１が収容され、低級炭化水素と酸素とが供給されて自己燃焼可能な流動層反応器２と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に低級炭化水素と酸素とを供給するガス供給部５と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内の排ガスを外部に排出する排ガス路８と、流動層反応器２に接続され、流動層反応器２内に流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１を補給する補給部２ａとを有するナノ炭素の製造装置を用い、流動触媒、又は流動媒体を併用する流動触媒１に低級炭化水素と酸素とを供給して流動層を形成し、低級炭化水素と酸素との自己燃焼を伴う低級炭化水素の分解反応によって、ナノ炭素と水素とを生成する。 （もっと読む）

【課題】保持部材内面に容易に離型材層を形成でき、また、使用途中には離型材層が保持部材内面から剥離落下し難くて優れた離型性を発揮し、しかも、シリコン保持作業の終了後には保持部材内面から劣化した離型材層を剥離させ、新たな離型材層を形成することにより、容易に再生できる溶融シリコンの保持部材を提供する。
【解決手段】溶融シリコンを保持するための黒鉛製保持部材であって、保持部材の少なくとも溶融シリコンと接する部分には、離型材層として、窒化珪素粉末と熱硬化性フェノール樹脂との混合離型材を酸化雰囲気中２００〜３００℃の条件で熱硬化焼成させて得られた混合材料焼成層が形成されている溶融シリコンの保持部材である。 （もっと読む）

【課題】折り曲げ性、密度、熱拡散性に優れ、厚み・密度のばらつきがなく、表面に傷、凹み、皺がない、平坦性に優れた放熱用グラファイトフィルムを提供する。
【解決手段】ＭＩＴ（Ｒ１ｍｍ）が１００，０００回以上、密度が１．２ｇ／ｃｍ^３以上、面方向の熱拡散率が８．５×１０^−４ｍ^２／ｓ以上であるグラファイトフィルムである。本発明のグラファイトフィルムの製造方法は、原料フィルム積層体を膨張させてグラファイトフィルム積層体を形成し、ついでグラファイトフィルムを製造する方法において、1.原料フィルムを積層してフィルム積層体を調製する工程と、2.原料フィルム積層体を膨張させてグラファイトフィルム積層体を形成する工程であって、グラファイト積層体の厚み／原料フィルム積層体の厚みの比で定義される厚み変化量が２．５倍以上である工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】純度および安定性の高い高機能のナノカーボンを低コストで効率よく量産することができることを課題とする。
【解決手段】内部を還元雰囲気に保持しうる反応容器１と、この反応容器内に設けられ，ローラにより駆動するとともに表面にナノカーボンが生成される無端状で帯状のステンレス板３と、ステンレス板を加熱するヒータ４と、ステンレス板表面に触媒粉を供給する触媒供給手段７と、反応容器内に炭化水素を供給する炭化水素供給手段５と、反応容器内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６と、ステンレス板に生成されたナノカーボンを回収する掻き取り回収手段８と、反応容器内のガスを排気するガス排気手段１０とを具備することを特徴とするナノカーボン製造装置。 （もっと読む）

【課題】アルミナ粒子、金属酸化物粒子に比べて、入手しやすく、安価であり、しかも多用途である炭素担持体、炭素担持体製造方法及び炭素担持体製造装置を提供する。
【解決手段】有機物を加熱することにより、該有機物をタール含有ガスに熱分解し、熱分解によって生成したタール含有ガスを、火山砕屑物粒子、珪藻土、粘土鉱物又は炭酸塩に接触させることによって、該火山砕屑物粒子、珪藻土、粘土鉱物又は炭酸塩に炭素質固体を析出させ、炭素質固体が付着してなる炭素担持体を回収する。 （もっと読む）

【課題】 安価であり、且つ公害を発生させることがなく、さらに、融雪効率がよく扱い易い融雪剤を提供すること。
【解決手段】 炭素原子単体、または数個の炭素原子の結合体から成る原子状炭素の粉末と、カルシウムとを水中に溶解させ、水素イオンによりＰＨ値が８以上に維持されたマイナスイオン水の中に前記原子状炭素とカルシウムとを遊離させた融雪剤を実現する。融雪剤に用いられる原子状炭素は、有機物を無酸素雰囲気において所定の温度で加熱し、前記雰囲気中及び有機物中の炭素以外の成分を、６００℃以下の温度において分解温度の低いものから順次熱分解させて個別的に遊離させて得られる。 （もっと読む）

【課題】電界集中が容易で、電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ簡便で制御性が高いプロセスで作製できるナノ炭素材料を用いた電子放出素子、その製造方法、電子放出素子を用いた面発光素子を提供する。
【解決手段】強電界によって電子を放出する電界放射型の電子放出素子において、基板上に形成された複数の突起部よりなる３次元構造パターンを具備し、突起部の高さと隣接する突起部同士との間隙との比を１：２以上１：６以下とする。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブの品質が劣化するのを抑制し得る熱ＣＶＤ装置における断熱体を提供する。
【解決手段】熱ＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを基板の表面に形成するための加熱室１３の内壁面に配置される断熱体２１を、底壁部２ａ側に配置される底壁断熱部２２と、上壁部２ｂ側に配置される上壁断熱部２３と、側壁部２ｃおよび区画壁３に沿って配置される側壁断熱部２４とから構成するとともに、これら各断熱部２２〜２４として、金属製の薄い遮蔽板２５を所定間隔おきに多数並置することにより構成したもの。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Ｋの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室１３を有するカーボンナノチューブ形成用の熱ＣＶＤ装置であって、加熱室１３内を所定方向に移動される所定幅の基板Ｋを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板２３を具備するとともに、このガイド板２３により保持される基板Ｋの円弧中心位置に原料ガスＧの放出口５を基板Ｋの幅方向に沿って配置したものである。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ表面上に低温でグラフェンを形成することができるグラフェンの形成方法及びグラフェンの形成装置を提供する。
【解決手段】表層にＳｉＣを有する基板１２を真空槽１１に入れ、真空槽１１を真空排気する真空排気工程と、基板１２を所定の温度に加熱する加熱工程と、真空槽１１内に酸素ガスを導入する酸素導入工程と、真空槽１１内の酸素の分圧を１×１０^−４Ｐａから１×１０^−６Ｐａの範囲の一定の圧力に制御した状態で所定時間保持する反応工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】導電性基板が絶縁部材で覆われている場合においても、適切に導電性基板を加熱できる熱ＣＶＤ法及び熱ＣＶＤ装置並びにカーボンナノチューブの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】炭素原料ガスＧが導入される加熱室１３内に配置され且つ少なくとも一方の表面に絶縁部材Ｚが設けられた導電性基板Ｋを加熱して熱化学気相成長法により導電性基板Ｋにカーボンナノチューブを形成するカーボンナノチューブの製造方法であって、所定間隔を有して配置された一対の電極２２を絶縁部材Ｚの表面に接触又は隙間を有して対向させると共に、各電極２２と、其に対応する導電性基板Ｋと、絶縁部材Ｚ又は絶縁部材Ｚ及び隙間とにより構成される一対のキャパシタ、並びに両キャパシタ同士間の導電性基板Ｋにより形成される抵抗により構成される電気回路の両電極２２間に交流電圧を印加することにより、局所的に導電性基板Ｋを加熱するものである。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノ構造物の成長速度を向上させ、高い成長効率を達成することが可能となるカーボンナノ構造物の製造方法及びカーボンナノ構造物製造装置を実現する。
【解決手段】炭素源となる原料ガスを、８００℃より高く、１０００℃以下に加熱されたガス予備加熱部で予備加熱する予備加熱工程と、予備加熱された原料ガスを、６５０℃より高く、８００℃以下に加熱された反応部に導入して、触媒と接触させることによってカーボンナノ構造物を生成させる反応工程とを含むカーボンナノ構造物の製造方法、及び、８００℃より高く、１０００℃以下に保たれているガス予備加熱部と、６５０℃より高く、８００℃以下に保たれている反応部とを備えるカーボンナノ構造物製造装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマダメージや被処理体（基板）の変形を防ぎ、カーボンナノチューブを成長させることが可能なカーボンナノチューブの製造装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入手段１１を備え、内部空間に炭素含有のプロセスガスを導入しながら所定の圧力状態を維持する真空処理室１０と、前記内部空間にあって、前記マイクロ波導入手段１１に付設された平板状のマイクロ波導入窓１６に対向配置されるように、平板状の被処理体２を載置する支持体１２と、前記支持体に内蔵された温度制御手段１３と、を少なくとも備えたカーボンナノチューブの製造装置であって、前記マイクロ波導入窓１６から導入したマイクロ波を前記プロセスガスに照射して生起させたプラズマ２０から見て、前記被処理体を覆うように、可視光より長い波長をもつ光の透過率が５％未満で、気孔率が７０％より大きく９５％未満である板材１８が配置されている。 （もっと読む）

指向性の高い熱伝導性を有するグラファイト製品を提供する。中間相ピッチ（１２）の中間相部分（１４）が互いに並んで、安定化される延伸中間相ピッチを生成する。必要によっては、前記グラファイト製品をさらに炭化および黒鉛化できる。
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【課題】緻密で均一な膜厚であり、しかも所望の膜厚の炭化シリコン膜を得ることができ、かつ低コストや大口径化が可能な炭化シリコン膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化シリコン膜１３の製造方法は、基板１１上にアモルファスシリコンとポリシリコンとの少なくとも一方を含むシリコン膜１４を形成する工程と、シリコン膜１４を炭化処理し、炭化された膜を含んだ炭化シリコン膜１３を形成する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造できるナノ炭素材料複合基板製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のナノ炭素材料複合基板製造方法は、基板に触媒を担持し、触媒を熱処理し、基板に３次元構造パターンを形成し、前記触媒が担持された基板の表面に固液界面接触分解法によりナノ炭素材料を成長させる。触媒を担持後に基板に３次元構造パターンを形成することから、凸部の上面にのみ選択的に触媒を残存させることが出来、凸部の上面にのみ選択的にナノ炭素材料を形成することが出来る。よって、好適に、ナノ炭素材料が基板上にパターン配列されて形成されたナノ炭素材料複合基板を製造出来る。 （もっと読む）

【課題】シリコン製造プロセスにおいて、シリコン芯線の予熱に使用されたカーボンヒータを、製造コストのかかる反応炉などの格別の装置を用いることなく、簡単に短時間で再生し得る方法を提供する。
【解決手段】シランガスと水素ガスとの反応により生成するシリコンを析出させるためのシリコン芯線が立設されている反応器内に取り付けられており、シリコン芯線を通電可能な温度に加熱するためのカーボンヒータ９について、シリコンの析出終了後、カーボンヒータ９を反応器から取り外し、取り外されたカーボンヒータ９を誘導加熱し、カーボンヒータ９に析出しているシリコンを溶融落下させて除去する。 （もっと読む）

【課題】有機ポリマーから高結晶性炭素フィルムをさらなる高収率にて製造する技術を提供すること。
【解決手段】下記（１）で表される繰り返し単位からなり、固有粘度が０．５〜３．５ｄｌｇ^-1である重合体及びその重合体を焼成した炭素フィルムを得る。
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