【課題】１，０００℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たし、平均外径が５０ｎｍ以上であって、直径と長さのアスペクト比が１０以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、０．１気圧以下の真空下で、１，４００℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、６００℃以上８００℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
（ａ）グラファイト（００２）面のＸ線回折強度の半値幅が、１°以下の強度を有すること；（ｂ）６００℃の大気中で加熱したときに重量減少が１０％以下であること （もっと読む）

【課題】平均粒子径が２００ｎｍ以下であり、かつ、任意の粒子径の炭化ケイ素粉末を工業的規模で安価に製造することが可能な炭化ケイ素粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末の製造方法は、炭化ケイ素微細粒子または炭化ケイ素前駆体を熱処理する、炭化ケイ素粉末の製造方法であって、前記熱処理を、還元性ガスを含む雰囲気で行なうとともに、前記雰囲気中における熱処理温度を１５００℃以上かつ１９００℃以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面粗度が低い上記複合材料を基板として用いた場合にも、熱抵抗が小さい放熱構造を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る放熱構造は、少なくとも炭素及びアルミニウムを含む複合材料からなる基板と、該基板表面にウィスカーを主成分とする層が形成されていることを特徴とする。ウィスカーは炭化アルミニウムウィスカー又はアルミナウィスカーであり、基板表面から直接、外側に伸びるように成長していることが好ましい。基板は、Ａl-ＳiＣ、Ａl-炭素、又はＡl-ダイヤモンド系複合材料であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来よりもホウ素の含有量が低い炭化珪素粉体を製造することができる炭化珪素粉体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】低ホウ素化坩堝に炭化珪素粉体の原料を収納し、低ホウ素化坩堝を加熱する。 （もっと読む）

【課題】 超硬合金の高硬度と高強度（抗折力）を両立可能な炭化タングステン粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化タングステン粉末は、レーザー回折・散乱法にて粒度測定した際に得られる粒度分布の累積パーセント径、Ｄ１０％、Ｄ５０％、Ｄ９０％のそれぞれの値をＸ、Ｙ、Ｚμｍとしたとき、０．３５≦Ｘ／Ｙ、Ｚ／Ｙ≦２．８５、０．２０≦Ｙ≦１．２０である。
本発明の炭化タングステン粉末は、金属タングステン粉末またはタングステン酸化物粉末のいずれかと炭素源粉末との混合物を原料として、加熱処理にて得られた炭化タングステン粉末を、気流式粉砕機にて、粉砕ガス圧力０．４〜０．７ＭＰａで粉砕し、その後、遠心分級機にて、分級風量４．０〜６．０ｍ^３／分、分級機周速２２００〜３５００ｍ／分で分級して得られる。 （もっと読む）

炭素及び硫黄を有する電極材料が提供される。炭素は、ナノ多孔性を有する多孔質マトリックス状であり、硫黄は、炭素のマトリックスのナノ多孔性内に吸着されている。炭素マトリックスが、１０〜９９％のナノ多孔性の体積を有することができる。さらに、硫黄が、ナノ多孔性の少なくとも５％〜９９％を占めることができる。硫黄で部分的にのみ充填された炭素構造の一部が、電解質の放出を可能とする空隙を保持する。いくつかの例において、ナノ多孔性が、１ナノメートル〜９９９ナノメートルの平均直径を有するナノ細孔及びナノチャネルを有する。電子導電性の炭素構造と電気活性な硫黄との間の密接な接触を有する材料を提供する液体輸送または他のメカニズムを用いて、硫黄がナノ多孔性内に吸着される。
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【課題】 新規耐熱材料として期待されるＡｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物は地殻に多く存在するＡｌ、Ｓｉからなり資源の有効活用の観点から幅広い利用が望まれるが、高純度の複合炭化物を得るために高純度の原料を使用しているのが現状で、高価な高品位原料に選択肢が限定される課題がある。従って本発明の目的は、広範な組成の天然原料を使用して合成する高純度Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物およびその合成方法を提供することにある。
【解決手段】 アルミナ成分またはシリカ成分を含有し、更にカルシウム化合物またはナトリウム化合物の含有率が酸化物換算で３０質量％以下の天然原料と炭素原料とを含む混合物を、不活性雰囲気中で焼成して得ることを特徴とするＡｌ−Ｓｉ−Ｃ系複合炭化物およびその合成方法。 （もっと読む）

【課題】
炭化チタンの製造方法を提供する。
【解決方法】
少なくともチタン化合物と炭素化合物および／又は元素状炭素を含有する顔料配合物を使用して炭化チタンを製造する方法であって、顔料配合物がレーザー照射によって反応してＴｉＣを生成する方法。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】従来法よりも簡単に、しかも従来法では実現できなかった主として炭素からなる構造体の形態を保持した炭化ケイ素構造体の製造を、低温で、かつ短時間で行うことことができる炭化ケイ素構造体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】不活性ガス雰囲気の反応容器中で、シリコンを含むナトリウムの融液を付加した状態で、主として炭素からなる構造体を加熱し、加熱した後に得られる炭化ケイ素構造体中の主たる炭化ケイ素の結晶構造がβ型であり、更に、主として炭素からなる構造体を加熱する温度は、６００℃以上、１２００℃以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
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【課題】反応系に硫黄粉末を存在させることにより、自己伝播高温合成反応を促進させ（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を短時間で合成する。
【解決手段】（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系を、好ましくはモル比２：（０.５〜１.０）：（１〜３）又はモル比２：（１〜３）で配合した粉末混合物を圧粉成形し、反応装置１にセットした圧粉体３の一端に、電流を通したコイル４で着火し、他端に向けて燃焼（自己伝播高温合成反応）を進行させることにより、（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｃ−Ｓ系又は（Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ）−Ｓ系無機化合物を合成する。 （もっと読む）

【課題】固相炭化反応の進行に高温が必要であるという欠点と、高価な原料を使用しなければならないという欠点を同時に解決する。
【解決手段】周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合材料であって、より微細な窒化ホウ素が前記複合材料中に均一に分散している複合材料、およびそのような複合材料の原料である窒化ホウ素と炭化ケイ素の複合粉末の提供を目的とする。
【解決手段】炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合粉末であって、前記複合粉末が、下記式（Ｉ）を満たす複合粉末により解決される。
６２．１＜Ｘ＋０．１０１×Ｙ （Ｉ）
前記式中、ＸおよびＹは明細書中で定義のとおりである。
また、炭化ケイ素と窒化ホウ素とが複合化されている複合材料であって、前記複合材料が、本発明の複合粉末を焼結して得られた複合材料であり、前記複合材料が、下記式（ＩＩ）を満たす複合材料により解決される。
Ｓ＞５．５６Ｙ−６７０ （ＩＩ）
前記式中、ＳおよびＹは明細書中で定義のとおりである。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子基質を使用した、酸化ホウ素又は酸化ケイ素の炭化物化又は窒化ステップを含む、炭化ホウ素、窒化ホウ素、及び炭化ケイ素を調製するための、新規で有用な方法を対象とする。
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【課題】高い強度のチタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶チタンシリコンカーバイドの結晶粒を配向させ、大部分の結晶のｃ面が一方向に揃った組織のチタンシリコンカーバイドに微細な炭化チタン粒子が分散した組織で、その強度が従来の多結晶チタンシリコンカーバイドより大きいことを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びこの複合材料に１０〜２０体積パーセントの炭化ケイ素ウィスカが分散した組織で、更に、高強度であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びチタン、ケイ素、炭化チタンの混合粉末、又はチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末を用いて、上記チタンシリコンカーバイド基複合材料を製造する方法。 （もっと読む）

この発明は少なくとも95％の炭化珪素ＳｉＣを含む多孔質セラミック物質からなる構造物を得る方法に関し、前記方法は前記構造物が少なくとも
― 中位数径が5ミクロン未満であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分；
― 中位数径がα-ＳｉＣ結晶粒子の第１画分より少なくとも２倍大きく、しかも中位数径が5ミクロン以上であるα-ＳｉＣ結晶粒子の第２画分；および
― β-ＳｉＣ結晶粒子もしくは少なくともβ-ＳｉＣ結晶粒子の先駆物質の画分
を含むα-ＳｉＣ結晶粒子の混合物から得られることを特徴とする。
この発明はまた当該方法により得られる多孔構造物に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、形態が複合化した炭化ケイ素ナノ構造物並びにその製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素ナノ構造物は、炭化ケイ素ナノワイヤーの側面から、その側面に対し直角にエピタキシャル成長した炭化ケイ素からなる板状結晶を有することを特徴し、その製造方法は、一酸化ケイ素粉末、グラファイト粉末および酸化ガリウム粉末の混合物を不活性ガス気流中で、１３×１０^２〜１４×１０^２℃にて０．３〜１．２時間加熱することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、所定の形状のタンタルと炭素を固相拡散接合を可能とし更に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタ表面に炭化物を形成することを可能とする。
【解決手段】タンタル若しくはタンタル合金と炭素基板とを真空熱処理炉内に設置し、前記タンタル若しくはタンタル合金表面に形成されている自然酸化膜であるＴａ₂Ｏ₅が昇華する条件下で熱処理を行い、前記Ｔａ₂Ｏ₅を除去した後、前記真空熱処理炉内に炭素源を導入して熱処理を行い、前記タンタル若しくはタンタル合金表面と炭素基板表面を固相拡散接合させると同時に、タンタルと炭素を固相拡散接合を行う場所以外のタンタル表面に炭化物を形成する。 （もっと読む）

単結晶炭化ケイ素ナノワイヤー、及びその製造方法を提供する。本発明による単結晶炭化ケイ素ナノワイヤーは、アスペクト比が非常に大きく、各種表示装置及び分析装置に使われる電子銃用エミッターまたはＭＥＭＳのプローブチップのようなナノ電子デバイスに適用可能である。さらに、前記ナノワイヤーを備えるフィルターを提供する。本発明によるフィルターは、自動車エンジン排ガスフィルターなどに容易に適用し、フィルター能及び寿命を増加させる。
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