【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 既存の問題点であるアルミニウムと炭素材料の接合に関する問題を解決し、電気アーク又は電気化学的方法を用いて、重さが軽く力学的強度に優れた炭素材料−アルミニウム複合体を製造した。
【解決手段】 本発明は、電気化学的方法を用いてアルミニウム−炭素材料のＡｌ−Ｃ共有結合を形成する方法を提供する。上記方法は、陽極と、炭素材料の連結された陰極とで構成され、電解液で満たされた電気化学装置に電位を印加して、陰極に連結された炭素材料の表面をアルミニウムでメッキする段階を含むことができる。更に、本発明は、上記電気化学装置に電位を印加し炭素材料の表面をアルミニウムでメッキして共有結合を形成したアルミニウム−炭素材料複合体を製造する方法、及び上記方法により製造されたアルミニウム−炭素材料複合体を提供する。 （もっと読む）

【課題】炭素系被膜の有する長所を活かしつつ、相手攻撃性を小さくした炭素系被膜を有する被膜付き基材を提供する。
【解決手段】被膜付き基材は、基材と、基材表面を覆う炭素系ナノ材料の積層構造被膜とを備える。炭素系ナノ材料は、カーボンナノチューブ、グラフェン、フラーレン、カーボンブラックおよびケッチェンブラックからなる群から選ばれたものである。 （もっと読む）

【課題】ウェハの全面にステップバンチングがない、ステップバンチングフリーのＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、０．４°〜５°のオフ角で傾斜させた４Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板上にＳｉＣのエピタキシャル層を形成したＳｉＣエピタキシャルウェハであって、短いステップバンチングがないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の表面被覆層よりも耐摩耗性に優れると共に摩擦係数が低くて摺動性に優れる硬質皮膜、硬質皮膜被覆材および冷間塑性加工用金型を提供する。
【解決手段】（Ｖ_ｘＭ_１−ｘ）（Ｂ_ａＣ_ｂＮ_{１−ａ−ｂ}）からなる硬質皮膜であって下記式（１Ａ）〜（４Ａ）を満たすことを特徴とする硬質皮膜等。〔但し、上記Ｍは４ａ、５ａ、６ａ族の元素、Ｓｉ、Ａｌの１種以上であり、下記式において、ｘはＶの原子比、１−ｘはＭの原子比、ａはＢの原子比、ｂはＣの原子比、１−ａ−ｂはＮの原子比を示すものである。〕
０．４≦ｘ≦０．９５−−−−式（１Ａ）、０≦ａ≦０．２−−−−式（２Ａ）、
０≦１−ａ−ｂ≦０．３５−−−−式（３Ａ）、０．６≦ｂ≦１−−−− 式（４Ａ） （もっと読む）

【課題】直線状のスプリング軸を有しており、弾力性および機械強度に優れたセラミックススプリング、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スプリング外径が０．０１μｍ〜１００μｍ、スプリングピッチが０．０１μｍ〜１０μｍ、スプリング長が１．０×１０^−５ｍｍ〜２０ｍｍ、スプリング軸が直線状である螺旋形状を有し、かつ、破断強度が８０ＭＰａ以上である一重又は二重のセラミックススプリングである。

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【課題】本発明は、反応ガス及び未反応ガスを円滑で、かつ均一に排出できる真空熱処理装置用熱処理容器を提供することをその目的とする。
【解決手段】本発明に従う真空熱処理装置用熱処理容器は、底部と側壁とを含み、側壁の上部に排気通路が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化ケイ素粉体製造方法及びシステムを提供するためのものである。
【解決手段】本発明の炭化ケイ素粉体製造方法は、混合器でケイ素源と炭素源とから構成された混合物を生成するステップ、及び前記混合物を真空度０．０３ｔｏｒｒ以上０．５ｔｏｒｒ以下、温度１３００℃以上１９００℃以下に加熱して炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉体を合成するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ原料粉体にドーパントを混合させた場合に、ＳｉＣの昇華ガスとドーパントの昇華ガスとを均一に種結晶に供給することができると共に、不純物の混入可能性が低い炭化珪素粉体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る炭化珪素粉体の製造方法は、珪素源と、炭素源と、反応触媒と、バナジウム含有化合物と、を混合させて液状混合物７を生成する工程と、液状混合物７を減圧雰囲気下に配置した状態で、液状混合物７に不活性ガスを導入しつつ排出ガスを排気する工程と、液状混合物７を乾燥および硬化させることにより固形物１９を生成する工程と、固形物１９を加熱して炭化および焼成することにより、炭化珪素粉体２５を生成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハーの製造工程において生じる多量のシリコン切削屑等を原料として、工業材料に適する品質の炭化珪素を経済的に製造する方法を提供する。
【解決手段】シリコン屑に対してカーボン粉を当量以上混合し、この混合粉を、非酸化性雰囲気下、１０００℃〜１４００℃で、６時間〜２４時間加熱してシリコン屑とカーボン粉を反応させて炭化珪素を製造し、冷却後、酸洗浄して不純物を除去し、乾燥することを特徴とする炭化珪素の製造方法であって、好ましくは、シリコンウエハーの製造工程において生じたシリコン切削屑を用い、シリコン切削屑を脱脂処理ないし脱水処理した後にカーボン粉と混合し、加熱処理後に生成物を酸浸出した後に、水またはアルコールで洗浄して不純物を除去する炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１，０００℃以上の高温でも耐酸化性に優れ、耐熱性を有する炭化ケイ素チューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】下記の（ａ）及び／又は（ｂ）を満たし、平均外径が５０ｎｍ以上であって、直径と長さのアスペクト比が１０以上である、カーボンファイバーと、一酸化ケイ素とを、互いに混合することなく互いに離して反応容器内に載置する工程、上記反応容器を、加熱炉内において、０．１気圧以下の真空下で、１，４００℃以上の温度に加熱して炭化ケイ素を反応生成させる工程、並びに、６００℃以上８００℃以下の大気中で反応生成物を加熱して、残存するカーボンを酸化除去する工程、を含む炭化ケイ素チューブの製造方法。
（ａ）グラファイト（００２）面のＸ線回折強度の半値幅が、１°以下の強度を有すること；（ｂ）６００℃の大気中で加熱したときに重量減少が１０％以下であること （もっと読む）

【課題】
Ａｌ_４ＳｉＣ_４は高い耐酸化性、高温機械特性を持つが、結晶性の高い粒子の合成は難しい。
これは、従来、主に固相原料を混合したのちに熱処理を行っていたため、原料粉末を均一に混合することが難しく、生成反応として固相反応を主としているため反応の進行が遅く、結晶性の高いＡｌ_４ＳｉＣ_４を得ることが難しかった。
本発明は、このような従来得られなかった結晶性の良いＡｌ_４ＳｉＣ_４を得ると同時に、その製造技術を確立することを課題とする。
【解決手段】
発明１のアルミニウムケイ素炭化物粉末は、その結晶構造が六方晶であり、粒子の形状が六角板状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い熱伝導率を有し、積層欠陥が低下した炭化珪素膜を提供する。
【解決手段】高熱伝導率を有し、積層欠陥が減少した、化学蒸着β相多結晶炭化珪素。炭化珪素は水素ガスおよびメチルトリクロロシランを反応物質として用いる特定の条件下で合成される。炭化珪素の熱伝導率は、高い熱負荷が発生する電子デバイスの装置の一部および部品として用いることができるほど十分高い。このような部品としては、アクティブ熱電クーラー、ヒートシンクおよびファンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】目詰まり量が少なく、且つ、十分な強度を有する炭化ケイ素多孔質構造体及びその製造方法を提供する
【解決手段】炭化ケイ素粉末８０ｇ，水溶性フェノール樹脂４３ｇ，水３０ｇ，解膠剤０．５ｇ，及びバインダー３ｇを含む水性スラリーを調製し、この水性スラリーに市販のウレタンフォームを１回含浸させた。次に、ポリシリコンを充填した坩堝上にセラミック製の載置板を配置し、載置板上に水性スラリーを含浸させたウレタンフォームを載置して加熱炉内に導入した。そして９００℃の真空雰囲気内で坩堝を加熱することにより水性スラリーを炭素化させた後に、１６００℃の真空雰囲気内で０．５時間坩堝を加熱することにより坩堝内に充填したポリシリコンに由来するシリコン蒸気によりウレタンフォームにシリコンを含浸させた。 （もっと読む）

本発明は、炭化ケイ素のモノリシックなインゴットの製造方法であって、ｉ）ポリシリコン金属チップおよび炭素粉末を含む混合物を、蓋を有する円筒状反応セルの中へと導入する工程と、ｉｉ）ｉ）の円筒状反応セルを密封する工程と、ｉｉｉ）ｉｉ）の円筒状反応セルを真空加熱炉の中へと導入する工程と、ｉｖ）ｉｉｉ）の加熱炉を排気する工程と、ｖ）ｉｖ）の加熱炉に、大気圧近くまで実質的に不活性ガスであるガス混合物を充填する工程と、ｖｉ）ｖ）の加熱炉の中の円筒状反応セルを１６００〜２５００℃の温度に加熱する工程と、ｖｉｉ）ｖｉ）の円筒状反応セルの中の圧力を０．０５ｔｏｒｒ（約６．７Ｐａ）以上５０ｔｏｒｒ（約６．７ｋＰａ）未満まで低下させる工程と、ｖｉｉｉ）ｖｉｉ）の円筒状反応セルの蓋の内側でのこの蒸気の実質的な昇華および凝縮を許容する工程と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】二次加工することなく、低温でカーボンナノチューブ集合体を製造するためのカーボンナノチューブ集合体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機ケイ素ポリマーを、空気、オゾン、酸素、塩素ガス、臭素ガス、及びアンモニアガスのうちいずれか１以上の酸化性ガス雰囲気中、５０〜４００℃の温度で焼成し有機ケイ素ポリマーの不融化物を得る第１工程と、前記有機ケイ素ポリマーの不融化物を焼成し炭化ケイ素を得る第２工程と、前記炭化ケイ素に、１１００ｎｍ以下の波長のレーザー光を照射しながら、真空度１．０１×１０^５〜１．３３×１０^−８Ｐａ中、５００〜１７００℃の温度で焼成しカーボンナノチューブの集合体を得る第３工程とを備えたことを特徴とするカーボンナノチューブ集合体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】固相炭化反応の進行に高温が必要であるという欠点と、高価な原料を使用しなければならないという欠点を同時に解決する。
【解決手段】周期率表の第４Ａ族、第５Ａ族または第６Ａ族の遷移金属、鉄および不可避的不純物を含有するフェロアロイと、炭素を主体とする炭素材料とを、真空または不活性ガス雰囲気下で共粉砕により固相反応させる、該遷移金属を含む炭化物または該遷移金属および鉄を含む複合炭化物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】炭化物系セラミックスからなり、かつ、高い出力因子をもつn型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料は、結晶構造中にRC₆八面体（但し、RはZr、Sc、Y又は希土類元素から選択された少なくとも一種類以上の元素である。）が稜共有することで形成される[RC₂]層を部分構造として含む。すなわち、電気伝導率の高い層と電気伝導率の低い層とからなる二種類の異なる層が交互に積層する結晶構造をもつことから、良好な熱電特性を示す。 （もっと読む）

【課題】高い強度のチタンシリコンカーバイド基複合材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶チタンシリコンカーバイドの結晶粒を配向させ、大部分の結晶のｃ面が一方向に揃った組織のチタンシリコンカーバイドに微細な炭化チタン粒子が分散した組織で、その強度が従来の多結晶チタンシリコンカーバイドより大きいことを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びこの複合材料に１０〜２０体積パーセントの炭化ケイ素ウィスカが分散した組織で、更に、高強度であることを特徴とするチタンシリコンカーバイド基複合材料、及びチタン、ケイ素、炭化チタンの混合粉末、又はチタン、炭化ケイ素、炭素の混合粉末を用いて、上記チタンシリコンカーバイド基複合材料を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】炭化物内包カーボンナノカプセル及びその製造において，容易かつ効率よく製造する方法を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】カーボンナノカプセルを形成する炭素を内包される炭化物粒子の周囲に均一に供給するべく，炭素供給源を出発原料の炭化物を構成する炭素とすることにより，内包される炭化物の合成とカーボンナノカプセルの形成を同時に行う。 （もっと読む）