本発明のある態様は、キニーネに基づく触媒およびキニジンに基づく触媒に関する。ある実施の形態において、キニーネに基づく触媒およびキニジンに基づく触媒は、６’位にヒドロキシ基を含有する。ある実施の形態において、キニーネに基づく触媒およびキニジンに基づく触媒は、Ｃ９位にＯ−アリール基またはＯ−アロイル基を含有する。ある実施の形態において、キニーネに基づく触媒およびキニジンに基づく触媒は、Ｃ９位に、必要に応じて置換されたＯ−ジアゼン基または必要に応じて置換されたＯ−ベンゾイル基を含有する。ある実施の形態において、キニーネに基づく触媒およびキニジンに基づく触媒は、Ｃ９位にチオ尿素を含有する。ある実施の形態において、キニーネに基づく触媒およびキニジンに基づく触媒は、Ｃ９位にＮＨ（＝Ｓ）ＮＨ−アリール基を含有する。
本発明の別の態様は、プロキラル電子欠損アルケンまたはプロキラルイミンからキラル非ラセミ化合物を調製する方法であって、触媒の存在下でプロキラルアルケンまたはイミンを求核剤と反応させ、それによって、キラル非ラセミ化合物を生成する工程を有してなり、前記触媒が誘導体化キニーネまたはキニジンである方法に関する。ある実施の形態において、求核剤はマロン酸エステルまたはβ−ケトエステルである。ある実施の形態において、求核剤はアルキルまたはアリールまたはアラルキル２−シアノ−２−アルキルアセテートである。ある実施の形態において、求核剤はアルキルまたはアリールまたはアラルキル２−シアノ−２−アリールアセテートである。
本発明の別の態様は、速度論的分割方法であって、誘導体化キニーネまたはキニジンの存在下でラセミアルデヒドまたはラセミケトンを求核剤と反応させ、それによって、非ラセミキラル化合物を生成する工程を有してなる方法に関する。ある実施の形態において、速度論的分割は、動的である。 （もっと読む）

本発明は、オレフィンが、ヒドロホルミル化、ヒドロシアン化、ヒドロカルボキシル化およびヒドロエステル化からなる群より選択される不斉反応を、触媒としての、エナンチオマー濃縮されたキラルなビス（ホスホラン）配位子の遷移金属錯体の存在下で受ける合成的に有用なプロセスを含む。 （もっと読む）

粗配位子混合物が（ｉ）弱酸性有機樹脂、（ｉｉ）弱塩基性有機樹脂、（ｉｉｉ）高表面積有機樹脂、（ｉｖ）活性炭、（ｖ）アルミノシリケートゼオライト、（ｖｉ）液−液抽出のための２相溶媒系および（ｖｉｉ）ルイス酸よりなる群から選択された少なくとも１つのメンバーと接触させられ、式（Ｒ¹Ｏ）₂ＰＯＺＯＰ（ＯＲ¹）₂の配位子を含有する溶液を回収し、ニトリル溶媒およびニッケルより電気的陽性である還元金属の存在下で該溶液を塩化ニッケルと接触させて、ニッケル／配位子触媒を生成するニッケル／配位子触媒の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配位子および金属イオンからなり、該配位子と該金属イオンが交互に配位結合されてなる新規な多孔性配位高分子、および該多孔性配位高分子からなる触媒作用の高い触媒を提供することを目的とする。
【解決手段】アミド基を有する三座以上の配位子および金属イオンからなり、該配位子と該金属イオンが交互に配位結合されてなる多孔性配位高分子、および該多孔性配位高分子からなる触媒である。 （もっと読む）

本発明は、式(I)の新規な化合物、及びc-Jun N末端キナーゼの阻害におけるそれらの使用法を提供する。本発明は、さらに、それら化合物の医療での使用法、特に、アポトーシス及び／又は炎症に関連する神経変性疾患の予防及び／又は治療における使用法を提供する。

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本発明は、白金含有触媒の存在下でメタン及びアンモニアからシアン化水素を生成するためのＢＭＡ方法の改善に関する。活性な減少する触媒の煤の問題は減少させることができ、または活性が増加され、ここで触媒はＣｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄ及びＷ系列からの元素でドープされる。ドープは好ましくは、Ｐｔに対しドープ元素が０．０１乃至２０モル％の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】 高い目的生成物収率を安定して得ることのできる流動層触媒を製造する方法。
【解決手段】 スラリー状の触媒原料を乾燥させて乾燥粒子とし、これを空気輸送により焼成炉に移して焼成する。本発明によれば、複数の粒子が付着した固結物の生成や、破砕されたり、亀裂が生じた粒子の生成を抑制することができる。 （もっと読む）

プロピレン、イソブテンまたは３級ブタノールを分子状酸素およびアンモニアと流動床反応器内で反応させてアクリロニトリルまたはメタクリロニトリルを製造する際に用いる粒状多孔性アンモ酸化触媒であって、金属酸化物とそれを担持するシリカ担体を包含し、該金属酸化物が、モリブデン、ビスマス、鉄、バナジウム、アンチモン、テルルおよびニオブよりなる群から選ばれる少なくとも２種の元素を含み、該触媒は、粒子直径５〜２００μｍの触媒粒子の量が該触媒の重量に対して９０〜１００重量％である粒度分布を有し、また該触媒は、細孔直径８０Å以下の細孔の積算容積が該触媒の全細孔容積に対して２０％以下であり、且つ、細孔直径１０００Å以上の細孔の積算容積が該触媒の全細孔容積に対して２０％以下である細孔分布を有する、ことを特徴とする粒状多孔性アンモ酸化触媒。該触媒の効率的な製造方法。 （もっと読む）

本発明は、キラルのリンキレート化合物、係る化合物を配位子として含有する触媒並びに係る触媒の存在下での不斉合成法に関する。 （もっと読む）

不飽和モノニトリルのジニトリルへのヒドロシアノ化の反応流出物から、均質に溶解した触媒を、炭化水素Ｈを使用した抽出により抽出除去する方法であって、
ａ）非極性非プロトン液体Ｌを反応流出物に加え、流れＩを得る工程、及び、
ｂ）炭化水素Ｈを使用し、温度Ｔで流れＩを抽出し、触媒含有量が多い炭化水素Ｈを含む流れＩＩ、及び触媒含有量が少ない流れＩＩＩを得る工程、
を含むことを特徴とする方法。 （もっと読む）

本発明は、光学活性金属−配位子錯体触媒の存在下に、プロキラル又はキラルオレフィンを、一酸化炭素及び水素と、反応させて、光学活性アルデヒド又は光学活性アルデヒドから誘導された生成物を製造する不斉ヒドロホルミル化方法に関する。 （もっと読む）

最後の処理工程として酸性液体で洗浄する、元素Ｍｏ、Ｖ並びにＴｅ及び／又はＳｂ及び少なくとも１種の元素Ｎｂ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ及びＣｅ並びに場合によりプロモーターを含有し、特別なＸ線回折パターンを有する多金属酸化物材料の製造法。更に、炭化水素の不均一接触気相部分酸化及び／又は−アンモ酸化のための触媒としての、そのような方法で得ることができる多金属酸化物材料の使用。 （もっと読む）

本発明は、二環系を包含する二座の場合によりＮ−含有Ｐ−配位子及びその合成法、これら化合物の遷移金属錯体及びその触媒としての使用に関する。
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【課題】 ルイス酸金属を高分子中に内包させ、ルイス酸金属触媒としての機能を保ったまま、この触媒の回収を可能とすることを目的とする。
【解決手段】 本発明は、ルイス酸金属を架橋高分子に内包させてなり、該架橋高分子が架橋性高分子に含まれる架橋基を架橋させてなる高分子内包ルイス酸金属触媒であって、該架橋性高分子が疎水性置換基及び架橋基を有する親水性置換基を有する少なくとも一種のモノマー単位を含み、かつ該疎水性置換基が芳香族置換基を含むことを特徴とする高分子内包ルイス酸金属触媒である。この架橋性高分子は、疎水性置換基及び架橋基を有する親水性置換基を有する少なくとも一種のモノマー単位、及び疎水性置換基を有するモノマー単位から成ることが好ましい。この触媒は、架橋性高分子とルイス酸金属とを含む有機溶液と、貧溶媒とを混合して得られたルイス酸金属内包ポリマーミセルを、架橋反応に付して得ることができる。この触媒は、アルドール反応、シアノ化反応、アリル化反応、マイケル反応、マンニッヒ反応、ディールスアルダー反応又はフリーデルクラフツ反応のための触媒として有用である。
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オレフィンメタセシスおよび原子またはグループ移動反応のような数多くの有機合成反応において有用な改良された触媒を、多座配位性シッフ塩基配位子と、１つ以上の他の配位子とを含む多配位金属錯体と酸とを、酸が少なくとも部分的に金属錯体の金属と多座配位性シッフ塩基配位子との間の結合を、任意でシッフ塩基配位子の中間体プロトン化を経て、開裂するような条件下で接触させることによって生成する。 （もっと読む）

本発明は新規ノルボルナンニトリル誘導体およびヒドロシアネーション反応を用いて該誘導体を製造するための対応する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】生成物及び触媒の損失の少ないアジポニトリルとメチルグルタロニトリルとの製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）ペンテンニトリルを含む反応物質流とシアン化水素とを少なくとも１種の触媒及び少なくとも１種の促進剤の存在下で反応させ、ペンテンニトリル、上記少なくとも１種の触媒、触媒分解生成物、上記少なくとも１種の促進剤、アジポニトリル及びメチルグルタロニトリルを含む反応生成物流を得る段階、（ｂ）上記反応生成物流を蒸留し、上記少なくとも１種の触媒、触媒分解生成物、上記少なくとも１種の促進剤、アジポニトリル及びメチルグルタロニトリルを含みかつペンテンニトリルが減少した流３を塔底生成物として、ペンテンニトリルが濃縮された流４を塔頂生成物として得る段階、（ｃ）流３を流５中に存在する抽出剤を使用して抽出し、触媒を含みかつ抽出剤が濃縮された流６を塔頂生成物として、触媒分解生成物、上記少なくとも１種の促進剤、ペンテンニトリル、アジポニトリル及びメチルグルタロニトリルを含みかつ抽出剤が減少した流７を塔底生成物として得る段階、（ｄ）流６を蒸留して、上記触媒を含む流８を塔底生成物として、上記抽出剤を含む流９を塔頂生成物として得る段階、（ｅ）流７を蒸留して、触媒分解生成物、上記少なくとも１種の促進剤、ペンテンニトリル、アジポニトリル及びメチルグルタロニトリルを含む流１０を塔底生成物として、上記抽出剤を含む流１１を塔頂生成物として得る段階、（ｆ）流１０を蒸留して、触媒分解生成物、上記少なくとも１種の促進剤、アジポニトリル及びメチルグルタロニトリルを含む流１２を塔底生成物として、ペンテンニトリルを含む流１３を塔頂生成物として得る段階、（ｇ）流１２を蒸留して、触媒分解生成物及び上記少なくとも１種の促進剤を含む流１４を塔底生成物として、アジポニトリルとメチルグルタロニトリルを含む流１５を塔頂生成物として得る段階、（ｈ）流１５を蒸留して、アジポニトリルを含む流１６を塔底生成物として、メチルグルタロニトリルを含む流１７を塔頂生成物として得る段階、を含む。 （もっと読む）

本発明は、第ＶＩＩＩ副族の金属と非共有結合を介して二量化することのできる配位子との錯体少なくとも１種を包含しているキラル触媒の存在下での、不斉合成法、そのような触媒並びにその使用に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、適当な基で架橋された一般的化学式が（Ｉ）または（II）のキラルジ−及びトリホスファイトに関する。
【解決手段】本発明の化合物は、不斉遷移金属触媒反応に及びキラル遷移金属触媒として使用される。 （もっと読む）

【課題】温和な条件でニッケル（０）錯体を製造することができ、熱的に不安定な配位子を使用することができ、過剰量の出発物質を使用する必要がないニッケル（０）錯体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、少なくとも１個のニッケル中心原子と少なくとも１個のリン配位子とを含むニッケル（０）−リン配位子錯体の製造方法であって、少なくとも１種のリン配位子の存在下でニッケル（ＩＩ）−エーテル付加物を還元することを含む方法である。 （もっと読む）