オレフィンメタセシスおよび原子またはグループ移動反応に使用するための金属錯体
オレフィンメタセシスおよび原子またはグループ移動反応のような数多くの有機合成反応において有用な改良された触媒を、多座配位性シッフ塩基配位子と、１つ以上の他の配位子とを含む多配位金属錯体と酸とを、酸が少なくとも部分的に金属錯体の金属と多座配位性シッフ塩基配位子との間の結合を、任意でシッフ塩基配位子の中間体プロトン化を経て、開裂するような条件下で接触させることによって生成する。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多配位金属錯体、その塩、溶媒和物または鏡像体を修飾する方法であって、前記多配位金属錯体は、（ｉ）イミノ基を含み、前記イミノ基の窒素原子に加えて、酸素、イオウおよびセレニウムからなる群から選択される更なるヘテロ原子の少なくとも１個を介して金属に配位する、少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子と（ｉｉ）１つ以上の他の配位子とを含み、前記方法は、前記酸が、少なくとも部分的に、金属と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）との間の結合を開裂することができる条件で、前記多配位金属錯体を酸に接触させることを含み、前記他の配位子（ｉｉ）は、前記条件下で、前記酸によってプロトン化されないように選択される方法。
【請求項２】
前記条件は、前記酸と前記多配位金属錯体との間のモル比が１．２を超え、４０未満であることを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記条件は、接触時間が５秒〜１００時間であることを含むことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記条件は、接触温度が約−５０℃〜約＋８０℃であることを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記他の配位子（ｉｉ）が、ホスフィン類、アミン類、アルシン類およびスチビン類からなる群から選択されないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記酸のｐＫａが、前記多座配位性シッフ塩基配位子（ｉｉ）のｐＫａより低い請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、少なくとも１５のｐＫａを有する制限立体障害配位子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）における、前記イミノ基の窒素原子と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）の前記配位しているヘテロ原子との間の炭素原子の数が、２〜４であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、Ｎ−複素環カルベン、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子およびアレニリデン配位子からなる群から選択されるカルベン配位子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、非アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸は、塩化水素酸または臭化水素酸である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記条件は、多座配位性シッフ塩基配位子をプロトン化し、金属から前記多座配位性シッフ塩基配位子のイミノ基の窒素原子を脱配位化することができることを特徴とする請求
項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記条件は、金属から前記多座配位性シッフ塩基配位子のさらなるヘテロ原子を脱配位化することができることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）（ｉ）イミノ基を含み、前記イミノ基の窒素原子に加えて、酸素、イオウおよびセレニウムからなる群から選択される更なるヘテロ原子の少なくとも１個を介して金属に配位する多座配位性シッフ塩基配位子を少なくとも１個と、（ｉｉ）１個以上の他の配位子とを含む多配位金属錯体、その塩、溶媒和物または鏡像体と、
（ｂ）前記多配位金属錯体（ａ）に関し、約１．２を超えるモル比で反応させる酸との反応生成物であって、ただし前記他の配位子（ｉｉ）は、前記酸によってプロトン化ができないものである、反応生成物。
【請求項１６】
前記他の配位子（ｉｉ）が、アミン類、ホスフィン類、アルシン類およびスチビン類からなる群から選択されないことを特徴とする請求項１５記載の生成物。
【請求項１７】
前記酸（ｂ）のｐＫａが、前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）のｐＫａより低いことを特徴とする請求項１５または１６記載の生成物。
【請求項１８】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）における、前記イミノ基の窒素原子と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）の前記ヘテロ原子との間の炭素原子の数が、２〜４であることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項１９】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、少なくとも１５のｐＫａを有する制限立体障害配位子であることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２０】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、Ｎ−複素環カルベン、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子およびアレニリデン配位子からなる群から選択されるカルベン配位子であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２１】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２２】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、非アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２３】
前記酸は、塩化水素酸または臭化水素酸であることを特徴とする請求項１５〜２２のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２４】
一般式：
［Ｍ（Ｌｃ）（Ｌ２）（Ｘ）（ＳＢ＋）］Ｘ−
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくは、ルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−ＳＢ＋は、プロトン化シッフ塩基配位子、好ましくはプロトン化２座配位性シッフ塩基
配位子であり；
−Ｌｃは、カルベン配位子、好ましくは、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子、およびアレニリデン配位子からなる群から選択され；
−Ｌ２は、非アニオン性配位子、好ましくは、ホスフィン配位子以外であり；
−Ｘはアニオン性配位子であり；
−Ｘ−はアニオンである）で表される単一金属種、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２５】
一般式：
［Ｍ（Ｌｃ）（ＳＢ＋）（Ｘ１）（Ｘ２）（Ｍ’）（Ｘ３）（Ｌ）］Ｘ−
（式中、
−ＭおよびＭ’はそれぞれ、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から独立して選択される金属、好ましくは、ルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−ＳＢ＋は、プロトン化シッフ塩基配位子、好ましくはプロトン化２座配位性シッフ塩基配位子であり；
−Ｌｃは、カルベン配位子であり、好ましくは、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子、およびアレニリデン配位子からなる群から選択され；
−Ｌは、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外であり；
−Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は、それぞれ独立して、アニオン性配位子から選択され；
−Ｘ−はアニオンである）で表される二金属種、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２６】
一般式（ＶＩ）：
【化１】
で表されるカチオン性単一金属種、または
一般式（ＶＩＩ）：
【化２】
で表されるカチオン性単一金属種
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｗは、酸素、イオウ、セレニウム、ＮＲ””、ＰＲ””、ＡｓＲ””およびＳｂＲ””からなる群から選択され；
−Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ””はそれぞれ、水素、Ｃ１−６アルキル、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択されるラジカルであり、またはＲ”とＲ’’’とが一緒になってアリールまたはヘテロアリールラジカルを形成し、各前記ラジカル（水素とは異なる場合）は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アリール、アルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群からそれぞれ独立して選択される１個以上の、好ましくは１〜３個の置換基Ｒ５で任意で置換され；
−Ｒ’は、一般式（ＩＡ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ””について定義されたものと同じであり、または一般式（ＩＢ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｃ１−６アルキレンおよびＣ３−８シクロアルキレンからなる群から選択され、前記アルキレンまたはシクロアルキレン基は１つ以上の置換基Ｒ５で任意で置換され；
−Ｌ２は、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外であり；
−Ｘは、アニオン性配位子であり；
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルケニル、Ｃ２−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ２−２０アルケニルオキシ、Ｃ２−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり；
−Ｒ’とＲ３およびＲ４のうちの１つとが互いに結合して、２座配位性配位子を形成してもよく；
−Ｒ’’’およびＲ””は互いに結合して、窒素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選択されるヘテロ原子を含む脂肪族環系を形成してもよく；
−Ｒ３およびＲ４は一緒になって縮合芳香族環系を形成してもよく；
−ｙは、Ｍと、Ｒ３およびＲ４を有する炭素原子との間のｓｐ２炭素原子の数を示し、０〜３（両端を含む）の整数である）、その塩、溶媒和物および鏡像体であり、前記カチオン性化学種は、アニオンと結合している請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２７】
一般式（Ｘ）：
【化３】
で表されるカチオン性二金属種、または
一般式（ＸＩ）：
【化４】
で表されるカチオン性二金属種
（式中、
−ＭおよびＭ’は、それぞれ、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から独立して選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｗは、酸素、イオウ、セレニウム、ＮＲ””、ＰＲ””、ＡｓＲ””およびＳｂＲ””からなる群から選択され；
−Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ””はそれぞれ、水素、Ｃ１−６アルキル、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択されるラジカルであり、またはＲ”とＲ’’’とが一緒になってアリールまたはヘテロアリールラジカルを形成し、各ラジカル（水素とは異なる場合）は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アリール、アルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群からそれぞれ独立して選択される１個以上の、好ましくは１〜３個の置換基Ｒ５で任意で置換されてあり；
−Ｒ’は、一般式（ＩＡ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ
””について定義されたものと同じであり、一般式（ＩＢ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｃ１−６アルキレンおよびＣ３−８シクロアルキレンからなる群から選択され、前記アルキレンまたはシクロアルキレン基は１つ以上の置換基Ｒ５で任意で置換され；
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルケニル、Ｃ２−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ２−２０アルケニルオキシ、Ｃ２−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり；
−Ｒ’とＲ３およびＲ４の１つとが互いに結合して、２座配位性配位子を形成してもよく；
−Ｒ’’’およびＲ””は互いに結合して、窒素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選択されるヘテロ原子を含む脂肪族環系を形成してもよく；
−Ｒ３およびＲ４は一緒になって縮合芳香族環系を形成してもよく；
−ｙは、Ｍと、Ｒ３およびＲ４を有する炭素原子との間のｓｐ２炭素原子の数を示し、０〜３（両端を含む）の整数であり、
−Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は、それぞれ独立して、アニオン性配位子から選択され；
−Ｌは、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外である）および、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２８】
一般式（ＶＩＩＩ）：
【化５】
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｘは、アニオン性配位子であり；
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルケニル、Ｃ２−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ２−２０アルケニルオキシ、Ｃ２−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり；
−Ｒ３およびＲ４は一緒になって縮合芳香族環系を形成してもよく；
−ｙは、Ｍと、Ｒ３およびＲ４を有する炭素原子との間のｓｐ２炭素原子の数を示し、０〜３（両端を含む）の整数であり、
−Ｘ’はアニオン性配位子であり；
−Ｌ３は、ホスフィン配位子以外の非アニオン性配位子である）で表される単一金属錯体、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２９】
一般式（ＩＸ）：
【化６】
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｘはアニオン性配位子であり；
−Ｓは溶剤であり；
−Ｙは溶剤、またはＳがアルコールの場合ＹはＣＯであり；
−Ｌ１は、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外である）で表される単一金属錯体、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３０】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、溶剤Ｓであり、前記複合体（ａ）は、アニオンＡに結合するカチオン性化学種である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３１】
前記多配位金属錯体（ａ）は、二金属錯体であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３２】
前記二金属錯体の１個の金属が、前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）および前記１つ以上の他の配位子（ｉｉ）に５座配位し、他の金属が、１つ以上の中性配位子および１つ以上のアニオン性配位子に４座配位することを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３３】
前記二金属錯体の各金属が、前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）および前記１つ以上の他の配位子（ｉｉ）に６座配位することを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３４】
二金属錯体の２個の金属が同じであることを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３５】
二金属錯体の２個の金属が異なることを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３６】
前記多配位金属錯体（ａ）は単一金属錯体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３７】
前記多配位金属錯体（ａ）の金属は、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される遷移金属であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３８】
前記金属は、ルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、テクネチウム、ランタニウム、銅、クロム、マンガン、パラジウム、白金、ロジウム、バナジウム、亜鉛、カドミウム、水銀、金、銀、ニッケルおよびコバルトからな
る群から選択されることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３９】
前記多配位金属錯体（ａ）が、５座配位性金属錯体または４座配位性金属錯体であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項４０】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）は、２座配位性配位子であり、前記多配位金属錯体（ａ）は、２個の他の配位子（ｉｉ）を含むことを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４１】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）は、３座配位性配位子であり、前記多配位金属錯体（ａ）は、１個の他の配位子（ｉｉｉ）を含むことを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４２】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）が、図１に示される一般式（ＩＡ）および（ＩＢ）（式中、
−Ｚは、酸素、イオウおよびセレニウムからなる群から選択され；
Ｒ”およびＲ’’’は、それぞれ、水素、Ｃ１−７アルキル、Ｃ３−１０シクロアルキル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択されるラジカルであり、またはＲ”とＲ’’’とは一緒になってアリールまたはヘテロアリールラジカルを形成し、前記ラジカルはそれぞれ、任意で、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アリール、アルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群からそれぞれ独立して選択される１個以上、好ましくは１〜３個の、置換基Ｒ５によって置換され；
−Ｒ’は、一般式（ＩＡ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｒ”およびＲ’’’について定義したものと同じであり、一般式（ＩＢ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｃ１−７アルキレンおよびＣ３−１０シクロアルキレンからなる群から選択され、前記アルキレンまたはシクロアルキレン基は１個以上の置換基Ｒ５で任意で置換される）の１つで表されることを特徴とする請求項３９または４０記載の生成物。
【請求項４３】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、１個以上の水素原子が、制限立体障害を提供する、イミダゾール−２−イリデン、ジヒドロイミダゾール−２−イリデン、オキサゾ−ル−２−イリデン、トリアゾール−５−イリデン、チアゾール−２−イリデン、ビス（イミダ−ゾリン−２−イリデン）、ビス（イミダゾリジン−２−イリデン）、ピロリリデン、ピラゾリリデン、ジヒドロ−ピロリリデン、ピロリリジンイリデン、およびそのベンゾ−縮合誘導体、または非イオン性プロフォスファトラン超塩基からなる群から選択されるＮ−複素環カルベンの基で置換されている誘導体であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４４】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子の少なくとも１個は、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０アルケニル、Ｃ１−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ１−２０アルケニルオキシ、Ｃ１−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウム、アリールアンモニウム、ハロゲン原子およびシアノからなる群から選択されるアニオン性配位子であることを特徴とする請求項３９記載の生
成物。
【請求項４５】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個が、一般式＝［Ｃ＝］ｙＣＲ３Ｒ４
（式中、
−ｙは、０〜３（両端を含む）の整数であり、
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ１−２０アルケニル、Ｃ１−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ１−２０アルケニルオキシ、Ｃ１−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり、またはＲ３およびＲ４は互いに結合して、縮合芳香族環系を形成してもよい）で表されるカルベン配位子であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４６】
Ｒ３およびＲ４は一緒になって、前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）がフェニルインデニリデン配位子であるように縮合芳香族環系を形成することを特徴とする請求項４５記載の生成物。
【請求項４７】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子の少なくとも１個は、芳香族および不飽和シクロ脂肪族基、好ましくは、アリール、ヘテロアリールおよびＣ４−２０シクロアルケニル基からなる群から選択され、前記芳香族または不飽和シクロ脂肪族基は、任意で、１個以上のＣｌ−７アルキル基またはハロゲン、ニトロ、シアノ、（チオ）カルボン酸、（チオ）カルボン酸（チオ）エステル、（チオ）カルボン酸（チオ）アミド、（チオ）カルボン酸無水物および（チオ）カルボン酸ハライド（これらに限定されない）のような電子求引性基で置換されている、非アニオン性不飽和配位子Ｌ１であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４８】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子の少なくとも１個は、Ｃ１−７アルキル、Ｃ３−１０シクロアルキル、アリールアルキルおよび複素環からなる群から選択され、前記基は、任意で、１つ以上の、好ましくは、ハロゲン、ニトロ、シアノ、（チオ）カルボン酸、（チオ）カルボン酸（チオ）エステル、（チオ）カルボン酸（チオ）アミド、（チオ）カルボン酸無水物および（チオ）カルボン酸ハライド（これらに限定されない）のような電子求引性置換基で置換されている非アニオン性配位子Ｌ２であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４９】
前記少なくとも１の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）は、４座配位性配位子であり、前記多配位金属錯体（ａ）は１または２個の、芳香族および不飽和シクロ脂肪族基、好ましくはアリール、ヘテロアリールおよびＣ４−２０シクロアルケニル基からなる群から選択され、前記芳香族または不飽和シクロ脂肪族基は、任意で、１つ以上のＣ１−７アルキル基またはハロゲン、ニトロ、シアノ、（チオ）カルボン酸、（チオ）カルボン酸（チオ）エステル、（チオ）カルボン酸（チオ）アミド、（チオ）カルボン酸無水物および（チオ）カルボン酸ハライド（これらに限定されない）のような電子求引性基で置換されている非アニオン性配位子Ｌ７である、他の配位子（ｉｉ）を含むことを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項５０】
前記酸（ｂ）は、光酸発生剤からイン・サイチューで発生する酸である請求項１５記載の生成物。
【請求項５１】
金属と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）との間の結合が少なくとも部分的に開裂した生成物を含む請求項１５記載の生成物。
【請求項５２】
（ａ）主触媒種として、請求項１５〜５１のいずれか１項に記載の反応生成物と、
（ｂ）ルイス酸助触媒（ｂ１）、触媒活性化剤（ｂ２）およびラジカル移動可能な原子またはグループを有する開始剤（ｂ３）からなる群から選択される１つ以上の第二触媒成分とを含む触媒系。
【請求項５３】
第二触媒成分が、ボロントリハライド類；リントリハライド類；トリアルキルボロン化合物；トリアリールボロン化合物；有機アルミニウム化合物；マグネシウムジハライド類；アルミニウムトリハライド類；四塩化スズ；チタニウムまたはバナジウムトリハライド類またはテトラハライド類またはテトラアルコキシド類；アンチモンペンタハライド類およびビスマスペンタハライド類からなる群から選択される助触媒（ｂ１）を含む請求項５２記載の触媒系。
【請求項５４】
第二触媒成分が、触媒活性化剤（ｂ２）として、ジアゾ化合物を含む請求項５２記載の触媒系。
【請求項５５】
第二触媒成分が、ラジカル移動可能な原子またはグループを持つ開始剤（ｂ３）として、式Ｒ３５Ｒ３６Ｒ３７ＣＸ１（式中、
−Ｘ１は、ハロゲン、ＯＲ３８（式中、Ｒ３８は、Ｃ１−２０アルキル、ポリハロＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルキニル（好ましくはアセチレニル）、Ｃ２−２０アルケニル（好ましくはビニル）、任意で１〜５個のハロゲン原子またはＣ１−７アルキル基で置換されているフェニル、およびフェニル−置換Ｃ１−７アルキルから選択される）、ＳＲ３９、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ３９、ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ３９、ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＲ３９）２、ＯＰ（＝Ｏ）ＯＲ３９、Ｏ−−Ｎ（Ｒ３９）２およびＳ−−Ｃ（＝Ｓ）Ｎ（Ｒ３９）２（式中、Ｒ３９はアリールまたはＣ１−２０アルキル、またはＮ（Ｒ３９）２基が存在する場合は、２個のＲ３９基は結合して５、６、または７員環複素環（前記ヘテロアリールの定義に従う）を形成してもよい）からなる群から選択され、
−Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、Ｃ１−２０アルキル（好ましくはＣ１−６アルキル）、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ４０（式中、Ｒ４０は、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０アルコキシ、アリールオキシまたはヘテロアリールオキシからなる群から選択される）、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ４１Ｒ４２（式中、Ｒ４１およびＲ４２は、独立して、水素およびＣ１−２０アルキルからなる群から選択され、あるいはＲ４１とＲ４２とが結合して、炭素数２〜５個のアルキレン基を形成してもよい）、ＣＯＣｌ、ＯＨ、ＣＮ、Ｃ２−２０アルケニル（好ましくはビニル）、Ｃ２−２０アルキニル、オキシラニル、グリシジル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキルおよびアリール−置換Ｃ２−２０アルケニルからなる群から選択される）で表される化合物を含む請求項５２記載の触媒系。
【請求項５６】
（ａ）請求項１５〜５１のいずれか１項に記載の触媒活性反応生成物または請求項５２記載の触媒系と、
（ｂ）前記触媒活性生成物または触媒系（ａ）を担持するに適した担持量の担体とを含む担持触媒。
【請求項５７】
触媒成分の存在下での、オレフィンまたはアセチレンメタセシス反応、または原子またはグループの、エチレン性またはアセチレン性不飽和化合物、または他の反応性基質への移動を含む反応を行う方法であって、前記触媒成分が、請求項１５〜５１のいずれか１項に記載の触媒活性反応生成物または請求項５２〜５５のいずれか１項に記載の触媒系を含む方法。
【請求項５８】
前記原子またはグループのオレフィンまたは他の反応性基質への移動を含む反応は、
−１つ以上のラジカル（共）重合性モノマー、特にモノおよびジエチレン性不飽和モノマーの原子またはグループ移動ラジカル重合；
−対応する飽和ポリハロゲン化付加物を得るための、式ＣＸｎＨ４−ｎ（式中、Ｘはハロゲンであり、ｎは２〜４の整数である）を有するポリハロメタンのエチレン性不飽和化合物への原子移動ラジカル付加；
−アルク−１−エニルエステル類、またはエノールエステル類、またはマルコフニコフ付加物、または反マルコフニコフ型付加物、またはこれらの混合物を生成するための、モノまたはジアルキンの、モノまたはジカルボン酸とのビニル化反応；
−１つ以上のシクロプロパン構造単位を持つ有機化合物を生成する、α−エチレン性不飽和化合物のシクロプロパン化；
−２−アミノベンジルアルコールとケトン類との酸化環化によるキノリン合成；
−エポキシド類を生成するα−エチレン性不飽和化合物のエポキシ化；
−アルコール類を生成する飽和炭化水素、スルホキシド類およびスルホン類を生成するスルフィド類、ホスホネート類を生成するホスフィン類、またはカルボン酸を生成するアルコール類およびアルデヒド類の酸化を含む、有機化合物の酸化；
−１つ以上のシクロプロペン構造単位を持つ有機化合物を生成するアルキンのシクロプロペン化；
−飽和ニトリル類を生成するα−エチレン性不飽和化合物、不飽和ニトリル類を生成するアルキン、またはβ−シアノカルボニル化合物を生成するα，β−不飽和アルデヒド類またはケトン類のヒドロシアン化；
−飽和シランを生成するオレフィン類、不飽和シランを生成するアルキン類、またはシリルエーテル類を生成するケトン類のヒドロシリル化、またはシアノヒドリントリメチルシリルエーテル類を生成するアルデヒド類のトリメチルシリルシアン化；
−１つ以上のアジリジン構造単位を持つ有機化合物を生成するイミン類またはアルケン類のアジリジン化；
−飽和アミド類を生成するオレフィン類のヒドロアミド化；
−アルカン類を生成するオレフィン類の、またはアルコール類を生成するケトン類の水素化；
−飽和第一級または第二級アミン類を生成するオレフィン類のアミノ分解；
−アルデヒド類を生成するアルコール類、好ましくはアリル性アルコール類の異性化；
−アルカン類またはアリールアルカン類を生成するアルキルまたはアリールハライド類のグリニャールクロスカップリング；
−アルキルボラン類およびトリアルキルボラン類を生成するオレフィン類のヒドロホウ素化；
−アルコール類を生成するアルデヒド類およびケトン類のヒドリド還元；
−α，β−不飽和カルボキシル化合物またはβ−ヒドロキシカルボニル化合物を生成する飽和カルボキシル化合物のアルドール縮合、および環状α，β−不飽和カルボキシル化合物を生成するジアルデヒド類またはジオン類の分子内アルドール縮合；
−飽和ポリカルボキシル化合物を生成する、ケトンまたはβ−ジカルボニル化合物のα，β−不飽和カルボキシル化合物へのマイケル付加；
−飽和多環式カルボキシル化合物を生成するロビンソン環化反応；
−アリールアルケン類またはヘテロアリールアルケン類を生成するアリールハライドまたは１−ヘテロ−２，４−シクロペンタジエンまたはそのベンゾ−縮合誘導体とα−エチレン性不飽和化合物とのヘック反応；
−より高級な飽和炭化水素を生成するアルケン類の、またはより高級なアルケン類を生成するアルキン類の共二量化；
−アルコール類を生成するオレフィン類のヒドロキシル化；
−アミン類を生成するオレフィン類およびアルキン類のヒドロアミノ化、
−アルキル化ケトン類、好ましくはアリル性ケトン類を生成するケトン類のアルキル化、好ましくはアリルアルキル化；および
−任意で置換されるシクロヘキセン類を生成する共役ジエンのα−エチレン性不飽和化合物へのシクロ付加反応、または任意で置換される７−オキサノルボルネンを生成するフランのα−エチレン性不飽和化合物へのシクロ付加反応のようなディールス−アルダー反応からなる群から選択される請求項５７記載の方法。
【請求項５９】
前記メタセシス反応は、歪み環状オレフィン類の開環メタセシス重合である請求項５７記載の方法。
【請求項６０】
触媒成分が担体上に担持されている請求項５７記載の方法。
【請求項６１】
前記担体が、無定形または準結晶性物質のような多孔性無機固体、１つ以上の無機オキシドを含む結晶性モレキュラーシーブおよび変性層状物質、および有機ポリマー樹脂からなる群から選択される請求項６０記載の方法。
【請求項１】
多配位金属錯体、その塩、溶媒和物または鏡像体を修飾する方法であって、前記多配位金属錯体は、（ｉ）イミノ基を含み、前記イミノ基の窒素原子に加えて、酸素、イオウおよびセレニウムからなる群から選択される更なるヘテロ原子の少なくとも１個を介して金属に配位する、少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子と（ｉｉ）１つ以上の他の配位子とを含み、前記方法は、前記酸が、少なくとも部分的に、金属と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）との間の結合を開裂することができる条件で、前記多配位金属錯体を酸に接触させることを含み、前記他の配位子（ｉｉ）は、前記条件下で、前記酸によってプロトン化されないように選択される方法。
【請求項２】
前記条件は、前記酸と前記多配位金属錯体との間のモル比が１．２を超え、４０未満であることを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記条件は、接触時間が５秒〜１００時間であることを含むことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記条件は、接触温度が約−５０℃〜約＋８０℃であることを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記他の配位子（ｉｉ）が、ホスフィン類、アミン類、アルシン類およびスチビン類からなる群から選択されないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記酸のｐＫａが、前記多座配位性シッフ塩基配位子（ｉｉ）のｐＫａより低い請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、少なくとも１５のｐＫａを有する制限立体障害配位子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）における、前記イミノ基の窒素原子と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）の前記配位しているヘテロ原子との間の炭素原子の数が、２〜４であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、Ｎ−複素環カルベン、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子およびアレニリデン配位子からなる群から選択されるカルベン配位子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、非アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸は、塩化水素酸または臭化水素酸である請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記条件は、多座配位性シッフ塩基配位子をプロトン化し、金属から前記多座配位性シッフ塩基配位子のイミノ基の窒素原子を脱配位化することができることを特徴とする請求
項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記条件は、金属から前記多座配位性シッフ塩基配位子のさらなるヘテロ原子を脱配位化することができることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
（ａ）（ｉ）イミノ基を含み、前記イミノ基の窒素原子に加えて、酸素、イオウおよびセレニウムからなる群から選択される更なるヘテロ原子の少なくとも１個を介して金属に配位する多座配位性シッフ塩基配位子を少なくとも１個と、（ｉｉ）１個以上の他の配位子とを含む多配位金属錯体、その塩、溶媒和物または鏡像体と、
（ｂ）前記多配位金属錯体（ａ）に関し、約１．２を超えるモル比で反応させる酸との反応生成物であって、ただし前記他の配位子（ｉｉ）は、前記酸によってプロトン化ができないものである、反応生成物。
【請求項１６】
前記他の配位子（ｉｉ）が、アミン類、ホスフィン類、アルシン類およびスチビン類からなる群から選択されないことを特徴とする請求項１５記載の生成物。
【請求項１７】
前記酸（ｂ）のｐＫａが、前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）のｐＫａより低いことを特徴とする請求項１５または１６記載の生成物。
【請求項１８】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）における、前記イミノ基の窒素原子と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）の前記ヘテロ原子との間の炭素原子の数が、２〜４であることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項１９】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、少なくとも１５のｐＫａを有する制限立体障害配位子であることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２０】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、Ｎ−複素環カルベン、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子およびアレニリデン配位子からなる群から選択されるカルベン配位子であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２１】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２２】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、非アニオン性配位子であることを特徴とする請求項１５〜１９のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２３】
前記酸は、塩化水素酸または臭化水素酸であることを特徴とする請求項１５〜２２のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２４】
一般式：
［Ｍ（Ｌｃ）（Ｌ２）（Ｘ）（ＳＢ＋）］Ｘ−
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくは、ルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−ＳＢ＋は、プロトン化シッフ塩基配位子、好ましくはプロトン化２座配位性シッフ塩基
配位子であり；
−Ｌｃは、カルベン配位子、好ましくは、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子、およびアレニリデン配位子からなる群から選択され；
−Ｌ２は、非アニオン性配位子、好ましくは、ホスフィン配位子以外であり；
−Ｘはアニオン性配位子であり；
−Ｘ−はアニオンである）で表される単一金属種、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２５】
一般式：
［Ｍ（Ｌｃ）（ＳＢ＋）（Ｘ１）（Ｘ２）（Ｍ’）（Ｘ３）（Ｌ）］Ｘ−
（式中、
−ＭおよびＭ’はそれぞれ、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から独立して選択される金属、好ましくは、ルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−ＳＢ＋は、プロトン化シッフ塩基配位子、好ましくはプロトン化２座配位性シッフ塩基配位子であり；
−Ｌｃは、カルベン配位子であり、好ましくは、アルキリデン配位子、ビニリデン配位子、インデニリデン配位子、およびアレニリデン配位子からなる群から選択され；
−Ｌは、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外であり；
−Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は、それぞれ独立して、アニオン性配位子から選択され；
−Ｘ−はアニオンである）で表される二金属種、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２６】
一般式（ＶＩ）：
【化１】
で表されるカチオン性単一金属種、または
一般式（ＶＩＩ）：
【化２】
で表されるカチオン性単一金属種
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｗは、酸素、イオウ、セレニウム、ＮＲ””、ＰＲ””、ＡｓＲ””およびＳｂＲ””からなる群から選択され；
−Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ””はそれぞれ、水素、Ｃ１−６アルキル、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択されるラジカルであり、またはＲ”とＲ’’’とが一緒になってアリールまたはヘテロアリールラジカルを形成し、各前記ラジカル（水素とは異なる場合）は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アリール、アルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群からそれぞれ独立して選択される１個以上の、好ましくは１〜３個の置換基Ｒ５で任意で置換され；
−Ｒ’は、一般式（ＩＡ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ””について定義されたものと同じであり、または一般式（ＩＢ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｃ１−６アルキレンおよびＣ３−８シクロアルキレンからなる群から選択され、前記アルキレンまたはシクロアルキレン基は１つ以上の置換基Ｒ５で任意で置換され；
−Ｌ２は、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外であり；
−Ｘは、アニオン性配位子であり；
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルケニル、Ｃ２−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ２−２０アルケニルオキシ、Ｃ２−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり；
−Ｒ’とＲ３およびＲ４のうちの１つとが互いに結合して、２座配位性配位子を形成してもよく；
−Ｒ’’’およびＲ””は互いに結合して、窒素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選択されるヘテロ原子を含む脂肪族環系を形成してもよく；
−Ｒ３およびＲ４は一緒になって縮合芳香族環系を形成してもよく；
−ｙは、Ｍと、Ｒ３およびＲ４を有する炭素原子との間のｓｐ２炭素原子の数を示し、０〜３（両端を含む）の整数である）、その塩、溶媒和物および鏡像体であり、前記カチオン性化学種は、アニオンと結合している請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２７】
一般式（Ｘ）：
【化３】
で表されるカチオン性二金属種、または
一般式（ＸＩ）：
【化４】
で表されるカチオン性二金属種
（式中、
−ＭおよびＭ’は、それぞれ、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から独立して選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｗは、酸素、イオウ、セレニウム、ＮＲ””、ＰＲ””、ＡｓＲ””およびＳｂＲ””からなる群から選択され；
−Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ””はそれぞれ、水素、Ｃ１−６アルキル、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択されるラジカルであり、またはＲ”とＲ’’’とが一緒になってアリールまたはヘテロアリールラジカルを形成し、各ラジカル（水素とは異なる場合）は、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アリール、アルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群からそれぞれ独立して選択される１個以上の、好ましくは１〜３個の置換基Ｒ５で任意で置換されてあり；
−Ｒ’は、一般式（ＩＡ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｒ”、Ｒ’’’およびＲ
””について定義されたものと同じであり、一般式（ＩＢ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｃ１−６アルキレンおよびＣ３−８シクロアルキレンからなる群から選択され、前記アルキレンまたはシクロアルキレン基は１つ以上の置換基Ｒ５で任意で置換され；
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルケニル、Ｃ２−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ２−２０アルケニルオキシ、Ｃ２−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり；
−Ｒ’とＲ３およびＲ４の１つとが互いに結合して、２座配位性配位子を形成してもよく；
−Ｒ’’’およびＲ””は互いに結合して、窒素、リン、ヒ素およびアンチモンからなる群から選択されるヘテロ原子を含む脂肪族環系を形成してもよく；
−Ｒ３およびＲ４は一緒になって縮合芳香族環系を形成してもよく；
−ｙは、Ｍと、Ｒ３およびＲ４を有する炭素原子との間のｓｐ２炭素原子の数を示し、０〜３（両端を含む）の整数であり、
−Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は、それぞれ独立して、アニオン性配位子から選択され；
−Ｌは、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外である）および、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２８】
一般式（ＶＩＩＩ）：
【化５】
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｘは、アニオン性配位子であり；
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルケニル、Ｃ２−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ２−２０アルケニルオキシ、Ｃ２−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり；
−Ｒ３およびＲ４は一緒になって縮合芳香族環系を形成してもよく；
−ｙは、Ｍと、Ｒ３およびＲ４を有する炭素原子との間のｓｐ２炭素原子の数を示し、０〜３（両端を含む）の整数であり、
−Ｘ’はアニオン性配位子であり；
−Ｌ３は、ホスフィン配位子以外の非アニオン性配位子である）で表される単一金属錯体、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項２９】
一般式（ＩＸ）：
【化６】
（式中、
−Ｍは、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される金属、好ましくはルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、銅、クロム、マンガン、ロジウム、バナジウム、亜鉛、金、銀、ニッケルおよびコバルトから選択される金属であり；
−Ｘはアニオン性配位子であり；
−Ｓは溶剤であり；
−Ｙは溶剤、またはＳがアルコールの場合ＹはＣＯであり；
−Ｌ１は、非アニオン性配位子、好ましくはホスフィン配位子以外である）で表される単一金属錯体、その塩、溶媒和物および鏡像体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３０】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、溶剤Ｓであり、前記複合体（ａ）は、アニオンＡに結合するカチオン性化学種である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３１】
前記多配位金属錯体（ａ）は、二金属錯体であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３２】
前記二金属錯体の１個の金属が、前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）および前記１つ以上の他の配位子（ｉｉ）に５座配位し、他の金属が、１つ以上の中性配位子および１つ以上のアニオン性配位子に４座配位することを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３３】
前記二金属錯体の各金属が、前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）および前記１つ以上の他の配位子（ｉｉ）に６座配位することを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３４】
二金属錯体の２個の金属が同じであることを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３５】
二金属錯体の２個の金属が異なることを特徴とする請求項３１記載の生成物。
【請求項３６】
前記多配位金属錯体（ａ）は単一金属錯体である請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３７】
前記多配位金属錯体（ａ）の金属は、周期表４、５、６、７、８、９、１０、１１および１２属からなる群から選択される遷移金属であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３８】
前記金属は、ルテニウム、オスミウム、鉄、モリブテン、タングステン、チタニウム、レニウム、テクネチウム、ランタニウム、銅、クロム、マンガン、パラジウム、白金、ロジウム、バナジウム、亜鉛、カドミウム、水銀、金、銀、ニッケルおよびコバルトからな
る群から選択されることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項３９】
前記多配位金属錯体（ａ）が、５座配位性金属錯体または４座配位性金属錯体であることを特徴とする請求項１５〜２３のいずれか１項に記載の生成物。
【請求項４０】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）は、２座配位性配位子であり、前記多配位金属錯体（ａ）は、２個の他の配位子（ｉｉ）を含むことを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４１】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）は、３座配位性配位子であり、前記多配位金属錯体（ａ）は、１個の他の配位子（ｉｉｉ）を含むことを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４２】
前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）が、図１に示される一般式（ＩＡ）および（ＩＢ）（式中、
−Ｚは、酸素、イオウおよびセレニウムからなる群から選択され；
Ｒ”およびＲ’’’は、それぞれ、水素、Ｃ１−７アルキル、Ｃ３−１０シクロアルキル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アリールおよびヘテロアリールからなる群から独立して選択されるラジカルであり、またはＲ”とＲ’’’とは一緒になってアリールまたはヘテロアリールラジカルを形成し、前記ラジカルはそれぞれ、任意で、ハロゲン原子、Ｃ１−６アルキル、Ｃ１−６アルコキシ、アリール、アルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−６アルキル−Ｃ１−６アルコキシシリル、Ｃ１−６アルキル−アリールオキシシリル、Ｃ１−６アルキル−Ｃ３−１０シクロアルコキシシリル、アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群からそれぞれ独立して選択される１個以上、好ましくは１〜３個の、置換基Ｒ５によって置換され；
−Ｒ’は、一般式（ＩＡ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｒ”およびＲ’’’について定義したものと同じであり、一般式（ＩＢ）で表される化合物に含まれる場合は、Ｃ１−７アルキレンおよびＣ３−１０シクロアルキレンからなる群から選択され、前記アルキレンまたはシクロアルキレン基は１個以上の置換基Ｒ５で任意で置換される）の１つで表されることを特徴とする請求項３９または４０記載の生成物。
【請求項４３】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個は、１個以上の水素原子が、制限立体障害を提供する、イミダゾール−２−イリデン、ジヒドロイミダゾール−２−イリデン、オキサゾ−ル−２−イリデン、トリアゾール−５−イリデン、チアゾール−２−イリデン、ビス（イミダ−ゾリン−２−イリデン）、ビス（イミダゾリジン−２−イリデン）、ピロリリデン、ピラゾリリデン、ジヒドロ−ピロリリデン、ピロリリジンイリデン、およびそのベンゾ−縮合誘導体、または非イオン性プロフォスファトラン超塩基からなる群から選択されるＮ−複素環カルベンの基で置換されている誘導体であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４４】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子の少なくとも１個は、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０アルケニル、Ｃ１−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ１−２０アルケニルオキシ、Ｃ１−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウム、アリールアンモニウム、ハロゲン原子およびシアノからなる群から選択されるアニオン性配位子であることを特徴とする請求項３９記載の生
成物。
【請求項４５】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）の少なくとも１個が、一般式＝［Ｃ＝］ｙＣＲ３Ｒ４
（式中、
−ｙは、０〜３（両端を含む）の整数であり、
−Ｒ３およびＲ４はそれぞれ、水素、またはＣ１−２０アルキル、Ｃ１−２０アルケニル、Ｃ１−２０アルキニル、Ｃ１−２０カルボキシレート、Ｃ１−２０アルコキシ、Ｃ１−２０アルケニルオキシ、Ｃ１−２０アルキニルオキシ、アリール、アリールオキシ、Ｃ１−２０アルコキシカルボニル、Ｃ１−８アルキルチオ、Ｃ１−２０アルキルスルホニル、Ｃ１−２０アルキルスルフィニル、Ｃ１−２０アルキルスルホネート、アリールスルホネート、Ｃ１−２０アルキルホスホネート、アリールホスホネート、Ｃ１−２０アルキルアンモニウムおよびアリールアンモニウムからなる群から選択されるラジカルであり、またはＲ３およびＲ４は互いに結合して、縮合芳香族環系を形成してもよい）で表されるカルベン配位子であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４６】
Ｒ３およびＲ４は一緒になって、前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子（ｉｉ）がフェニルインデニリデン配位子であるように縮合芳香族環系を形成することを特徴とする請求項４５記載の生成物。
【請求項４７】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子の少なくとも１個は、芳香族および不飽和シクロ脂肪族基、好ましくは、アリール、ヘテロアリールおよびＣ４−２０シクロアルケニル基からなる群から選択され、前記芳香族または不飽和シクロ脂肪族基は、任意で、１個以上のＣｌ−７アルキル基またはハロゲン、ニトロ、シアノ、（チオ）カルボン酸、（チオ）カルボン酸（チオ）エステル、（チオ）カルボン酸（チオ）アミド、（チオ）カルボン酸無水物および（チオ）カルボン酸ハライド（これらに限定されない）のような電子求引性基で置換されている、非アニオン性不飽和配位子Ｌ１であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４８】
前記多配位金属錯体（ａ）の前記他の配位子の少なくとも１個は、Ｃ１−７アルキル、Ｃ３−１０シクロアルキル、アリールアルキルおよび複素環からなる群から選択され、前記基は、任意で、１つ以上の、好ましくは、ハロゲン、ニトロ、シアノ、（チオ）カルボン酸、（チオ）カルボン酸（チオ）エステル、（チオ）カルボン酸（チオ）アミド、（チオ）カルボン酸無水物および（チオ）カルボン酸ハライド（これらに限定されない）のような電子求引性置換基で置換されている非アニオン性配位子Ｌ２であることを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項４９】
前記少なくとも１の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）は、４座配位性配位子であり、前記多配位金属錯体（ａ）は１または２個の、芳香族および不飽和シクロ脂肪族基、好ましくはアリール、ヘテロアリールおよびＣ４−２０シクロアルケニル基からなる群から選択され、前記芳香族または不飽和シクロ脂肪族基は、任意で、１つ以上のＣ１−７アルキル基またはハロゲン、ニトロ、シアノ、（チオ）カルボン酸、（チオ）カルボン酸（チオ）エステル、（チオ）カルボン酸（チオ）アミド、（チオ）カルボン酸無水物および（チオ）カルボン酸ハライド（これらに限定されない）のような電子求引性基で置換されている非アニオン性配位子Ｌ７である、他の配位子（ｉｉ）を含むことを特徴とする請求項３９記載の生成物。
【請求項５０】
前記酸（ｂ）は、光酸発生剤からイン・サイチューで発生する酸である請求項１５記載の生成物。
【請求項５１】
金属と前記少なくとも１個の多座配位性シッフ塩基配位子（ｉ）との間の結合が少なくとも部分的に開裂した生成物を含む請求項１５記載の生成物。
【請求項５２】
（ａ）主触媒種として、請求項１５〜５１のいずれか１項に記載の反応生成物と、
（ｂ）ルイス酸助触媒（ｂ１）、触媒活性化剤（ｂ２）およびラジカル移動可能な原子またはグループを有する開始剤（ｂ３）からなる群から選択される１つ以上の第二触媒成分とを含む触媒系。
【請求項５３】
第二触媒成分が、ボロントリハライド類；リントリハライド類；トリアルキルボロン化合物；トリアリールボロン化合物；有機アルミニウム化合物；マグネシウムジハライド類；アルミニウムトリハライド類；四塩化スズ；チタニウムまたはバナジウムトリハライド類またはテトラハライド類またはテトラアルコキシド類；アンチモンペンタハライド類およびビスマスペンタハライド類からなる群から選択される助触媒（ｂ１）を含む請求項５２記載の触媒系。
【請求項５４】
第二触媒成分が、触媒活性化剤（ｂ２）として、ジアゾ化合物を含む請求項５２記載の触媒系。
【請求項５５】
第二触媒成分が、ラジカル移動可能な原子またはグループを持つ開始剤（ｂ３）として、式Ｒ３５Ｒ３６Ｒ３７ＣＸ１（式中、
−Ｘ１は、ハロゲン、ＯＲ３８（式中、Ｒ３８は、Ｃ１−２０アルキル、ポリハロＣ１−２０アルキル、Ｃ２−２０アルキニル（好ましくはアセチレニル）、Ｃ２−２０アルケニル（好ましくはビニル）、任意で１〜５個のハロゲン原子またはＣ１−７アルキル基で置換されているフェニル、およびフェニル−置換Ｃ１−７アルキルから選択される）、ＳＲ３９、ＯＣ（＝Ｏ）Ｒ３９、ＯＰ（＝Ｏ）Ｒ３９、ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＲ３９）２、ＯＰ（＝Ｏ）ＯＲ３９、Ｏ−−Ｎ（Ｒ３９）２およびＳ−−Ｃ（＝Ｓ）Ｎ（Ｒ３９）２（式中、Ｒ３９はアリールまたはＣ１−２０アルキル、またはＮ（Ｒ３９）２基が存在する場合は、２個のＲ３９基は結合して５、６、または７員環複素環（前記ヘテロアリールの定義に従う）を形成してもよい）からなる群から選択され、
−Ｒ３５、Ｒ３６およびＲ３７は、それぞれ独立して、水素、ハロゲン、Ｃ１−２０アルキル（好ましくはＣ１−６アルキル）、Ｃ３−８シクロアルキル、Ｃ（＝Ｏ）Ｒ４０（式中、Ｒ４０は、Ｃ１−２０アルキル、Ｃ１−２０アルコキシ、アリールオキシまたはヘテロアリールオキシからなる群から選択される）、Ｃ（＝Ｏ）ＮＲ４１Ｒ４２（式中、Ｒ４１およびＲ４２は、独立して、水素およびＣ１−２０アルキルからなる群から選択され、あるいはＲ４１とＲ４２とが結合して、炭素数２〜５個のアルキレン基を形成してもよい）、ＣＯＣｌ、ＯＨ、ＣＮ、Ｃ２−２０アルケニル（好ましくはビニル）、Ｃ２−２０アルキニル、オキシラニル、グリシジル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキルおよびアリール−置換Ｃ２−２０アルケニルからなる群から選択される）で表される化合物を含む請求項５２記載の触媒系。
【請求項５６】
（ａ）請求項１５〜５１のいずれか１項に記載の触媒活性反応生成物または請求項５２記載の触媒系と、
（ｂ）前記触媒活性生成物または触媒系（ａ）を担持するに適した担持量の担体とを含む担持触媒。
【請求項５７】
触媒成分の存在下での、オレフィンまたはアセチレンメタセシス反応、または原子またはグループの、エチレン性またはアセチレン性不飽和化合物、または他の反応性基質への移動を含む反応を行う方法であって、前記触媒成分が、請求項１５〜５１のいずれか１項に記載の触媒活性反応生成物または請求項５２〜５５のいずれか１項に記載の触媒系を含む方法。
【請求項５８】
前記原子またはグループのオレフィンまたは他の反応性基質への移動を含む反応は、
−１つ以上のラジカル（共）重合性モノマー、特にモノおよびジエチレン性不飽和モノマーの原子またはグループ移動ラジカル重合；
−対応する飽和ポリハロゲン化付加物を得るための、式ＣＸｎＨ４−ｎ（式中、Ｘはハロゲンであり、ｎは２〜４の整数である）を有するポリハロメタンのエチレン性不飽和化合物への原子移動ラジカル付加；
−アルク−１−エニルエステル類、またはエノールエステル類、またはマルコフニコフ付加物、または反マルコフニコフ型付加物、またはこれらの混合物を生成するための、モノまたはジアルキンの、モノまたはジカルボン酸とのビニル化反応；
−１つ以上のシクロプロパン構造単位を持つ有機化合物を生成する、α−エチレン性不飽和化合物のシクロプロパン化；
−２−アミノベンジルアルコールとケトン類との酸化環化によるキノリン合成；
−エポキシド類を生成するα−エチレン性不飽和化合物のエポキシ化；
−アルコール類を生成する飽和炭化水素、スルホキシド類およびスルホン類を生成するスルフィド類、ホスホネート類を生成するホスフィン類、またはカルボン酸を生成するアルコール類およびアルデヒド類の酸化を含む、有機化合物の酸化；
−１つ以上のシクロプロペン構造単位を持つ有機化合物を生成するアルキンのシクロプロペン化；
−飽和ニトリル類を生成するα−エチレン性不飽和化合物、不飽和ニトリル類を生成するアルキン、またはβ−シアノカルボニル化合物を生成するα，β−不飽和アルデヒド類またはケトン類のヒドロシアン化；
−飽和シランを生成するオレフィン類、不飽和シランを生成するアルキン類、またはシリルエーテル類を生成するケトン類のヒドロシリル化、またはシアノヒドリントリメチルシリルエーテル類を生成するアルデヒド類のトリメチルシリルシアン化；
−１つ以上のアジリジン構造単位を持つ有機化合物を生成するイミン類またはアルケン類のアジリジン化；
−飽和アミド類を生成するオレフィン類のヒドロアミド化；
−アルカン類を生成するオレフィン類の、またはアルコール類を生成するケトン類の水素化；
−飽和第一級または第二級アミン類を生成するオレフィン類のアミノ分解；
−アルデヒド類を生成するアルコール類、好ましくはアリル性アルコール類の異性化；
−アルカン類またはアリールアルカン類を生成するアルキルまたはアリールハライド類のグリニャールクロスカップリング；
−アルキルボラン類およびトリアルキルボラン類を生成するオレフィン類のヒドロホウ素化；
−アルコール類を生成するアルデヒド類およびケトン類のヒドリド還元；
−α，β−不飽和カルボキシル化合物またはβ−ヒドロキシカルボニル化合物を生成する飽和カルボキシル化合物のアルドール縮合、および環状α，β−不飽和カルボキシル化合物を生成するジアルデヒド類またはジオン類の分子内アルドール縮合；
−飽和ポリカルボキシル化合物を生成する、ケトンまたはβ−ジカルボニル化合物のα，β−不飽和カルボキシル化合物へのマイケル付加；
−飽和多環式カルボキシル化合物を生成するロビンソン環化反応；
−アリールアルケン類またはヘテロアリールアルケン類を生成するアリールハライドまたは１−ヘテロ−２，４−シクロペンタジエンまたはそのベンゾ−縮合誘導体とα−エチレン性不飽和化合物とのヘック反応；
−より高級な飽和炭化水素を生成するアルケン類の、またはより高級なアルケン類を生成するアルキン類の共二量化；
−アルコール類を生成するオレフィン類のヒドロキシル化；
−アミン類を生成するオレフィン類およびアルキン類のヒドロアミノ化、
−アルキル化ケトン類、好ましくはアリル性ケトン類を生成するケトン類のアルキル化、好ましくはアリルアルキル化；および
−任意で置換されるシクロヘキセン類を生成する共役ジエンのα−エチレン性不飽和化合物へのシクロ付加反応、または任意で置換される７−オキサノルボルネンを生成するフランのα−エチレン性不飽和化合物へのシクロ付加反応のようなディールス−アルダー反応からなる群から選択される請求項５７記載の方法。
【請求項５９】
前記メタセシス反応は、歪み環状オレフィン類の開環メタセシス重合である請求項５７記載の方法。
【請求項６０】
触媒成分が担体上に担持されている請求項５７記載の方法。
【請求項６１】
前記担体が、無定形または準結晶性物質のような多孔性無機固体、１つ以上の無機オキシドを含む結晶性モレキュラーシーブおよび変性層状物質、および有機ポリマー樹脂からなる群から選択される請求項６０記載の方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公表番号】特表２００７−５２３９１４（Ｐ２００７−５２３９１４Ａ）
【公表日】平成１９年８月２３日（２００７．８．２３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−５０００１６（Ｐ２００７−５０００１６）
【出願日】平成１７年２月２５日（２００５．２．２５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＢＥ２００５／００００３０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０８２８１９
【国際公開日】平成１７年９月９日（２００５．９．９）
【出願人】（５００４５４０４６）
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年８月２３日（２００７．８．２３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年２月２５日（２００５．２．２５）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＢＥ２００５／００００３０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０８２８１９
【国際公開日】平成１７年９月９日（２００５．９．９）
【出願人】（５００４５４０４６）
【Ｆターム（参考）】
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