【課題】密着性の良好な撥液処理層を形成するための液浸露光装置用撥液処理組成物、および撥液処理方法を提供する。
【解決手段】この組成物は、露光ビームを照射し液体を介して基材を露光する液浸露光装置の部材表面を撥液処理するための組成物であり、少なくとも下記一般式（１）で示される有機ケイ素化合物と溶剤とを含有することを特徴とする。式中、Ｒ^１は炭素数１４〜３０の１価の有機基、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４はそれぞれ独立に炭素数１〜１０の１価の有機基または加水分解性基であり、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４の少なくとも１つは加水分解性基である。
【化１】
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【課題】リソグラフィー特性及びレジストパターン形状の向上や、パターン倒れの抑制を達成できるレジスト組成物の、クエンチャーとして有用である新規な化合物の提供。
【解決手段】一般式（ｃ１）で表される化合物［Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数５以上の脂環式基であり、Ｘは２価の連結基であり、Ｙは直鎖状、分岐鎖状、若しくは環状のアルキレン基、又はアリーレン基であり、Ｒｆはフッ素原子を含む炭化水素基であり、Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
［化１］
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【課題】解像性に優れ、パターン形状やＬＥＲ等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（化合物（Ｃ１）を除く）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）１００質量部に対し、酸発生剤成分（Ｂ）の含有割合は１０〜６０質量部であり、化合物（Ｃ１）と酸発生剤成分（Ｂ）との合計に対し化合物（Ｃ１）の含有割合は１〜１５モル％である［Ｒ^Ｃ１は水酸基、アルコキシ基、シアノ基、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（Ｒ^Ｃ２）＝ＣＨ_２又は−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^Ｃ３、Ｙ^１は２価の脂肪族炭化水素基、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基、ｐは１〜１０、Ａ^＋は有機カチオンを表す］。
[化１]
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【課題】レジスト材料に用いた場合に液浸水への溶出およびパターン依存性（ダーク・ブライト差）が少なく、化学増幅レジスト材料の光酸発生剤として有用である、カチオン部分にフルオロアルコキシ鎖を有するスルホニウム塩の提供。
【解決手段】一般式（２）で示されるアニオン部を有するスルホニウム塩。


（Ｒ¹は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示す。Ｒ²は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ^fは少なくとも１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜４のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】波長２００ｎｍ以下の放射線に対して優れた透明性を有し、適切なアルカリ加水分解性を有すると共に、構造の選択により撥水性、滑水性、表面偏在性など各種性能の調整が可能で、例えばフォトレジスト用添加剤又は保護膜材料等の水液浸ＡｒＦレーザー露光リソグラフィー材料を構成する高分子化合物を提供する。
【解決手段】特定の含フッ素エステル型単量体及び該含フッ素エステル型単量体繰り返し単位を有する高分子化合物、及び該高分子化合物が可視光から波長２００ｎｍ以下までの幅広い波長領域において優れた透明性を有し、また適切なアルカリ加水分解性を有することから、光機能性材料、コーティング材料等の原料として有用で、更に、フォトレジスト用添加剤又は保護膜材料等の水液浸ＡｒＦレーザー露光リソグラフィー材料を構成するポリマーとして特に有用となる。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す；Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｒ^１は、ヒドロキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基又は炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基を表す；ｓは、互いに独立に、１〜３の整数を表す；Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】バインダー樹脂等の樹脂添加物の溶解性が高く、吸湿性が低い、電子部品パターン形成用溶剤組成物として好適なジプロピレングリコールジアルキルエーテルを提供する。
【解決手段】本発明のジプロピレングリコールジアルキルエーテルは、その２つの末端アルキル基の一方がメチル基であり、もう一方が炭素数５〜１０の直鎖状又は分岐鎖状アルキル基であることを特徴とする。前記ジプロピレングリコールジアルキルエーテルは電子部品パターン形成用溶剤組成物、特に、カラーフィルタパターン印刷用溶剤組成物として使用することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高コントラストのカラーフィルタ並びに高品質の液晶表示装置及び有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物からなることを特徴とする、添加剤。


（上記式（１）中、Ａ^１は、置換基を有していてもよい炭素数２〜１２の複素環基を表す。Ａ^２は、置換基を有していてもよいフェニレン基、又は置換基を有していてもよいナフチレン基を表す。Ｂ^１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜５のアルキル基、又は置換基を有していてもよい炭素数６〜１０の芳香族環基を表す。Ｒ^１１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜５のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基又は置換基を有していてもよい炭素数６〜１０の芳香族環基を表す。Ｘ^１は、＜２価の基群＞から選ばれる基を表す。） （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物に含まれる新規化合物を提供する。
【解決手段】例えば式（Ｉ-１）で表される化合物と式（ＩＩ-２）で表される化合物とを反応させて得られる式（ＩＩＩ-２）で表される化合物。
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【課題】高感度、高解像度であり、耐熱性や溶媒への溶解性も高いフォトレジスト材料を提供する。
【解決手段】下式（Ｉ）で表される環状化合物。


［式中、Ｒは置換アルコキシカルボニルフェニル基等を表し、同一芳香環上の２つのＲ^１のうち一方は水素原子等を表し、他方は鎖状若しくは分岐状構造でありかつＯ−Ｒ^１が２．２〜５．５オングストロームの大きさを有する基を表し、Ｒ^２は水素原子等を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^２は水酸基、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。環Ｗ^２はＣ_４-３６飽和炭化水素環を表し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−は、−ＣＯ−又は−Ｏ−で置き換わっていてもよい。但し、前記飽和炭化水素環に含まれる−ＣＨ_２−の少なくとも１つは−ＣＯ−に置き換わる。Ｒ^３はＣ_１-６アルキル基、Ｃ_１-６アルコキシ基又はＣ_１-６アルコキシカルボニル基を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］
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【課題】酸化反応の繰り返しに耐性のある、また、発光効率の高い、また、素子寿命が長い発光素子の提供。
【解決手段】（１）で表されるアントラセン誘導体。（Ｒ²〜Ｒ⁴、Ｒ⁷〜Ｒ⁹は、それぞれ独立に、水素、または炭素数１〜４のアルキル基、またはＮ−（４−ジフェニルアミノ）フェニル−Ｎ−フェニルアミノ基のいずれかを表す。また、Ｒ¹、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ¹⁰は、それぞれ独立に、水素、または炭素数１〜４のアルキル基を表す。）
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【課題】高感度で、高解像度のレジストパターンを作製することができ、集積度の高い半導体素子を高い生産性で作製することが可能となるレジスト組成物およびそれに用いることができる化合物を提供する。
【解決手段】本発明は、（ａ）炭素数５〜４５の芳香族ケトンまたは芳香族アルデヒド、および炭素数６〜１５であり１〜３個のフェノール性水酸基を含有する化合物の縮合反応により製造されたポリフェノール化合物に、可視光線、紫外線、エキシマレーザー、極端紫外線（ＥＵＶ）、電子線、Ｘ線、およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的又は間接的に架橋反応を起こす架橋反応性基を導入する試剤を反応させることにより製造され、（ｂ）分子量が３００〜５０００であり、かつ（ｃ）該架橋反応性基を分子中に少なくとも１個有するレジスト化合物（Ａ）を一種以上含むレジスト組成物およびそれに用いる化合物である。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホン酸塩。


（Ｒ¹はＣ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１５のアリール基又はＣ４〜１５のヘテロアリール基。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン。）
【効果】本発明のスルホン酸は、α，β−位がフッ素で部分置換されているため強い酸性度を示す上、様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅が大きい。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での各種工程に問題なく使用でき、ＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少ない。また、エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため、レジスト廃液を適切に処理することで、低分子量の低蓄積性化合物へと変換可能で、燃焼廃棄時の燃焼性も高い。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するパターンを形成することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す；Ｌ^１は、２価の炭素数２〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す；Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、ドライエッチング耐性に非常に優れ、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、パターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜を形成するためのレジスト下層膜材料であって、少なくとも、（Ａ）フラーレン骨格を有する物質と電子吸引基含有１，３−ジエン化合物誘導体との反応生成物であるフラーレン誘導体、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れる塩、この塩を含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、これを含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい飽和炭化水素基又は芳香族炭化水素基；Ｒ^２〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基又はアルコキシ基；Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい飽和環状炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の微細パターンの形成においても、パターン倒れが改良され、良好なプロファイルのパターンを形成する感光性組成物に用いられる新規な化合物を提供する。
【解決手段】下式で示される多環環状炭化水素構造を有するアリールスルホニウム塩。


［式中、Ｘ₁及びＸ₂はそれぞれ独立にアリール基等を表し、Ａｒ₁はアリール基を表し、Ｙ₁は単結合又は２価の連結基を表し、Ｙ₂は多環環状炭化水素基を表し、ｍ₁及びｍ₂は０〜２の整数を表し、ｍ₃は１又は２を表し、ここでｍ₁＋ｍ₂＋ｍ₃＝３であり、ｍ₄は１〜３の整数を表し、Ｘ-は対アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ｂ１）で表される化合物；該酸発生剤；酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分が一般式（ｂ１）で表される化合物であるレジスト組成物。式中、Ｒ¹は、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、又は、複素環式基を示し；Ｒ^２は、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を示し；ｘは０〜６の整数であり；ｎは０〜３の整数であり；Ｘ⁻はアニオンを示す。
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【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、前記２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｒ^３は、環状エーテル構造を含む基を表す。Ｚ^１＋は、有機カチオンを表す。］
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