【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好なレジストパターンを製造することのできる化合物、および該化合物およびその他モノマーから調整される樹脂を含有するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式中、Ｒ¹は、メチル基等を表す。Ｘ^１は、カルボニルオキシ、フェニレンオキシまたはフェニレンカルボニルオキシ結合基であり、Ａ^１は、単結合又は結合置換基を表し、Ｘ^２は、単結合または酸素等を表す。Ｒ^２は、炭素数１〜３６の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ネガ型レジストのパターン形成に際し、ラフネスが小さく、レジストパターンの倒壊やブリッジ形成を招くことなく安定的に微細パターンを形成することができるレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】
（ア）架橋反応によりネガ化する化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、
（イ）該膜を露光する工程、および
（ウ）有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法であって、前記レジスト組成物が、
（Ａ）分子量５００〜５０００の低分子量化合物、
（Ｂ）可視光線、紫外線、エキシマレーザー、電子線、極端紫外線（ＥＵＶ）、Ｘ線およびイオンビームからなる群から選ばれるいずれかの放射線の照射により直接的または間接的に酸を発生する酸発生剤、
（Ｃ）酸架橋剤、および
（Ｄ）溶剤
を含有することを特徴とするレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】温和な反応条件において容易にアセタール構造を有する多官能（メタ）アクリル酸エステルを製造する方法を提供する。
【解決手段】化合物（１）と化合物（２）とを反応させ化合物（３）を製造する。






（Ａはオキシアルキレン基、Ｒ1及びＲ2は水素原子又はメチル基を表す。） （もっと読む）

【課題】設計寸法の微細化に伴い、より優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）の特性が求められている。
【解決手段】式（Ｉ）


［式（Ｉ）中、Ａ^１及びＡ^２は炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基等を表し、Ａ^３は炭素数１〜１８の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１は炭素数１〜１０の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。］で表される塩（Ｉ）と、式（Ｂ１）


で表される塩（Ｂ１）と樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体微細加工の設計寸法がますます微細化していくことに従い、より優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）を有するレジストパターンの製造が求められている。
【解決手段】分子内に、３級硫黄原子及びカルボキシレート基をそれぞれ１つずつ有する塩、該塩を含有するレジスト組成物、並びに該レジスト組成物を用いるレジストパターンの製造方法。該塩としては、式（Ｉ）で表される塩が好ましい。


［式（Ｉ）中、Ａ^１及びＡ^２は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の１価の有機基であり、Ａ^３は炭素数１〜１８の２価の有機基である。Ａ^１及びＡ^２が互いに結合して、これらが結合している硫黄原子とともに複素環を形成していてもよく、Ａ^１及びＡ^３が互いに結合して、これらが結合している硫黄原子とともに複素環を形成していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】長期使用において機械的耐久性、電気的安定性及び画像流れ抑制を高い次元で満足した高性能な電子写真感光体の提供。
【解決手段】感光体の最表面層が連鎖重合性官能基を有する電荷輸送性化合物と、下記式（１）又は（２）で示されるウレア化合物とが含まれる混合物を硬化する。
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【課題】アダマンタン化合物に由来の基が導入されてなる新規なカリックスレゾルシンアレーントリマー誘導体およびその製造方法並びに当該カリックスレゾルシンアレーントリマー誘導体を用いたレジスト材料を提供する。
【解決手段】カリックスレゾルシンアレーントリマー化合物に下記化学式（ａ）で表わされる基を導入する。
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【課題】長期間にわたって、高画質な画像を形成することができる電子写真感光体が得られるトリアリールアミン誘導体の提供。
【解決手段】式（１）で表されるトリアリールアミン誘導体。


[式中、Ａｒ^１は、１個以上の置換基を有するフェニル基などを示し、Ａｒ^２及びＡｒ^３は、同一又は異なって、未置換若しくは置換のフェニル基、未置換若しくは置換の縮合多環炭化水素基、又は未置換若しくは置換のヘテロアリール基を示し、Ｒ^１及びＲ^２は、同一又は異なって、未置換若しくは置換のアルキル基、未置換若しくは置換のアルコキシ基、未置換若しくは置換のアラルキル基、又は未置換若しくは置換のアリール基を示す。] （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパタ−ンを製造できるレジスト組成物及び当該レジスト組成物の酸発生剤として有用である塩を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂、溶剤及び式（Ｉ）で表される塩を含有するレジスト組成物、並びに前記塩の提供。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２はアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】感度特性に優れる電子写真感光体、及び、接触帯電方式の帯電部を備える画像形成装置における転写メモリーの発生を抑制できる正帯電単層型電子写真感光体を与える正孔輸送剤を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるトリアリールアミン誘導体を用いる。


〔一般式（１）中、Ａｒ^１はアリール基、又は共役二重結合を有する複素環基であり、Ａｒ^２はアリール基であり、Ａｒ^１、及びＡｒ^２は、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、及びフェノキシ基からなる群より選択される１以上の基により置換されていてもよい。〕 （もっと読む）

【課題】毒性金属を含まず、ＳｂＦ₆^-塩に匹敵するカチオン重合性能や架橋反応性能を有し、かつこのものを使用した硬化物は特に耐熱試験後に透明性が低下する問題がない酸発生剤を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるフッ素化アルキルリン酸オニウム塩であって、当該オニウム塩中のアルカリ金属成分の含有量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸発生剤。
【化１】


［式（１）中、ＡはＶＩＡ族〜ＶＩＩＡ族（ＣＡＳ表記）の原子価ｎの元素を表し、ｎは１または２である。Ｒ１はＡに結合している有機基であり、Ｒ１の個数はｎ＋１である。Ｒｆは水素原子の８０％以上がフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。ｂはその個数を示し、１〜５の整数である。］ （もっと読む）

【課題】寿命が長くかつ安定した発光特性を有し、定電流駆動における電圧増加が最小限に抑えられた有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】陽極と有機電界発光層との間に形成された界面劣化防止層を備え、界面劣化防止層は、芳香族アミン化合物と無機物との混合物からなり、無機物は、周期律表上の１Ａ族、２Ａ族、３Ａ族及び４Ａ族のハロゲン化合物または酸化物から選ばれ、芳香族アミン化合物は、下記の化学構造式：


を有する。 （もっと読む）

【課題】エポキシ系化合物等の架橋反応に用いることができ、塩基の存在によって新たな塩基を発生可能であり、かつ塩基増殖反応が効率的に進行する塩基増殖剤及び当該塩基増殖剤を含有する塩基反応性樹脂組成物を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る塩基増殖剤は、塩基の作用により分解して連鎖的に塩基を発生することができるとともに、構成する塩基類として強塩基を用いているので、強塩基を連鎖的に発生させることが可能な塩基増殖剤となる。よって、かかる強塩基を発生可能な本発明の塩基増殖剤を、塩基と反応するエポキシ系化合物等の塩基反応性化合物に共存させると、増殖して発生する塩基により塩基反応性化合物を効率よく硬化させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来から知られている塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクターが必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、ｎが０である場合、Ｌ^１は単結合ではない。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、得られるパターンのフォーカスマージンの点で、必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。Ｌ^２は炭素数１〜６の２価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。環Ｗは炭素数３〜３６の脂肪族環等を表す。Ｒ¹は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む１価の有機基であり、該有機基は置換基を有していてもよい。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物から製造されるレジストパターンの側壁部に凹凸が発生する現象、すなわち、パターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の点で、従来の塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物は必ずしも十分に満足できるものではなかった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合、炭素数１〜１０のアルカンジイル基等を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環等を表す。Ｒ^１は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｒ^１−５、Ｌ^１−ＣＨ_２−、Ｙは特定の基。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はフッ素原子等を表す。Ｌ^１は単結合等を表す。Ｙは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の一価の脂環式炭化水素基等を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は水素原子等を表す。カチオンのＳを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。ｎは、１〜３の整数を表す。ｓは、０〜３の整数を表す。Ｒ^８は炭素数１〜６のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】パターン倒れの少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）式（ＩＩ）で表される酸発生剤及び（Ｄ）式（Ｉ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立に炭化水素基、アルコキシ基等；ｍ及びｎは独立に、０〜４の整数；Ｒ^３及びＲ^４は独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は２価の飽和炭化水素基；Ｒ^５は環状エーテル構造を含む基；Ｚ１^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたエッチング耐性、高い耐熱性等を有するレジスト下層膜を形成する。
【解決手段】一般式（１）で表されるビフェニル誘導体。


（Ａｒ１、Ａｒ２はベンゼン環又はナフタレン環を表す。ｘ、ｚはそれぞれ独立に０又は１を表す。） （もっと読む）