【課題】脱泡性に優れた光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第１のシリコーン樹脂（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く）と、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第１のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも１種を、塩基性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第１のシリコーン樹脂である。上記第２のシリコーン樹脂は、アルコキシシラン化合物及びジシロキサン化合物の内の少なくとも１種を、酸性触媒を用いて加水分解重縮合して得られる第２のシリコーン樹脂である。 （もっと読む）

【課題】吸湿リフロー試験においても樹脂のクラックやパッケージからの剥離が発生しない硬化物を与える硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び該組成物からなる光学素子封止材、並びにこの硬化物で封止された光学素子を提供する。
【解決手段】従来の硬化性オルガノポリシロキサン組成物に、特定のエステル結合とアルコキシシリル基を有する化合物を配合する。 （もっと読む）

【課題】腐食性ガスに対して高いガスバリア性を有し、更に脱泡性にも優れた光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記式（１Ａ）で表され、アリール基及びアルケニル基を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第１のシリコーン樹脂（但し、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン樹脂を除く）と、下記式（５１Ａ）で表され、アリール基及び珪素原子に結合した水素原子を有し、かつ実質的にアルコキシ基を有さない第２のシリコーン樹脂と、ヒドロシリル化反応用触媒とを含む。上記第１，第２のシリコーン樹脂におけるアリール基の含有比率はそれぞれ、３０モル％以上、７０モル％以下である。
【化１】
（もっと読む）

【課題】ポリシロキサン、ｏ−ナフトキノンジアジドスルホナート化合物、及び、溶剤、を含有する光硬化性ポリシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】当該ポリシロキサンは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより計測された４００と１０００００の間の範囲に含まれる分子量に対して累積重量％をプロットすることにより得られた積分分子量分布曲線、から計算した時、当該ポリシロキサンの全重量に対して、１００００〜８００００の範囲の分子量を有するポリシロキサン画分を２５〜６０重量％含有する。分子量が８００未満の当該ポリシロキサン中のオリゴマーの含有量は、光硬化性ポリシロキサン組成物の全重量に対して０〜１０重量％である。当該光硬化性ポリシロキサン組成物から形成された保護膜、及び、当該保護膜を含んでいる素子もまた、開示される。 （もっと読む）

【課題】高温耐熱性、柔軟性、透明性、耐熱黄変性、耐光黄変性等の物性を保有する硬化物を与える硬化性樹脂組成物及びこれを含む封止剤、ならびにこれらの硬化物を提供する。
【解決手段】ラダー型シルセスキオキサン（Ａ）と、フッ素含有化合物（Ｂ）と、ヒドロシリル化触媒（Ｃ）とを含むことを特徴とする硬化性樹脂組成物及びこれを含む封止剤、ならびにこれらの硬化物を提供する。上記フッ素含有化合物（Ｂ）は、好ましくは、下記式（Ｂ１）
【化１】


［式中、Ｒ^fはｎ価のフッ素化炭化水素基、ｎは１以上の整数］
で表される化合物である。 （もっと読む）

【課題】ガラス等の透明基板との高い密着強度を有し、太陽電池モジュール用封止材組成物のベース樹脂にポリオレフィン系樹脂を使用した場合であっても、密着強度及び耐久性に優れた太陽電池モジュール用封止材を提供する。
【解決手段】下記のシロキサン系化合物を含有する太陽電池モジュール用封止材組成物。


（上記一般式中、Ｒは、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ビニル基、スチリル基、イソシアネート基、アクリル基、アリル基、エポキシ基のいずれかであり、ｎは、０〜１０の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】
本発明は、ポットライフに優れる光硬化型シリコーン樹脂組成物の硬化方法であって、シリコーン樹脂組成物を加熱初期の形状を維持したまま硬化することができる、シリコーン樹脂組成物の硬化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
（Ａ）一分子中に２つ以上のアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、
（Ｂ）一分子中にケイ素原子に結合する水素原子を２つ以上有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンの、前記（Ａ）成分中のアルケニル基１当量に対しケイ素原子に結合する水素原子が０．１〜４．０当量となる量、及び
（Ｃ）光活性型触媒 触媒量
を含有するシリコーン樹脂組成物を加熱することにより硬化する方法であって、該方法が加熱する工程の前にシリコーン樹脂組成物に光を照射する工程を含み、該光が発光スペクトルにおける３００ｎｍから４００ｎｍの領域に最大ピーク波長を有し、かつ該光の３００ｎｍより短い波長領域にある各波長の放射照度が前記最大ピーク波長の放射照度の５％以下である事を特徴とする硬化方法。 （もっと読む）

【課題】ポリ（メタ）アクリル酸エステルの造膜性、強靭性とシリコーンの熱安定性とを兼ね備えた硬化物を与える硬化性シリコーン組成物、及び該組成物を硬化させることにより得られるシリコーン樹脂硬化物を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中にケイ素原子に結合した水素原子（Ｓｉ−Ｈ基）を少なくとも１個含有する（メタ）アクリル酸エステルの重合体、又は１分子中にＳｉ−Ｈ基を少なくとも１個含有する（メタ）アクリル酸エステルと、（メタ）アクリル酸エステル及びシロキサン含有（メタ）アクリル酸エステルから選ばれる少なくとも１種との共重合体、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を少なくとも２個有するオルガノポリシロキサン及び（Ｃ）ヒドロシリル化反応触媒を含有する硬化性シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】基板に対する固着性に優れた剥離コーティングを形成することが可能な剥離改質剤組成物を提供する。
【解決手段】ｉ）一般式ＳｉＯ_4/2からなる、１個以上のＱ単位、ｉｉ）一般式Ｒ^b₂ＳｉＯ_2/2からなる、１５〜９９５個のＤ単位（ここで、単位ｉ）及びｉｉ）は、いかなる適当な組み合わせで内部結合していてもよい）、及びｉｉｉ）一般式Ｒ^aＲ^b₂ＳｉＯ_1/2からなるＭ単位からなり、且つ重合度が２０〜１０００である分岐シロキサン（式中、各Ｒ^a置換基は、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、１〜６個の炭素原子を有するアルケニル基、及び１〜６個の炭素原子を有するアルキニル基からなる群から選択され、分岐シロキサン中の少なくとも３つのＲ^a置換基が、アルケニル又はアルキニル単位であり、各Ｒ^b置換基が、１〜６個の炭素原子を有するアルキル基、２〜６個の炭素原子を有するアルケニル基、アリール基、アルコキシ基、アクリレート基、及びメタクリレート基からなる群から選択される）を含む剥離改質剤組成物とする。 （もっと読む）

【課題】透明性、高屈折率、耐熱性、耐ヒートサイクルに優れるとともに、硫黄バリア性にも優れた光素子封止用シリコーン樹脂組成物を提供する。
【解決手段】芳香族基含有ジアルコキシシラン由来のＤ単位とアルケニル基含有トリアルコキシシラン由来のＴ単位とが、Ｄ単位／Ｔ単位のモル比０．２／１〜４．０／１で、ランダムに結合し、重量平均分子量が１０００〜３００００であるポリシロキサン誘導体と、アルケニル基と反応可能な硬化剤と、反応触媒とを含有する光素子封止用組成物。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れており、かつ蛍光体が沈降し難く、ディスペンス性が良好である光半導体装置用封止剤を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置用封止剤は、下記式（１）で表され、珪素原子に結合したアルケニル基及びメチル基を有する第１のオルガノポリシロキサン（但し、珪素原子に結合した水素原子を有さない）と、下記式（５１）で表され、珪素原子に結合した水素原子及びメチル基を有する第２のオルガノポリシロキサンと、ヒドロシリル化反応用触媒と、有機ケイ素化合物により表面処理されている酸化ケイ素粒子とを含む。上記第１，第２のオルガノポリシロキサンにおけるメチル基の含有比率はそれぞれ５０モル％以上である。本発明に係る光半導体装置用封止剤は、特定の粘度を有する。
【化１】
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【課題】高誘電率かつ絶縁性に優れた薄膜を与え得る硬化性組成物に関するものであり、さらに当該組成物を用いて形成した薄膜をゲート絶縁膜として適用し、良好な特性を示す薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】Ａ）ポリシロキサン系樹脂、Ｂ）有機金属化合物、Ｃ）有機溶剤を必須成分として含有し、有機金属化合物の含有率がポリシロキサン系樹脂に対して１０〜８０重量％である硬化性組成物により達成でき、該組成物からなる膜をゲート絶縁膜として用いた薄膜トランジスタは良好な特性を有する。 （もっと読む）

【解決手段】(A)平均組成式(1)R_aR¹_bSiO_(4-a-b)/2(1)で表され、25℃の粘度が100〜2,000mPa・sのオルガノポリシロキサン、(B)平均組成式(2)R²_cR³_dSiO_(4-c-d)/2(2)で表され、25℃の粘度が2,001〜10,000mPa・sのオルガノポリシロキサン、(C)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、(D)片末端3官能の加水分解性オルガノポリシロキサン、(E)熱伝導性フィラー、(F)白金系触媒を含有する25℃の粘度が400〜1,000Pa・sの熱伝導性シリコーングリース組成物。
【効果】放熱部材と発熱性電子部品に介在されるシリコーングリース組成物の硬化物は良好な熱伝導性を有するばかりでなく、柔軟性を有するためＩＣ等の電子部品の反りに対する追随性が良好で、密着性が維持されるので放熱性能が維持される。 （もっと読む）

【課題】透明性および耐熱性に優れながら、熱可塑性および熱硬化性を併有するシリコーン樹脂、そのシリコーン樹脂からなる封止材料、および、その封止材料が用いられる光半導体装置を提供すること。
【解決手段】式（１）で表される基を有するかご型オクタシルセスキオキサンと、かご型オクタシルセスキオキサンのヒドロシリル基のモル数より少ないモル数のアルケニル基を含有するアルケニル基含有ポリシロキサンとをヒドロシリル化触媒の存在下で反応して得られるシリコーン樹脂からなる封止材料を、光半導体素子の封止に用いる。


（式中、Ｒ^１は、１価の炭化水素基を示し、Ｒ^２は、水素または１価の炭化水素基を示す。但し、かご型オクタシルセスキオキサン全体の平均値として、Ｒ^２の１価の炭化水素基：水素のモル比が、６．５：１．５〜５．５：２．５の範囲である。） （もっと読む）

【課題】厚みが薄くても優れた衝撃緩衝性能を有する薄型衝撃緩衝材および薄型衝撃緩衝積層体を提供する。
【解決手段】シリコーンゲル（Ａ）に、フィラー（Ｂ）を配合してなる厚みが０．５〜２．０ｍｍの薄型衝撃緩衝材であって、前記フィラー（Ｂ）は、シリコーンゲル（Ａ）１００重量部に対して、１〜３．５重量部の合成樹脂の外殻を有する微小中空体（ｂ１）および１０〜３０重量部のシリカ（ｂ２）であり、且つ前記薄型衝撃緩衝材は、アスカーＣ硬度が１５〜６０であり、前記シリコーンゲル（Ａ）は、アスカーＣ硬度が５〜５５であることを特徴とする薄型衝撃緩衝材および薄型衝撃緩衝積層体など。 （もっと読む）

【課題】 金型離型性のよい透明樹脂硬化物を提供する。
【解決手段】 （Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、を必須成分とする硬化性組成物であって、（Ｄ）ＳｉＨ基或いはＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を含有する化合物[但し、化合物（Ａ）及び（Ｂ）を除く。]を含有することを特徴とする硬化性組成物。 （もっと読む）

【課題】スズ化合物を用いることなく、緩やかな条件で、両末端に反応性官能基を有するシリコーン樹脂を得ることができる、シリコーン樹脂の製造方法を提供する。
【解決手段】両末端にシラノール基を有するシリコーン樹脂（Ａ）と、１分子中に少なくとも２個のアルコキシ基を有するアルコキシシラン（Ｂ）とを、１分子中に少なくとも１個のカルボキシ基を有するカルボン酸化合物（Ｃ）の存在下で反応させて反応生成物を得る工程と、上記反応生成物から副生成物を除去し、主生成物である両末端に反応性官能基を有するシリコーン樹脂（Ｄ）を得る工程と、を備えるシリコーン樹脂の製造方法。 （もっと読む）

【解決手段】熱伝導性硬化物の薄膜の一方の面に基材フィルムを、他方の面にセパレーターフィルムをそれぞれ剥離可能に有する熱伝導部材であって、熱伝導性硬化物が、
(a)オルガノポリシロキサン、
(b)熱伝導性充填剤、
(c)オルガノハイドロジェンポリシロキサン、
(d)白金系化合物、
(e)反応制御剤、
(f)R₃SiO_1/2単位(Rは脂肪族不飽和結合を含有しない１価炭化水素基)とSiO_4/2単位とを含み、R₃SiO_1/2単位とSiO_4/2単位とのモル比が０．５〜１．５であるシリコーンレジン
を必須成分とする組成物の硬化物であり、基材フィルムがパーフロロアルキル基及びパーフロロポリエーテル基から選ばれるフッ素置換基を主鎖にもつ変性シリコーンにて離型処理を施したものである熱伝導部材。
【効果】本発明の熱伝導部材は、単層、薄膜でも取り扱い性が良好であり、また発熱性素子や放熱部材に粘着して容易に固定でき、しかも基材からの剥離性も良好である。 （もっと読む）

【課題】表面硬化性と深部硬化性とが両方ともに優れた硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】両末端にアルケニル基およびアルコキシ基を有するシリコーン樹脂（Ａ）と、有機チタン化合物（Ｂ）、ならびに／または、１分子中に少なくとも２個のＳｉ−Ｈ結合を有するポリシロキサン化合物（Ｃ）およびヒドロシリル化反応用触媒（Ｄ）と、を含有し、上記ポリシロキサン化合物（Ｃ）を含有する場合、上記アルケニル基１モルに対する上記Ｓｉ−Ｈ結合の量が０．５〜５．０モルである、硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来硬化が困難であった表面、特に、金などの貴金属層を有する基材表面上での熱伝導性シリコーン組成物の硬化を容易に行うことができるシリコーン構造体の製造方法及びこの方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも表面に貴金属層を有する基材の該表面上に熱伝導性シリコーン組成物の硬化膜を形成してなるシリコーン構造体を製造する方法において、熱伝導性シリコーン組成物の硬化剤として１０時間半減期温度が８０℃以上１３０℃未満のパーオキサイドを用いたシリコーン構造体の製造方法。 （もっと読む）