【課題】磁気特性と熱的安定性に優れたフッ化物磁性材料を提供する。
【解決手段】Ｔｈ₂Ｚｎ₁₇構造を有するＳｍ−Ｆｅ系材料を、反応条件を制御しつつフッ素化し、ｃ軸とａ軸の比Ｒ（＝ｃ／ａ）および格子体積Ｖについて、Ｒ≦１.４５５かつＶ≧８００（ų）とすることで、磁気特性と熱的安定性に優れた磁性材料を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、半導体素子、及び半導体素子と多孔質状金属層との接合面等における、クラックや剥がれを抑制可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板（Ｋ）またはリードフレーム（Ｌ）に設けられたパッド部（Ｐ）上に多孔質状金属層（Ｃ）を介して半導体素子（Ｓ）の金属層が接合されている半導体装置であって、前記多孔質状金属層（Ｃ）の外周側部位の金属密度がその内側に位置する中心側と比較して低いことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】タンタル粒子を高い収率で得られるタンタル粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタル化合物を還元剤で還元する還元工程と、前記還元工程で得られた還元物を水に懸濁させて懸濁液とし、この懸濁液を限外ろ過膜又は精密ろ過膜で処理する水洗工程とを有することよりなる。前記限外ろ過膜又は前記精密ろ過膜は中空糸膜であることが好ましく、前記水洗工程の後に、前記還元物を酸で洗浄する酸洗工程を実質的に有しないことがより好ましく、前記タンタル粒子は、静電容量が空気透過式比表面積が９０００ｃｍ^２／ｇ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】目的とする組成および粒径の無機化合物粒子を容易に得ることができる無機化合物粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる融点を持つ複数の元素を含む合成物である無機化合物粒子の製造方法。前記複数の元素のうち、前記無機化合物の融点以上の融点を有する元素を含む第一原料粒子と、前記無機化合物の融点未満の融点を有する元素を含む第二原料粒子とを含む原材料を、前記両原料粒子を構成する前記元素の状態図上のII領域（液−固相領域）とI領域（固相領域）の共晶温度以上、かつ前記無機化合物の融点未満の温度で加熱することによって、前記第一原料粒子に第二原料粒子の溶融液を含浸させて、前記第一原料粒子内での前記両元素の合成反応により前記無機化合物粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】不純物をなるべく含まずに、粒径の揃ったナノサイズレベルの金微粒子を含有する金コロイドを、安全で環境に優しくかつ簡単な手法で得る製造方法の提供。
【解決手段】炭素原子を含まぬオキソ酸又はその塩、好ましくは硫酸、リン酸、過塩素酸、またはそれらのアルカリ金属塩、を含む水溶液中で金をアノード酸化し、前記金の表面に形成した酸化皮膜を水に浸漬して水中に金微粒子を分散させる、金コロイドの製造方法、ならびに当該製造方法により得られる平均粒子径が５０ｎｍ以下の金コロイド。 （もっと読む）

【課題】ペーストに使用して焼成することにより膨れや欠けのない導体を形成することができる銀粉およびその製造方法を提供する。
【解決手段】銀イオンを含有する水性反応系に還元剤を添加して銀粒子を還元析出させた後、乾燥することにより得られた銀粉を１００℃より高く且つ４００℃より低い温度で熱処理することにより、５０℃から８００℃における最大熱膨張率が１．５％以下であり、５０℃から８００℃まで加熱した際に発熱ピークがなく、８００℃で恒量になるまで強熱したときの強熱減量が１．０％以下、タップ密度が２ｇ／ｃｍ^３以上、ＢＥＴ比表面積が５ｍ^２／ｇ以下である銀粉を製造する。 （もっと読む）

【課題】安全に製造することが可能なＩｎ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｓｅ合金焼結体、Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末、Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金粉末及びＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ合金焼結体の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明のＩｎ−Ｓｅ合金粉末の製造方法は、Ｉｎ粉末とＳｅ粉末を混合してＩｎ及びＳｅ混合粉末を作製する。Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、Ｉｎ及びＳｅの融点以上に加熱された加熱部に逐次的に投入される。
Ｉｎ及びＳｅ混合粉末は、加熱部に逐次的に投入されるため、その部分に含まれるＩｎとＳｅの合金化反応により発生した熱は次のＩｎ及びＳｅ混合粉末が投入されるまでに放熱される。したがって、ＩｎとＳｅの合金化反応に伴なう熱が爆発的に発生することが防止され、安全にＩｎ−Ｓｅ合金粉末を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】粉砕後の磁石粉末を加熱することによって、磁石粒子の表面を再生し、磁気性能を向上させた永久磁石及び永久磁石の製造方法を提供する。
【解決手段】粗粉砕された磁石粉末を、Ｍ−（ＯＲ）_ｘ（式中、ＭはＶ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ又はＮｂであり、Ｒは炭素数２〜６のアルキル基のいずれかであり、直鎖でも分枝でも良い。ｘは任意の整数である。）に該当する有機金属化合物とともに溶媒中でビーズミルにより粉砕し、磁石粒子表面に対して均一に有機金属化合物を付着させる。その後、乾燥した磁石粉末を低酸素雰囲気下において６００℃〜１０００℃で数時間保持することにより、磁石粉末４３を構成する各磁石粒子の再生処理を行う。更に、再生された磁石粉末を成形し、８００℃〜１１８０℃で焼成を行うことによって永久磁石１を製造する。 （もっと読む）

金属粉の生産方法および装置。本方法において、溶解した有用金属と少なくとも１つの媒介金属を含有する溶液とを混合して、溶解した有用金属を沈殿させて有用金属粉（14）とする。本方法では、酸含有出発溶液の第１部分を電解槽の陽極側（６）に陽極液（１）として供給して陽極と生産金属を含有する供給材料とに接触させ、また媒介金属も含有する酸含有出発溶液の第２部分を電解槽の陰極側（８）に供給して陰極液（３）として陰極（４）に接触させる。陽極（２）に電流を流すことにより、生産金属は酸化され、陽極液（１）に溶解する。出発溶液の第２部分に含有される生産金属は、陰極側（８）で還元される。陽極液溶液および陰極溶液を沈殿室（12）に供給して、溶解し酸化された生産金属と還元された媒介金属を含有する出発溶液の第２部分とを混合する。 （もっと読む）

交流（ＡＣ）電気分解方法で金属ナノ粒子を合成する時、還元剤と分散剤の濃度を、電流の強さに比例して一定に維持することで、合成される金属ナノ粒子の収率（ｙｉｅｌｄ）を大きく向上させることのできる交流電気分解法を用いた金属ナノ粒子の製造方法及びその装置が開示される。
前記金属ナノ粒子の製造方法は、反応容器内に、電解質及び分散剤を純水に溶解させて、電解溶液を準備する段階と、前記電解溶液内に、合成しようとする金属ナノ粒子と同じ材料からなる第１及び第２電極を距離を置いて反応容器に設置する段階と、前記第１電極と第２電極との間に交流電源を印加し、前記電解溶液内に第１及び第２電極の金属をイオン化させる段階と、時間当たり生成される金属イオンの濃度に対応して、金属イオンを還元させるための還元剤の濃度が一定であるように、還元剤を前記電解溶液内に投入することによって金属イオンを還元させて、金属ナノ粒子を合成する段階と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有毒な塩化金酸などの金化合物および還元剤を用いることなく、安全で環境に優しく、かつ簡単な手法で、粒径分布の狭い１００ｎｍ以下の粒状金ナノ粒子を製造する方法を提供する。
【解決手段】シュウ酸およびその塩を除くカルボン酸またはカルボン酸塩水溶液中で金をアノード酸化し、得られた多孔質膜を水に例えば一週間浸漬する。これにより多孔質膜の自然分解が起こり、その結果金ナノ粒子分散液が得られる。この分散液を遠心分離、ろ過などすることにより、金ナノ粒子を分離・回収し、必要に応じ乾燥して金ナノ粒子を得る。カルボン酸、カルボン酸塩としては、クエン酸、乳酸、酒石酸、林檎酸およびそれらの塩が好ましい。また金電極にかける電位は、水素標準電極電位に対して＋１．５〜１１Ｖ程度が好ましい。 （もっと読む）

【課題】ナノワイヤ変形現象を低減又は除去し、同時にゲルマニウムリッチナノワイヤを製造する実行容易な方法を提供する。
【解決手段】基板２は、第１シリコン層３と、第１及び第２固定領域と少なくとも１つの接続領域を含む３次元パターンを形成するシリコンゲルマニウム合金系材料からなるターゲット層１を備える。第１シリコン層３は引張応力がかかり、及び／又は、ターゲット層１は炭素原子を含む。第１シリコン層３は接続領域において除去される。接続領域のターゲット層１は、ナノワイヤ８を形成するために熱酸化される。第１シリコン層３の格子パラメータは、第１シリコン層３の除去後、サスペンデッドビームを構成する材料の格子パラメータと同一である。 （もっと読む）

本発明は、有機不純物又は有機膜を実質的に含まない表面を有する新規の金ナノ結晶及びナノ結晶形状分布に関する。具体的には、これらの表面は、溶液中の金イオンから金ナノ粒子を成長させるために有機還元剤及び／又は界面活性剤を必要とする化学的還元プロセスを用いて形成された金ナノ粒子の表面と比較して「クリーン」である。本発明は、金系ナノ結晶を製造するための新規の電気化学的製造装置及び技術を含む。本発明はさらにその医薬組成物を含み、また、金ナノ結晶又はその懸濁液又はコロイドを、対応する金療法がすでに知られている疾患又は状態の治療又は予防のために使用すること、そしてより一般的に言えば、病理学的細胞活性から生じる状態、例えば炎症（慢性炎症を含む）状態、自己免疫状態、過敏反応及び／又は癌疾患又は状態のために使用することを含む。１実施態様の場合、この状態はＭＩＦ（マクロファージ遊走阻止因子）によって媒介される。
（もっと読む）

【課題】欠陥サイトの無い、全長７５μｍ以上で直径が１０００ｎｍ以下である金属ガラスナノワイヤおよびその製造方法の提供。
【解決手段】リボン状または棒状を酸化防止雰囲気中で上端を固定して下端を牽引しつつ上下端部を除く一部分を移動式加熱フィラメントやレーザーにより過冷却液体領域まで急速加熱し、下端に加えられた張力による超塑性加工により長尺の金属ナノワイヤを形成し、急速冷却により結晶化を回避し金属ガラスナノワイヤを製造する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いナノピラー、ナノロッド等の金属部材、その製造方法の提供。
【解決手段】規則化度が７０％以上の陽極酸化皮膜の細孔内部にアスペクト比が５以上で金属を充填し、充填後、不活性ガス雰囲気中、または真空中で、３００℃以上、１０００℃以下の温度で焼成し、結晶性を向上させた金属部材。 （もっと読む）

【課題】アルカリ蓄電池の充放電の繰り返しによる容量の低下を抑制する。
【解決手段】水素吸蔵合金および磁性体クラスタを含み、水素吸蔵合金が、Ｎｉを２０〜７０重量％含み、磁性体クラスタが、金属ニッケルを含み、磁性体クラスタの平均粒径が、８ｎｍ〜１０ｎｍである電極用合金粉末。電極用合金粉末の製造法は、水素吸蔵合金を含む原料粉末を、水酸化ナトリウムをＡ重量％含む１００℃以上の水溶液とＢ分間接触させる活性化工程を含み、ＡおよびＢは、２４１０≦Ａ×Ｂ≦２８００を満たす。 （もっと読む）

【課題】還元析出時のＢｉおよびＴｅの凝集を防止することにより、ＢｉＴｅ合金をナノ粒子として生成させることができるＢｉＴｅ合金熱電材料ナノ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＢｉＴｅ合金ナノ粒子によるナノコンポジット熱電材料を製造する方法であって、Ｂｉ塩およびＴｅ塩を含みセラミックス粒子が分散する強酸性の分散液に、還元電位０．５Ｖ以上の強アルカリ性の還元剤を添加して、セラミックス粒子の表面にＢｉとＴｅを析出させ、熱処理によりＢｉＴｅ合金ナノ粒子とした後、焼結する工程を含む方法において、
上記還元剤の添加を、上記分散液中でのＢｉおよびＴｅの凝集を防止できるように十分に遅い速度で滴下することにより行なうことを特徴とするＢｉＴｅナノコンポジット熱電材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属粒子の表面がメソポーラス材料で被覆されている複合体を提供する。
【解決手段】界面活性剤を鋳型として用いて前記金属粒子の表面にメソポーラス材料を生成させる工程と、前記界面活性剤を溶媒抽出により除去する工程とを有する方法により、金属粒子の表面がメソポーラス材料で被覆されている複合体を製造する。この方法によれば、メソポーラス材料の孔が金属粒子の表面から略垂直な方向に貫通している複合体を好適に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ高収率で生産性が高く、不純物としてのシリカ粒塊が少ない非水系溶媒分散型シリカ被覆金ナノロッドを提供する。
【解決手段】CTAB(Cetyltrimethyl ammonium bromide)が吸着された金ナノロッド表面を、ポリアクリル酸を主成分とする高分子で被覆し、次いでシリカで被覆し、さらにその表面を少なくとも１つ以上の長鎖アルキル基を有する加水分解性ケイ素化合物で表面修飾したシリカ被覆金ナノロッド。 （もっと読む）

【課題】有害物質を極力低減させるとともに、成膜時のパーティクルの発生数が少なく、膜厚分布が均一であり、かつ４Ｎ（９９．９９％）以上の純度を持ち、半導体メモリーのキャパシタ用電極材を形成する際に好適なスパッタリングターゲット製造用高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得たスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに前記高純度Ｒｕ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｎａ、Ｋなどのアルカリ金属元素の各含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、Ａｌの含有量が１〜５０ｗｔｐｐｍであることを特徴とする高純度Ｒｕ粉末、及び純度３Ｎ（９９．９％）以下のＲｕ原料をアノードとし、溶液中で電解して精製する、同高純度Ｒｕ粉末の製造方法。 （もっと読む）