【課題】ナノメーターサイズの微細炭素質材料が均一に分散された金属被膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】微細炭素質材料が分散されているメッキ液を用い、被メッキ物の表面に、微細炭素質材料が分散された金属被膜をメッキする金属被膜の形成方法において、前記メッキ液中に界面活性剤を添加すると共に、二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方を供給し、前記二酸化炭素及び不活性ガスの少なくとも一方が超臨界状態又は亜臨界状態となるようにしてメッキを行う。本発明の金属被膜の形成方法は、電気メッキ方法及び化学メッキ方法の何れにも適用できる。 （もっと読む）

【課題】優れた電気導電性を有し、かつ凝集性が少なく、Ｎｉ被膜の厚みが均一な、Ｎｉメッキ粒子を提供する。
【解決手段】芯材粒子の表面に無電界Ｎｉメッキ法によりＮｉ被膜を設けたＮｉメッキ粒子において、Ｎｉ被膜中の厚み方向のＰ含有量を、芯材粒子側からＮｉ被膜表面側に漸減させる。具体的には、ＥＤＸにより求めた、Ｎｉ被膜中のＰとＮｉの含有比Ｐ／Ｎｉを、芯材粒子側界面からＮｉ被膜の厚みの１０％以下の領域で０．１５＜Ｐ／Ｎｉ＜０．４０とし、Ｎｉ被膜表面からＮｉ被膜の厚みの１０％以下の領域で０．０２＜Ｐ／Ｎｉ＜０．１５とし、それらの領域に挟まれた中央部の領域で０．０５＜Ｐ／Ｎｉ＜０．２０とする。 （もっと読む）

【課題】最外層として金めっき皮膜を有する従来技術の導電性粒子からなる導電性粉体と同等又はそれ以上の導電性と、電気信頼性を有する導電性粉体を提供すること。
【解決手段】芯材粒子の表面にニッケル皮膜が形成されたニッケル被覆粒子表面に、更にパラジウム皮膜が形成された導電性粒子からなる導電性粉体である。パラジウム皮膜表面から突出し、かつ該パラジウム皮膜と連続体になっている、高さが５０ｎｍ以上である突起部を粒子１個当たり５個以上有する。パラジウム皮膜中のリン含有量は３重量％以下である。導電性粒子のうち、一次粒子が占める割合は、導電性粉体の重量に対して８５重量％以上である。 （もっと読む）

【課題】環境に悪影響を及ぼすことなく製造され、塗膜が良好な密着性を有し、組み立て時及び使用時に塗膜粉の発生が抑制されるので、組み立ての作業性が良好であり、組み立て後の補修が不要であるとともに、外観品位が良好になり、耐食性が良好である耐食表面処理チェーンを提供する。
【解決手段】ローラチェーン１０は、内プレート１１、ブシュ１２、外プレート１３、連結ピン１４、及びローラ１５を備える。各構成部品は、鉄系母材上にニッケル系皮膜と、亜鉛、硝酸塩、及びメルカプト基含有シランカップリング剤以外のメルカプト基を含む有機化合物を含む水系防錆塗料を用いて形成された第１塗膜とを有する。そして、第１塗膜上に、顔料、珪酸ナトリウム、及びアクリルエマルジョン又はポリウレタン水性組成物を含有する上塗り塗料を用いて第２塗膜が形成されている。 （もっと読む）

本発明は、長手方向に作業エッジ領域(130、230、…、730)が形成された平坦な細長い本体(110、210、…、710)を備えた、特に印刷版の表面から印刷インキを掻き取るためのドクターブレード(100、200、…、700)であって、作業エッジ領域(130、230、…、730)が、少なくともニッケル-リン合金を基材とする第1の被膜(150、250、…、750)により被覆されたドクターブレードに関し、第1の被膜(150、250、…、750)が、ドクターブレードの摩耗挙動を改善するための少なくとも1つの添加成分(160、360、460、660、760、761)を含むことを特徴とする。
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【課題】 窒化珪素の高熱伝導性を損なうことなく、絶縁基板に必要とされる絶縁信頼性を高めた低熱抵抗の回路基板を提供することを目的とする。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板の表面に金属からなる回路パターンがろう材により接合されるとともに、前記回路パターンの表面にニッケルめっき層が形成されて構成された窒化珪素回路基板であって、回路パターンが形成された窒化珪素基板の主たる二表面の面粗さが異なり、面粗さの小さい主たる面の表面粗さＲａが０．２μm以上１．０μｍ以下であり、面粗さの小さい主たる面の沿面距離が基板厚みよりも大きく、且つ前記窒化珪素基板の厚みが０．２〜１．０ｍｍである窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材の基材表面にオゾンガス処理を最適な条件で行うことにより、無電解めっき処理において、めっきの析出を確実なものとし、さらには析出しためっき被膜が、安定した密着強度を有することができるオゾンガス処理方法を提供する。
【解決手段】樹脂基材の表面にオゾンガスを接触させることにより、前記基材表面にオゾンガス処理を行う方法であって、以下の式 Ｉ＝Ｄ×ｔ×ｅｘｐ（（−Ｌ／（２７３．１５＋Ｔ））、（ただし、Ｄはオゾンガス濃度（ｇ／Ｎｍ^３）、ｔは処理時間（分）、Ｔはオゾンガス温度（℃）、Ｌは温度係数である）で求められるオゾンガス暴露量Ｉを指標として、オゾンガス濃度Ｄ、処理時間ｔ、オゾンガス温度Ｔの条件を設定する条件設定工程と、前記設定した条件に応じて、前記基材表面を前記オゾンガスに暴露する暴露工程と、前記暴露した基材表面にアルカリ処理を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】はんだ等によって接続された場合に、十分に優れた落下強度を実現することが可能なめっき膜及びモジュール基板を提供すること。
【解決手段】本発明は、リンを含むニッケルめっき層と、該ニッケルめっき層上に金めっき層と、を有し、ニッケルめっき層におけるリン濃度が１１〜１６質量％であり、ニッケルめっき層の金めっき層側の面におけるリン濃度の平均値及び標準偏差をそれぞれＸ及びσとしたときに、（３×σ×１００）／Ｘの値が１０以下であるめっき膜５０、並びに当該めっき膜５０を備えるモジュール基板１００を提供する。 （もっと読む）

【課題】ボイドのないポリマー層を、塗布液に用いる溶媒の沸点に関わらず、短い乾燥時間で形成することが可能な、ポリマー層の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明のポリマー層の形成方法は、（ａ）ガラス転移温度が１８０℃以下のポリマーＰ、及び、該ポリマーＰを溶解する溶媒Ａを含む塗布液を、支持体上に塗布して塗膜を形成する工程と、（ｂ）該塗膜に、前記ポリマーＰを溶解しない、水及びアルコールの少なくとも一方を含む液体Ｂを接触させて、当該塗膜から溶媒Ａを取り除く工程と、（ｃ）該塗膜を乾燥する工程と、をこの順に含み、前記溶媒Ａと前記液体Ｂとが「溶媒Ａの沸点」＞「液体Ｂの沸点」の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記素材本体の表面に紫外線を照射して前記改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ２が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット３を、めっき槽１内へ、被処理ウェハ２が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽１の側壁には、薬液供給口４が設けられている。ポンプによって薬液供給口４からめっき槽１内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ２に対して平行な方向に流通させ、バッファー板６によって流れを整流してからウェハカセット３へ流す。 （もっと読む）

【課題】基材と環境とを流体連通するピンホール欠陥が実質的に存在しない無電解金属皮膜を有する物品を製造する方法の提供。
【解決手段】無電解金属皮膜２０のピンホール３０の封止方法は、（ａ）基材１０を無電解金属皮膜層２０で被覆して基材１０の表面に接触した無電解金属皮膜２０を有する被覆物品を形成する工程であって、基材１０と環境とを流体連通するピンホール欠陥が無電解金属皮膜２０に存在する工程、（ｂ）無電解金属皮膜層上に硬化性エポキシ封止材４０の層を塗工し、ピンホール欠陥を充填する工程、（ｃ）硬化性エポキシ封止材４０を硬化して硬化エポキシオーバーコート層を形成する工程、（ｄ）硬化エポキシオーバーコート層の大部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＳ樹脂又はＡＳＡ樹脂からなる樹脂基材の表面に、無電解めっきを行う無電解めっき処理方法及び無電解めっき材であり、特に、耐冷熱サイクルに優れた無電解めっき処理方法及び無電解めっき材を提供する。
【解決手段】質量平均分子量１７万以上のＡＳ樹脂を含む、ＡＢＳ樹脂又はＡＳＡ樹脂からなる樹脂基材の表面に、酸化活性種であるオゾンを、オゾンガス又はオゾン溶液を用いて接触させることにより、より複雑な形状の樹脂基材の表面を酸化させて活性化することができるので無電解めっき被膜の密着強度を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 （もっと読む）

【課題】 製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、高熱伝導で、かつ高
靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。
【解決手段】 開示される窒化珪素配線基板１は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基
板１１の表面に金属からなる配線回路パターン１３がろう材により接合されるとともに、
配線回路パターン１３の表面にめっき層が形成されて構成されている。この場合、窒化珪
素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 （もっと読む）

基板上に硬さが増加した金属−セラミック複合コーティングを製造する方法は、セラミック相のゾルをめっき液又は電解液を添加することを含む。めっき若しくはコーティングの前及び／又は間に、セラミック相のナノ粒子が基板の直接上に若しくは基板で形成する、並びに／あるいは金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成する、並びに／あるいはめっき液若しくは電解液中でのセラミック相のナノ粒子の形成及び／又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるのに十分低く調節したゾル添加割合で、ゾルを添加することができる。セラミック相は、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物であってよい。セラミック相以外のコーティングは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水１Ｌに、次亜リン酸を１１０〜１３０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを９８〜１２０ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを４５〜６０ｇ／Ｌ、硝酸鉛を０．００５〜０．０２５ｇ／Ｌ、チオ尿素を０．００３〜０．０２３ｇ／Ｌ、リンゴ酸を７０〜９５ｇ／Ｌ、さらに、ｐH緩衝剤として苛性ソーダを３０〜５０ｇ／Ｌ溶解させて、ｐＨ４．８〜５．３に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高分子基材に無電解めっき処理を行う場合に、密着性に優れためっき膜を、低コストで形成する。
【解決手段】高分子基材２１と、有機金属錯体を含有する加圧流体とを、有機金属錯体の還元温度未満で接触させて、有機金属錯体を高分子基材２１に浸透させる浸透工程と、高圧容器３に、有機金属錯体の還元温度未満で、有機金属錯体を含有しない高圧二酸化炭素を流動させて、高圧容器３内の加圧流体を希釈する希釈工程と、高圧容器３内に高圧二酸化炭素が含まれた状態で、高分子基材２１に浸透させた有機金属錯体を還元する還元工程とを有する高分子基材のめっき前処理方法。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき電極膜にワイヤボンディングを行う際に、信頼性の高いワイヤ接合力を得る手段を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、一面に無電解めっき電極膜１１０が形成された基板１０２と、基板１０２の一面に搭載された半導体チップ１２０と、半導体チップ１２０と無電解めっき電極膜１１０の一面とを接続するボンディングワイヤ１５０とを含む。ここで、無電解めっき電極膜１１０の一面のボンディングワイヤ１５０との接合部において、当該接合部の最下部の高さと当該接合部以外の一面の最高部の高さとの差である窪み量が１．５μｍ以下である。 （もっと読む）