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Fターム[4K022BA16]の内容

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Fターム[4K022BA16]に分類される特許

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【課題】めっき液の寿命低下を抑制しつつ、はんだ濡れ性を向上し、窒化珪素基板表面へのめっき付着を防止した回路基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板上に形成された導電部を含んだ回路基板であって、導電部の表面はNiSOを含むめっき液を用いてめっきされており、当該めっき表面のグロー放電発光分析により見いだされるS成分のピークが、Ni成分のピークよりも小さい回路基板である。 (もっと読む)


銅イオン源と、式Iの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが30ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化1】


[式中、
−R1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−R2基は、それぞれ独立して、R1またはアルキルから選ばれ、−XとYは独立して、また各繰返単位のXが独立して、C1〜C6アルキレン及びZ−(O−Z)m(但し、Z基はそれぞれ独立してC2〜C6アルキレンから選ばれる。)から選ばれるスペーサー基であり、−nは0以上の整数であり、−mは1以上の整数である。] (もっと読む)


【課題】樹脂粒子表面の一部が無電解メッキ金属薄膜で被覆されていない導電粒子の割合を極力抑制し、しかも凝集せずに一次粒子(単一粒子)で存在している割合が高く、接続抵抗の低減に有用な突部が表面に形成されている、異方性導電接着剤用途に適した導電粒子を提供する。
【解決手段】導電粒子は、加熱により自己縮合しうるメラミン化合物を吸着させるメラミン吸着処理が表面に施された樹脂粒子と、その表面に形成された無電解メッキ金属薄膜とから構成されている。更に、この無電解メッキ金属薄膜の表面には、接続抵抗を低減できる突部が形成されている。このような導電粒子は、メラミン化合物を樹脂粒子表面に吸着させるメラミン吸着処理工程、無電解メッキ促進用の触媒を析出させる触媒化処理工程、及び無電解メッキにより金属薄膜を形成する無電解メッキ処理工程を有する製造方法により製造される。 (もっと読む)


【課題】安価でありながら刃先の耐摩耗性、硬度、じん性及び耐衝撃性に優れたることで寿命が長い帯鋸の提供を目的とし、さらには、この帯鋸に好適な部分メッキ方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】帯鋸の刃先部分にのみ、部分的に無電解ニッケルメッキ皮膜を形成したことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】VGCF(商標)のような大きなサイズのCNTであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ni−Pめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ni−Pめっき液へのVGCF(商標)(市販の直径150nm前後、長さ10〜20μm程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ)の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてNi−Pめっきを施すめっき方法。 (もっと読む)


【課題】
特に、P含有量が大きいNi−P無電解めっき膜の上に形成される無電解めっきによる貴金属めっき膜の析出性及び密着性に優れた電気接点の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】
無電解めっき法にてNi−P無電解めっき膜をめっき形成し、次に、めっき浴中に陰極および陽極を設けて電流を流すことにより、前記Ni−P無電解めっき膜の陽極側に向く表面に、バイポーラ現象を利用してNi−PからなりNi含有量がNi−P無電解めっき膜よりも大きいバイポーラめっき膜をめっき形成する。バイポーラめっき膜はNi含有量が大きいため、貴金属めっき膜を無電解めっきするときの表面活性が高く貴金属めっき膜の析出性と密着性に優れた電気接点を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】パラジウムを0.1〜g/0.4L含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比(錯化剤/パラジウム)が25〜250となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、純チタン(Ti)またはTi合金からなるTi系基材の少なくとも一部を、ニッケル(Ni)を主成分とするNiメッキ液中に浸漬して該Ti系基材の表面にNiメッキ層を形成するメッキ工程と、該メッキ工程後のTi系基材に880℃以下で窒化処理を施す窒化工程と、を備えてなり、前記Ti系基材の少なくとも一部の表面に耐食性または導電性の少なくとも一方に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電材を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材は、純チタン(Ti)またはTi合金からなるTi系基材と、該基材の少なくとも一部の表面に形成された耐食性または導電性の少なくとも一方に優れる耐食導電性皮膜と、を備える耐食導電材であって、前記耐食導電性皮膜はリン化チタン皮膜であることを特徴とする。リン化チタン皮膜は、貴金属を使用した従来の皮膜よりも安価であると共に非常に優れた耐食性または導電性を示す。 (もっと読む)


【課題】単一層の金属箔に対して均一な微細孔を精度良く形成する金属フィルタの製造方法および金属フィルタを提供する。
【解決手段】フィルタ素材となる金属フィルム(金属箔2)に多数のフィルタ開口(開口部3a)を形成する開口形成工程と、多数のフィルタ開口を形成した金属フィルムに、金属めっきを施して各フィルタ開口を狭窄化するめっき工程と、を備えたものである。これにより、略20μm角の各フィルタ開口を5μm角〜10μm角に狭窄化する。 (もっと読む)


【課題】 特に、無電解メッキによりNiX層とPd層とを積層メッキする構成において、前記Pd層が安定して析出して接触信頼性等を向上させることが可能な弾性接点及びその製造方法等を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性接点20は、Ni−X(ただしXは、P、W、Mn、Ti、Be,Bのうちいずれか一種以上)にて無電解メッキされたアモルファス状態のNiX層32と、前記NiX層32の表面にNi−Xにて無電解メッキされ、元素Xの含有量が前記NiX層32よりも少ない結晶質状態の下地層33と、前記下地層33の表面に無電解メッキされたPdあるいはPd合金の金属層34とを有する。 (もっと読む)


【課題】熱交換器に使用した際にも、高温の水が接触する部分にスケールが付着せず、使用の過程で熱交換性能が低下しない銅合金部材、および、それを使用した熱交換器を提供する。
【解決手段】銅合金部材1は、冷媒により水を加熱する熱交換器に使用され、銅または銅合金からなる基材2と、基材2の少なくとも水と接触する側の表面に形成されためっき層3とを備え、めっき層3が、Pを0.010〜13.0質量%含有し、残部がNiと不可避的不純物からなり、めっき層3の厚さが0.1〜10μmであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 特に、無電解メッキ法を用いて、従来に比べて半田転写の改善や接触抵抗の安定性等を図ることが可能な表面層を弾性変形部に形成することが可能な接触子の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 弾性変形部を備える接触子の製造方法において、固定部21と、前記固定部21から延出形成された前記弾性変形部22とを有する芯部23を形成する工程、前記芯部23の表面に、無電解メッキ法にて、白金族金属層28をメッキ形成する工程、前記白金族金属層28の表面に、無電解メッキ法にて、Au層29をメッキ形成する工程、加熱処理を施して、最表面層に、白金族元素とAuとの合金層を形成する工程、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体106を形成するためのめっき液であって、Cu,Niなどの金属イオンを含む金属塩,炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤,前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体106を形成した導電体基板。 (もっと読む)


溶媒に溶解した硫酸を用いて、金属めっき用の熱可塑性基材を同時にコンディショニングおよびエッチングするための改善された方法を記載する。 (もっと読む)


この発明の方法は、(a)第一の金属またはその合金のナノ粒子の分散によって構成される電気絶縁性または半導電性の基板を備える段階と、(b)前記基板上に阻害物質の層を塗布し、光学的、熱学的、化学的、または電気化学的誘起により、該阻害物質の層を部分的に除去または非活性化し、それにより第一の金属またはその合金の少なくとも一部を露出させ、電子回路のパターンを得る段階(b)と、(c)無電解処理により、段階(b)で得られた前記基板に存在する、第一の金属またはその合金が露出した部分に、第二の金属またはその合金の層を堆積させる段階であって、これによって段階(b)を経た後でも該基板上に存在する阻害物質が、第一の金属またはその合金上に堆積される第二の金属またはその合金を部分的に阻害することで、第二の金属またはその合金が、段階(b)で得られた、第一の金属またはその合金の露出した部分に、選択的に堆積されることを確実にする段階を備える。 (もっと読む)


【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、Ti系基材の少なくとも一部を、Niを主成分とするNiメッキ液中に浸漬して、そのTi系基材の表面にNiメッキ層を形成するメッキ工程と、このメッキ工程後のTi系基材を窒化処理を施す窒化工程とを備えてなり、前記Ti系基材の少なくとも一部の表面にTi、NiおよびNを必須構成元素とする耐食性または導電性に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金の局所的な溶解を防ぐこと。
【解決手段】半導体基板の表面に形成されたアルミニウムを主成分とする電極の表面を、硝酸濃度が9mol/リットル以上20mol/リットル以下の硝酸溶液に浸漬することでデスマット処理を行う(ステップS3)。ついで、電極の表面に第1ジンケート処理を行い亜鉛置換膜を形成し(ステップS4)、この亜鉛置換膜を、硝酸濃度が9mol/リットル以上20mol/リットル以下の硝酸溶液に浸漬することで剥離する(ステップS5)。ついで、電極の表面に第2ジンケート処理を行い電極の表面に亜鉛置換膜を形成し(ステップS6)、この亜鉛置換膜の表面に無電解めっき処理によってめっき皮膜を形成する(ステップS7)。 (もっと読む)


【課題】基板に対する吸着または機械的な保持力を強めることなく、基板の離脱や脱落を確実に防止しつつ基板を保持して処理ができるようにする。
【解決手段】基板の裏面周縁部をシールしながら基板を保持する環状シールを備えた回転自在な保持ヘッド184を有し、保持ヘッド184は、基板を保持した状態での該保持ヘッド184の回転に伴って、環状シールでシールされた基板の裏面側に負圧を発生させる絞り機構260を有する。 (もっと読む)


【課題】離型剤を使用しなくても、高い離型効果を発揮し、耐摩耗性に優れる金型を提供する。
【解決手段】金型1の母材4の表面に、Ni−P合金メッキのメッキ皮膜の第1メッキ層12a,12bと、その外側に設けられ、かつNi−P合金メッキのメッキ皮膜にフッ素樹脂粒子が分散した複合メッキ皮膜の第2メッキ層13a,13bとから形成された被覆層11a,11bを形成させ、金型1の成形面とする。第2メッキ層13a,13b中のフッ素樹脂粒子の含有量は、20〜33体積%とする。 (もっと読む)


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