【課題】 精密な表面加工を可能にする軽量でかつ研磨性能に優れた安価な磁性砥粒及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 活性炭粒子上に磁性を有する含ニッケル無電解めっき層が形成されている磁性砥粒により、上記課題を解決した。この磁性砥粒は、活性炭粒子をＮｉＳＯ_４／ピコリン酸溶液に浸漬した後、この活性炭粒子を不活性雰囲気下にて加熱乾燥して、活性炭粒子に付着したピコリン酸とニッケルのキレート化アニオンをニッケル金属に還元すると共にピコリン酸を炭化させて、活性炭粒子上にニッケル金属元素を形成して、活性炭粒子の活性化を行い、次いで、含ニッケル無電解めっきを行うことにより製造できる。 （もっと読む）

【課題】超硬合金のための複合粉末製品の提供。
【解決手段】超硬切削工具及び耐磨耗製品のために適当な複合粉末製品が記載される。該製品は、硬質相上にコバルト又はニッケル又はコバルトとニッケルの混合物のコーティングが付着させられるところの、金属炭化物、金属窒化物、金属炭窒化物等内から選択される硬質粒子相を含む。硬質粒子相は０．１ないし１０μｍ、好ましくは０．１ないし２μｍの粒径を有する。 （もっと読む）

【課題】 目的の生理活性物質を高効率に固定化可能で、かつ固定化された目的の生理活性物質を高効率に回収可能な機能性粒子を提供することである。
【解決手段】 芯材粒子と、当該芯材粒子の表面に形成されたニッケル膜またはニッケル合金膜と、当該ニッケル膜またはニッケル合金膜の表面に形成された貴金属膜とを有し、磁性を帯びていることを特徴とする機能性粒子。貴金属膜は金膜、金合金膜、白金膜又は白金合金膜である。 （もっと読む）

【課題】１以上の金属または合金フィルムを基体上に堆積させるためのＵＶ硬化性組成物および方法を提供する。
【解決手段】１以上の金属または合金フィルムを基体上に堆積させるためのＵＶ硬化性組成物および方法が開示される。ＵＶ硬化性組成物は、触媒、１以上の担体粒子、１以上のＵＶ硬化剤、および１以上の水溶性または水分散性有機化合物を含有する。金属または合金を無電または電解堆積により基体上に堆積させることができる。 （もっと読む）

【課題】 安価な材料を用いてケイ素系重合体の表面をメタライズ処理するための表面処理方法を提供することである。また同様に任意の材料からなる基体表面をメタライズあるいは配線などの金属層のパターンを形成する方法を提供することである。
【解決手段】 ケイ素系重合体を遷移金属塩溶液あるいは遷移金属塩の懸濁液と接触させ、その後、該ケイ素系重合体を還元剤に接触させることにより、該ケイ素重合体上あるいはケイ素重合体中に遷移金属の微粒子を形成させることを特徴とするケイ素系重合体の表面処理方法である。 （もっと読む）

【課題】接触または無電解めっきを安定かつ効率的に実施するための化学的めっき方法を提案する。
【解決手段】金属外環２の開口にガラス４によりリード部材５を気密封着した気密端子１に部分めっきする場合、被めっき金属素材となるリード部材５に電気化学的な犠牲電極を設けてめっき液８に浸漬する化学的めっき方法である。ここでリード部材５の被めっき金属素材にニッケル、犠牲電極に亜鉛および錫が利用され金めっき液に浸漬して所望厚さに制御された金めっき膜９を無ピンホールで密着性良好なめっきを得る。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、セラミックやガラス、プラスチックなどの絶縁性基材の密着性が良好で、簡便かつ環境負荷の少ない無電解メッキ方法を提供することである。
【解決手段】本発明の上記課題は、基材を周期律表のＩＩa、ＩＩｂ、ＩＶa族金属のフッ化物を含有する前処理液で処理した後、無電解メッキ液で処理することを特徴とする無電解メッキ方法により達成された。 （もっと読む）

本発明は、絶縁性基体上への金属付着のための粘度調整可能な感光性分散液に関し、該感光性分散液は、光照射下に酸化−還元特性を与える顔料、金属塩、該金属塩の封鎖剤、液状膜形成性高分子配合物、塩基性化合物、有機溶媒および水を組み合せて含む。本発明はまた前記分散液の使用に関する。 （もっと読む）

カルコゲニド型メモリ・デバイスにおいて導電性相互接続部の上側に金属キャップを形成する方法が提供され、該方法は、基板１０の上側に第１導電性材料の層２１を形成する工程と、基板及び第１導電性材料の上側に絶縁層２０を堆積させる工程と、絶縁層に開口２２を形成して、第１導電性材料の少なくとも一部分を露出させる工程と、絶縁層の上側に且つ開口内に第２導電性材料３０を堆積させる工程と、第２導電性材料を部分的に除去して開口内に導電性区域を形成する工程と、開口内の導電性区域を絶縁層の上面よりも低い高さまで凹ます工程と、開口内の凹まされた導電性区域の上側に第３導電性材料のキャップ４０を形成する工程と、キャップの上側にカルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックを堆積させる工程と、カルコゲニド型メモリ・セル材料のスタックの上側に導電性材料を堆積させる工程とを備え、第３導電性材料は、コバルト、銀、金、銅、ニッケル、パラジウム、白金、及びそれらの合金の群の中から選択される。
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均一なめっき膜厚み、ウェハ裏面へのめっき析出防止および後工程への汚染防止を低コストで可能にしうる半導体ウェハのめっき方法を提供する。本発明は、半導体ウェハのＡｌ電極上に接続用端子をダイレクト形成する際に、ウェハ裏面を絶縁物で覆った状態で無電解めっき処理することを特徴とする半導体ウェハのめっき方法に関する。この絶縁物としては、製品の構成部品であるガラス基板であるのが好適である。 さらに、腐食性媒体に対する耐腐食性を向上させた半導体式センサを提供する。本発明は、半導体基板に、腐食性媒体の物理量もしくは化学成分を検出する構造部および電気量変換素子を有し、かつ検出した電気信号の外部導出端子であるパッド部を有する半導体式センサにおいて、該パッド部が貴金属で保護された半導体式センサに関する。
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【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有し、第１スズ化合物と第２スズ化合物を合わせたスズ化合物の総モル量に対して第２スズ化合物が３５乃至７５モル％の範囲にあることを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法において、活性化処理液を用いて得られた基材の銀鏡皮膜の腐食ムラ（斑点状ムラ）を防止する。また第２に活性化処理液の保存安定性が良好であり且つ、活性化処理液の作成直後から長期間にわたり安定した銀鏡皮膜被形成表面に対する親水性を得ることが出来る活性化処理液を提供する。
【解決手段】基材の表面に銀鏡皮膜を形成する方法にあたり、前記基材の銀鏡皮膜被形成表面を活性化する活性化処理液が、塩酸以外の酸を含有し、かつ第１スズ化合物と第２スズ化合物を含有することを特徴とする活性化処理液。 （もっと読む）

マイクロ電子機器の製造における金属基材の基板上にＣｏ、Ｎｉまたはその合金を沈積するための無電解メッキ方法とそのための組成物が開示され、該組成物は、ＣｏとＮｉイオンからなる群から選択される沈積イオン源、沈積イオンを基板上に金属へ還元する還元剤およびヒドラジン基材のレベリング剤からなる。 （もっと読む）

【課題】 連続処理化が容易で、生産性が高く、かつ絶縁抵抗の劣化やマイグレーションの促進することなく、平滑性を維持しながらポリイミド樹脂フィルムと金属との密着性を確保できる。
【解決手段】 ポリイミド樹脂フィルムをアルカリ水溶液で処理してカルボキシル基を生成させて、生成したカルボキシル基に金属イオンを吸着させ、還元剤水溶液で吸着した金属イオンを還元させた後、金属イオンの活性状態を維持しながら無電解めっきに浸漬し、無電解めっきを行なうポリイミド樹脂フィルムの金属化方法であり、この方法を用いたフレキシブルプリント配線板である。 （もっと読む）

【課題】被めっき材の被めっき面により均一な膜厚のめっき膜を容易に形成できるようにした無電解めっき装置及び無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材Ｗを保持する保持部１０と、めっき液２２を保持するめっき槽２４とを有し、被めっき材Ｗをめっき槽２４内のめっき液２２に接液させてめっきを行うめっき装置において、保持部１０は加熱部１４を有する。 （もっと読む）

【課題】 無電解金めっき液の経時安定性を確保するために、その金めっき液中のシアンイオンの存在量を簡便に、かつ迅速に把握して、必要なシアンイオンの補給時期、補給量を決定する方法を提供し、また、その方法を利用して無電解金めっき液を安定化する方法を提供する。
【解決手段】 めっき液中の遊離シアンイオンの濃度低下により分解性の無電解金めっき液の安定化方法であって、無電解金めっき液の安定度を該めっき液の酸化還元電位をＯＲＰ計により検出することにより評価し、その安定度に基づきシアンイオンの補給時期、および補給量を決定し、無電解金めっき液にシアンイオンを補給することを特徴とする無電解金めっき液の安定化方法。
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【課題】微細回路の具現の際、高信頼性を有し、絶縁材との接着効果に優れており、高速対応用低プロファイル資材として活用可能な光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。
【解決手段】ｐＨ２〜７のナノＴｉＯ_２ゾル溶液を用意し、前記ＴｉＯ_２ゾル溶液を基板の表面にコートした後、紫外線を照射して活性化層を形成させ、少なくとも１種の金属塩、少なくとも１種の還元剤、及び少なくとも１種の有機酸を含む無電解金属溶液を用意し、前記基板の活性化層上に前記金属鍍金溶液を接触させて無電解金属鍍金層を形成させることを含んでなる光触媒を用いるプリント基板の無電解鍍金方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 先鋭化ファイバーのような線的な構造あるいは立体的な微細加工に対して無電解により再現性よく金属コーティングを行うことができるようにする。
【解決手段】 触媒金属としてパラジウムを酸素含有アルゴン環境下でスパッタにより被めっき物の表面に付与する。 （もっと読む）

中間の半導体デバイス構造の上にニッケルを選択的にめっきする方法。この方法は、少なくとも一つのアルミニウムまたは銅の構造と少なくとも一つのタングステンの構造を有する中間の半導体デバイス構造を用意することを含む。アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造のうちの一方はニッケルめっきされ、他方はめっきされないまま残る。アルミニウムまたは銅の構造またはタングステンの構造は、最初にニッケルめっきに対して活性化されてもよい。次いで、この活性化したアルミニウムまたは銅の構造または活性化したタングステンの構造は、無電解ニッケルめっき溶液の中に中間の半導体デバイス構造を浸漬することによってニッケルめっきされてもよい。めっきされていないアルミニウムまたは銅の構造またはめっきされていないタングステンの構造は、このめっきされていない構造を活性化し、そしてこの活性化した構造をニッケルめっきすることによって、後にニッケルめっきされてもよい。中間の半導体デバイス構造と同じく、アルミニウムまたは銅の構造とタングステンの構造をニッケルで同時にめっきする方法も開示される。 （もっと読む）

【課題】 効果的に厚付けメッキのできる無電解スズメッキ浴を開発する。
【解決手段】 ベース酸として次亜リン酸を１.３モル／Ｌ以上含有し、次亜リン酸以外の無機酸又は有機酸を含有しないか、或は、ベース酸として次亜リン酸及び補助酸を含有し、次亜リン酸の含有量が１.３モル／Ｌ以上であり、補助酸の含有量が０.５モル／Ｌ以下である無電解スズメッキ浴である。有機スルホン酸などに代えて、ベース酸の主体を次亜リン酸に切り替えるため、メッキ速度が速く、効果的な厚付けメッキができる。また、スズ皮膜のレベリング性も充分に確保できる。 （もっと読む）