【課題】シリカ、酸化鉄その他の微粒子を含む気体を取り扱う回転機械において、気体中に含まれる微粒子の付着を効果的に抑制すること。
【解決手段】この動翼２３は、蒸気タービンに用いられる。動翼２３は、その表面に設けられる金属の中間めっき皮膜１１と、この中間めっき皮膜１１の表面に設けられるフッ素樹脂含有めっき皮膜１２とを含む。フッ素樹脂含有めっき皮膜１２は、フッ素樹脂粒子１３ＰがＮｉ基の金属からなるめっきマトリックス１３Ｍに含有され、かつフッ素樹脂粒子１３Ｐの一部は、めっきマトリックス１３Ｍの表面から露出している。 （もっと読む）

【課題】 めっき層と不導体表面とが強固に密着しており、平滑なめっき層を得ることができて、めっき耐久性や装飾性のより高いめっき被膜が形成された製品を得ることができる無電解銅めっき被膜形成方法を提供する。
【解決手段】
無電解銅めっき液に、通常の使用量の10倍程度の濃度である50mg/l〜10g/lとなるように１価の銅の安定剤を添加し、又は、通常の使用量の10倍程度の濃度である0.01〜0.1mol/lとなるようにアミン系の錯化剤を添加し、ｐＨ11〜13、温度20〜70℃で無電解銅めっきを行う無電解銅めっき被膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】鉛イオンが含まれない無電解ニッケルめっき液を使用する場合であってもブリッジの発生を十分防止できる無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法、無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】無電解ニッケルめっき用前処理液として、特定の脂肪族チオール化合物、およびジスルフィド化合物から選択される少なくとも１種の硫黄化合物と、有機溶剤とを含み、前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量が０．０００５〜１０ｇ／Ｌであり、且つ、前処理液中の有機溶剤の合計含有量Ｘ（ｍＬ／Ｌ）と前処理液中の上記硫黄化合物の合計含有量Ｙ（ｇ／Ｌ）との比（Ｘ／Ｙ）が８００００以下のものである前処理液を用い、該前処理液を銅配線を有する半導体チップ搭載用基板表面に接触させた後、銅配線上に無電解ニッケルめっきを施す。 （もっと読む）

【解決手段】基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層を形成する工程と、制御された環境に触媒層を維持する工程と、触媒層の上に銅を形成する工程とを備える、方法が開示されている。また、銅構造を形成するためのシステムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、超臨界流体又は亜臨界流体を用いることで従来のエッチング処理が不要になるとともに簡略化された工程でメッキ用金属触媒を高分子繊維材料に付与することができるメッキ前処理方法及びメッキ方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】反応室３０内に高分子繊維材料Ｍを配置し、供給室３１内に有機金属錯体を投入する。高圧ボンベ１からシリンジポンプ２に液体二酸化炭素が供給されて所定圧力に昇圧されて超臨界状態となった二酸化炭素が反応器３に導入されると、供給室３１内で超臨界流体と有機金属錯体とが混合して反応室３０に流下し、撹拌装置３３により撹拌されて有機金属錯体が溶解しながら超臨界流体とともに高分子繊維材料に含浸する。反応器３に設けられたヒータ３２により反応室３０内の温度を還元温度に設定することで、含浸した有機金属錯体が還元されて材料表面にメッキ用金属触媒が析出するようになる。 （もっと読む）

【課題】 ポリイミド樹脂上に金属めっき皮膜を析出させるにあたり、十分なポリイミド−金属皮膜間の密着性を確保できる技術を提供すること。
【解決手段】 ポリイミド樹脂をアルカリ処理した後、触媒付与処理、無電解金属めっきおよび電解金属めっきを行うポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法であって、前記アルカリ処理と触媒付与処理の間に塩基性アミノ酸水溶液処理を行うことを特徴とするポリイミド樹脂上の金属めっき皮膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の変質を抑制して、特性及び信頼性を損なうことのないめっき膜を形成することができるようにする。
【解決手段】 めっき液貯槽３０２内のめっき液をめっき槽２００に供給するめっき液供給管３０８とめっき槽２００内のめっき液をめっき液貯槽３０２に戻すめっき液回収管３１０を有するめっき液循環系３５０と、めっき液循環系３５０全体におけるめっき液の液温の低下を抑制する保温部２７２ａ，２７２ｂ，３５２，３５６とを有する。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い配線基板を簡単な製造プロセスで形成することにある。
【解決手段】 本発明にかかる配線基板１００の製造方法は、（ａ）基板１０の第１の領域２８および第２の領域２９に第１の界面活性剤を含む界面活性剤層１６を設ける工程と、（ｂ）前記第２の領域に設けられた前記界面活性剤層の一部を除去する工程と、（ｃ）第２の界面活性剤および触媒を含む溶液に前記基板を浸漬することによって、前記第１の領域に触媒層３２を設ける工程と、（ｄ）前記触媒層上に金属を析出させることによって金属層３６を設ける工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】無電解めっき処理と同様に、複雑な形状やパイプ等の内面にも均一にコーティングでき、かつ比較的薄い膜厚であっても、高い耐蝕性を付与することができるフッ素樹脂コーティングを有する無電解めっき皮膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき皮膜または無電解複合めっき皮膜上に、膜厚が5μm以下のフッ素樹脂膜を有するめっき皮膜。前記フッ素樹脂膜を有するめっき皮膜は、中性塩水噴霧試験(JIS H8502)においてレイティングNo.8になる迄の時間が150時間以上である耐蝕性を有する。表面の少なくとも一部に上記皮膜を有する物品。無電解めっき皮膜または無電解複合めっき皮膜上に、膜厚が5μm以下のフッ素樹脂膜を有するめっき皮膜の製造方法。前記フッ素樹脂膜を、フッ素樹脂粒子をカチオン系界面活性剤で水中に分散した溶液を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線基板や実装部品との接合部を形成する際に、半導体製造技術においてはリフロー等の熱処理又は加熱されるため、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）等の耐熱性の低い実装部品の場合には、上手く接合出来ない。
【解決手段】 本発明は、配線基板１と実装部品３の配線導体５，１１間を電気的に接続するための接合部２がメッキ処理により析出された金属により形成される接合構造体である。この接合部２は、配線導体５及び／又は配線導体１１に形成されたバンプの先端部を近接又は当接させて保持し、電解メッキ液１７内で通電させることにより、電解メッキ金属を析出させて形成される。 （もっと読む）

【課題】 表面側電極の表面にメッキ処理法を利用してニッケル膜を被膜するときに、半導体ウェーハの破損を抑制すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であり、半導体ウェーハ１２の表面側に、性質を異にする複数の半導体領域が所定の位置関係で配置されている半導体素子領域１４を形成する工程と、前記の位置関係に対して所定の位置関係でパターニングされている表面側電極を半導体ウェーハ１２の表面側に形成する工程と、その半導体ウェーハ１２の裏面にダイシングフレーム２４付きのダイシングテープ２２を固定する工程と、そのダイシングフレーム２４を介して半導体ウェーハ１２を支持しながら半導体ウェーハ１２にメッキ処理する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金化合物と、シュウ酸及び／又はその塩とを含有し、下地金属溶出抑制剤を含まないことを特徴とするワイヤーボンディング接合用の金めっき皮膜形成用無電解金めっき液。シアン化金化合物は金イオン濃度で０．５〜１０ｇ／Ｌ、シュウ酸及び／又はその塩は５〜５０ｇ／Ｌが好ましい。前記無電解金めっき液は、下地溶出金属の隠蔽剤を含有することが好ましく、前記隠蔽剤はエチレンジアミン四酢酸及び／又はその塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム材の表面に対して、耐食性に加え、金属光沢を付与するとともに、デザイン性の高い彩色を施すことを可能にするマグネシウム材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係るマグネシウム材の表面処理方法は、マグネシウム製またはマグネシウム合金製の基材の表面を陽極酸化処理することによって、前記基材の表面に陽極酸化膜を設ける陽極酸化工程（Ｓ３）と、前記陽極酸化膜の表面上にスパッタリング法または真空蒸着法を用いてアルミニウム層を形成するアルミニウム層形成工程（Ｓ６）と、前記陽極酸化膜の表面上に前記アルミニウム層を介して亜鉛層を形成する亜鉛層形成工程（Ｓ７〜Ｓ９）とを含む。 （もっと読む）

硫酸銅又は塩化銅を主成分とし、ホルムアルデヒド、２価のコバルトイオン及びグリオキシル酸のうちから選ばれる１種以上の還元剤を含有するとともに、分子量６０以上１０００以下の例えば下記一般式（１）又は一般式（２）で表されるイオウ系有機化合物及び分子量２００以上２００００以下のオキシアルキレングリコールを含むことを特徴とする無電解銅めっき液である。アスペクト比の高い微細な溝及び孔の中に空隙を生じることなくめっき膜を堆積させることができる。Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｌ^２−Ｘ^２ （１）Ｘ^１−Ｌ^１−（Ｓ）ｎ−Ｈ （２）［式中、ｎは整数、Ｘ^１及びＸ^２はそれぞれ独立に水素原子、ＳＯ_３Ｍ基またはＰＯ_３Ｍ基（Ｍは水素原子、アルカリ金属原子またはアミノ基を示す）、Ｌ^１及びＬ^２はそれぞれ独立に低級アルキル基又は低級アルコキシ基を示す。］
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【課題】突起の強度が高く、導電性粒子を相対向する回路基板等の間に挟んで圧着しても突起がつぶれにくいため、導電性粒子と回路基板等とは点接触しかすることができず、接続抵抗の低減効果が不充分であったという従来の問題に鑑み、導通不良防止とともに抵抗値の低減化が可能な導電性粒子、導電性粒子の製造方法及び異方性導電材料を提供する。
【解決手段】基材粒子、前記基材粒子の表面に形成されたニッケル層、及び、前記ニッケル層の表面に形成された突起を有する金層からなる導電性粒子。 （もっと読む）

【課題】 ハンダ濡れ性、ハンダ強度などのハンダ性に優れるとともに、熱伝導や熱放射率が大きく熱放射性に優れ、ハンダ付けが可能で優れた放熱性が求められるヒートシンクなどの用途に好適に適用可能でかつ、外観にも優れた表面処理Ａｌ板を提供する。
【解決手段】 Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にめっき後の外観を損なわない範囲でＺｎを含有したＮｉ−Ｚｎ層またはＮｉ−Ｚｎ層とＳｎ層をめっきにより形成させ、さらに選択的にハンダ性を向上させる層またはハンダフラックス性を有し熱放射性を向上させる層を設けて表面処理Ａｌ板とする。 （もっと読む）

【課題】置換めっき法を用いて、低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができる構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】多孔質層１３の孔１４内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法であって、基板上１に、めっき物よりも電気化学的に貴な下地膜１２を介して多孔質層を有する部材を用意する工程、置換めっき法により、該多孔質層の孔内へめっき物を充填する工程を有する構造体の製造方法。前記めっき物が、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれる少なくとも１種類以上を含むこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 めっきを均一にムラなく付けることができ、表面抵抗の低いフィルムが得られるめっき処理方法を提供すること。
【解決手段】 表面抵抗が１〜１０００Ω／□のフィルム表面を連続的に複数回電解めっきする工程を含むめっき処理方法であって、前半部の平均めっき処理時間を後半部の平均めっき処理時間より短くする。又は、後半部の平均めっき電圧を前半部の平均めっき電圧６０％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 フレーク状アルミニウム粉末等の顔料より安価で、化学的により安定な新規顔料の提案を課題とする。
【解決手段】基板表面に離型剤層を設ける工程、離型剤層表面に触媒を付与し活性化する工程、所望の無電解めっき液と接触させて厚さ0.01〜0.5μｍの無電解めっき被膜を生成させる工程、無電解めっき皮膜付きの基板を溶媒と接触させて離型剤を溶解除去して前記無電解めっき被膜と基板とを分離する工程、分離した無電解めっき被膜を粉砕して径が1〜300μｍの顔料用フレーク状金属粉を得る工程からなる方法により顔料用フレーク状金属粉を得る。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い微細配線形成に資する、平滑な表面に強固に銅箔を形成した銅張積層板およびそれを用いてなるプリント配線板を提供する。
【解決手段】めっき銅層１と、樹脂層２と、繊維と樹脂との複合体層３と、を備え、少なくとも、めっき銅層１と樹脂層２とは接して積層されている銅張積層板１０によれば、銅箔と良好な接着性を有する樹脂層上にめっき銅層を形成した構成である。このため、平滑な表面であっても樹脂層と銅層とを強固に密着させることができる。それゆえ、従来の銅張積層板と比べて、信頼性の高い微細配線形成を行うことができる。 （もっと読む）