【課題】ニッケルめっき被膜と金めっき被膜間で発生する剥離や金めっき被膜のフクレの発生を顕著に防止し、はんだ接合及びワイヤー接合等に優れた無電解金めっき被膜を有する接続端子部を提供する。
【解決手段】接続端子部の基材上に、無電解ニッケル又は無電解ニッケル合金からなるめっき被膜、置換型無電解金めっき被膜、還元型無電解金めっき被膜の順に積層した構造の被膜層を有する接続端子部であって、前記置換型無電解金めっき被膜のピンホールの数が、２５μｍ^２当たり３個以下であることを特徴とする接続端子部。 （もっと読む）

【課題】プリント基板または半導体ウエハーの導体パターン上に形成される、接合強度の高いパターンめっき皮膜と、その形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又は半導体ウエハー上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン上に形成されたパターンめっき皮膜であって、前記パターンめっき皮膜は導体パターン上に形成された無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜と、前記無電解ニッケル-パラジウム合金めっき皮膜上に形成された無電解金めっき皮膜とからなるパターンめっき皮膜。 （もっと読む）

本発明の第１主題は、１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を基材上にスプレーすることにより、非電解的に基材の表面を金属被覆する方法である。本発明の方法は、工業化可能であり、自動化可能であり、クリーンであり、多層基材に適用可能であり、固着性や装飾的外観に関しても最適である。この目的を達成するため、本発明は、次のステップを含む。ａ）金属被覆の前に基材の表面張力を減少させるための物理的処理あるいは化学的処理、ｂ）１つ又はそれ以上の酸化還元溶液を１つまたそれ以上のエアロゾルの形でスプレーすることにより、ステップａ）において処理された基材表面の非電解的金属被覆処理、ｃ）金属被覆された基材表面上の保護膜の形成処理。本発明の他の主題は、本発明の方法を実現する小型機器、及び得られる製品であり、特に、化粧用の中空ガラスのフラスコ、家庭電化製品や飛行機のための部品、導電性トラックや無線周波数用アンテナ、電磁気スクリーニングのためのコーティングなどの電子部品である。 （もっと読む）

【課題】粉末成形法により軟磁性材料を圧縮成形し熱処理した成形体では、角形比が大きく、励磁電流を制御することによって光量調整装置の絞り開口量を正確に調整することが困難である。
【解決手段】相互に溶着した軟磁性材料を含む金属粒子間に樹脂の炭化物が介在し、この樹脂の炭化物がより多量に含まれた表層部を有し、この表層部の表面にめっき層が形成された本発明による成形体は、この成形体に８００Ａ/ｍの磁界を印加した場合に得られる磁束密度Ｂ_８００に対する成形体の残留磁束密度Ｂrの割合を角形比Ｒsとして(Ｂr/Ｂ_８００)×１００で表した場合、成形体の角形比Ｒsが６０％以上かつ９０％以下であって、ロータマグネットの磁束密度の絶対値が残留磁束密度Ｂr以上かつ磁束密度Ｂ_８００以下の範囲にとなるようにめっき層を形成している。 （もっと読む）

【課題】 導体層パターンを容易に生産性よく作製するためのめっき方法、また、耐久性のよいめっき用導電性基材を使用するめっき方法、さらに、めっき速度が速く従って生産効率のよいめっき方法を提供する。
【解決手段】 導電性基材の表面に、絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部が形成されているめっき用導電性基材にめっきにより金属を析出させることを特徴とするめっき方法。めっき用導電性基材にめっきを形成するための凹部が絶縁層に幾何学図形を描くように又はそれ自身幾何学図形を描くように形成されている上記絶縁層はダイヤモンドライクカーボン又は無機材料からなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ホット・プレート状の基板加熱手段を利用して、基板面側から金属ナノ粒子分散液塗布膜を加熱処理する手法を適用して、下地層に対する優れた密着性と、高い導電性を有する金属ナノ粒子焼結体厚膜層を基板上に形成する方法の提供。
【解決手段】表面に塗布膜が描画された基板を、温度Ｔ_plateに加熱されたホット・プレート状の基板加熱手段上に配置し、基板加熱手段に接する基板裏面側から加熱を行い、
塗布膜の基板面側の温度：Ｔ_bottom（ｔ）を、１５０℃〜２５０℃の範囲であって、塗布膜中に含まれる分散溶媒の沸点Ｔ_b-solventよりも低く選択される温度とし、
塗布膜の表面温度：Ｔ_top（ｔ）を、温度差ΔＴ（ｔ）＝｛Ｔ_bottom（ｔ）−Ｔ_top（ｔ）｝≧１０℃となる範囲に維持して、該塗布膜に対する加熱処理を行って、含まれている金属ナノ粒子の低温焼結を起させる。 （もっと読む）

【課題】複数の部材を積層して積層構造体を製造する場合に、部材間の接合強度を向上させる積層構造体の製造方法、及び、インク流路内の部材間の接合強度と耐インク性を向上させるインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】複数の部材４１０，４２０，４３０，４４０，４５０，４６０，４７０が一部に架橋性樹脂４１５，４６５を介して積層されている積層構造体４００を用意し、架橋性樹脂が露出している部分に高圧流体３１５を供給することにより、該架橋性樹脂の架橋度を増大させた後、積層構造体から高圧流体を除去する。インクジェット記録ヘッドの場合、高圧流体を除去した後、さらに、第２の高圧流体とめっき液とを混合して攪拌した混合流体３１７により、インク流路４９０の内壁４２２にめっき膜４２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁体又は半導体の表面に、超臨界流体又は亜臨界流体を使用するとともに誘導共析現象を利用して短時間で厚いめっき層を無電解めっきで得られるようにした無電解めっき方法を提供すること。
【解決手段】絶縁体としてのガラス基板試料２２の表面に無電解めっきする際に、無電解めっき液１９中に金属粉末を分散させた状態で超臨界流体ないしは亜臨界流体を使用して無電解めっきを行う。そうすると、誘導共析現象を利用して短時間で均質な厚いめっき層が得られる。本発明の無電解めっき方法では、金属粉末として平均粒径は１ｎｍ以上１００μｍ以下のものを使用でき、半導体素子内の微細金属配線形成方法であるダマシン法ないしデュアルダマシン法にも適用可能である。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体を提供する。
【解決手段】ステンレススチール製薄板をプレス、深絞りまたは圧延により構造体を成型する第１工程と、該成型された構造体に、成型により表面に発生した５μｍ以下の微細クラックまたはピンホールが存在する場合に、少なくとも該微細クラックまたはピンホールが存在する部分に、洗浄処理を介して、つきまわり、均一電着性に富む金属（Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｉｎまたはそれらの合金）の電解メッキまたは非電解メッキを厚さ０．１〜３μｍ施す第２工程と、該電解メッキまたは非電解メッキ部をバッフィングまたはポリシングする第３工程と、または第３工程を省略して、さらに前工程後にケ−ス全体に印刷インキまたは塗料による表面化粧被覆を施す第４工程を有することを特徴とする表面化粧構造体の表面処理方法およびそれによる表面化粧構造体。 （もっと読む）

【課題】パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用せず、無電解めっきシステムと積層する金属の組み合わせの制限が緩い選択的な無電解めっき方法、パラジウムや銀などの貴金属触媒を使用することなく、下地の金属より卑な金属を無電解めっき方法により選択的に積層する方法を提供する。
【解決手段】無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３を、表面に導電体２を有する被めっき体へ間欠的に接触させることを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法である。また、無電解めっき液中に核体３が分散され、核体３表面に無電解めっきにより導電層１が析出中の核体３が分散し、攪拌しているめっき液中へ、表面に導電体２を有する被めっき体を浸漬することを特徴とする導電体２への選択的無電解めっき方法及び選択的活性化前処理方法。 （もっと読む）

【課題】透明性と導電性を維持でき、透明導電体を形成することができる金属ナノワイヤー及び金属ナノワイヤーの製造方法、並びに該金属ナノワイヤーを含有し、塗布後の保存安定性、及び分散安定性が向上した水性分散物、及び透明導電体の提供。
【解決手段】銀と、銀以外の金属とからなる金属ナノワイヤーであって、該銀以外の金属の標準電極電位が銀の標準電極電位よりも貴であり、長軸長さが１μｍ以上、短軸長さが３００ｎｍ以下であることを特徴とする金属ナノワイヤーである。銀以外の金属の金属ナノワイヤーにおける含有量が、銀に対して０．５原子％〜３０原子％である態様、などが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第４周期から第６周期の第VIII、IＢ、IIＢ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ属から選ばれた金属（例えば、銀、銅、ビスマスなど）の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ベンゾアゾール環の２位のメルカプト基にＣ₃〜Ｃ₆アルキレンが結合した特定の２−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記Ｃ₃〜Ｃ₆アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 （もっと読む）

【課題】 無接着剤フレキシブルラミネートの密着力の指標である初期密着力を低下させることなく加熱エージング後（１５０°Ｃ、大気中に１６８時間放置された後）の密着力を高めることを課題とする。
【解決手段】ポリイミド樹脂フィルムの両面又は片面に無電解ニッケルめっき層を形成し、その表層に無電解銅めっき又は電気銅めっきにより導電性皮膜を形成する金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法において、上記無電解ニッケルめっきに先立って、ポリイミド樹脂基板に紫外線を照射した後、酸性溶液に浸漬する処理、触媒付与処理を施し、その後、無電解ニッケルめっき層を形成することを特徴とする金属被覆ポリイミド樹脂基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】 下地層の上にスズ皮膜を形成する２層メッキ方式において、上層のスズ皮膜でのピンホールやスズホイスカーの発生を防止する。
【解決手段】 被メッキ物に無電解スズ−銀合金メッキ皮膜よりなる下地皮膜を形成した後、当該下地皮膜の上に無電解スズメッキ皮膜（上層皮膜）を形成するスズホイスカーの防止方法であって、下地皮膜の膜厚が０.０２５〜０.５μｍで、且つ、下地と上層皮膜の合計膜厚が０.１〜６μｍであり、下地皮膜中の銀の組成比率が５〜９０重量％であり、銅張り積層基板などを被メッキ物とする無電解メッキによるスズホイスカーの防止方法である。下地皮膜をごく薄く形成し、下地と上層の合計皮膜の膜厚、及び下地皮膜での銀の比率を特定化することで、上層のスズ皮膜のスズホイスカーとピンホールを防止できる。 （もっと読む）

【課題】環状オレフィン系樹脂の透明性を活かすとともに、環状オレフィン系樹脂成形品の表面がアンカー効果による高いメッキ密着力を実現するための環状オレフィン系樹脂成形品の表面処理方法であり、且つ従来の環状オレフィン系樹脂成形品に対する化学メッキよりも、容易に化学メッキするための環状オレフィン系樹脂成形品の表面処理方法を提供する。
【解決手段】環状オレフィン系樹脂成形品の表面に対して、溶解度パラメーターが１２．０Ｊ^ｌ／２／ｃｍ^３／２から２０．１Ｊ^ｌ／２／ｃｍ^３／２である有機溶媒によって、表面をエッチングするエッチング工程後に化学メッキ処理する。 （もっと読む）

【課題】プリント基板又はウエハー上に形成されたアルミニウム又は銅からなる導体パターンを被覆するパターンめっきとその形成方法を提供する。
【解決手段】プリント基板又はウエハー１上に形成された銅又はアルミニウムからなる導体パターン３上に形成されたパターンめっき９であって、導体パターン３上に順次形成された無電解ニッケルめっき皮膜５、無電解金-パラジウム合金めっき皮膜７からなるパターンめっき。ニッケルめっき皮膜の膜厚は1〜20μｍ、金-パラジウム合金めっき皮膜の膜厚は0.01μm以上とすることが好ましい。金-パラジウム合金めっきには、可溶性金塩、可溶性パラジウム塩、水溶性アミン塩、カルボン酸塩および還元剤を含有する無電解金-パラジウム合金めっき液を使用する。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】金属の無電解析出用に、酸化物表面を活性化する溶液を提供する。溶液には、酸化物表面と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、触媒と化学結合を形成可能な少なくとも一つの官能基と、を有する結合剤が含まれる。本発明は、また、電子デバイスの製造方法と、その製造方法を用いて製造した電子デバイスとを提供する。 （もっと読む）

【課題】クロム酸−硫酸混液によるエッチング工程を含むめっき処理方法において、エッチング処理液に含まれるクロム酸に対する安定した中和作用を有し、且つ、各種の樹脂成形品に対して優れた触媒付着能力を発揮できる新規な処理剤を提供する。
【解決手段】ジアミン化合物、又は該ジアミン化合物とエピクロルヒドリンとの重縮合物を有効成分として含有する水溶液からなる、クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤、及び
樹脂成形品に対してクロム酸−硫酸混液を用いてエッチング処理を行った後、該樹脂成形品を上記後処理剤に接触させ、その後、触媒付与及び無電解めっきを行い、更に、必要に応じて電気めっきを行うことを特徴とする樹脂成形品に対するめっき方法。 （もっと読む）