本発明は、長手方向に作業エッジ領域(130、230、…、730)が形成された平坦な細長い本体(110、210、…、710)を備えた、特に印刷版の表面から印刷インキを掻き取るためのドクターブレード(100、200、…、700)であって、作業エッジ領域(130、230、…、730)が、少なくともニッケル-リン合金を基材とする第1の被膜(150、250、…、750)により被覆されたドクターブレードに関し、第1の被膜(150、250、…、750)が、ドクターブレードの摩耗挙動を改善するための少なくとも1つの添加成分(160、360、460、660、760、761)を含むことを特徴とする。
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【課題】本発明は、多孔体の内部に薄膜化した金属充填層を有する複合体の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材の片側から金属源（イオン、微粒子、化合物）あるいは金属源及びゲル化剤を含む前駆体溶液を浸透させたのち、反対側から前駆体溶液が滲出する前に該前駆体溶液を固化させて細孔複合体（Ａ）を得る工程、前記細孔複合体（Ａ）に、前記前駆体溶液を浸透させた反対側から、還元剤を含む溶液を浸透させることにより、前記細孔複合体（Ａ）の細孔内に金属種核を担持させる工程、前記工程で得られた金属種核を担持した細孔複合体（Ｂ）を無電解メッキ処理する工程を含むことを特徴とする複合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】耐ウィスカ性の錫系コーティング層を銅基板の表面に堆積させる方法を提供する。
【解決手段】本方法は、表面を有する銅基板からなる部材に、その基板表面に錫系コーティング層を施すのに有用であり、錫系コーティング層は、０．５〜１．５μｍの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の生成を抑制し、その金属間化合物の生成抑制は、その物品を少なくとも７回の加熱・冷却サイクルに曝露した際、その各サイクルは、その物品を少なくとも２１７℃に加熱し、その後２０〜２８℃に冷却することからなり、その結果、少なくとも０．２５μｍ厚の銅のない錫コーティング層の領域が残存する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法の提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、基板、特に半導体基板の酸化された表面を活性化するための溶液及び方法に関する。本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体からなる活性化剤と；Ｂ）１以上の有機シラン錯体からなる二官能性有機結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解させるための１以上の溶媒からなる溶媒系とを含有する。用途：電子デバイス、特に集積回路、とりわけ３次元集積回路などの製造。 （もっと読む）

【課題】高温かつ高湿な環境で生じる樹脂素材と無電解めっき被膜との密着強度の低下を改善することが可能な、無電解めっき素材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の無電解めっき素材の製造方法は、表面に無電解めっきによりめっきされる無電解めっき素材の製造方法であって、樹脂からなる素材本体とオゾンを含む溶液とを接触させて該素材本体の表面に改質層を形成するオゾン処理工程と、前記オゾン処理工程の後、前記素材本体の表面に紫外線を照射して前記改質層の表層を除去する表層除去工程と、を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板表面を活性化するための溶液及びプロセスの提供。
【解決手段】本発明は、その後の工程で無電解法により金属層を堆積させて被覆できるように、ポリマーから形成される少なくとも１つの領域を含む基板表面を活性化するための溶液及びプロセスに関する。また、本発明によれば、この組成物は、Ａ）１以上のパラジウム錯体から形成される活性化剤と；Ｂ）少なくとも２つのグリシジル官能基及び少なくとも２つのイソシアネート官能基を含む各化合物から選択される１以上の有機化合物から形成される結合剤と；Ｃ）上記活性化剤及び上記結合剤を溶解可能な１以上の溶媒から形成される溶媒系とを含有する。用途：特に集積回路、とりわけ３次元集積回路、などの電子デバイスの製造。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、表面に均一に金属メッキを施した微小ポリエチレン粒子を製造することを目的とする。
【解決手段】
平均粒子径が１μｍ〜１００μｍのポリエチレン粒子を用意する第１の工程と、前記粒子を大気圧近傍の圧力下でプラズマに接触させる第２の工程と、前記第２の工程で処理されたポリエチレン粒子（以下、被処理粒子という）を溶媒中に分散させ無電解メッキ処理を行う第３の工程と、を含んでなる、機能性粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハに形成されるめっき層の膜厚や膜質を均一にすること。また、一度に大量のウェハに無電解めっき処理をおこなうこと。
【解決手段】複数枚の被処理ウェハ２が適当な間隔をおいて平行に並べられたウェハカセット３を、めっき槽１内へ、被処理ウェハ２が薬液表面に対して垂直となるように挿入する。また、めっき槽１の側壁には、薬液供給口４が設けられている。ポンプによって薬液供給口４からめっき槽１内へ供給された薬液を、薬液表面および被処理ウェハ２に対して平行な方向に流通させ、バッファー板６によって流れを整流してからウェハカセット３へ流す。 （もっと読む）

【課題】非真空プロセスを用いるため、膜の製造コストを抑えることができ、また、従来の非真空プロセスでは達成できなかった膜密度の高い緻密なＣＩＳ系膜を得ることができる。また、従来よりも低温の処理温度でセレン化処理が可能となる。
【解決手段】溶液を基板に塗布し、焼成して金属酸化物膜を形成した後、金属酸化物膜を還元処理して金属膜とし、続いて金属膜をセレン化処理することによりＣＩＳ系膜を形成するためのＣＳＤ溶液であり、Ｃｕ及びＩｎ、並びに必要に応じてＧａの各前駆体原料と有機溶媒とから構成され、各前駆体原料が１種又は２種以上の有機金属化合物からなることを特徴とする。有機金属化合物はカルボン酸塩やアルコキシドからなり、有機溶媒は飽和炭化水素やベンゼン誘導体からなる。また、添加剤として有機セレン化合物を加え、液中に金属−セレン結合を有する前駆体を生成させる。 （もっと読む）

【課題】一次実装後に導電層が露出しにくく、高い接続信頼性を実現することが可能な導電性微粒子、該導電性微粒子を用いてなる異方性導電材料、及び、接続構造体を提供する。
【解決手段】基材微粒子の表面に、導電層、密着層、及び、錫又は錫と他の金属との合金からなる低融点金属層が順次積層されている導電性微粒子であって、前記密着層は、置換めっきによって形成されたものである導電性微粒子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】高分子基材に無電解めっき処理を行う場合に、密着性に優れためっき膜を、低コストで形成する。
【解決手段】高分子基材２１と、有機金属錯体を含有する加圧流体とを、有機金属錯体の還元温度未満で接触させて、有機金属錯体を高分子基材２１に浸透させる浸透工程と、高圧容器３に、有機金属錯体の還元温度未満で、有機金属錯体を含有しない高圧二酸化炭素を流動させて、高圧容器３内の加圧流体を希釈する希釈工程と、高圧容器３内に高圧二酸化炭素が含まれた状態で、高分子基材２１に浸透させた有機金属錯体を還元する還元工程とを有する高分子基材のめっき前処理方法。 （もっと読む）

本発明は、プラスチック材料の金属での被覆方法に関し、この方法は、プラスチック材料を、１ｂａｒで１００℃未満の融点を有する少なくとも１種の塩を含有する組成物を用いて前処理することを特徴とする。 （もっと読む）

銅イオン源と、式Ｉの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが３０ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化１】


［式中、
−Ｒ¹基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−Ｒ²基は、それぞれ独立して、Ｒ¹またはアルキルから選ばれ、−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）_m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、−ｎは０以上の整数であり、−ｍは１以上の整数である。］ （もっと読む）

【課題】カバーレイフィルムやソルダーレジストと銅又は銅合金界面へのめっき液の浸入が少なく、また、はんだ濡れ性が良好であり、基材とはんだとの接合信頼性も良好なめっき被膜を形成する無電解錫又は錫合金めっき液の提供。
【解決手段】少なくとも錫塩、錯化剤、酸を含む無電解錫又は錫合金めっき液において、ベンゼン環に直接結合した一つ以上のヒドロキシル基を持つ化合物を含有し、且つポリアルキレングリコール化合物又はポリアルキレングリコールの末端の少なくとも一つ以上のヒドロキシル基をアルコキシ基で封鎖したポリアルキレングリコールエーテル化合物を含有することを特徴とする無電解錫又は錫合金めっき液。 （もっと読む）

【課題】安価でありながら刃先の耐摩耗性、硬度、じん性及び耐衝撃性に優れたることで寿命が長い帯鋸の提供を目的とし、さらには、この帯鋸に好適な部分メッキ方法及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】帯鋸の刃先部分にのみ、部分的に無電解ニッケルメッキ皮膜を形成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線間リーク電流の増加を抑制できる配線構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、シリコン、酸素、炭素および水素を含む、配線溝５が形成された絶縁膜３,４と、配線溝５内に設けられた金属配線８と、金属配線８の上面に選択的に形成されたメタルキャップ１０とを具備してなり、絶縁膜４は、その表面を含む第１の領域と、第１の領域下の第２の領域とを備えており、前記第１の領域の炭素濃度は前記表面から深くなるに従って減少し、前記第２の領域内の炭素濃度は、前記第１の領域との界面から一定距離の深さまでは深くなるに従って減少し、前記一定の距離減を越えると深くなるに従って増加し、前記表面における炭素濃度を超えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＶＧＣＦ（商標）のような大きなサイズのＣＮＴであっても、めっき皮膜中に良好に取り込むことのできる無電解Ｎｉ−Ｐめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】無電解Ｎｉ−Ｐめっき液へのＶＧＣＦ（商標）（市販の直径１５０ｎｍ前後、長さ１０〜２０μｍ程度のサイズの大きなカーボンナノチューブ）の分散剤として、トリメチルセチルアンモニウムクロリドを好適とするトリメチルセチルアンモニウム塩を用いためっき液、及びこのめっき液を用いてＮｉ−Ｐめっきを施すめっき方法。 （もっと読む）

【課題】建浴後、所定日数が経過してもめっき析出速度が著しく低下せず、長期に亘ってほぼ一定のめっき析出速度を維持する無電解パラジウムめっき浴及び無電解パラジウムめっき方法を提供する。
【解決手段】パラジウムを０．１〜ｇ／０．４Ｌ含有し、且つ、パラジウムと錯形成する錯化剤をパラジウムとのモル比（錯化剤／パラジウム）が２５〜２５０となる濃度で含有する無電解パラジウムめっき浴に被めっき物を浸漬して被めっき物上に無電解パラジウムめっき皮膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】耐食導電性に優れる耐食導電材を効率的に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電材の製造方法は、純チタン（Ｔｉ）またはＴｉ合金からなるＴｉ系基材の少なくとも一部を、ニッケル（Ｎｉ）を主成分とするＮｉメッキ液中に浸漬して該Ｔｉ系基材の表面にＮｉメッキ層を形成するメッキ工程と、該メッキ工程後のＴｉ系基材に８８０℃以下で窒化処理を施す窒化工程と、を備えてなり、前記Ｔｉ系基材の少なくとも一部の表面に耐食性または導電性の少なくとも一方に優れる耐食導電性皮膜が形成された耐食導電材が得られることを特徴とする。 （もっと読む）