【課題】無電解めっきとの間に十分な密着強度を確保できるように、化学エッチング剤を使用しないで基体の表面を粗化することができる。
【解決手段】基体１を成形する第１工程と、第１のレーザー光２を照射してこの基体の表面、またはこの表面のうち回路となる部分１ａのみのいずれかを粗化する第２工程と、
この基体の表面に触媒３を付与する第３工程と、この基体を乾燥させる第４工程と、非回路となる部分１ｂに第２のレーザー光４を照射して、この非回路となる部分の触媒の機能を低下または消失させる第５工程と、この回路部分となる部分に無電解めっきを施す第６工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＡＢＳ樹脂又はＡＳＡ樹脂からなる樹脂基材の表面に、無電解めっきを行う無電解めっき処理方法及び無電解めっき材であり、特に、耐冷熱サイクルに優れた無電解めっき処理方法及び無電解めっき材を提供する。
【解決手段】質量平均分子量１７万以上のＡＳ樹脂を含む、ＡＢＳ樹脂又はＡＳＡ樹脂からなる樹脂基材の表面に、酸化活性種であるオゾンを、オゾンガス又はオゾン溶液を用いて接触させることにより、より複雑な形状の樹脂基材の表面を酸化させて活性化することができるので無電解めっき被膜の密着強度を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一実施形態は、集積回路製造のためにキャップ層を無電解析出させる方法である。方法は、浴の無電解析出特性を実質的に維持するように、無電解析出浴の組成の制御を含む。本発明の別の実施形態は、無電解析出溶液を含む。本発明のさらに別の実施形態は、無電解析出浴を再調整するために用いられる組成である。 （もっと読む）

【課題】 製造条件を厳しくすることなく、高い生産性で、高強度、高熱伝導で、かつ高
靭性の窒化珪素基板を提供し、熱抵抗が低く、信頼性の高い窒化珪素基板を提供する。
【解決手段】 開示される窒化珪素配線基板１は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基
板１１の表面に金属からなる配線回路パターン１３がろう材により接合されるとともに、
配線回路パターン１３の表面にめっき層が形成されて構成されている。この場合、窒化珪
素基板１１の表面粗さＲｚが３μｍより大きく２０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｚｎを含む化合物からなる基板に密着性良く無電解めっきを形成する製造方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎを含む化合物からなる基板１１を硫酸銅溶液に浸漬してこの基板１１上にＣｕ薄膜１２を形成する。その後、該Ｃｕ薄膜１２が形成された基板１１にＣｕよりもイオン化傾向の大きな金属を接触させたまま無電解めっきを開始して、無電解めっき膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の耐折性が向上し且つ比較的低コストで製造できるフレキシブル銅張積層板及びＣＯＦ用フレキシブルプリント配線板並びにこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの表面を表面改質してニッケル系シード層及び銅めっき層を順次積層した銅張積層板であって、前記ニッケル系シード層の厚さを４０〜８０ｎｍとする。 （もっと読む）

【課題】表面処理液が、処理を所望しない裏面側へ回り込むことを防止しつつ、被処理面の端部領域も高精度に処理を施すことが可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】表面処理装置１は、処理液Ｘをシート材１０の被処理面１６に沿って流下させて表面処理を施す表面処理装置１であって、端部領域処理面１７ｃを有する端部領域処理部３を備えている。端部領域処理面１７ｃは、シート材１０の被処理面１６に対して、微小隙間を介して対向して設けられている。そして、端部領域処理部３の下端部１７ａは、供給ガイド面１３上を流れる処理液Ｘの一部に対して接するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】処理液に含まれる成分の濃度を適切に制御し、当該処理液を用いた被処理物の均一な表面処理を提供する。
【解決手段】メッキ液を用いてウエハ１３を表面処理する無電解メッキ装置１００は、処理槽１及び循環ライン３内を循環するメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第１濃度計４と、第１の濃度計とは異なる位置におけるメッキ液に含まれる成分の濃度を検出する第２濃度計５と、第１濃度計４及び第２濃度計５が検出した成分濃度又はこれらの成分濃度差が、所定の目標値になるように、処理槽１内及び循環ライン３内のメッキ液の流量を調整する制御部１４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】密着性に優れためっき被膜を形成することができる無電解ニッケルめっき浴、及び、無電解ニッケルめっき方法を提供する。
【解決手段】水１Ｌに、次亜リン酸を１１０〜１３０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケルを９８〜１２０ｇ／Ｌ、酢酸ナトリウムを４５〜６０ｇ／Ｌ、硝酸鉛を０．００５〜０．０２５ｇ／Ｌ、チオ尿素を０．００３〜０．０２３ｇ／Ｌ、リンゴ酸を７０〜９５ｇ／Ｌ、さらに、ｐH緩衝剤として苛性ソーダを３０〜５０ｇ／Ｌ溶解させて、ｐＨ４．８〜５．３に調節した無電解ニッケルめっき浴に被めっき物を浸漬し、該被めっき物表面にニッケルめっき皮膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】高分子基材に無電解めっき処理を行う場合に、密着性に優れためっき膜を、低コストで形成する。
【解決手段】高分子基材２１と、有機金属錯体を含有する加圧流体とを、有機金属錯体の還元温度未満で接触させて、有機金属錯体を高分子基材２１に浸透させる浸透工程と、高圧容器３に、有機金属錯体の還元温度未満で、有機金属錯体を含有しない高圧二酸化炭素を流動させて、高圧容器３内の加圧流体を希釈する希釈工程と、高圧容器３内に高圧二酸化炭素が含まれた状態で、高分子基材２１に浸透させた有機金属錯体を還元する還元工程とを有する高分子基材のめっき前処理方法。 （もっと読む）

【課題】基板面内で均一な膜厚形成を実現すること
【解決手段】この半導体製造方法は、複数の基板に連続してめっき処理を施す半導体製造方法であって、１枚の基板処理に必要なｐＨ調整剤を含む所定量のめっき液を温度調節用容器に収容し、温度調節用容器に収容しためっき液を、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じた所定の温度に調節し、基板を１枚ずつ所定位置に保持し、めっき処理に必要なめっき成膜速度およびめっき液に含まれるｐＨ調整剤の濃度に応じたタイミングで、保持された基板１枚毎に温度調節用容器に収容され温度調節されためっき液全量を、保持された基板の処理面に吐出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加圧二酸化炭素を用いて触媒成分を分散させたポリマー部材を常圧下で無電解めっき処理することにより、密着性に優れためっき膜を有するポリマー部材を製造する方法を提供する。
【解決手段】めっき触媒となる金属を含む触媒成分を加圧二酸化炭素に溶解させた加圧流体を用いて、触媒成分が分散されたポリマー部材を形成し、触媒成分が分散されたポリマー部材を、常圧下で、アルコール処理液に浸漬し、アルコール処理液で前処理されたポリマー部材を、常圧下で、アルコールを含有する無電解めっき液に浸漬して、めっき膜を形成する。 （もっと読む）

基板上に硬さが増加した金属−セラミック複合コーティングを製造する方法は、セラミック相のゾルをめっき液又は電解液を添加することを含む。めっき若しくはコーティングの前及び／又は間に、セラミック相のナノ粒子が基板の直接上に若しくは基板で形成する、並びに／あるいは金属−セラミックコーティングが主として結晶構造で基板上に形成する、並びに／あるいはめっき液若しくは電解液中でのセラミック相のナノ粒子の形成及び／又はセラミック相の粒子の凝集を実質的に避けるのに十分低く調節したゾル添加割合で、ゾルを添加することができる。セラミック相は、Ｔｉ、Ｗ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｙ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ｃｏ若しくは希土類元素の単一又は混合酸化物、炭化物、窒化物、ケイ酸塩、ホウ化物であってよい。セラミック相以外のコーティングは、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｄを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板上に金属層を無電解にて堆積させるための電解質に関する。
【解決手段】電解質は、重金属安定剤、シアニド、セレン化合物および−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まず、その代わりにβ−アミノ酸が安定剤として用いられる。特に、発明に係る電解質は、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、並びに２−アミノエタンスルホン酸を含み得る。さらに、本発明は金属層の無電解堆積の方法に関係し、本発明に係る電解質を利用し、一般的に金属層の無電解堆積のための電解質における安定剤としてβ−アミノ酸類の使用も関係する。 （もっと読む）

【課題】高いオゾン濃度のオゾン水を用いて被処理材の処理表面にオゾン水処理を行ったとしても、そのオゾン水から発生するオゾンガスの漏洩を抑制することができるオゾン水処理装置及びオゾン水処理方法を提供する。
【解決手段】被処理材Ｐを出し入れする開口部２１が上方に形成されたオゾン水収容槽２と、該オゾン水収容槽２の上部において被処理材Ｐを水洗する水洗装置３と、水洗装置３の上方の空気を排気する排気装置４と、を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】 微細なパターンを有するパターン構造体を製造できるパターン構造体の製造方法、前記パターン構造体を製造する際に用いることができる金属構造体含有高分子膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン伝導性ドメインと非イオン伝導性ドメインとからなるミクロ相分離構造を有する高分子膜と、前記イオン伝導性ドメインに局在する金属構造体と、からなることを特徴とする金属構造体含有高分子膜。 （もっと読む）

本発明は、スルホン化されてもめっき性にはならない第１のポリマー樹脂部分と、スルホン化されてめっき性になる第２のポリマー樹脂部分とを含むプラスチック物品に対して選択的にめっきを施す方法に関する。前記方法は、前記プラスチック物品をスルホン化する工程と、スルホン化されたプラスチック物品がめっきを受容するようにスルホン化された前記プラスチック物品を活性化する工程と、スルホン化及び活性化された物品に無電解めっき浴中でめっきを施す工程とを含む。前記プラスチック物品は、第１のポリマー樹脂部分にはめっきが施されず第２のポリマー樹脂部分には無電解的にめっきが施されるように選択的にめっきされる。 （もっと読む）

本発明は、プラスチック材料の金属での被覆方法に関し、この方法は、プラスチック材料を、１ｂａｒで１００℃未満の融点を有する少なくとも１種の塩を含有する組成物を用いて前処理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の被処理面に対して高品質な表面処理を実施することが可能な表面処理装置および表面処理システム、表面処理方法、これによって処理された帯状薄体を提供する。
【解決手段】表面処理装置１０は、帯状薄体Ｓにおける被処理面に沿って表面処理液Ｘを流下させて表面処理を行う装置であって、帯状薄体Ｓに対して所定の微小な隙間ｄを介して近接配置された壁部１２ｂと、この隙間ｄ内において流下する表面処理液Ｘを供給する供給部１３と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】無電解めっきに用いる鋳型を容易かつ安定的に形成することができるとともに、無電解めっき後、鋳型を必ずしも除去する必要のないコンポジットナノチューブ、およびその製造方法、さらには、コンポジットナノチューブを利用した金属ナノチューブおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】アニオン性解離基を備えた有機ナノチューブ３を準備する。かかる有機ナノチューブ３は、親水部３１と疎水部３２を備えたペプチド脂質３０からなり、アニオン性解離基として、カルボキシル基を有している。そこで、有機ナノチューブ３におけるアニオン性解離基と金属イオンとの親和性を利用して、有機ナノチューブ３の少なくとも外周面に金属を無電解めっきし、無電解めっき層５と有機ナノチューブ３とのコンポジットナノチューブ１Ａを得る。かかるコンポジットナノチューブ１Ａから有機ナノチューブ３を除去すれば金属ナノチューブ１Ｂを得ることができる。 （もっと読む）