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【課題】コストの低い金属を用いた電気接点において、十分長い摺動寿命を持つ、新たな複合材料を用いた電気接点電極、電気接点皮膜、及び導電性フィラーを提供し、及び電子装置の電気接点寿命が十分長く、低コストな電気接点構造を実現する。
【解決手段】金属塩を主成分とするめっき浴に還元剤を混合し、溶解させたもの、又は、コロイド溶液状にしたものに、必要に応じて錯化剤を添加したものをめっき浴として用い、被めっき材上に、電気めっきによりマトリックス金属と還元剤を共析させる複合めっき法で得られる、金属マトリックス中に該金属の金属酸化物を常温で還元可能な還元剤が分散されたことを特徴とする複合材料である。 (もっと読む)


【課題】めっき工程を用いつつ、母型を用いないで微細構造体を製造する方法およびその方法により製造された微細構造体を提供する。
【解決手段】水溶性第一スズ含有物質、水溶性銅含有物質、硫酸イオンおよびスルホン酸イオンの少なくとも一方、有機錯化剤、ならびに非イオン性界面活性剤を備える酸性のスズ系めっき液を用いて、めっき温度を60℃以下、電流密度を10A/dm以下、かつ積算電流量を500Asec/dm以上としてめっきを行い、ほぼ薄板状の皮膜部と当該皮膜部の表面から突出し錐形状を有する複数の突起部とを備え、当該突起部について、その底面の円換算直径に対する高さの比率であるアスペクト比が0.5以上、かつ皮膜部上の密度が前記皮膜部の投影面積1mmあたり100個以上であるスズ系めっき構造体を、前記突起部についての母型を用いることなく得る。 (もっと読む)


【課題】銅または銅合金下層上での接着促進を可能にするシアン化物非含有スズ/銅浴からホワイトブロンズめっき方法を提供する。
【解決手段】銅下層を被覆する空隙抑制層上に、シアン化物非含有スズ/銅浴からホワイトブロンズが電気めっきされる。この空隙抑制金属層は1種以上の空隙抑制金属を含む。 (もっと読む)


【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴において、広範囲の電流密度域での電着皮膜の外観や均一電着性を向上し、スズ合金皮膜の組成比を安定にする。
【解決手段】 (A)スズ塩と、スズ塩及び銀、銅、ビスマス、鉛などの所定の金属塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)特定のフェナントロリンジオン化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。上記フェナントロリンジオン化合物を含有するため、広範囲の電流密度域で優れた均一電着性と良好な皮膜外観を具備できる。スズ合金メッキでは、広範囲の電流密度域で均一な合金組成を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】 各種のメッキ浴において、水への溶解性と消泡性を両立できるとともに、メッキ液の管理を容易にする。
【解決手段】 C2〜C4アルキレンより選ばれたオキシアルキレン鎖を有し、当該オキシアルキレン鎖に3位の窒素原子を介してイミダゾール環が結合するとともに、イミダゾール環が末端に位置する新規のイミダゾール環結合型オキシアルキレン化合物を各種メッキ浴に使用すると、従来のノニオン性界面活性剤に比べて、末端へのイミダゾール環基の導入によって水溶性を良好に保持しながら、発泡性を顕著に低減できる。ノニオン界面活性剤の分子中にイミダゾール環基が存在する当該化合物を例えば銅メッキ浴に用いると、界面活性剤の作用とレベリング作用を兼備でき、メッキ液を簡便に管理できる。 (もっと読む)


【課題】
母材金属、特にアルミニウム合金の表面に形成し、航空機や船舶あるいは港湾等の金属部品で塩水が吹き付ける過酷な環境で使用に耐え得る高耐食性を備え、Cdめっき皮膜に代わる環境負荷の少ない高耐食性Ni系複合めっき皮膜を提供する。
【解決手段】
金属部品1の表面に、シアン化銅めっき皮膜4と光沢硫酸銅めっき皮膜5を順次積層形成し、その上に高濃度のリンを含むNi−Pめっき皮膜6又はNi−P−Snめっき皮膜を形成し、あるいは高濃度のリンを含むNi−Pめっき皮膜とNi−P−Snめっき皮膜を順次積層形成した。 (もっと読む)


【課題】Sn又はSn合金めっき皮膜の摺れや脱落を防止することにより、ロールのメンテナンス性に優れ、生産性を向上させることができるSn又はSn合金めっき被膜及びそれを有する複合材料を提供する。
【解決手段】樹脂層又はフィルム4を積層した銅箔又は銅合金箔1の他の面に形成され、(200)面の配向割合が20〜40%であるSn又はSn合金めっき被膜2である。 (もっと読む)


【課題】
浴中に有害なシアン化合物を含まず、従来から用いられているピロリン酸浴を用いて中性〜弱アルカリ性領域の水溶液からレベリング性および平滑性に優れ、銀白色の優れた光沢外観の厚付け電気めっきを可能とする光沢厚付銅−スズ合金めっき浴を提供する。さらに、金属濃度および金属比を特定することにより光沢黒色外観を有するめっき皮膜が容易に得られる。
【解決手段】
ピロリン酸塩を主錯化剤として、これに2価の銅塩および2価のスズ塩を溶解した水溶液に、添加剤としてアルデヒド類とアミン類との反応物(以下、アルデヒドアミン系化合物)に、さらにグリシジルエーテル類を反応させて得られるアルデヒドアミン−グリシジルエーテル反応物を使用する。また、広い電流密度範囲に渡ってヤケやムラのない良好な外観の光沢めっき皮膜を得るために脂肪族ジカルボン酸またはその塩を更に含有する。 (もっと読む)


【課題】 広い電流密度範囲での均一性等の向上と、良好な皮膜外観やハンダ付け性を達成し、バレルメッキに際して、導電性媒体や被メッキ物同士の凝集を防止する。
【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及び銀、銅、ビスマス、インジウム、亜鉛、アンチモン、ニッケル、鉛からなる群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(B)酸又はその塩と、(C)ジベンゾチアゾリルジスルフィドジスルホン酸二ナトリウムなどを具体例とするジベンゾアゾールジスルフィドスルホン酸化合物とを含有するスズ又はスズ合金メッキ浴である。化合物(C)を含有するため、広い電流密度範囲で皮膜の均一性や平滑性を向上でき、皮膜外観やハンダ付け性に優れ、当該浴をバレルメッキに適用すると、導電性媒体同士の凝集を防止できる。 (もっと読む)


【課題】 基板への装填に際してリードフレームの曲げ加工が必須の半導体ICにおいて、基板に対する接合強度を高める。
【解決手段】 半導体ICのリードフレームにスズ皮膜をメッキで形成し、リードフレームを曲げ加工し、当該スズ皮膜を介してICを回路基板に装着するICの装填方法において、リードフレームにアニール処理を施さず、且つ、スズ皮膜に代えて、スズと、ビスマス、銀、インジウムよりなる成長抑制金属とのスズ合金皮膜をリードフレームにメッキ形成するICの装填方法である。アニールの省略でCu3Sn層の形成を回避して曲げ加工時のクラックの発生を防止し、また、所定の添加金属の作用でアニールなしでも室温放置でメッキ皮膜への銅の拡散によるボイドを発生させず、接合強度を高く保持できる。 (もっと読む)


銅イオン源と、式Iの化合物から選ばれる少なくとも一種の抑制剤とを含む、空隙サイズが30ナノメーター以下であるサブミクロンサイズの窪みを充填するための組成物。
【化1】


[式中、
−R1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のC3〜C4アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、−R2基は、それぞれ独立して、R1またはアルキルから選ばれ、−XとYは独立して、また各繰返単位のXが独立して、C1〜C6アルキレン及びZ−(O−Z)m(但し、Z基はそれぞれ独立してC2〜C6アルキレンから選ばれる。)から選ばれるスペーサー基であり、−nは0以上の整数であり、−mは1以上の整数である。] (もっと読む)


【課題】良好なめっき皮膜性能を実現するめっき浴及びそれを用いためっき方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るめっき浴は、実質的にシアン化合物を含有せず、
(A)化学式(1)
12NC(=S) NX34 (1)
[(1)におけるX1、X2、X3及びX4は、水素、アルキル、アリル又は下記化学式(2)
−(CHZ1−CH2−S)n−Y (2)
のいずれかで表される基である。(2)におけるZ1は、水素又はメチル基であり、nは0〜10の整数を表し、Yは、下記化学式(3)
−CHZ2−CH2−D (3)
で表される基である。(3)におけるZ2は、水素又はメチル基であり、Dは、SH、OH、NX56又はCOOHである。前記X5及びX6は、互いに同一又は異なっていてよい。また、前記X1、X2、X3及びX4のうち、少なくとも一つは(2)で表される基である。]
で表されるチオ尿素系化合物、
(B)めっき金属として第4〜6周期の第8〜11族、水銀を除く第12族、第13族、第14族、及び、第15族から選ばれた金属の水溶性塩又は水溶性錯体の一種又は二種以上、
を含有する。 (もっと読む)


耐用年数を改善し、生産コストを低減し、プロセス性能を高めた信頼性およびコスト効率の高い電池または電気化学キャパシタ電極構造を形成するための方法および装置を提示する。一実施形態では、電池または電気化学セル用の三次元多孔質電極を形成するための方法が提供される。この方法は、拡散律速蒸着プロセスによって第1の電流密度で基板の上に柱状金属層を蒸着することと、第1の電流密度より大きな第2の電流密度で柱状金属層の上に三次元金属多孔質樹枝状構造を蒸着することとを含む。
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【課題】導電体基板の表面に直接めっき法によって凸状金属構造体を形成できるめっき液およびめっきされた導電体基板を提供する。
【解決手段】導電体基板の表面に二次元的に成長した凸状金属構造体106を形成するためのめっき液であって、Cu,Niなどの金属イオンを含む金属塩,炭化水素からなる疎水基と該疎水基の末端に親水基を有する界面活性剤,前記金属塩と界面活性剤を溶解した水溶液とを含むめっき液、および、該めっき液を用いて凸状金属構造体106を形成した導電体基板。 (もっと読む)


電着浴、電着システム、及び電着方法が提供される。幾つかの実施形態では、前記浴、システム、及び方法を使用して金属合金コーティングを堆積させる。
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本発明は、めっき溶液にシアン化物を用いることなく、亜鉛ダイカスト物品にめっきを施す方法を含む。前記方法は、先ず前記亜鉛ダイカスト物品に亜鉛合金層のめっきを施し、次いで銅、ニッケル、クロム、スズ、又は黄銅でめっきを施すことを提唱する。好ましい亜鉛合金初期コーティングは、亜鉛−ニッケルである。 (もっと読む)


【解決手段】基板表面に金属あるいは合金のつや消し層の堆積のための電解質組成物であって次ぎを含む:
次ぎの金属あるいは合金を堆積するためのV、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Te、Re、Pt、Au、Tl、Bi、およびこれらの組み合わせからなる群から選ばれる堆積金属イオン;
ナトリウム、カリウム、アルミニウム、マグネシウム、あるいはホウ素からなる群の元素の少なくとも1つのハロゲン化物、硫酸塩、あるいはスルホン酸塩;および
非置換ポリアルキレンオキシド、置換ポリアルキレンオキシド、置換あるいは非置換ポリアルキレンオキシドの誘導体、フッ素化湿潤剤、パーフッ素化湿潤剤、第4級アミン、あるいはポリアルキレンオキシドで置換された第4級アミンからなる群から選ばれる1つあるいはそれ以上の分散形成剤。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、錯化剤を含有せず、電気錫めっきを行う場合、特にバレルめっき法を用いて電気錫めっきを行う場合にカップリングレートが極めて小さく、かつはんだぬれ性の良好なめっき液及びめっき方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、(A)第一錫イオン、(B)酸、(C)N,N−ジポリオキシアルキレン−N−アルキルアミン、アミンオキシドまたはこれらの混合物及び(D)固着防止剤を含有し、pH1以下のチップ部品用電気錫めっき液を提供する。 (もっと読む)


2級モノアミンとジグリシジルエーテルとの反応生成物を含有する、シアン化物を使用せずに基体表面上へ銅合金を堆積するためのピロリン酸塩含有浴が開示される。この電解質浴は、光沢のある白色の平滑であって均一な銅−スズ合金被覆の電気的堆積に好適である。 (もっと読む)


本発明は、毒性成分、例えばシアニド又はチオ化合物不含の改良された銅−錫電解液に関する。さらに本発明は、消費財及び工業製品上の装飾用青銅層を、本発明の電解液を用いて析出させるための方法に関する。この電解液は、エピクロロヒドリン及びヘキサンメチレンテトラミンからなる添加剤を含み、かつ炭酸イオン又は炭酸水素イオンを含有する。 (もっと読む)


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