【課題】本発明の目的は、表面が平滑でかつ耐熱性を有する銅合金箔にＮｉ合金めっきを施したプリント配線基板用金属材料を提供することにある。
【解決手段】３００℃で１時間加熱しても軟化しない圧延銅合金箔の少なくとも一方の面を光沢面に仕上げ、その面に０．３μm以上のＮｉ合金めっきを施すことを特徴とするプリント配線基板用材料であり、耐熱性銅合金箔としてＳｎ入り銅箔やＣｒおよびＺｒ入り銅箔が好ましい。また、めっきには光沢Ｎｉ合金めっきが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 ノンシアン系の金めっき液について、バンプ形状の形成能力に優れ、熱処理を行った場合であっても、下地との密着性が良好で、且つ、バンプの接合性を確保するために適度な硬度を有した金めっきを処理することが可能な金めっき液を提供する。
【解決手段】 金濃度５〜２０ｇ／Ｌの亜硫酸金ナトリウム又はそのエチレンジアミン錯体と、１０〜１００ｇ／Ｌの亜硫酸ナトリウムと、タリウム濃度１〜５０ｐｐｍのタリウム化合物とを含有する金めっき液において、亜硫酸カリウムを０．１〜５０ｇ／Ｌ含有するものとした。 （もっと読む）

【課題】 錫及び錫合金半田めっきにおいて、ウィスカーの発生を抑制することのできる、めっき液、めっき膜及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 錫めっき膜又は錫合金めっき膜を作製するためのめっき液に、サッカリンナトリウムを含有させる。好ましくは、サッカリンナトリウムを１５ｇ／ｌ以上含有させる。このめっき液を用いて作製されためっき膜は、錫の平均結晶粒径が１．５μｍ以下であり、ウィスカーの発生が抑制されている。めっき時の電流密度を１５ｍＡ／ｃｍ²以上、カソード電位を飽和カロメル電極（ＳＣＥ）に対して９００ｍＶ以上とすることにより、より確実にウィスカーの発生を抑制することができる。
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陽極と陰極とを備えた、亜鉛合金を基板に被着させるためのアルカリ電気めっき浴であって、陽極領域と陰極領域とがろ過膜によって互に分離されているアルカリ電気めっき浴が提供される。 （もっと読む）

【解決手段】 マイクロビアやスルーホールをめっきする方法であって、少なくともコンディショニング工程と電気めっき工程を有し、前記コンディショニング工程では、基材を浸漬すべき、少なくとも１種の光沢剤成分、および塩化物および／または臭化物を含有する溶液が用いられ、前記電気めっき工程での電解液は、少なくとも１種のキャリアーおよび／またはレベラーを含有する。
【効果】 （１）ブラインドマイクロビアの充填、（２）スルーホールの充填、（３）スルーホールめっきに関する驚異的な改善が認められた。 （もっと読む）

【課題】 酸性電気銅メッキ浴において、先ず、均一電着性に優れ、次いで、高いビアフィリング能力を発揮させる。
【解決手段】 可溶性銅塩とベース酸を含有し、ベース酸が有機酸であり、錯化剤に特定の脂肪族チオアミノカルボン酸又はその塩（メチオニンなど）、脂肪族メルカプトカルボン酸又はその塩（メルカプトコハク酸など）、スルフィド類（３,６−ジチアオクタン−１,８−ジオールなど）、アミノカルボン酸類（ジエチレントリアミンベンタ酢酸など）、或はチオ尿素類を選択した電気銅メッキ浴である。また、ベース酸の種類を問わず、上記錯化剤に準じた種類の錯化剤を含むメッキ浴も有効である。特定の錯化剤を含む有機酸又は無機酸の銅浴であるため、従来の硫酸銅浴などに比して素地表面への均一電着性に優れる。さらには、高いビアフィリング能力も有する。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (ａ)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(ｂ)芳香族スルフィド類、芳香族メルカプタン類、チオ尿素類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(ａ)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(ａ)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸などが、(ｂ)の芳香族スルフィド類には３,４,５−トリヒドロキシ−４′−アミノジフェニルジスルフィドなどが、芳香族メルカプタン類には２,６−ジヒドロキシ−２−メルカプトピリジンなどが挙げられる。成分(ｂ)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(ａ)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 （もっと読む）

【課題】 スズとスズより貴な金属（銀、ビスマス、銅など）との合金の電気メッキに際して、電析中にスズ（合金）陽極での貴な金属の置換析出を円滑に防止する。
【解決手段】 スズ合金電気メッキ浴に、グルタミン酸−Ｎ,Ｎ−二酢酸、メチルグリシン−Ｎ,Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれた溶解電流抑制剤の少なくとも一種を添加して、陽極の溶解電流を抑制し、電析中に貴な金属の陽極への置換析出を防止可能にしたスズ合金電気メッキ方法である。当該抑制剤の添加で溶解電流を抑制するため、陽極電流密度を従来より低くしても、陽極の電位を貴な金属の自然電極電位より貴に変移させ、もって貴な金属の陽極への置換析出を有効に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴において、浴から得られる電着皮膜のハンダ付け性や外観を向上する。
【解決手段】 (ａ)脂肪族アミノ酸類、含窒素芳香族カルボン酸類の少なくとも一種と、(ｂ)脂肪族スルフィド類、脂肪族メルカプタン類の少なくとも一種とを含有するスズ−銀合金電気メッキ浴である。(ａ)の脂肪族アミノ酸類にはグリシンなどが、(ａ)の含窒素芳香族カルボン酸類にはピコリン酸、３−アミノピラジン−２−カルボン酸などが、(ｂ)の脂肪族スルフィド類には４,７−ジチアデカン−１,１０−ジオールなどが、脂肪族メルカプタン類にはチオグリコールなどが挙げられる。成分(ｂ)のイオウ化合物を銀の安定剤とし、さらに、グリシンやピコリン酸などの成分(ａ)を併用することで、スズ−銀合金皮膜のハンダ濡れ性と外観を良好に向上できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノホールへ合金めっきを充填した後に合金から結晶性を有する分離相を相分離させてマトリクス中に機能性を有する分離相を形成する分離相の形成方法を提供するものである。特に、分離相の特性を利用するナノ構造素子及びこれを基板上に多数規則配列したナノ構造体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを行った後、熱処理等により第一成分の非磁性金属としてのＣｕ等と第二成分の強磁性体又は反強磁性体とに分離して第二成分からなる分離相を形成することができる。ナノホール内に形成した前記合金めっきを、相分離により形成した分離相の磁性、電気抵抗、熱伝導等の特性を利用したナノ構造素子が得られ、これを利用してナノ構造体を製造することができる。 （もっと読む）

本発明はポリビニルアンモニウム化合物、前記化合物の製造方法、銅めっきを電気分解的に析出するために少なくとも前記ポリビニルアンモニウム化合物を含む酸性水溶液、並びに、前記酸性水溶液を用いて銅めっきを電気分解的に析出する方法に関しており、前記ポリビニルアンモニウム化合物は一般化学式（Ｉ）に相当し、並びに、一般化学式（Ｉ）のポリビニルアンモニウム化合物において、添え字I及びｍを有するモノマー単位の一つが、又は両方が中性の状態で存在する。
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【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、微摺動摩耗等の不都合を伴うことなく薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

本発明は、テトラアルキルアンモニウム、テトラアルキルホスホニウム、１，１−ジアルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−１−アルキルピロリジニウム、１−ヒドロキシアルキル−３−アルキルイミダゾリウム、またはビス（１−ヒドロキシアルキル）イミダゾリウムカチオンの少なくとも１つを含有し、該アルキル基または１−ヒドロキシアルキル基のアルキレン鎖が、それぞれ互いに独立して炭素原子数１〜１０である、イオン性液体中における、基板上へのタンタルおよび／または銅の電気化学的沈着方法に関する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、めっき時における被めっき物の２個付き及び凝集現象がなく、また、電析めっき皮膜のはんだ付け性能の劣化のない錫又は錫合金めっき浴を提供することにある。
【解決手段】本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるジスルフィド化合物、及びカルボン酸又はその塩を含有する錫又は錫合金めっき浴であって、前記カルボン酸はモノカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシ又はケトカルボン酸、アミノ酸及びアミノカルボン酸からなる群より選ばれ、かつ、ｐＨが２．０〜９．０である、前記錫又は錫合金めっき浴を提供する。
Ａ-Ｒ¹-Ｓ-Ｓ-Ｒ²-Ａ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ炭素数１〜２０個の炭化水素残基を表し、それらは同一であっても又は異なっていてもよく、ＡはＳＯ₃Ｎａ、ＳＯ₃Ｈ、ＯＨ、ＮＨ₂又はＮＯ₂を表す。） （もっと読む）

サブミクロン径の内部配線凹凸を有する半導体集積回路基板上をＣｕを電気メッキするための組成物と電気メッキする方法が提供される。この組成物はＣｕイオンとポリエーテル基を含む抑制剤からなる。この方法は、超充填速度で迅速なボトムアップ沈積をする超充填方法に関し、これにより垂直な方向での凹凸の底から凹凸の上部開口までＣｕ沈積が側面のＣｕ沈積よりも実質的に大となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】アンモニアを用いることなしで、タングステン含有率が高く、硬度が高く、耐食性に優れ、耐摩耗性に優れ、離型性に優れたニッケル−タングステン合金めっき皮膜を形成することができるニッケル−タングステン合金めっき液及びニッケル−タングステン合金めっき皮膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】タングステン酸のナトリウム塩及びカリウム塩の少なくとも１種０．２〜０．５Ｍ、硫酸ニッケル０．０７〜０．２Ｍ、クエン酸アンモニウム０．２〜０．４Ｍ及びクエン酸又はクエン酸のナトリウム塩又はカリウム塩０．２〜０．４Ｍを必須成分として含有し、酸又はアルカリの添加によりｐＨが４〜６に維持されているニッケル−タングステン合金めっき液、該めっき液を用い、浴温５０〜７０℃、電流密度３０〜１５０ｍＡ／ｃｍ²の条件下で電気めっきするニッケル−タングステン合金めっき皮膜の形成方法。 （もっと読む）

本発明は、銅ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドまたは銅トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドのいずれかを有するメッキ溶液、およびこれらのメッキ溶液を使用して、銅配線に電気化学的または化学的に沈着する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ性亜鉛系めっき浴を用いて鋳鉄へ亜鉛系めっきを施す。
【解決手段】 めっき浴を亜鉛イオンと水酸化アルカリを含むアルカリ性亜鉛系めっき浴とし、陽極の一部又は全部を不溶性陽極とし、陽極以外から亜鉛イオンの一部又は全部を供給し、並びに連続的又は断続的に、めっき液を流動若しくは振動させ、及び／又は被めっき物を揺動、振動若しくは回転させる鋳鉄への亜鉛系めっき方法。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を有効に防止する。
【解決手段】 第一スズ塩と、ビスマス塩と、各種の酸とを含有するスズ−ビスマス２元合金電気メッキ浴において、ＨＬＢが７.３〜１５.６のジスチレン化フェノールポリアルコキシレート、ＨＬＢが２.８〜１６.６のcis−9−オクタデセニルアミンポリアルコキシレートなどの所定のＨＬＢを有する特定化学構造種のアルキレンオキシド付加物、或は曇点が１５℃〜３０℃であるエチレンジアミンのポリアルコキシレートよりなるノニオン系界面活性剤を添加した鉛フリーのスズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。所定のＨＬＢ又は曇点を有する特定化学構造種のノニオン系界面活性剤を選択添加するため、アノード表面へのビスマスの置換析出を防止して浴中のビスマスの消耗を抑止し、メッキ浴組成を安定化できる。 （もっと読む）