【課題】均一電着性に優れ、めっきコストの低廉なニッケルめっき浴を提供する。
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、塩化ニッケル・六水和物を４ｇ／Ｌ〜１００ｇ／Ｌ含み、クエン酸ナトリウム・二水和物を５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ含み、ホウ酸等のｐＨ緩衝剤を含まないか又は飽和濃度以下とされており、硫酸ニッケル・六水和物を含まないか又は３０ｇ／Ｌ以下とされており、ｐＨが６．５〜１０とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、めっきされる部分にのみ効率よくニッケルめっきを施すことができるめっき液およびめっき方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．３ｍｏｌ／Ｌ以下のアンモニウムイオンとを含み、ｐＨが５より高く７未満であり、アルカリ金属のイオン濃度が０．０３ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

２級モノアミンとジグリシジルエーテルとの反応生成物を含有する、シアン化物を使用せずに基体表面上へ銅合金を堆積するためのピロリン酸塩含有浴が開示される。この電解質浴は、光沢のある白色の平滑であって均一な銅−スズ合金被覆の電気的堆積に好適である。 （もっと読む）

【課題】電着組成物、及び、該組成物を用いた半導体基板のコーティング方法の提供。
【解決手段】本発明は、電着組成物、特に、集積回路内の配線を形成するために、「貫通ビア」型構造の形成用の半導体基板を銅でコーティングするための電着組成物に関する。本発明によれば、該溶液は、１４〜１２０ｍＭの濃度の銅イオンと、エチレンジアミンとを含み、エチレンジアミンと銅とのモル比は１．８０〜２．０３であり、該電着溶液のｐＨは６．６〜７．５である。本発明はまた、銅シード層を堆積させるための上記電着溶液の使用、及び、本発明に係る電着溶液を用いた銅シード層の堆積方法に関する。 （もっと読む）

【課題】電子機器のコネクター等の部分めっきに適した、限られた狭い範囲に高い精度でめっきできる金含有部分めっき用めっき液を提供する。
【解決手段】シアン化金塩を金含有量として1.0〜15ｇ/ｌと、脂肪族α−アミノ酸10〜100g/lと、伝導塩10〜100g/lと、を含有する金含有部分めっき用めっき液。本発明のめっき液は、脂肪族α−アミノ酸を含有するので、電気伝導度が50000μS以下である。本発明のめっき液は、めっきつきまわり性が低いので、フープめっき、リールツーリールめっきを用いた部分めっきに最適である。 （もっと読む）

【課題】６価クロム化合物を用いることなく、３価クロムめっき皮膜の耐食性を大きく向上させることが可能な、３価クロムめっき皮膜用の処理液及び処理方法を提供する。
【解決手段】水溶性３価クロム化合物を含有する水溶液からなる３価クロムめっき皮膜用電解処理液、及び該電解処理液中において３価クロムめっき皮膜を有する物品を陰極電解することを特徴とする３価クロムめっき皮膜の電解処理方法。 （もっと読む）

【課題】ロジウムめっき物と同等の硬度、接触抵抗、色調などの特性を有するめっき物を、ロジウムめっき物よりも経済的に提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に、電気めっきにより形成されてなるルテニウムとパラジウムとの合金のめっき膜を有するルテニウム−パラジウム合金めっき物であって、該めっき膜がルテニウムが３５重量％以上、６５重量％以下、残部がパラジウムからなることを特徴とするルテニウム−パラジウム合金めっき物。 （もっと読む）

【課題】硬度が高く、しかも皮膜応力も緩和されためっき皮膜を形成し得るニッケルめっき液を提供する。
【解決手段】硫酸ニッケル水溶液からなるニッケルめっき液において、硫酸ニッケルに加えて、リンゴ酸もしくはその塩と、サッカリンもしくはその塩と、チオ尿素とを含有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スズ又はスズ合金メッキ浴に添加する皮膜結晶の微細化剤において、良好な皮膜外観を経時安定的に付与する。
【解決手段】 (Ａ)第一スズ塩と、第一スズ塩及び第４周期から第６周期の第VIII、IＢ、IIＢ、IIIＡ、IVＡ、ＶＡ属から選ばれた金属（例えば、銀、銅、ビスマスなど）の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩と、(Ｂ)酸又はその塩と、(Ｃ)ベンゾアゾール環の２位のメルカプト基にＣ₃〜Ｃ₆アルキレンが結合した特定の２−メルカプトベンゾアゾール誘導体を含有するスズ及びスズ合金メッキ浴である。上記Ｃ₃〜Ｃ₆アルキレンの結合により、酸化や開裂を起こし難くなるため、メッキ作業が進行しても微細化作用が減退することなく持続し、良好な皮膜外観を経時安定的に付与できる。 （もっと読む）

【課題】基体上に良好な物理−機械的特性を有する均一で光沢性の高い金属層を提供する。
【解決手段】以下の式を有する添加剤消費抑制有機化合物をめっき液に添加する：


式中、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は独立して、水素；ハロゲン；（Ｃ１−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルキル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、分枝、または環状アルケニル；（Ｃ２−Ｃ２０）直鎖、または分枝アルキニル；−ＣＮ；ＳＣＮ；−Ｃ＝ＮＳ；−ＳＨ；−ＮＯ２；ＳＯ２Ｈ；−ＳＯ３Ｍ；−ＰＯ３Ｍ；（Ｃ１−Ｃ２０）アルキル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルフェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，−フェニル−Ｏ（Ｃ２−Ｃ３Ｏ）ｘＲ６，式中ｘは１から５００の整数であり、Ｒ６は水素、（Ｃ１−Ｃ４）アルキルまたはフェニルである。 （もっと読む）

析出されたときにナノ粒状である電析された結晶質機能的クロム堆積物であり、そして堆積物がＴＥＭおよびＸＲＤ結晶質の両方であり得るか、またはＴＥＭ結晶質でありそしてＸＲＤ非晶質であり得る。種々の実施態様において、堆積物は、クロム、炭素、窒素、酸素および硫黄の合金；｛１１１｝の優先方位；約５００ｎｍ^２未満の平均結晶粒断面積；および２．８８９５±０．００２５Åの格子定数の１または２以上の任意の組み合わせを含む。基材にナノ粒状の結晶質機能的クロム堆積物を電析させるための方法および電析浴であって、３価クロム、２価硫黄源、カルボン酸、窒素源を含み、そして実質的に６価クロムを含まない電析浴を提供する工程；浴に基材を浸漬する工程；および電流を付与して基材上に堆積物を電析させる工程を含む。
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【課題】均一電着性に優れ、ホウ素を用いることが無く、めっきコストも低廉なニッケルめっき浴を提供する
【解決手段】本発明のニッケルめっき浴は、ニッケルイオン源としての塩化ニッケル及び／又は硫酸ニッケルをニッケルイオン濃度換算で1ｇ／Ｌ〜２０ｇ／Ｌ含み、クエン酸をクエン酸・一水和物換算で５０ｇ／Ｌ〜３００ｇ／Ｌ含み、ｐＨがアンモニアによって６．５〜１０に調節されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】錫めっき又は金めっきが施された基板電極との接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、めっき浴の安定化剤としての水溶性アミンと、結晶調整剤と、亜硫酸ナトリウムからなる伝導塩５〜１５０ｇ／Ｌと、緩衝剤と、分子量２０００〜６０００のポリアルキレングリコール０．０１〜１０ｍｇ／Ｌと、を含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。結晶調整剤としてはＴｌ化合物、Ｐｂ化合物、またはＡｓ化合物が、水溶性アミンとしては炭素数２〜６のジアミン化合物が好ましい。 （もっと読む）

【課題】異方性導電接着剤を用いた熱圧着による接合に適したバンプ硬度と形状を有する金バンプが得られるバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴及びバンプ形成方法を提供する。
【解決手段】金源としての亜硫酸金アルカリ塩または亜硫酸金アンモニウムと、結晶調整剤と、亜硫酸カリウムからなる伝導塩5〜150ｇ／Ｌと、分子量が200〜6000のポリアルキレングリコール１ｍｇ／Ｌ〜６ｇ／Ｌ及び／又は両性界面活性剤0.1ｍｇ〜1ｇ／Ｌと、水溶性アミン及び/又は緩衝材とを含有するバンプ形成用非シアン系電解金めっき浴。パターンニングされたウエハ上に本発明の金めっき浴を用いて電解金めっきを行った後、２００〜４００℃で５分以上熱処理することにより、皮膜硬度が５０〜９０Ｈｖ、表面の高低差が１．８μｍ以下のバンプが形成される。 （もっと読む）

【課題】ランニングにおいて析出効率の低下がなく、金皮膜が硬質で金純度が９９．９％以上である金皮膜が得られる電解金めっき液を提供することである。また、上記電解金めっき液を用いることにより、ワイヤーボンディングパッド及びコンタクト接合部が同一の金皮膜である電子部品を提供すること。
【解決手段】シアン化金塩を金源とし、下記式（１）で示されるアミン化合物及び下記式（３）で示される複素環式化合物を含有していることを特徴とする電解金めっき液。
Ｈ_２Ｎ−（Ｒ^１−ＮＨ）_ｎ−Ｈ （１）
［式（１）中、Ｒ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の、アルキレン基、アリーレン基若しくはアルキレンアリーレン基を示し、ｎは１以上の自然数である。］


［式（３）中、Ｎを含む環は、環中にＮを２個以上有する複素環を示し、該複素環中の炭素原子には置換基が結合していてもよい。］ （もっと読む）

【課題】クラックのない光沢性に優れたパラジウム−コバルト合金被膜を、高いコバルトの含有量でかつ厚い膜厚に形成することのできる、パラジウム−コバルト合金めっき液、パラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、パラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】パラジウムとして１〜３０ｇ／Ｌの可溶性パラジウム塩と、コバルトとして０．５〜２０ｇ／Ｌの可溶性コバルト塩と、１．０ｍｏｌ／Ｌ以上の無機アンモニウム塩と、１〜２０ｇ／Ｌの不飽和有機カルボン酸又はその塩とを含有し、ｐＨが５．０〜６．５に調整されて成るパラジウム−コバルト合金めっき液、このパラジウム−コバルト合金めっき液を用いてめっきするパラジウム−コバルト合金被膜の形成方法、並びに、このパラジウム−コバルト合金被膜を加熱するパラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質のめっき皮膜を得ることが可能なめっき液、めっき方法及びそのめっき方法によってめっき皮膜が形成された物品を提供する。
【解決手段】めっき液が、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、メタクリル酸イオン、スルファミン酸イオン、クエン酸イオンおよびガリウム酸イオンからなる群から選ばれる一種以上の陰イオンとガリウムイオンとを有し、塩素イオン濃度が１０ｐｐｍ以下であること、および／または、ガリウムイオンおよびキレート剤を有し、該キレート剤の濃度はガリウムに対するモル濃度の比率（キレート剤のモル濃度／浴中ガリウムイオンのモル濃度）として０．１〜５であって、めっき液のｐＨが３から１０の範囲であることにより好適なガリウムめっき皮膜が得られる。また、めっき液が、ガリウムイオンとスズイオンとをガリウム／スズのモル比として０．３〜１５の範囲で有し、ｐＨが１０以上１４以下であることにより好適なガリウム合金めっき皮膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】電気特性の低下を十分に抑制できるセラミックス電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】Ｚｎ、Ｆｅ、Ｃｏ及びＭｎからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属原子の酸化物を含むセラミックス電子部品素体の表面に導電層を形成する工程、導電層上に、めっき液を用いて、ニッケルめっき層５を形成する工程を経てセラミック電子部品１００を製造するセラミック電子部品の製造方法であって、めっき液が、ニッケル塩と、ニッケルイオンと錯体を形成するアミン化合物とを含み、ｐＨが６〜１２であるセラミックス電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】不溶性陽極を用いても安定した効果が得られる、銅めっき用添加剤を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤であって、前記ポリアルケンオキシド化合物が、その末端のいずれか一方又は両方に官能基又はハロゲン元素を導入した以下に示す構造式を有し、数平均分子量が１００〜２００００００であることを特徴とする銅めっき用添加剤を採用する。


そして、前記構造式におけるｍを１〜８とし、Ｒ_１又はＲ_２を官能基とする場合は、スルホン基、ＮやＳを含む官能基及び不飽和結合をもつ官能基から選択されるいずれかの官能基とする。更に、分子量が１００００〜２００００００の前記ポリアルケンオキシド化合物を含む銅めっき用添加剤を採用すれば、ビス（３−スルフォポロピル）ジスルフィドやヤヌスグリーン等の添加剤を併用する必要も無く、より好ましい銅めっきが出来る。 （もっと読む）

実用品又は日用品は、装飾の理由から及び腐食の保護のために青銅層で電解被覆される。装飾用青銅層を生じさせるためにこれまで使用されてきた電解液は、シアン化物含有であるか又は有機スルホン酸ベースの浴の場合のように高度に腐食性であるかのいずれかであり、又はシアン化物フリーの二リン酸をベースとする浴の場合のように不十分な長期安定性を有する。エレクトロニクス工業におけるろう付け可能な青銅層の施与に使用される電解液は、たいてい有毒又は非常に有毒なチオ化合物を含有する。本発明を用いて、装飾用青銅層の電解析出のための長期安定で無毒な電解液及び実用品及び工業品上へのそのような装飾用青銅層を施与する相応した方法が提供される。 （もっと読む）