【課題】レアメタルの使用量を抑えつつ、鉛フリーはんだに対するはんだ付け性（濡れ性）の向上はもとより、ウィスカの発生を抑制ないし防止することができるめっき被膜材を提供する。
【解決手段】導電性基材４に第１めっき層１ａを形成し、該第１めっき層１ａの表面に第２めっき層２ａを形成しためっき材からなるリードフレーム１０ａであって、前記第１めっき層１ａが、スズ、スズ−銀合金、スズ−ビスマス合金、スズ−銅合金、及びスズ−銀−銅合金の群から選ばれる少なくとも１種からなり、第２めっき層２ａがインジウムからなり、前記第１めっき層の厚さを５μｍ超１０μｍ以下とし、かつ第２めっき層の厚さを０．０５μｍ以上０．４μｍ以下としたリードフレーム１０ａ。 （もっと読む）

【課題】挿入抵抗および接触電気抵抗を小さくすることができるめっき材料およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣｕまたはＣｕ合金からなる基材上に、少なくともＣｕ−Ｓｎ合金中間層と、Ｓｎ表面層とをこの順序で有することを特徴とするめっき材料において、前記Ｃｕ−Ｓｎ合金中間層の表面粗さを表すパラメータである十点平均粗さＲｚμｍと最大高さＲｙμｍとの関係が、Ｒｙ／Ｒｚ＜１．３を満たし、かつ、前記十点平均粗さＲｚと、前記Ｓｎ表面層の平均厚さｔμｍが、Ｒｚ（６−π）／６≦ｔ≦Ｒｚ（６−π）／６＋０．３を満たす関係にある。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池製造時のエージング工程で金属溶出が少なく、この結果、エージング後のリチウムイオン電池の電圧低下が少ない金属外装ケース用素材、金属外装ケースおよび該金属外装ケースを用いたリチウムイオン電池を提供する。
【解決手段】冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に下層側からＣｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層を有するか、又は冷延鋼板を下地とし、ケース内面に相当する面に、下層側からＣｕ層、Ｃｕ−Ｎｉ拡散層、Ｎｉ層を有する。さらに、冷延鋼板とＣｕ−Ｎｉ拡散層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層、冷延鋼板とＣｕ層との中間にＦｅ−Ｎｉ層もしくはＦｅ−Ｃｕ−Ｎｉ層を有すると好ましい。 （もっと読む）

【課題】基材上に中間層を介して添加元素を含むＢｉ又はＢｉ合金から形成されるオーバレイ層を被着した摺動部材において、オーバレイ層中の添加元素の拡散を低減し、なじみ性を良好に維持することができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材２に中間層３を介してオーバレイ層４を被着した摺動部材において、オーバレイ層４を、Ｂｉ又はＢｉ合金に低融点の金属からなる添加元素を添加して形成し、中間層３を、Ａｇ又はＡｇ合金に添加元素を添加して形成する。中間層３に添加する添加元素の量を、オーバレイ層４中に含まれる量の５倍以上にする。 （もっと読む）

【課題】 添加剤の種類が少ない銅めっき浴を用いて、導電処理した基板上の非貫通穴へ銅を良好に充填する方法を提供する。
【解決手段】 導電処理した基板上にある非貫通穴へ銅を充填する方法であって、水溶性銅塩、硫酸、及びブライトナーとレベラーとの両方の作用を有する重合体からなるフィリング添加剤とを含有するむ酸性銅めっき浴で前記基板をめっき処理することを特徴とする銅充填方法。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズ用銅合金材の溶断特性を改善する。
【解決手段】 銅合金基材の表面に、厚さ０．０１〜２０μｍのＮｉめっき層を形成し、その上に厚さ０．１〜３０μｍのＳｎめっき層を形成した後、リフロー処理又は加熱処理を行って、前記Ｎｉ，Ｓｎ含有合金層を形成するとともに前記Ｎｉめっき層を消滅させる。Ｓｎめっき及びその後のリフロー処理又は加熱処理の代わりに、溶融Ｓｎめっきを行うこともできる。銅合金基材１の表面にＮｉ−Ｓｎ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｓｎ合金、又はその両者からなるＮｉ，Ｓｎ含有合金層３が形成され、その上に最表層として純Ｓｎ層４が形成されたヒューズ用めっき付き銅合金材が得られる。 （もっと読む）

【課題】特に、残留応力を低減しためっき層を形成することにより、応力腐食を防ぎ、耐食性に優れ、安定した電気接点を提供する。
【解決手段】引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂの積層めっき膜によりめっき層を形成して、下地層３あるいは貴金属めっき層４とする。さらに、引張り応力めっき層３ａと、圧縮応力めっき層３ｂを複数積層しためっき構造とする。これにより、めっき内部に残留応力を低減しためっき層を得ることができ、さらに熱処理を行うことにより、残留応力をさらに除去することができる。めっきに用いるめっき浴の種類、またはめっき浴に添加する光沢剤の種類、めっき中の電流密度を変えることにより、引張り応力めっき層、および圧縮応力めっき層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】耐折曲げ性に優れ、特に、液晶画面駆動用半導体を実装するための半導体実装用として、耐折曲げ性に優れる銅被覆ポリイミド基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドフィルムの少なくとも片面に、スパッタリング法又は蒸着法によって金属シード層及びその上に銅層を形成し、さらにその上に電気めっき法、又は電気めっき法と無電解めっき法を併用する方法で銅めっき皮膜を形成してなる銅被覆ポリイミド基板であって、該銅めっき皮膜は、ダイナミックＳＩＭＳ法によるイオウの相対二次イオン強度が１０００カウント以下であることを特徴とする。また、電気めっき法で、不溶解性陽極を用い、かつ全量に対して鉄イオンを０．１〜１０ｇ／Ｌを含有する銅めっき液を用いるとともに、さらに、分解分の補充として添加する光沢剤の添加量を、そのイオウ量で、銅めっき液１ｍ^３かつ１時間当たり０．００５〜０．１ｍｇに制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウム多孔質材およびその製造方法、アルミニウム多孔質材を電極集電体として用いた蓄電デバイスを提供すること。
【解決手段】 本発明のアルミニウム多孔質材は、隣接する空孔同士が繋がることによって形成された三次元網目状構造を有する多孔質基材の表面がアルミニウムで被覆されたマトリックスからなることを特徴とする。また、隣接する空孔同士が繋がることによって形成された三次元網目状構造を有するアルミニウムマトリックスからなり、マトリックス部材の内部が空洞である部分を少なくともその一部に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】めっき法を用いて放熱板を製造する優れた製造方法を提供する。
【解決手段】銅基板をクロムめっき浴に浸漬してクロム層を形成した後に、クロム層に付着したクロムめっき液を洗浄する工程を行う。次に銅めっき浴に浸漬してクロム層上に銅層を形成する工程を行う。この工程を繰り返す結果、銅基板上にクロム層が積層され、さらにクロム層上に銅層が積層され、放熱板が製造される。その製造方法で製造された放熱板は、高密度・微細化が進む電子部品に適切に対応しえるものになりえて、安価で且つ工業的に優れたものになる。 （もっと読む）

【課題】基材にＡｇ又はＡｇ合金から形成したオーバレイ層を被着した摺動部材において、優れたなじみ性を得ることができる摺動部材を提供する。
【解決手段】基材２にＡｇ又はＡｇ合金から形成したオーバレイ層３を被着する。オーバレイ層のＸ線回折の強度が、１％≦（２００）／｛（２００）＋（１１１）＋（２２０）＋（３１１）＋（２２２）｝≦２０％、且つ、１％≦（２００）／（１１１）≦３０％を満たすように形成する。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大が抑制されるディスクブレーキおよび摺動部材を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金製のピストン基体の表面にりん酸溶液による陽極酸化処理により陽極酸化皮膜層を形成し、さらに、該陽極酸化皮膜層上にクロムめっき層を形成した後、外周を研削および研磨により仕上げて、外周を形成するクロムめっき層の残留応力が−500MPa以下、且つ表面粗さが0.07〜0.30μmRaのピストンを得た。これにより、ディスクブレーキに使用されるに向けて耐熱衝撃性・耐食性が良好なピストンを提供することができる。また、亜鉛置換処理の工程が不要であり、工程の煩雑化および製造コストの増大を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制といった耐熱性に優れ、かつ表面の摩擦係数の小さいＳｎ被覆銅又は銅合金、及び通常使用されているリフロー処理前の表面処理設備をそのまま使用でき、また工場内で通常使用されている水を使用して、液きり及び乾燥の工程を必要としないため、新たな設備投資、試薬購入、及び液管理のコストがかからない効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．０５μｍ以上０．４μｍ未満であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）

【課題】耐酸性（耐食性）に優れたニッケルめっき材を簡易且つ安価に製造することができる、ニッケルめっき材の製造方法を提供する。
【解決手段】ニッケルめっき液を使用して電気めっきを行うことによりニッケルめっき皮膜を金属素材上に形成する工程（ニッケルめっき皮膜形成工程）と、大気雰囲気のような酸素を含む雰囲気中において、ニッケルめっき皮膜の表面に酸溶液をシャワー状に注ぎかける工程（酸処理工程）とを、それぞれ複数回繰り返した後、金属素材上に形成されたニッケルめっき皮膜を水洗し、乾燥して、ニッケルめっき材を得る。 （もっと読む）

【課題】素体の浸食や、絶縁不良の発生を抑制することができ、安定性および生産性の高い電気ニッケルめっき液およびセラミック電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係るめっき液は、セラミック電子部品用の電気ニッケルめっき液であって、ニッケルイオンと、０．００５ｍｏｌ／Ｌ以上０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の濃度のアルカリ金属イオンとを含み、ｐＨが５よりも大きく７未満であり、アンモニウムまたはアンモニアを含むイオンのイオン濃度が０．２ｍｏｌ／Ｌ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面の曇りがなく、高温環境に放置された後の接触抵抗値上昇抑制及び変色抑制が図れ、耐熱性及びはんだ濡れ性に優れたＳｎ被覆銅又は銅合金、及び効率のよいＳｎ被覆銅又は銅合金の製造方法の提供。
【解決手段】最表面に存在する酸素原子（Ｏ）の存在形態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光装置）で分析した際に、酸素原子（Ｏ）の１ｓ軌道の結合エネルギーのピークのトップが５３１ｅＶ以上５３２ｅＶ以下にあり、Ｓｎ層の厚みが０．４μｍ以上２．０μｍ以下であるＳｎ被覆銅又は銅合金とする。 （もっと読む）

【課題】表面の欠陥が、幅２５μｍ以下の配線を有するフレキシブル配線板に使用された場合でも問題が生じないように制御された二層めっき基板と、この二層めっき基板を簡便且つ効果的に製造する二層めっき基板の製造方法の提供。
【解決手段】絶縁性フィルム表面に導電性薄膜層を介して膜厚１０μｍ以下の銅めっき皮膜を有する二層めっき基板であって、前記銅めっき皮膜は、絶縁性フィルム表面側から第一層銅めっき膜、中間層の第二層銅めっき膜、最外層の第三層銅めっき膜の順に積層する三層構造を有し、且つ前記銅めっき皮膜の表面上に存在する直径５μｍ以上（又は基部面積が１９．６μｍ^２以上）の凸状欠陥の数と凹状欠陥の数との和が前記銅めっき皮膜の表面５０ｍｍ角当たり２４個（又は０．９６個／ｃｍ^２）以下であることを特徴とする二層めっき基板。 （もっと読む）

【課題】導体パターンの微細化と、より強力な接合力の確保とを、共に達成可能とした表面処理銅箔およびその製造方法ならびに銅張積層板を提供する。
【解決手段】表面処理銅箔は、銅箔基材１と、前記銅箔基材１の上に、炭素繊維が混入されて当該炭素繊維の一部が表面から突出するように設けられた銅または銅合金からなる粗化処理層２と、前記粗化処理層２の上に、外部の絶縁性基材７に対する化学的な接合力を増強するために設けられた後処理層８として、防錆層３と亜鉛めっき層４とクロム化成処理層５とシランカップリング処理層６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
電気接点の貴金属めっき膜やその下地として用いられるＮｉめっき膜は、緻密で耐食性に優れることが要求されるが、めっき表面に析出する光沢剤量が多いと接触性能またはめっき膜の密着性が低下することが問題となっていた。
【解決手段】
電気接点のＡｕやＡｇの貴金属めっき膜や、これらの下地膜として用いられるＮｉめっき膜において、めっき膜に含まれる光沢剤量を膜内部に比べて膜表面で少なくする。これにより、めっき膜内部はめっき膜を構成する結晶粒の粒子径が小さい緻密な膜めっき膜でありながら、表面は接触性能またはめっき密着性に優れためっき膜が得られる。例えば、陽極を傾斜、または湾曲させて形状を変え、基板との距離を変化させることにより、基板表面の電流密度を制御し、めっき内で光沢剤量が異なるめっき膜が製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の一方の面側にめっき処理をおこなう際に、めっき液の汚染を防ぎ、他方の面側に不均一なめっき層が析出するのを防ぎながら、一方の面側に低いコストで安定しためっき層を形成する。
【解決手段】半導体基板に上の一方の面に電極を形成し、他方の面に電極を形成し、他方の面の電極上に硬化型樹脂を塗布し、硬化型樹脂上にフィルムを貼り付けて硬化型樹脂を硬化させる。そのあと一方の面の電極上にめっき処理行い、めっき処理後、フィルムを硬化型樹脂とともに剥離する。 （もっと読む）