【課題】被めっき物上の導電部以外の部位へのめっき成長を極力抑制することができ、かつ良好なはんだ濡れ性を確保することができるニッケルめっき浴を実現する。
【解決手段】ニッケルめっき浴が、硫酸ニッケル等の硫酸系ニッケル塩と塩化ニッケル等のハロゲン化合物とホウ酸等のｐＨ緩衝剤とを含有し、ｐＨが２．２〜５．５に調整され、かつニッケルイオンｘとハロゲンイオンｙとのモル濃度比ｘ／ｙが０．５＜ｘ／ｙ≦１．０とされている。このニッケルめっき浴を使用して製造された積層セラミックコンデンサは、外部電極６ａ、６ｂ上に優先的にニッケル皮膜７ａ、７ｂが析出し、セラミック素体１上へのめっき成長が極力抑制される。
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【課題】 ハンダ濡れ性、ハンダ強度およびめっき皮膜の密着性に優れた表面処理Ａｌ板を提供する。
【解決手段】 Ａｌ板またはＡｌ合金板からなるＡｌ基板の表面に、脱脂、次いで酸性エッチングによる前処理を行い、置換めっきによりＺｎ層を１回または２回の処理により形成させ、その上にＮｉを含んだ層を電気めっき法あるいは無電解めっき法により形成させ、さらにその上にＳｎ層を、分光測色計を用いて測定したＬ値が７０以上となるように形成させて表面処理Ａｌ板とする。 （もっと読む）

【課題】 厚肉部および薄肉部が連続する段差部分を備えたＡＢＳ樹脂の射出成型品に薄膜メッキを施す場合に、薄肉部でのメッキムラを著しく抑制する。
【解決手段】 粒状の充填剤を混入したＡＢＳ樹脂を金型内に射出成形して、厚肉部および薄肉部が連続する段差形状を備えた射出成形品を形成する工程と、前記射出成形品の表面のブタジエン粒子を溶出させるエッチング工程と、前記エッチング工程後の前記薄肉部に厚さ１０μｍ以下のメッキ被膜を形成する工程と、によりメッキ被膜を有するＡＢＳ樹脂成形品を製造する。 （もっと読む）

【課題】 電気メッキ工程でニッケル／非磁性層構造の多層金属テープを製造、既存の工程に比べて磁気ヒステリシス損失が極めて抑制され、二軸配向性に優れた低磁気ヒステリシス損失の二軸配向性多層金属テープ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、単結晶又はそれに近い配向性を有する負極と、高純度ニッケル板より構成された正極とよりなる電気メッキ浴槽で負極を回転させて、表面に二軸集合組織を有するニッケル金属層を形成させる段階と、前記負極の表面に形成されたニッケル金属層を水洗槽で洗浄する段階と、前記洗浄されたニッケル金属層を非磁性金属メッキ浴よりなるメッキ槽で負極を回転させて、その表面に非磁性金属層を形成させ、ニッケル／非磁性金属層を製造する段階と、前記ニッケル／非磁性金属層よりなる金属テープを剥離して巻き取る段階とで構成される。 （もっと読む）

第１および第２の陽極を浴内に入れた電気めっき溶液の浴を有する電気めっきシステムを提供することによって、ディスクドライブサスペンション構成要素の両側における露出した導体領域を同時に電気めっきするための方法。サスペンション構成要素は、電気めっき溶液の浴中で第１および第２の陽極間に位置決めされる。第１の電気めっき電流が、第１の陽極と構成要素の第１の表面における露出した導体領域との間に生成される。第２の電気めっき電流が、第２の陽極と第２の表面における露出した導体領域との間に生成される。それによって、導電性材料の層が、構成要素の両側における露出した導体領域にめっきされる。時間および大きさなどの、第１および第２のめっき電流のパラメータを制御することによって、導体の対向する側面に、同じかまたは異なる厚みに導電性材料の層をめっきすることができる。
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【課題】 溶融・冷却後の凝固組織にボイドが発生しないＡｕ−Ｓｎ合金のめっき皮膜を提供する。
【解決手段】 被めっき材の表面に電気めっき法で形成されたＡｕ−Ｓｎ合金のめっき組織から成るＡｕ−Ｓｎ合金めっき皮膜において、そのめっき組織を溶融したのち冷却して得られた凝固組織にはボイド発生が認められず、そのＡｕ−Ｓｎ合金は、Ａｕ：７５〜８６質量％、残部がＳｎであることを基本組成とし、更に、Ｃ、ＳおよびＮの群から選ばれる少なくとも１種が不純物として含有されていてもよく、その場合、Ｃは多くても０．０６質量％、Ｓは多くても０．０００６質量％、Ｎは多くても０．０６質量％にそれぞれの含有量が規制されているＡｕ−Ｓｎ合金のめっき皮膜。 （もっと読む）

【課題】電子部品の保持が容易かつ安定して行なうことができ、一度に多数の電子部品に電流を安定して供給することで、めっき膜厚不均一や未着が発生することなく、めっきすることができる電子部品のめっき治具およびめっき方法の提供。
【解決手段】電解液槽で電極との接触通電によるめっき方法において、負電極が樹脂系の筐体によって構成され、その内部に磁石を内設し、電子部品と接する前記筐体の一面に導電性およびばね性を有する前記負電極を取り付けためっき治具に前記電子部品を常時接触させて電解液槽に浸漬させ、前記電子部品に通電、めっきを行なう。 （もっと読む）

【課題】めっきされた冷間圧延ストリップ、前記ストリップの使用、及び前記ストリップから製造される受像管用のシャドウマスクを提供する。
【解決手段】軟鋼から形成される内層を含み、前記内層の相互に対立する表面（Ｏ）に、インバー合金から形成されるそれぞれの外層（３、４）が取り付けられているめっきされた冷間圧延ストリップ（１）を提供する。本発明によると、内層（２）により仮定される厚さＤｉに対する外層（３，４）によりそれぞれ仮定される厚さＤａの比率Ｄａ／Ｄｉは０．０５≦Ｄａ／Ｄｉ＜０．１５を満足する。これにより前記めっきされた冷間圧延ストリップは、受像管用のシャドウマスクの製造に特に適する。強度があるため、シャドウマスクが取り付けられた状態でそれぞれ作用する圧力を確実に吸収できる。内層と比較して薄いにもかかわらず、外側のインバー層は純粋なインバー合金から製造される平らな材料に近似の熱膨張特性を保証する。 （もっと読む）

【課題】メッシュ状の導電層上に均一な膜厚でメッキ層を形成して、電磁波シールド性光透過窓材を製造する方法及びそのために有利な簡易なメッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ液が満たされるメッキ槽、該メッキ槽内に配置された陽極電極、及び該陽極電極に陽極電圧が印加されると同時に陰極電圧が印加される被メッキ材料を、該陽極電極に対向して配置するための固定手段を備え、該被メッキ材料に電気メッキを施すことにより電磁波シールド性光透過窓材を製造するためのメッキ装置であって、前記被メッキ材料が透明基板及び該透明基板上に設けられたメッシュ状の導電層からなり、そして前記陽極電極が、中央領域と該中央領域の外側に配置された複数の板状の外側領域とが連結された形状を有し、且つ該中央領域の容積が、外側領域の容積より大きいことを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】液冷式発電機において、漏れを補修および防止するための改善された方法を提供すること。
【解決手段】ステータバー１６の端部に接合されたステータバークリップ３０の内部を電気めっきすることによって、ステータバー１６とクリップの間のろう付け接合部を金属バリアコーティングで覆い、接合部とその周りに実質的に液体を通さない封止部を画定する。 （もっと読む）

【課題】メッシュ状の導電層上に均一な膜厚でメッキ層を形成して、電磁波シールド性光透過窓材を製造する方法及びそのために有利な簡易なメッキ装置を提供する。
【解決手段】メッキ液が満たされるメッキ槽、該メッキ槽内に配置された陽極電極、及び該陽極電極に陽極電圧が印加されると同時に陰極電圧が印加される被メッキ材料を、該陽極電極に対向して配置するための固定手段、さらに陽極電極と被メッキ材料との間に且つこれらと略並行となるように配置された遮蔽板を備え、該被メッキ材料に電気メッキを施すことにより電磁波シールド性光透過窓材を製造するためのメッキ装置であって、前記被メッキ材料が透明基板及び該透明基板上に設けられたメッシュ状の導電層からなり、そして遮蔽板が貫通孔部を有し且つ遮蔽板の貫通孔部を除いた面積が遮蔽板の中央より外側の方が大きいことを特徴とするメッキ装置。 （もっと読む）

【課題】 コストを抑えつつ品質を安定させた電気メッキ処理を複数のピンを備えた部材の各ピンに一度に行うようにする。
【解決手段】 導電体からなる複数のピン５５と、絶縁材を介して各ピンを支持する導電体からなる支持部材とを備えた部材５０の各ピンに電気メッキを施す方法であって、各ピンに導通接触可能な電極板２０と、電極板が固定されるとともに当該電極板と協働して部材を多数まとめて保持可能な絶縁板１０を有した電気メッキ用治具１を用意し、電気メッキ用治具に部材を多数着脱可能に並べて所定の姿勢で当該治具上で当該多数の部材を保持し、電気メッキ用治具に保持した全ての部材の各ピンに電気メッキを一度に施す。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、めっき時における被めっき物の２個付き及び凝集現象がなく、また、電析めっき皮膜のはんだ付け性能の劣化のない錫又は錫合金めっき浴を提供することにある。
【解決手段】本発明は、下記一般式（Ｉ）で表されるジスルフィド化合物、及びカルボン酸又はその塩を含有する錫又は錫合金めっき浴であって、前記カルボン酸はモノカルボン酸、ジカルボン酸、ポリカルボン酸、オキシ又はケトカルボン酸、アミノ酸及びアミノカルボン酸からなる群より選ばれ、かつ、ｐＨが２．０〜９．０である、前記錫又は錫合金めっき浴を提供する。
Ａ-Ｒ¹-Ｓ-Ｓ-Ｒ²-Ａ （Ｉ）
（式中、Ｒ¹及びＲ²はそれぞれ炭素数１〜２０個の炭化水素残基を表し、それらは同一であっても又は異なっていてもよく、ＡはＳＯ₃Ｎａ、ＳＯ₃Ｈ、ＯＨ、ＮＨ₂又はＮＯ₂を表す。） （もっと読む）

【課題】鉛フリーの錫メッキを施したフラットケーブル等の電気導体部品において、外部応力を受ける部分でのウイスカの発生が防止された電気導体部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電気接続部分に厚さ０.２μｍ〜１.０μｍ未満の錫メッキ２を施している。錫メッキ２は、熱処理により錫メッキ２の錫と電気導体１との合金層４の比率が５０％以上となるようにする。また、錫メッキ２にビスマスを１.０％以上添加して、半田濡れ性を向上させ、下地金属として厚さ０.１μｍ〜２.０μｍのニッケルメッキ５を施して電気導体１の酸化劣化を防ぎ、さらに、錫メッキ２に封孔処理剤を塗布して、電気接続に対する信頼性を高める。 （もっと読む）

【課題】 めっき層の密着性、ハンダの濡れ性、ハンダ強度に優れるとともに、熱放射率や熱伝導率が大きく、ハンダ付けが可能で放熱性が求められるヒートシンクに好適に適用することができる表面処理Ａｌ板、それを用いたヒートシンク、およびその表面処理Ａｌ板の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ａｌ基板表面に置換めっきによりＺｎ層を形成させ、その上にＮｉ層とＺｎ層をめっきにより形成させ、さらにＺｎ層上に熱伝導性を向上させる層を設けて表面処理Ａｌ板を構成し、この表面処理Ａｌ板をヒートシンクに適用する。 （もっと読む）

【課題】電子部品等に使用される金属材のステンレス鋼において、ステンレス鋼に耐腐食性、半田付け性の良い表面処理を施すことにより、めっき皮膜ステンレス鋼使用の電子部品等の信頼性を高める。
【解決手段】ステンレス鋼基材１１の表面に膜厚が０．０１〜０．０５μｍと極めて薄いニッケルストライクめっき層１２を形成し、このニッケルストライクめっき層１２を下地として、この上に膜厚の薄いパラジウム層１３（膜厚５０μｍ以上）と金層１４（膜厚２０μｍ以上）を順次形成する。この構成により、表面処理工程が簡単で、密着性を確保し、かつ耐腐食性と半田濡れ性の両面において優れためっき皮膜ステンレス鋼が得られる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させるとともに、薄くかつ均一な厚みを有するＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、基材上にＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を形成する方法であって、この方法は、該基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を該基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、このめっき浴は、少なくともＳｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含み、該無機系キレート剤は、該Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、該有機系キレート剤は、該Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合されることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴において、メッキ処理時のスズ又はスズ合金アノード表面へのビスマスの置換析出を防止する。
【解決手段】 ジエチレントリアミンペンタ酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミントリ酢酸、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−グルタミン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アスパラギン酸、ヒドロキシエチリデンジホスホン酸、ニトリロトリス（メチレンホスホン酸）、ホスホノブタントリカルボン酸、ヒドロキシエチルアミノジメチレンホスホン酸、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、Ｎ,Ｎ−ジカルボキシメチル−Ｌ−アラニン、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、１,３−ジアミノ−２−ヒドロキシプロパンテトラ酢酸、メルカプトコハク酸、これらの塩から選ばれた錯化剤を添加した鉛フリーの酸性スズ−ビスマス系合金電気メッキ浴である。特定種のアミノカルボン酸類又はホスホン酸類などを選択添加する。 （もっと読む）

【課題】錫ウイスカの成長を抑制する錫めっき皮膜を、簡単かつ少ない処理工程で形成する。
【解決手段】下地金属２上の錫めっき皮膜３を室温で酸化又は水酸化処理して、錫めっき皮膜３表面に酸化物又は水酸化物の表面層５を形成する。かかる表面層５は緻密且つ均一で、錫ウイスカの成長を抑制する。酸化は，酸素プラズマ４への暴露や酸化雰囲気への暴露によりなされる。また、下地金属２上の錫めっき皮膜３を、加熱−徐冷を複数回繰り返す熱処理を施す。一度の加熱工程で生ずる拡散が少なく発生する内部応力が小さいので、徐冷により容易に応力緩和され大きな残留応力が残らない。このため、ウイスカの成長が抑制される。 （もっと読む）

【課題】 接触抵抗の経時変化が小さく、耐摩耗性に優れ且つ摩擦係数が低い錫めっき材を提供する。
【解決手段】 錫層中に０．１〜１．０重量％炭素粒子が分散した複合材からなる厚さ０．５〜１０．０μｍ、好ましくは１．０〜５．０μｍの皮膜を素材の最外層に形成することにより、同一の錫めっき材との間の動摩擦係数を０．２０以下、リフローＳｎめっき材との間の動摩擦係数を０．２０以下にするとともに、接触抵抗を１ｍΩ以下にする。 （もっと読む）