【課題】ハンダ濡れ性及び電気伝導性が高く、酸化や変色、ウィスカの発生が抑制される表面処理アルミニウム板と、該表面処理アルミニウム板を使用した電気通電体及びヒートシンク、上記表面処理アルミニウム板の製造方法を提供することを課題としている。
【解決手段】アルミニウムからなる部材１の少なくとも一方の表面に、亜鉛、ニッケル、錫を順次メッキすることによってメッキ層２を形成させて設け、メッキ層２の表面を第三リン酸ソーダ溶液４に浸漬又は散浴させることによって、メッキ層２の表面全面に第三リン酸ソーダ溶液４を付着させる。そして乾燥後にメッキ層２の表面に、水系アクリル樹脂等からなる有機皮膜３を形成させる。そしてこの表面処理アルミニウム板によって電気端子やアンテナ等の電気通電体を形成する。 （もっと読む）

【課題】 必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ウィスカの発生防止と良好なはんだ付性（低融点）を両立させたＳｎ合金薄膜を形成する方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の方法は、基材をめっき浴に浸漬し、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金薄膜を基材上の全面または部分に電気めっきにより形成するものであり、Ｓｎ化合物と、Ａｇ化合物と、Ｃｕ化合物と、無機系キレート剤と、有機系キレート剤とを含むめっき浴を用い、無機系キレート剤は、化学式（Ｉ）で表される金属フルオロ錯体系キレート剤であり、Ａｇ化合物１質量部に対して１質量部以上３００質量部以下の比率で配合され、有機系キレート剤は、ポルフィリン類であり、Ｃｕ化合物１質量部に対して１質量部以上２００質量部以下の比率で配合される。
ＭＦ_X^(X-Y)-・・・（Ｉ）
（化学式（Ｉ）中、Ｍは任意の金属を示し、Ｘは任意の自然数を示し、ＹはＭの酸化数を示す。） （もっと読む）

【課題】めっき位置精度を向上させ、かつ、キャリア穴が支持体ドラムの突起部から外れるといったトラブルの発生を防止し、高品質の部分めっきを可能とするスポットめっき装置を提供する。
【解決手段】スポットめっき装置において、支持体ドラム１０は、金属又はセラミックにて作製した、複数の突起部１３ａと複数のめっき孔１３ｂとを外周部に有した円筒状のドラム本体１３と、ドラム本体１３を装置本体に設けた回転支持軸に回転自在に装着するための軸受け部１２と、を有する。また、支持体ドラム１０を駆動ロール１８にて当接駆動する。 （もっと読む）

【課題】 とりわけコネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品として使用可能な銅又は銅合金の、簡便かつ比較的安価に実施可能なウィスカー抑制のための表面処理方法を提供する。
【解決手段】 銅又は銅合金の表面の一部又は全体に錫めっきを施すめっき工程と、前記錫めっきを加熱溶融するリフロー工程と、これにより得られたリフロー錫めっき材を冷却する冷却工程と、冷却されたリフロー錫めっき材のリフロー錫めっき表面を１種又は２種以上のシランカップリング剤と下記一般式（ア）で示されるベンゾトリアゾール系化合物及び下記一般式（イ）で示されるベンゾチアゾール系化合物から選択される１種又は２種以上の含窒素化合物とで任意の順（同時を含む）に被覆する被覆工程とを含む銅又は銅合金の表面処理方法。
【化１】


（式中、Ｒ₁は水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表し、Ｒ₂はアルカリ金属、水素原子、アルキル基又は置換アルキル基を表す。Ｒ₃はアルカリ金属又は水素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】長尺幅広で電気抵抗の高い被めっき素材へ、めっき膜厚の不均一やめっき表面粗度ムラ発生なく電解めっき可能な、電解めっき装置及び電解めっき方法を提供すること。および、この製造装置及び製造方法を利用して、細線状パターンの導電性金属部を有し、高い電磁波遮蔽性と高い透明性とを同時に有する光透過性電磁波遮蔽材料を提供すること。
【解決手段】長尺幅広の感光ウエブ１８が連なって、第１の槽３４内の電解質溶液３４Ａ及び第２の槽３６内のめっき浴液３６Ａへ搬送・入液した状態で、感光ウエブ１８の金属銀部へ、第１の槽３４内で陰電極板４６Ａにより電解質溶液３４Ａを介して通電しつつ、第２の槽３６内で第１陽電極板４６Ｂによりめっき浴液３６Ａを介して通電し、電解めっき電流を流し、電解めっきを施す。この装置を用いて光透過性導電性である電磁波遮蔽材料を得る。 （もっと読む）

【課題】 厚みの均一性がよく異常突起や凹み欠陥の少ないめっき被膜付きフィルムを得ること。
【解決手段】導電面を有するフィルムを搬送しながら、フィルム導電面５を液膜を介して陰極ロール１に接触させ、その前段または／および後段に配置されためっき浴６にてフィルム導電面５にめっき被膜を形成するめっき被膜付きフィルムの製造方法であって、陰極ロール１面に陰極ロール１とフィルム導電面５との隙間の間隔を規定する突起部材を複数設け、フィルム導電面５と陰極ロール１の間の隙間に導電性液体を供給するようにした被膜付きフィルムの製造方法とその装置。 （もっと読む）

【課題】電磁波シールド性に優れ、しかも透過率が高く、粉落ちがなく、かつ光のにじみのない電磁波シールド用の銅箔およびそれをＰＤＰに設けて好適に使用できる電磁波シールド体を提供する。
【解決手段】電磁波シールド用銅箔は、銅箔（元箔）または銅合金箔（元箔）の片面にＣｕ又は合金からなる黒色乃至褐色処理層が設けられ、当該黒色乃至褐色処理層上に必要によりＣｕ、Ｃｏ，Ｎｉ、Ｉｎ又はこれらの合金からなる平滑層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 光の反射率が高く、かつ変色しにくいロジウムを含む表面金属層を備える上、当該表面金属層の表面が良好な光沢面とされた光反射膜と、この光反射膜を用いて窓枠の内面を光反射面とした発光ダイオード用パッケージとを提供する。
【解決手段】 光反射膜１は、基材２側から順に、少なくとも１層の下地金属層１１と、金、パラジウムおよび白金からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む中間金属層１２と、ロジウムを含む表面金属層１３とをこの順に積層した。発光ダイオード用パッケージＰは、上記光反射膜１を有する、基材としての窓枠２を、半導体発光素子ＬＥ１を搭載するための基板３上と組み合わせた。 （もっと読む）

【課題】 めっき後においては加工性及びハンドリング性に優れたカーボン複合めっき電線及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 金属芯線１１と、その金属芯線１１上に形成されたカーボン複合めっき皮膜１２とを有するように構成した。カーボン複合めっき皮膜は、カーボン材料として、カーボンファイバー又はカーボンナノチューブを含有してもよいし、めっき金属として、銅、ニッケル、鉄、クロム、金、銀、白金、ロジウム、及びそれらの合金の群から選ばれるいずれかを含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 スズとスズより貴な金属（銀、ビスマス、銅など）との合金の電気メッキに際して、電析中にスズ（合金）陽極での貴な金属の置換析出を円滑に防止する。
【解決手段】 スズ合金電気メッキ浴に、グルタミン酸−Ｎ,Ｎ−二酢酸、メチルグリシン−Ｎ,Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸及びこれらの塩よりなる群から選ばれた溶解電流抑制剤の少なくとも一種を添加して、陽極の溶解電流を抑制し、電析中に貴な金属の陽極への置換析出を防止可能にしたスズ合金電気メッキ方法である。当該抑制剤の添加で溶解電流を抑制するため、陽極電流密度を従来より低くしても、陽極の電位を貴な金属の自然電極電位より貴に変移させ、もって貴な金属の陽極への置換析出を有効に防止できる。 （もっと読む）

【課題】良好な多層膜構造体と、この多層膜構造体の効率的な製造方法及びめっき装置を提供する。
【解決手段】ＣＯ２、分散促進剤及びＮｉめっき液を混合分散部６０に供給してめっき分散体を生成する。このめっき分散体は、一対の電極が設けられためっき槽６１に供給される。めっき槽６１では、ＣＯ２を超臨界状態として、電極に電圧を印加して、電解めっきを行う。その後、ＣＯ２は供給したままで、分散促進剤とＮｉめっき液の供給が停止され、その代わりに洗浄液が供給されて、混合分散部６０及びめっき槽６１が洗浄される。次に、ＣＯ２は供給したままで、洗浄液の供給が停止され、この代わりに分散促進剤とＡｕめっき液が供給される。これにより混合分散部６０で生成されるめっき分散体を用いて、めっき槽６１においてめっきが行われて、Ｎｉ膜の上にＡｕ膜が積層した多層膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 摩擦係数が極めて低い錫めっき材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 炭素粒子と、芳香族アルデヒドまたは芳香族ケトンなどの芳香族カルボニル化合物とを添加した錫めっき液を使用して電気めっきを行うことにより、錫層中に炭素粒子を含有する複合材からなる皮膜を素材上に形成し、同種の錫めっき材同士の摩擦係数が０．１８以下、好ましくは０．１３以下、光沢度が０．２９以上、皮膜の厚さが０．５〜１０μｍ、皮膜中の炭素の含有量が０．１〜１．５重量％、接触抵抗が１．０ｍΩ以下である錫めっき材を製造する。この錫めっき材では、皮膜の表面に互いに離間した複数の突起部が形成され、これらの突起部が炭素粒子を含有し、錫マトリックスが１０１面に配向している。 （もっと読む）

【課題】 可溶性陽極のみを用いて標準電極電位が異なる合金の電解めっきが可能な合金めっき方法および装置を提供する。
【解決手段】 めっき槽１内のめっき液２中に、被めっき材を陰極３に接続し、陰極３と標準電極電位が貴の金属からなる可溶性陽極４との間に整流器ａ１を、陰極３と標準電極電位が卑の金属からなる可溶性陽極５との間に整流器ａ２を接続する。可溶性陽極４と可溶性陽極５とに交互に電流を供給する。 （もっと読む）

【課題】ウイスカーが発生することの無いSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。特に、曲げ加工等の外部応力が加わってもウイスカー発生が抑制されるSnめっきまたはSn合金メッキ構造及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】SnめっきまたはSn合金めっきの結晶粒界にSnの合金相が形成されていることを特徴とするSnめっきまたはSn合金めっき。とりわけ、その結晶粒界の長さに占める割合が５０％以上Snの合金相が形成されていること。 （もっと読む）

【課題】 非シアン系のもので、環境への負荷を軽減でき、また、カーボンナノファイバーを好適に膜中に取り込める金めっき液を提供する。
【解決手段】 金めっき液は、塩化金酸塩を主体とする非シアン系金めっき液において、界面活性剤とカーボンナノファイバーとを含むことを特徴とする。界面活性剤は０．０２〜５ｇ／ｌ、カーボンナノファイバーは０．１〜１０ｇ／ｌ含むと好適であり、特に界面活性剤は、トリメチルステアリルアンモニウムクロリドが好適である。 （もっと読む）

【解決手段】微細結晶子を有さない均質なアモルファス相で形成されてなる金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜、シアン化金塩を金基準で０．０１〜０．１ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、ニッケル塩をニッケル基準で０．０２〜０．２ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度、及びタングステン酸塩をタングステン基準で０．１〜０．５ｍｏｌ／ｄｍ³の濃度で含有する電気めっき液、及びこの電気めっき液を用いて金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜を形成する電気めっき方法。
【効果】本発明の金−ニッケル系アモルファス合金めっき皮膜は、微細結晶を有さない均質なアモルファス相により形成されており、金本来の良好な接触抵抗値や化学的安定性を実用上問題にならない程度に維持しつつ、硬度が向上したものであることから、リレー等の電気・電子部品の接点材料として有用である。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、微細な溝や孔などのパターンの部位にメソポーラス金属膜を、制御された状態で、定常的に、均一に形成する方法を提供することである。
【課題を解決する手段】
リオトロピック液晶を形成する界面活性剤に、純水に溶解した金属イオン源を加えた溶液を作成し、その溶液を水溶性の揮発性有機溶媒で希釈し、その希釈した溶液を基板に塗布して、前記溶媒を揮発させ、リオトロピック液晶を形成させ、形成されたリオトロピック液晶の周囲に存在下において金属を析出させてから、前記リオトロピック液晶を除去することを特徴とするメソポーラス金属膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム又はマグネシウム合金からなる基材の表面に、外観が美麗で、欠陥の発生が抑制され、耐食性及び密着性の良好な亜鉛めっき皮膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 マグネシウム又はマグネシウム合金からなる基材の表面に陽極酸化皮膜又は化成処理皮膜を形成してから亜鉛めっき浴に浸漬し、前記陽極酸化皮膜又は化成処理皮膜と亜鉛イオンとの間で酸化還元反応を進行させることによって亜鉛めっき皮膜を形成することを特徴とするマグネシウム又はマグネシウム合金からなる製品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】１ＧＨｚを超える高周波帯域特性を向上させるとともに、素体と内部電極との境界部分におけるマイクロクラックを抑制し特性劣化を抑制した電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】内部電極６を埋設した誘電体材料からなる素体８の端部に外部電極２０を形成する外部電極形成工程を有し、この外部電極形成工程では、素体８に下地電極層１０を形成し、ｐＨ８〜１０のアルカリ性めっき液１２中において、下地電極層１０にＮｉ電極層１４とＳｎ電極層１６とからなるめっき電極層１８を形成し、下地電極層１０とめっき電極層１８とからなる外部電極２０を形成する構成である。 （もっと読む）