【課題】無接着剤フレキシブルラミネートのタイコート層又はタイコート層と同等の金属又は合金を金属導体層状に形成する。同時に回路配線のファインピッチ化の妨げとなるサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】少なくとも一方の面がプラズマ処理されたポリイミドフィルムと、その上に形成されたタイコート層と、該タイコート層上に形成された金属導体層を有し、さらに該金属導体層の上に前記タイコート層と同一成分の層を有することを特徴とする無接着剤フレキシブルラミネート。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。
【解決手段】薄膜形成に用いられるターゲット原子Ｐから構成されたターゲット５において、ターゲット５から斜め方向に叩き出されたターゲット原子Ｐを側壁に衝突させることでターゲット原子Ｐがターゲット５から放出されるのを遮る凹部５ａを表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】加飾層として、絵柄部分と絵柄背景部分の間に明確な段差が形成されていない金属薄膜を有する加飾シートを提供すること、及びそのような加飾シートを簡便な操作によって製造する方法を提供する。
【解決手段】被加飾物に固定可能な加飾層２を基体シート１の表面に有してなる加飾シートであって、該加飾層２は金属薄膜４を有し、該金属薄膜４は絵柄背景又は絵柄５として透明化部分４１を有している、加飾シート。 （もっと読む）

【課題】最近の多層メタルスパッタリング成膜プロセスにおいては、従来のマルチチャンバ型の装置に代わって、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型の装置が広く使用されるようになっている。しかし、本願発明者が検討したところによると、このような単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型スパッタリング成膜装置は、磁性メタル膜と非磁性メタル膜を積層形成する場合は、被処理ウエハを別の成膜サイトに移送して成膜する必要があり、スループットを大きく低下させていることが明らかとなった。
【解決手段】本願発明は、単一チャンバ＆マルチ成膜サイト型多層スパッタリング成膜装置を用いた半導体装置の製造方法において、少なくとも一つの成膜サイトにおいて、磁性および非磁性ターゲットの両方を切り替えて用い、磁性および非磁性膜の両方の膜を成膜するものである。 （もっと読む）

前面、前面上の硬質コーティング、反射層、および硬質コーティングと反射層の間の中間帯を有するプラスチック基材を包含するプラスチックミラーであって、該中間帯が、金属および半金属、金属および半金属の酸化物および窒化物、ならびに炭素からなる群より選択される材料から形成される少なくとも１つの層を包含する、前記プラスチックミラー。 （もっと読む）

【課題】工程効率の低下なしに、基板に極低濃度に蒸着される金属触媒の均一度を向上することができるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第１領域及び第２領域を含む工程チャンバと、前記工程チャンバの内側で金属ターゲットを移動させ、前記金属ターゲットから放出される金属触媒の進行方向を制御するための第１シールドを備えるターゲット移送部と、前記第２領域に前記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、を含み、前記基板ホルダに支えられる基板と前記金属ターゲットとの間の直線距離と前記第１シールドの長さとの差は３ｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリング装置。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れかつ高温高湿環境下においても光学特性の変化が起こり難い吸収型多層膜ＮＤフィルターとその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＰＥＴ（ポリエステル）フィルム等のフレキシブル基板の少なくとも片面にＳｉＯｘ等から成る誘電体膜層と吸収膜層とを交互に積層させて成る吸収型多層膜を備える吸収型多層膜ＮＤフィルターであって、上記吸収膜層が金属膜（Ｎｉ-Ｔｉ合金膜）と、この金属膜の誘電体膜層と接する少なくとも一方の界面を窒化して形成された窒化金属膜とで構成されていることを特徴とする。このＮＤフィルターでは吸収膜層が金属膜で構成されるため生産性に優れ、かつ、金属膜の少なくとも片面に形成された窒化金属膜の作用により金属膜の酸化が抑制されるため高温高湿環境下においても光学特性の変化が起こり難い利点を有している。 （もっと読む）

【課題】 吸収型多層膜ＮＤフィルターシートのプレス加工で発生したヒゲ状欠陥を、光路部分に影響を与えることなく除去して、ヒゲ状欠陥のない吸収型多層膜ＮＤフィルターチップを製造する方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルムの少なくとも片面に酸化物誘電体膜層と吸収膜層とを交互に積層させて吸収型多層膜ＮＤフィルターシートを作製し、得られた吸収型多層膜ＮＤフィルターシートをプレス加工して吸収型多層膜ＮＤフィルターチップ２０を得た後、その吸収型多層膜ＮＤフィルターチップ２０の切断面に発生した樹脂フィルムのヒゲ状欠陥２１を火炎処理もしくは赤外線ランプ処理により融解除去する。 （もっと読む）

【課題】透明性に優れ、且つ、低い表面抵抗率を有すると共に、表面平滑性を有していて安価に製造することが可能な、透明導電性フィルムの製造方法及び透明導電性フィルムを提供する。
【解決手段】（１）透明樹脂基材２の片面上に、溶剤溶解性の印刷材料を印刷したパターンを、細線メッシュパターン用のネガ型の遮蔽マスク８として形成し、（２）遮蔽マスク８が透明樹脂基材２を覆っている状態で、透明樹脂基材２の上に、スパッタまたは真空蒸着により、金属薄膜９を形成し、（３）遮蔽マスク８を溶剤に溶解させて除去し、金属薄膜５からなる細線メッシュパターンを表出させ、（４）細線メッシュパターンの金属薄膜５が成す凸状部と、金属薄膜５が形成されていない凹状の開口部７の一部または全面に、透明性を有する導電樹脂層６を、前記凸状部が埋没するように被覆し、導電樹脂層６による被覆表面の表面高低差が５０〜４００ｎｍとする。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）と、少なくとも１つの極薄金属膜（３）と接触する導電膜（２）からなる層状構造部と、を備え、２つの膜（２，３）が異なる材料からなり、前記導電膜（２）がＣｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌから選択され、前記極薄金属膜（３）がＮｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびこれらの混合物から選択される電極に関する。電極は、光電子デバイスに特に有益であり、良好な導電率、透過率および安定性を示す。
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【課題】 特に水蒸気透過量を従来技術のものと比較して少なくでき、電子デバイスのバリア層として最適なガスバリア層構造体を提供する。
【解決手段】 電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮する本発明のガスバリア層構造体６は、不動態化金属の層６１と、この不動態化金属の酸化物層６２とを順次積層して構成される。不動態化金属は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｚｒ及びＴａの中から選択されたもの、または、これらの二種以上の合金である。 （もっと読む）

【課題】極低濃度の金属触媒を均一に蒸着するスパッタリング装置を提供すること。
【解決手段】
本発明は、スパッタリング装置に関する。
本発明は、工程チャンバと、上記工程チャンバの内側に位置する金属ターゲットと、上記金属ターゲットに対向するように位置する基板ホルダと、上記工程チャンバの排気配管に接続される真空ポンプとを含み、上記金属ターゲットの面積は上記基板ホルダに載置される基板面積の１．３倍以上であることを特徴とするスパッタリング装置に関する。 （もっと読む）

本発明の対象は、３０ｎｍ以下の物理的厚みの、金属Ｍの酸化物の少なくとも１つの膜で、その表面の少なくとも一部をコーティングした基板を得るための方法であって、前記酸化物膜が、少なくとも１つの銀膜を含む多層の一部ではなく、前記方法が、金属Ｍ、金属Ｍの窒化物、金属Ｍの炭化物、及び酸素が化学量論組成未満の金属Ｍの酸化物から選択される材料の少なくとも１つの中間膜が、スパッタリングによって堆積される工程であって、前記中間膜が、チタン酸化物ベースの膜の上または下に堆積されず、前記中間膜の物理的厚みが３０ｎｍ以下である、工程；並びに前記中間膜が、酸化雰囲気、特に空気に、直接、接する際に、前記中間膜の表面の少なくとも一部が熱処理を用いて酸化される工程であって、前記熱処理の際の前記基板の温度は１５０℃を超えない、工程、を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】 水蒸気に対するバリア性が高く、静電気障害を防止することができ、且つ、使用後においては焼却処理が可能で残滓が少ない電子部品の包装に使用する積層包装材料に適したガスバリア性帯電防止粘着フィルムを提供する。
【解決手段】 本発明に係るガスバリア性帯電防止粘着フィルムは、粘着剤層、ガスバリア性の積層フィルム、帯電防止層からなり、前記ガスバリア性の積層フィルムは、プラスチック材料からなる基材フィルムの片面に、透明ガスバリア層、ガスバリア性塗布膜、半透明金属薄膜層を積層し、さらに、ガスバリア性塗布膜と半透明金属薄膜層の間には、強密着処理層を設けた構成を基本構成としており、ガスバリア性塗布膜と半透明金属薄膜層とを直接積層するだけでは得られなかったガスバリア性の向上を生じさせるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電極に関するもの又は接合工程を有する半導体装置の作製方法に関し、（１）Ａｌ電極を用いることにより高抵抗になること、（２）ＡｌとＳｉとが合金を形成すること、（３）スパッタ法により形成する膜が高抵抗になること、（４）接合工程では、それぞれの面の表面に凹凸が大きいと接合不良が生じること、が課題である。
【解決手段】金属基板又は金属膜が形成された基板を有し、金属基板上又は金属膜上の銅（Ｃｕ）メッキ膜を有し、Ｃｕメッキ膜上のバリア膜と、バリア膜上の単結晶シリコン膜と、単結晶シリコン膜上の電極層と、を有する半導体装置を用いる。Ｃｕメッキ膜と金属基板又は金属膜とを接合する際に熱圧着法を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置基板のスパッタリングプロセスで特に周辺部に付着するパーティクルを抑制できるスパッタリング装置および半導体装置製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空処理室1内に、ステージ2と、ターゲット4と、デポリング8と、カバーリング7とを備える。またプラズマ発生手段と、ステージ2に静電チャック作用を発生させる直流電源3と、ターゲット4のコンディショニング時にステージ2全体をプラズマから遮蔽して保護するシャッターディスク9と、クリーニング時にステージ2の基板設置面のみを覆ってプラズマから保護する保護ディスク12とを備える。保護ディスク12が上記サイズであることにより、ステージ2の側壁とデポリング8との間の余剰な成膜物も除去が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。
【解決手段】一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。 （もっと読む）

【課題】インライン方式の成膜装置において、各層を成膜する間の時間に、チャンバー内で各層の表面が劣化（酸化）する。各層にダメージを与えることなく生じた劣化を解消し、効果的に性質を向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供。
【解決手段】基板上に複数の層を積層してなる磁気記録媒体の製造方法において、成膜装置を用いて、基板上に複数の層のいずれかを成膜し、成膜を行わずに基板にバイアスを印加し、基板上に次の層を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。
【解決手段】ポリイミドフィルム上にスパッタリングによりＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒから選択した１種の金属層又はこれら２種以上の金属からなる合金層を形成し、さらにこの金属層又は合金層の上にスパッタリング又はメッキにより銅層を形成した２層銅張積層板であって、さらにこの銅層の上に、Ｃｒ及び／又はＣｒ酸化物からなる層を備えていることを特徴とする２層銅張積層板。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの利用率を十分に向上させ、且つ、プラズマダメージを十分に抑制する。
【解決手段】複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。この金属膜形成工程では、貫通孔のアスペクト比（貫通孔の深さ／貫通孔の開口径）が１／６以上２／３以下であるコリメート板を用いる。金属膜形成工程を、半導体装置のシリサイド形成工程で行う。半導体素子のアンテナ比を４５０００以下とする。アスペクト比をコリメート板の中央部から外周部に向けて徐々に小さくし、コリメート板の最外周部ではアスペクト比を１／２以下とする。 （もっと読む）