【課題】 難接着性の樹脂材料を基材として用いながら、密着性、耐食性に優れた電磁波シールド処理または光輝化処理が施された成型体を提供する。
【解決手段】 難接着性の樹脂材料からなる基材の表面にブラスト処理を施し、該ブラスト処理が施された基材の表面に、真空めっき法により、銅膜を０．５μｍ〜２μｍ成膜し、該銅膜の上に、ニッケル、ニッケル合金、クロム、クロム合金、錫−銅−クロム合金、および、錫−銅−ニッケル合金から選択される少なくとも１種からなる保護膜を０．１μｍ〜０．３μｍ成膜することにより、基材の表面に電磁波シールド処理が施された成型体を得る。 （もっと読む）

【課題】充填欠陥を無くすと同時に、硬質な材料を緻密で高密度な状態でモールド凸部を形成することを可能にしたモールドの製造方法を提供する。
【解決手段】凹凸パターンを有し、凹部の底領域と、凸部の基板と反対側の面とが異なる材料から成る基板を用意する工程、凸部の面への付着率が、凹部の底領域への付着率よりも低い材料を、前記凹凸パターンが形成された基板に成膜して、凹部に選択的に充填部６０を形成する充填工程、充填工程後、凸部の面を被覆する被覆膜６１を形成する成膜工程、及び被覆膜と充填部とを剥離する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】表面粗さが非常に小さく、しかも結晶の配向性がきわめて良好な単結晶質であり、光学特性に優れた緻密な金属膜および金属膜被覆部材、さらに光学被膜を提供する。
【解決手段】表面の算術平均粗さが２ｎｍ以下であり、かつＸ線回折による（１１１）ピーク強度がその他のピーク強度の合計の２０倍以上である金属膜、およびこの金属膜が基材に形成された金属膜被覆部材である。光学被膜は金属膜からなり、可視光領域での反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内であり、光の入射角が１０〜５０°の範囲において反射率の変化量が０．５％以下であるか、光波長が２５０〜４００ｎｍでの反射率の純金属における理論値との差が０．２％以内である。 （もっと読む）

【課題】 潤滑油中において特に低い摩擦係数を示し、相対的に簡便なプロセスで製造することができ、潤滑剤・潤滑油の選択の制約が少ない硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】 非晶質炭素を主成分とし、副成分としてコバルトおよび／またはニッケルを合計で１．４原子％以上３９原子％以下含有させ、コバルトおよびニッケルの合計含有量が相対的に高い層と、相対的に低い層とが繰り返し重なった積層構造とする。厚み方向の積層数は１００ｎｍあたり８回以上、好ましくは１４回以上、より好ましくは２５回以上とし、潤滑剤中で用いる。潤滑剤はエンジン油が適している。 （もっと読む）

【課題】摩擦係数の一層の低減を図ると共に、簡便なプロセスで製造することができ、効果の発揮される潤滑油の種類の制約も少ない硬質炭素被膜を提供する。
【解決手段】少なくとも相手材との摺動部位に硬質炭素被膜を備えた摺動部材の上記硬質炭素被膜中に、コバルト及びニッケルの一方又は両方を含有させ、その含有量を合計で１．４原子％以上３９原子％以下の範囲とし、さらにコバルトおよびニッケルの凝集体のうち、径５ｎｍを超えるものの割合を一定以下に抑制する。 （もっと読む）

【課題】素子の実現が容易であり且つ構造による効率の改良が可能な、シリコンナノワイヤーの製造方法、及びこれにより形成されたシリコンナノワイヤーを含む素子の提供。
【解決手段】並列に配置された、複数のワイヤー状気孔を含む多孔性ガラステンプレートにエルビウムまたはエルビウム前駆体をドープする段階と、前記エルビウムまたはエルビウム前駆体がドープされたガラステンプレートを、前記ワイヤー状気孔の一方の開口部が面するように金属触媒層が形成された基板上に配置する段階と、前記ガラステンプレート内の気孔に沿ってシリコンナノワイヤーを形成して成長させる段階とを含む、シリコンナノワイヤーの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】陽極酸化ポーラスアルミナ細孔内に真空蒸着法により他物質を充填するに際し、高アスペクト比の充填構造を簡便に、かつ、安価に達成可能とした、陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法を提供する。
【解決手段】エッチング処理により少なくとも陽極酸化ポーラスアルミナの細孔の開口部を拡径した後、細孔内に真空蒸着により他物質を充填する方法であって、前記エッチング処理の後再び陽極酸化を行うことにより、初期に形成されていた細孔の底部から延長する細孔を形成し、この２段の細孔に対してさらに前記エッチング処理を行うことを特徴とする陽極酸化ポーラスアルミナ複合体の製造方法。 （もっと読む）

本発明はエレメント、そのための製造方法および装置、およびそのエレメントの使用方法を開示し、そのエレメントは電流の助けによってフィルム状構造中に熱的効果を提供するための少なくとも一つのフィルム材料から形成される導電性フィルム状構造を有する。
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【課題】種々の多成分もしくは多相の材料、従って本合金もしくは混晶を形成しない材料を基礎とするスパッタターゲットであって、その構造がスパッタリングの間のエロージョンに際して生成収率を悪化するパーティクルをできる限り形成しないように構成されたスパッタターゲットを開発する。
【解決手段】少なくとも２つの相又は成分を含有する材料からなるスパッタターゲットであり、その際、少なくとも１つの少数相がマトリクス中に難固溶性であり、かつマトリクスより高い融点を有するスパッタターゲットであって、少なくとも１つの少数相が、その結晶粒又はその結晶粒から形成された凝集物の平均寸法最大１０μｍを有し、かつ該材料は理論密度の少なくとも９８％の密度を有することを特徴とするスパッタターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】 難接着性樹脂からなる基材に、プライマーなどを塗布しないで、真空蒸着により、金属膜を直接成膜することを可能とし、電磁波シールド成型体および光輝化成型体を、低コストかつ生産性よく提供する。
【解決手段】ポリアミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、これらにガラス繊維が含有されたもの、および、液晶ポリマーなどからなる基材に、ブラスト処理を行い、その後、該ブラスト処理が施された基材表面に、電磁波シールド膜や光輝化膜を、真空蒸着により成膜する。 （もっと読む）

透湿性シートを少なくとも１種類の金属でコーティングし、新たに付着したその金属を酸化プラズマに露出して、保護用合成金属酸化物を金属上に形成することによる低輻射率の透湿性の金属化複合体シートの製造方法。この複合体シート材料は、屋根ライニングやハウスラップ等の建物建築バリア層として用いるのに好適である。
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【課題】カーボンナノチューブの形成方法及びそれを利用した半導体素子の配線形成方法を提供する。
【解決手段】（ｉ）複数の突起部を有する基板を準備する段階と、（ｉｉ）前記基板上に、前記突起部を覆い、カーボンナノチューブの成長を促進させる触媒層を形成する段階と、（ｉｉｉ）前記触媒層上にカーボンが含まれるガスを注入して、前記触媒層の表面上に前記カーボンナノチューブを成長させる段階と、を含むカーボンナノチューブの形成方法である。本発明によれば、カーボンナノチューブの成長密度を上昇させて電気的抵抗を低下させうる。その結果、電流密度が上昇し、微細ビアホールにも適用可能で、半導体素子の超高集積化を達成しうる配線形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】軟質高分子成形体に優れた金属調を実現し、トップコート層を設けた場合であっても光沢が喪失せず元来の金属調を維持することができる金属調軟質高分子成形体の提供。
【解決手段】軟質高分子成形体１１に金属薄膜層１３を有する金属調軟質高分子成形体１０について、金属薄膜層１３を、長手方向の最大長が５μｍ以内の蒸着金属粒でなる多数の島部が不連続に密集する平坦な表面構造を有するものとし、かつその層厚を２０ｎｍ〜１００ｎｍとした。 （もっと読む）

本発明は、真空蒸着法を用い、母材であるパウダーの表面上に、サイズの均一性に優れた金属、合金及びセラミックスのナノ粒子を蒸着させるパウダーの製造方法、及びその製造装置に関する。特に、本発明は、極めて均一なサイズを有する金属、合金及びセラミックスのナノ粒子が蒸着されたパウダーの製造方法及びその装置を提供するものであって、蒸着と撹拌が別々に行われる従来方法の短所を解決するために、効率的な撹拌手段を用いて蒸着と撹拌とを同時に行うものである。また、本発明は、ナノ粒子が蒸着されたパウダーの製造方法、及びその製造装置を提供するものであって、ナノ粒子の製造において、ナノ粒子の量を増大させるために蒸着時間が増大した場合であっても、ナノ粒子の凝集現象を抑制することにより、ナノ特性が維持される。 （もっと読む）

【課題】 方向性及び無方向性のプロセス・ステップを統合し、その結果、得られるシリサイドが最小限のシート抵抗を有し、かつパイプ欠陥を回避する、ニッケル堆積プロセス及びツールを提供すること。
【解決手段】 無方向性及び方向性の金属（例えば、Ｎｉ）堆積ステップが同一のプロセス・チャンバ内で実行される、方法及び装置が提供される。第１のプラズマは、ターゲットから材料を取り出すために形成され、材料のイオン密度を増大させる第２のプラズマは、ＲＦ発生器に接続された環状電極（例えば、Ｎｉ環）の内側に形成される。材料は、第２のプラズマ及び基板への電気的バイアスが存在しない場合、基板上に無方向性の堆積をされ、第２のプラズマが存在し、基板に電気的にバイアスがかけられている場合、方向性の堆積をされる。堆積された金属から形成されるニッケルシリサイドは、方向性プロセスのみで堆積された金属から形成されるＮｉＳｉよりも、ゲートポリシリコンの低シート抵抗を有し、より低いパイプ欠陥密度を有することができ、かつ無方向性堆積のみで堆積された金属から形成されたＮｉＳｉよりも低いソース／ドレイン接触抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】電極材を溶液化する必要がなく、製造作業が容易かつ短時間で行うことができる電気分解用電極およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の電気分解用電極は、基板１０と、該基板１０の表面に形成された電極層１１とを備え、電気分解により次亜塩素酸を生成する電気分解用電極において、電極層１１は、電極材をターゲット２とするレーザーアブレーション法により形成されて成るものである。本発明の電気分解用電極の製造方法は、電気分解により次亜塩素酸を生成する電気分解用電極を製造する方法において、レーザーアブレーション法により基板１０の表面に電極材を蒸着させて電極を形成するものである。ここに、電極材は、パラジウム、ルビジウム、ロジウム、イリジウム、白金、ニッケル、スズ、チタン、ジルコニウムのいずれか１種又はこれらを主成分とする合金若しくは酸化物から成ることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】不純物が多く含有されるニッケル原料から、ニッケル含有溶液を用いて電解精製する簡便な方法に関し、純度５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）以上の高純度ニッケルを効率的に製造する技術を提供する。
【解決手段】電解液としてニッケル含有溶液を用いて電解する際に、アノライトをｐＨ２〜５に調整し、アノライトに含有されている鉄、コバルト、銅等の不純物を、酸化剤７を入れて該不純物を水酸化物として沈殿除去するか、若しくは予備電解により該不純物を除去するか、又はＮｉ箔を入れて置換反応により該不純物を除去するかの、いずれか１又は２以上の方法を組合せることにより不純物を除去した後、さらにフィルター８を使用して不純物を除去し、除去後の液をカソライトとして使用し電解する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンナノチューブのマトリックスの成長方法を提供できる。
【解決手段】本発明に係るカーボンナノチューブのマトリックスの成長方法は、マスクを有する基材を準備する段階と、前記マスクの一部を遮るように前記基材の上方に触媒スパッタ装置を設置し、前記触媒スパッタ装置から飛び出した触媒が前記基材に堆積されて台形の触媒膜が形成される段階と、前記マスクを除去して、前記触媒膜の最良の成長区域を測定する段階と、前記触媒膜が形成された前記基材に焼鈍しをする段階と、炭素を含むガスを導入し、前記最良の成長区域に離れて異なる方向に向けて湾曲するようにカーボンナノチューブのマトリックスを前記触媒膜に成長させる段階と、を含む。本発明によれば、製造の工程を簡単にし、カーボンナノチューブのマトリックスの構成はフィールドエミッタ、電子真空装置などに利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 電極形成工程の加工条件を変更せずに、上部金属電極剥がれの不良発生率を低減することが可能な半導体エピタキシャルウェハ及び半導体素子を提供することにある。
【解決手段】 半導体基板上に、エピタキシャル成長法を用いて成長した半導体薄膜を有する半導体エピタキシャルウェハにおいて、半導体エピタキシャルウェハ１００の表面である前記半導体薄膜の最表層の表面に、インジウム１０８を付着させた構造とする。 （もっと読む）

積層体（４００）は、アルミニウム層（３００）、ニッケル層（３０１）およびニッケル層の保護層（３０２；７０１）を具える。前記アルミニウム層（３００）は、基板（２００）上に形成可能であり、前記ニッケル層（３０１）は、前記アルミニウム層（３００）上に形成され、かつ、前記保護層（３０２；７０１）は、前記ニッケル層（３０１）上に形成される。
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