【課題】薄膜と半導体基板の熱膨張係数の違いに起因する半導体基板の反りを、生産性や信頼性を低下させることなく抑制する薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】ウェハ２（半導体基板）の裏面２ｂ（表面）に、ウェハ２とＮｉ膜を形成する方法が、真空引き可能なロードロックチャンバ２０内にウェハ２を配置する工程と、ロードロックチャンバ２０内に配置したウェハ２を予め冷却する冷却工程と、ロードロックチャンバ２０内を真空引きする真空引き工程と、冷却工程と真空引き工程を実施した後にウェハ２の裏面２ｂにＮｉ膜を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】溝、チャネル等の凹部を有する基体の凹部の内面に形成されるパリレン膜の膜厚分布を低減できる成膜装置、成膜方法及びインクジェットヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】溝、チャネル等の凹部を有する基体１６３の少なくとも前記凹部の内面にポリパラキシリレン又はその誘導体を含む膜を形成する成膜チャンバー１５３を備える成膜装置であって、前記基体１６３を第一の目標設定温度に制御する基体加熱機構を有することを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】複数のカソードを配置したスパッタリング装置において、部分的な回りこみ、絶縁体膜の形成等による異常放電を防止したスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】互いに隣り合うＲＦカソード３とＤＣカソード４の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板７ａ７ｂが配置され、２枚の遮蔽板７ａ７ｂ間の距離を基板保持体５（保持体）の走行方向の巾よりも長く設置する。遮蔽板７ａ７ｂは、保持体の移動方向前後に回動可能であり、保持体の移動時には、保持体移動方向の直前にある遮蔽板７ａ７ｂが回動し、保持体の移動後、カソード上部に到達すると、遮蔽板７ａ７ｂは元位置に回動して、カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成する。その後、保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、保持体が移動して、カソード上部あるいは保持体の待機領域に到達すると、遮蔽板は元位置に回動する機構とする。 （もっと読む）

形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
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【課題】配線パターンの更なる精細化に寄与できる積層基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂フィルムＦに薄膜を成膜して積層基板を製造する際は、樹脂フィルムＦのうち、巻出ロール１４からニップロール３１までの間の部分に２５Ｎ以上８０Ｎ以下の範囲内の張力を作用させると共に、ニップロール３１から巻取ロール１６までの間の部分に１０Ｎ以上２５Ｎ以下の範囲内の張力を作用させながら、スパッタリングカソード４１，４２を非稼動状態にしておき、スパッタリングカソード４３，４４，４５を稼動させる。スパッタリングカソード４３を稼動させることにより、樹脂フィルムＦの接触部分の表面にはニッケル薄膜が成膜される。この薄膜は下地層となるものであり、この下地層の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４４で成膜し、続いて、この銅薄膜の上に重ねて銅薄膜をスパッタリングカソード４５で成膜する。 （もっと読む）

【課題】薄膜特性及び接着性が改善が可能な基板構造形成方法及びこれを用いて形成された基板構造を提供する
【解決手段】基板構造を形成する方法は、基板１０をエッチングして垂直面５１を有するエッチング部５０を形成する段階と、基板１０の全面上にまたは基板１０に部分的に拡散物質層６０を形成する段階と、拡散物質層６０を熱処理して、一部が上記エッチング部５０の表面の下へと拡散したシード層６０’を形成する段階、及びシード層６０’上に金属層７０を形成する段階とを含む。上記方法によれば、シード層６０’によって基板１０のエッチング部５０の表面特性が改善されることもあるので、エッチング部５０の垂直面５１に接着性に優れ且つ均一な厚さの金属層７０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】微細な開口部、かつ高アスペクト比を持つトレンチ又はホール内を金属材料で埋め込む方法の提供。
【解決手段】円筒状トリガ電極１３と蒸発材料部材１２ａを有する円柱状カソード電極１２とが、円筒状絶縁碍子１５を介して同軸状に隣接して固定されて配置され、カソード電極の周りに同軸状にアノード電極１１が離間して配置されている同軸型真空アーク蒸着源１を用い、トリガ電極とカソード電極との間にトリガ放電を発生させ、カソード電極とアノード電極との間に間欠的にアーク放電を誘起させ、蒸発材料部材から生成される荷電粒子を真空チャンバー内に放出させ、トレンチ又はホール内へ金属材料を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】発電所などの高温環境で使われる部品の磨耗および擦り傷などの損傷を効果的に防止することが可能な、高温用部品の潤滑コーティング装置を提供すること。
【解決手段】高温用部品がセットされるセッティング部、および前記高温用部品に対するスパッタリング空間を形成する蓋を備えたチャンバーと、前記セッティング部にセットされた高温用部品を回転駆動させる回転駆動手段と、前記チャンバーのスパッタリング空間を真空に保つための真空ポンプと、前記チャンバーのスパッタリング空間を不活性気体雰囲気に造成するための不活性気体供給部と、前記蓋の上面部と前・後面部に前記高温用部品を向いて複数設置されたターゲットと、前記ターゲットに対応するように前記蓋の上面部と前・後面部に設置され、ターゲットの原子を放出させて前記高温用部品に蒸着させる複数のスパッタガンと、前記回転駆動手段、前記真空ポンプ、前記不活性気体供給部および前記スパッタガンを制御する制御部とを含んでなる、高温用部品の潤滑コーティング装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上にマイクロパターンを高精度にかつ容易に形成することを可能とするマイクロパターンの製造方法を得る。
【解決手段】 マイクロパターンが上面６ａに形成される基板６と、前記マイクロパターンに対して反転されたパターン形状を有するフィルム状パターニング材１Ａとを用意する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａを前記基板６の上面に積層する工程と、前記フィルム状パターニング材１Ａが積層された基板６の上面に被パターニング材料７を塗布する工程と、前記基板６の上面６ａから前記フィルム状パターニング材１Ａを除去して、前記フィルム状パターニング材１Ａと反転されたマイクロパターンとなるように前記被パターニング材料７をパターニングし、それによって、被パターニング材料７からなるマイクロパターン７Ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラスチックの種類を選ぶことなく多孔質化し、表面粗さが良好でかつ密着力の高いメッキ膜等の金属膜を形成することができるプラスチック射出成形体を含む複合材料の製造方法等を提供する。
【解決手段】プラスチック射出成形体１００を含む複合材料の製造方法であって、上記プラスチック射出成形体１００の表面に、抽出剤を含む抽出剤含有層４０１を形成し、高圧二酸化炭素を上記抽出剤含有層４０１に接触させて、上記抽出剤含有層４０１から上記抽出剤を除去することとを含み、上記抽出剤含有層４０１を多孔質化することを特徴とするプラスチック射出成形体１００を含む複合材料の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、マグネトロンスパッタリング装置用のスパッタリングターゲットの製造方法であって、ターゲット本体を準備し、前記ターゲット本体表面の非エロージョン領域をブラスト処理し、前記非エロージョン領域を超音波洗浄し、前記超音波洗浄した前記非エロージョン領域をエッチングし、または洗浄液でジェット洗浄し、前記非エロージョン領域を再度超音波洗浄する。 （もっと読む）

本発明は、マイクロ電子工学の基板およびデバイスに、薄膜を選択的に堆積するための自己整合金属マスクアセンブリに関し、上記自己整合金属マスクアセンブリは、ａ）メタライズされるパターンを規定する穴または領域と、センタリング穴とを有する上方金属マスクと、ｂ）メタライズされる基板またはデバイスと同じサイズおよび形状の穴と、上記アセンブリをセンタリングするためのさらなる補助穴とを有する下方金属マスクと、ｃ）上記のパーツをセンタリングするために、上記補助穴と対応するロッドを備えるピースまたはベースとを備え、完全なアセンブリを固定し維持するための上方ピースまたはフレームは、ネジおよびわずかな圧力によって整合される。上記アセンブリは続いて、蒸着機のサンプルホルダに固定することができる。
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【課題】透明性に優れ、異導体に対する接触抵抗が小さい導電性シートを容易に製造できる導電性シートの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電性シートは、透明基材と、該透明基材の片面または両面に形成され、π共役系導電性高分子およびポリアニオンを含有する有機導電層と、該有機導電層の表面に形成され、金属および導電性金属酸化物の一方または両方を含有する厚さ１〜５０００ｎｍの無機導電層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。この固体電解質薄膜の製造方法を実施するための、特定の防着板を備えた平行平板型マグネトロンスパッタ装置、及びこの装置を用いて得られた固体電解質薄膜を備えた薄膜固体リチウムイオン２次電池を製造する。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

金属基材、たとえば、スチール片をコーティングする方法を開示する。この方法は、ここで記載されるように、合金コントロール材料を基材上に蒸着または電着させ、基材を溶融コーティング材料浴に通して、溶着させた合金コントロール材料上にコーティング材料のコーティングを形成することを包含する。
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【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層１０６は、第２の導電層１０７の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 加飾性、金属光沢性があり、光透過性と光吸収性が両立され、さらには導電性を有する光学薄膜積層体を提供することを課題とする。
【解決手段】 基材の一方の面に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を少なくとも１層以上積層した積層構造であり、且つ、前記基材の薄膜積層体が形成されている面と反対側の面に導電性薄膜層が形成されていることを特徴とする光学薄膜積層体とした。また、前記導電性薄膜層が形成されている面の表面の表面抵抗率が１．００×１０^−４Ω／□未満であることを特徴とする光学薄膜積層体とした。 （もっと読む）

【課題】可視光の透過率が低く、反射明度および反射彩度が十分に大きい金属光沢を有し、光吸収機能の得られる光吸収層を備える光学薄膜積層体を提供する。
【解決手段】基材２上に、光学薄膜層３が設けられ、光学薄膜層３が、高屈折率薄膜層４，７と低屈折率薄膜層５と純金属薄膜層６から選択される少なくとも一種からなる光吸収層を備えていることを特徴とする光学薄膜積層体１とする。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂製成形体表面へ金属メッキを施すに当っての、その下地基盤を効率良く形成させる。
【解決手段】合成樹脂製成形体にエアブローを施し表面の汚れを除去する除電ブロー工程１と、除電ブローの施された合成樹脂製成形体を所定の処理槽内に投入し、処理槽内を１〜１００Ｐａの圧力に減圧する第一の真空引き工程２と、処理槽内を乾燥させるとともに当該処理槽内へ酸素等のガスを導入するガス導入工程３と、ガスの導入された処理槽内へ高周波電圧を印加させてプラズマを発生させるプラズマ処理工程４と、プラズマ処理の施された後に処理槽内を所定の真空圧状態に保持する第二の真空引き工程５と、真空圧状態に保持された合成樹脂製成形体の表面に金属製の皮膜を形成させる導電性皮膜形成工程６と、からなる。 （もっと読む）