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Fターム[4K029BA12]の内容

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Fターム[4K029BA12]に分類される特許

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【課題】寿命を長くして交換頻度を少なくすることができる、マグネトロンスパッタリング用の強磁性体スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明に係る強磁性体スパッタリングターゲットは、表面に、複数の孔状の凹部を有する。前記凹部は、少なくとも底面上の部分における径又は幅が3mm以下であるのが好ましい。前記強磁性体スパッタリングターゲットは円板状である場合、前記複数の凹部の一つは、前記強磁性体スパッタリングターゲットの中心に配置され、前記複数の凹部の少なくとも一部は、前記強磁性体スパッタリングターゲットと同心の円周に沿って略等間隔で配置されている。 (もっと読む)


【課題】 特別な設備や装置を用いずに、安価で、かつ簡易な工程で、金属ナノ粒子付着
基材を製造する方法を提供する。
【解決手段】
基材を、加水分解触媒の存在下に、キレート形成性官能基含有シランカップリング剤、
金属ナノ粒子形成性金属塩および還元剤と接触させることにより、基材上にキレート形成
性官能基含有シランカップリング剤を介して金属ナノ粒子の点在物または層状物を形成す
ることを特徴とする金属ナノ粒子付着基材の製造方法である。 (もっと読む)


本発明は、真空室内における真空下での材料の蒸着を包含する、触媒活性材料による基材の一面的または多面的なコーティング法に関し、その際、以下の工程:(a)真空室に少なくとも1つの基材を装入する工程、(b)真空室を密閉および排気する工程、(c)真空室内にガス状還元剤を導入することによって基材を洗浄する工程、(d)基材表面上への蒸気状成分の蒸着によって基材表面積を増大する工程、(e)プラズマコーティング法(PVD法)、物理的気相蒸着法、スパッタリング法などの群から選び取られたコーティング法によってコーティングし、その際、1つ以上の金属および/またはアルカリ金属および/またはアルカリ土類金属またはそれらの酸化物を基材の表面上に施与する工程を行う。この方法は、例えば、塩素−アルカリ電気分解に際して使用される電極のコーティングに利用され得る。 (もっと読む)


【課題】 300mmウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ(膜厚の均一性)とプラズマのイグニッション(点弧)性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 マグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲットであって、該ターゲットの透磁率が100以上であることを特徴とするスパッタ膜のユニフォーミティに優れたマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット。 (もっと読む)


【課題】撮像光学系に用いても解像度の劣化することのない耐久性に優れたNDフィルタを提供する。
【解決手段】光吸収膜3,5と誘電体膜2,4,6を透明基材1上に積層したNDフィルタにおいて、透明基材1は、ノルボルネン類をモノマーとして合成され主鎖に脂環構造を持つ非晶質透明フィルムである。非晶質透明フィルムは、少なくとも可視域で透明であり、ヘイズ値が1%以下で、リタデーション値が20nm以下である。非晶質透明フィルムは、その厚みが50μm〜200μmの範囲にある。光吸収膜3,5は、Ti,Cr,Ni,NiCr,NiFe及びNiTiから選択される単体若しくはその化合物からなる。誘電体膜2,4,6は、SiO、Al、MgF、TiO及びCeOから選択される。 (もっと読む)


【課題】
窒化物半導体層との接触抵抗のみならずパッド電極との接触抵抗も低く、且つ密着性や機械的強度に極めて優れている窒化物半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明の窒化物半導体素子は、第1導電型半導体層、活性層及び第2導電型半導体層が順に積層された積層半導体層と、前記第2導電型半導体層の上面に形成された電極と、を備える窒化物半導体素子であって、前記電極は、少なくとも前記積層半導体層側から第1金属層、第2金属層、第3金属層を順に積層しており、前記第1金属層と第3金属層とは、同一材料を含有する金属層であって、第1金属層は第3金属層よりも密度が高いものであり、前記第2金属層は、前記第1金属層及び第3金属層とは異なる材料を含有している。 (もっと読む)


【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 近年、成膜速度が速くなるにつれて、半導体製造装置用のウェハーを載置するホルダーやプラズマ反応を起こす電極としてのステージヒーターの損傷が激しく寿命が短いため、より耐食性、熱衝撃に対しても耐久性の優れたものが求められるようになってきた。
本発明の目的はステージヒーターの外表面に耐食処理を施すことによって、ウェハーの処理品質の向上や長寿命化を図ることにある。
【解決手段】 ステージヒーターの基材の外表面にスパッタリング法やイオンプレーティング法によって、ニッケルやクロム、チタン、ハステロイ、インコネル等の耐食性皮膜を生成させて製作することにより、熱衝撃や腐食性ガスに対する耐久性、耐食性の向上を図ることを特徴とする。 (もっと読む)


第1金属を含有する少なくとも部分的な金属表面を有する金属品を、所定の濡れ性を有する表面で被覆する方法であって、以下のステップ:(a)金属品の少なくとも一部を、第2金属の層で被覆して、金属−金属接合面を提供すること、該表面はステップ(a)の前に、またはステップ(a)のために、粗であり;および、(b)ステップ(a)の金属−金属接合面を材料に接触させて、所定の濡れ性を有する表面を提供すること、を少なくとも含む、前記方法。第1金属は例えば、鉄、亜鉛、銅、スズ、ニッケルおよびアルミニウム、ならびにスチール、黄銅、青銅およびニチノールを含むこれらの合金からなる群の1種または2種以上であってよい。好ましくは、第2金属を、第1金属の上に、無電解ガルバニック析出を用いて被覆する。被覆金属品の性質は限定されず、これは、本発明の能力が、超疎水性および超親水性の濡れ性を含む所定の濡れ性の、調整された表面を提供することだからである。これにより、本発明は、異なる分野で用いられる広範囲の金属種類に適用することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、自動車内外装、家具、建築材料、家電製品などに使用される金属調の各種プラスチック成形品を得るための、熱成形しても初期の金属調の変化が少ない金属調を呈した熱成形加工用の金属調加飾シートを提供する。
【解決手段】本発明の熱成形加工用の金属調加飾シートは、透明な熱可塑性樹脂フィルム2の少なくとも片面に金属蒸着層1を設け、全光線透過率を10〜50%とした金属蒸着フィルム4を、着色された熱可塑性樹脂シート5に積層することによって得られる。 (もっと読む)


【課題】 従来の電子ビ−ム加熱方式を採用した薄膜形成装置は、単に金属試料に電子ビ−ムを照射するだけであったので、金属試料表面に照射した電子ビ−ムの多くが反射電子となってルツボ外に放射され、試料に対する過熱効率が低いものになっていた。
【解決手段】 本発明の薄膜形成装置は、電子ビ−ムを照射する第1試料を収めた第1ルツボから放射される反射電子を第2ルツボ内に収めた第2試料に直接照射することにより、試料の過熱効率を改善したものである。 (もっと読む)


【課題】金属堆積のために基板表面を設計するためのプロセスおよび統合システム
【解決手段】実施形態は、銅配線について、エレクトロマイグレーション耐性を向上させるため、より低い金属抵抗率を提供するため、そして金属−金属またはシリコン−金属の界面接着を改善するために、金属−金属界面またはシリコン−金属界面を形成するプロセスおよび統合システムを提供する。統合システム内において、銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させて、銅配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させるために、基板表面を調整する代表的方法が提供される。方法は、統合システム内において、基板表面から汚染物および金属酸化物を除去することと、汚染物および金属酸化物を除去した後に、統合システム内において、還元環境を使用して基板表面を再調整することとを含む。方法は、また、基板表面を再調整した後に、統合システム内において、銅配線の銅表面上にコバルト合金材料の薄い層を選択的に堆積させることも含む。また、上述された代表的方法を実施するためのシステムも、提供される。 (もっと読む)


【課題】金属蒸着膜の酸化度を、膜厚に依存せず求めること。
【解決手段】巻き出しロール(2)より巻き出した蒸着用フィルム(3)を冷却ロール(4)に所定角度,巻きつけ下方から金属蒸気を蒸着されて、巻き取りロール(5)に巻き取り、かつ前記金属蒸気に対し上流側及び下流側から酸素を供給するようにした金属蒸着膜形成装置において、前記巻き取りロール(5)と前記冷却ロール(4)との間で前記蒸着用フィルム(3)の表面に近接して表面反射率センサ(10)及び透過率センサ(11)を配設し、前記表面反射率センサ(10)及び前記透過率センサ(11)の検出値から、前記金属蒸着膜の膜厚に依存することなく前記金属蒸着膜中の金属酸化度を演算で求めるようにした。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、表面が平滑でかつ耐熱性を有する銅合金箔にNiもしくはNi合金もしくはCrもしくはCr合金を乾式めっきしたプリント配線基板用金属材料を提供することにある。
【解決手段】300℃で1時間加熱しても軟化しない圧延銅合金箔の少なくとも一方の面を光沢面に仕上げ、その面に10nm以上のNi、Ni合金、CrもしくはCr合金を、乾式めっき法を用いて施すことを特徴とするプリント配線基板用金属材料。 (もっと読む)


車両構造体は、車両構造体に3次元的触感のあるパターンを付与するコーティングを備えることができる。更に、車両構造体を形成する方法は、車両構造体に3次元的触感のあるパターンを付与するフィルムを塗付することを備えることができる。前記車両構造体は、前記フィルムにより装飾用触感のある特徴が付与される車両のトリム片であってもよい。薄膜金属層を、物理蒸着などの金属化技術により基材の上に塗付し、その後、放射線硬化性配合物を付与しUV光などの放射線源により露光することができる。前記放射線硬化性配合物は、フィルム上の別々の異なる位置に離間してあり、人間の触覚で識別可能な程度に金属層から延設されたUVインクであってもよい。
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【課題】生産性に優れ、コストのニーズにも対応できる耐食金属フレーク顔料の製造方法を提供する。
【解決手段】乾式めっき法により、耐塩基性を有する基材の表面に、Al膜を成膜し、Al膜の上に、Ni、CrまたはTiからなる耐食金属膜を成膜し、Al膜および耐食金属膜を基材と共に塩基性溶液に浸漬し、超音波を照射することにより、Al膜を溶解させ、耐食金属膜を基材から剥離し、かつ、破砕する。Al膜と耐食金属膜を順次積層して、複数の耐食金属膜を同時に得ることが可能であり、この際、異なる耐食金属からなる混合フレークを得ることもできる。 (もっと読む)


【課題】従来のクロム酸のような化学薬品を使用せず、乾式法により樹脂成形品に樹脂表面粗化をすると共に導電性を付与することで、このような化学薬品による樹脂成形品の樹脂表面の薬品劣化を防止し、一方このような環境負荷が大きい化学薬品を使用せず、環境負荷物質の削減を図り、また樹脂めっき品の表層剥離を防止してその安全性は確保する。
【解決手段】樹脂成形品の表面をプラズマ処理で洗浄及び表面改質活性化する樹脂表面洗浄・活性化工程S1と、次に、樹脂成形品の表面に金属をスパッタリングにより成膜する金属薄膜成膜工程S2と、続いて、樹脂成形品に成膜した金属薄膜上にスパッタリングによりニッケル又は銅等の導電化膜を成膜する導電化膜成膜工程S4と、最後にこの樹脂成形品を電気めっきする電気めっき工程とから成る。 (もっと読む)


本発明は、制御された半田厚さを有するスパッタ・ターゲット・アセンブリを形成する方法、及び装置に関する。特に、この方法は、バッキング・プレート16とスパッタ・ターゲット10との間に接合箔20を導入することを含み、接合箔20は、発熱反応を伝播する発火性の異種層状構造体である。
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【課題】 プライマコート層を設けることなく、熱可塑性樹脂からなる基材、または、ガラス繊維を含有する熱可塑性樹脂からなる基材の表面に、高い密着力を有する電磁波シールド膜を形成する。
【解決手段】 基材の表面に、酸素雰囲気中または酸素およびアルゴンの混合ガス雰囲気中において、プラズマ処理を施し、かつ、真空成膜法により電磁波シールド膜の一部を成膜し、その後、アルゴン雰囲気中において、真空成膜法により電磁波シールド膜の残部を成膜し、電磁波シールド成形体を得る。 (もっと読む)


【課題】所望のサイズのクラスターを効率良く得ると共に得られたクラスターを基材へ効率良く堆積させることができるクラスター製造装置及びクラスター製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係るクラスター製造装置及びクラスター製造方法は、一対のターゲットを間隔をおいて互いに対向すると共に下流側に向いて傾斜するように対向配置し、複数のガス供給用毛細管が間隔をおいて同一平面上に配置されると共に、その径dmmと長さLmmとの比L/dが500≦L/dとなるように構成されるプラズマ源ガス供給手段によって、プラズマ源ガスを前記一対のターゲット間にシート状気流にして供給し、該供プラズマ源ガスをプラズマ状態にしつつ、前記一対のターゲットから蒸気を発生させ、クラスター発生部とクラスター成長部とが連通する連通部に配設されると共に、軸芯方向において、径が漸減する中空筒状の捕集筒によって、前記蒸気を捕集してクラスター成長部へ導入することを特徴とする。 (もっと読む)


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