【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】ドライコート法による成膜処理において、成膜対象である基板のセッティング性を向上させる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、基板２５を保持する保持器具５０と、成膜室１１０において、保持器具５０を、取り付けられた基板２５が立った状態となるように固定する基台１１２とを備える。保持器具５０は、枠部５１と、枠部５１の互いに対向する長辺に沿って設けられた第１と第２の側辺支持部５２，５３と、枠部５１の底辺に沿って設けられた底辺支持部５４とを備える。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５の長辺の一部を収容するスリットＳを有する。第１と第２の側辺支持部５２，５３は、基板２５が水平方向へと傾くことを抑制するとともに、基板２５が枠部５１から離間することを抑制する。底辺支持部５４は、基板２５が重力方向へ脱落することを抑制する。 （もっと読む）

【課題】ピンチングにより高エネルギーのプラズマ・電子ビームを発生できるプラズマ・電子ビーム発生装置、薄膜製造装置及び薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は、パルス生成器２でパルストリガーが付与される予備室１と、予備室１の下流域に取り付けられ、かつ高電圧が印加され、真空下及び減圧下でプラズマを発生させる中空カソード４と、中空カソードから延びるキャピラリー状放電管３と、前記電圧を印加する印加手段６と、前記放電管３を収容する真空チャンバー７と、真空手段８と、放電管３からのプラズマ・電子ビームが照射されるターゲット９と、ターゲットの構成元素を蒸着させるための基板１０とを備えている。さらに、前記放電管３をアノードと同電位に接地するためのアース手段１１を備え、前記放電管３は、比誘電率が３．５以上を越え、二次電子放電係数γが１以上であり、かつ沿面放電によりプラズマを発生可能な材料で形成されている。この装置は、基板に硬質炭素膜などを形成するのに有用である。 （もっと読む）

【課題】電流量の減少や断線などの問題を抑制した状態で、電界効果トランジスタをより微細化できるようにする。
【解決手段】基板１０１の上に形成されたグラフェンからなるフィン状のチャンネル領域１０２と、ゲート電極１０４およびゲート電極１０４を挟んでチャンネル領域１０２に接続されたソース電極１０５およびドレイン電極１０６とを備える。例えば、チャンネル領域１０２は、グラフェンが１層から４層程度積層されたものである。図１に示す例では、ゲート電極１０４は、チャンネル領域１０２にゲート絶縁層１０３を介して形成されている。 （もっと読む）

【課題】潤滑油を用いた湿式条件下で低摩擦かつ高耐摩耗性を示す摺動部材を提供する。
【解決手段】本発明の摺動部材は、潤滑油の存在下で摺動される摺動面をもつ基材と、該摺動面の少なくとも一部に固定した皮膜と、を備え、
前記皮膜は、炭素（Ｃ）、チタン（Ｔｉ）およびホウ素（Ｂ）を含み、非晶質炭素を主成分として含む第一層と、ＣおよびＴｉを主成分として含む第二層と、を繰り返し交互に積層してなり、硬さが１８ＧＰａ以上である。 （もっと読む）

【課題】開角の大きな複数の光学素子成形用型に対して、成形用型の周辺部において、離型不良、融着不良、成膜剥れ不良が発生のない、ガラスプレス用テトラヘドラルアモルファスカーボン膜成膜方法を提供する。
【解決手段】成形面が凸状の型母材３の内部に磁石４を配置し、前記各型母材３の外側にはリング状磁石５を配置し、複数の型母材３を同心円状に配置した状態で、前記磁石４とリング状磁石５により形成される磁場が、前記型母材３の頂点部の法線方向の磁束密度が最も高くし、前記各型母材３に電圧を印加しながら、フィルタードカソ−ディックバキュームアーク法によって、前記型母材３の成形面にテトラヘドラルアモルファスカーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】耐熱サイクル特性、耐熱応力特性に優れたアモルファス状炭素皮膜の形成を可能とするアモルファス状炭素皮膜の形成方法及びアモルファス状炭素皮膜を提供する。
【解決手段】基材表面に、アモルファス状炭素皮膜を形成させる方法であって、前記基材のアモルファス状炭素皮膜形成面に、前記基材よりも炭化物生成自由エネルギーの小さい物質からなる粒子を分散させ、化学蒸着法又は物理蒸着法により前記粒子上にアモルファス状炭素を成長させて、柱状のセグメントの集合体からなるアモルファス状炭素皮膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】支持基材および反射電極としての機能を兼ね備え、かつ、熱伝導性に優れた、電極箔ならびにそれを用いた有機デバイスが提供される。
【解決手段】金属箔と、前記金属箔上に直接設けられる反射層とを備えてなり、フレキシブル電子デバイス用の支持基材を兼ねたアノードまたはカソードとして用いられる、１〜１００μｍの厚さを有する電極箔。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性と密着性に優れる硬質膜を表面に有し、長寿命で交換回数を大幅に削減し得る寸法測定治具を提供する。
【解決手段】基材２の表面に硬質膜１が成膜されてなる寸法測定治具であり、硬質膜１は、基材２の表面上に直接成膜されるクロムを主体とする下地層１ａと、下地層１ａの上に成膜されるタングステンカーバイトとダイヤモンドライクカーボンとを主体とする混合層１ｂと、該混合層１ｂの上に成膜されるダイヤモンドライクカーボンを主体とする表面層１ｃとからなる構造の膜であり、混合層１ｂは、下地層１ａ側から表面層１ｃ側へ向けて連続的または段階的に、該混合層１ｂ中のタングステンカーバイトの含有率が小さくなり、該混合層１ｂ中のダイヤモンドライクカーボンの含有率が高くなる層である。 （もっと読む）

【課題】複数の真空処理室を直線的に配置した従来の装置にあっては、全体構造が大型化して、製造コストの低減やタクトタイムの短縮が難しいという問題点があった。
【解決手段】プレート状のワークＷの表面にスパッタリングにより被膜を形成する装置であって、所定間隔で配列した複数の真空チャンバー１Ａ〜１Ｐと、これらの真空チャンバーを移動させるターンテーブル４と、ワークＷを収容した真空チャンバーの内部を真空引きする真空ポンプ３を備え、各真空チャンバー１Ａ〜１Ｐが、ワークＷを保持するワーク治具４と、スパッタリング用のターゲット５と、不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段１４と、ターゲット５に高電圧を印加する電圧印加手段１６を備えた構成とし、製造コストの低減やタクトタイムの短縮化を実現した。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明は、連続して搬送される被成膜基材Ｐに非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜形成部Ｅを有するロールコーター装置において、その非晶質炭素膜形成部Ｅに至る上記搬送経路αの上流側に、上記被成膜基材Ｐを加熱するための加熱機能部Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｈを配設したものである。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素の半導体層の表面に発生するステップバンチングを抑制する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、炭化珪素のエピタキシャル層１４にドーパントを導入するドーパント導入工程と、ＰＬＤ、ＦＣＶＡ法又はＥＣＲスパッタ法を利用してエピタキシャル層１４の表面にカーボン膜２４を形成するカーボン膜形成工程と、カーボン膜２４が残存した状態でエピタキシャル層１４をアニール処理するアニール処理工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、各種イオンをイオン注入した後に活性化させるための熱処理を行う場合に、炭化珪素表面が荒れてしまうことを防ぐ炭化珪素半導体デバイスの作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 炭化珪素単結晶基板又は炭化珪素単結晶エピタキシャル膜が成膜された基板にイオン注入する工程と、該基板上に窒素を含有した炭素膜を形成する工程と、注入イオンの活性化熱処理を行う工程とを含む炭化珪素半導体デバイスの作製方法である。 （もっと読む）

【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シール摺動部材を常用しているエアーシリンダーにおいて、Ｏリングが使用されている。ＤＬＣ膜付ゴムにおける摺動部の摩擦係数μ０．３５を０．０８〜０．１５程度に下げ、ドライ摺動でも使用可能な低摩擦化、長寿命化を具現化する摺動部材を提供する。
【解決手段】１例として挙げたエアーシリンダー１は、ハウジング２の内部にピストン４およびピストンロッド３が一対となりエアー室７にエアー出入口８，９から空気圧が交互に送り込まれる機構になっている。シリンダー１の機能を発揮するため、Ｏリング５およびＯリング６がエアー漏れを防ぐように圧接挿入されている。Ｏリング５，６の摩擦係数を下げるためＤＬＣ膜付ゴムの膜面に電子ビーム照射をすることにより、摩擦係数の低減を実現する。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、異なる膜構成を有する薄膜の成膜の効率を向上できるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、複数の膜構成に応じた材料のターゲット片を、第１電源１１、第２電源１２の陰極に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともにターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗをターゲット片を横断する移動経路に沿って時間差を設けて２個以上移動させ、膜構成と移動位置との情報に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片から選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの各表面にそれぞれに応じた膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】成膜方法および成膜装置において、ターゲットの使用効率を向上することができ、組成や膜厚の調整が容易であり、成膜の効率を向上することができるようにする。
【解決手段】スパッタ装置１を用いて、ターゲット片を、独立に出力設定可能な第１電源１１、第２電源１２の陰極に電気的に接続されたバッキングプレート７上に設置するとともに、ターゲット片のいずれかの近傍に配置され第１電源１１、第２電源１２の陽極にそれぞれ電気的に接続可能に設けられた電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎを設置し、被処理体Ｗを、ターゲット片を横断する移動経路に沿って移動させ、被処理体Ｗの移動位置に基づいて、電極Ｅ_１〜Ｅ_ｎの少なくともいずれかに選択的に電力を供給し、ターゲット片のうち少なくともいずれかから、選択的にターゲット粒子を放出させて、被処理体Ｗの表面に予め定められた一定の膜構成の成膜を行う成膜方法とする。 （もっと読む）

【課題】 切刃における被覆層のチッピングや剥離を抑制できるとともに耐溶着性を向上した切削工具を提供する。
【解決手段】 基体６の表面が硬質炭素膜７で被覆されてなり、硬質炭素膜７の表面には、直径１μｍ以上で、ラマン分光分析によって得られる高周波バンド（Ｇバンド）と低周波バンド（Ｄバンド）のピーク面積比Ｄ／Ｇが前記硬質炭素膜の素地７ａにおけるピーク面積比Ｄ／Ｇよりも大きい粗大粒子７ｂが存在する切断装置１等に用いられる表面被覆部材である。 （もっと読む）

【課題】弾性体からなるシール部材と硬質部材とが摺接する摺動部品において従来技術よりも高い耐摩耗性（高い耐久性）を備えた摺動部品およびそれを用いた機械装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る摺動部品は、弾性体からなるシール部材と硬質部材とが摺接する摺動部品であって、前記硬質部材の基材の最表面には窒素を含有する非晶質炭素皮膜が形成されており、前記非晶質炭素皮膜は、炭素と窒素との合計を100原子％とした場合に、窒素の含有率が3〜25原子％であり、前記シール部材は、少なくとも摺接面領域にフッ素を含有し、該フッ素の含有率が前記窒素の含有率以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表面の親水性に優れ、摺動抵抗が小さいダイヤモンド状炭素被膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むダイヤモンド状炭素被膜であって、表面エネルギーが３５ｍＪ／ｍ^２以上であることを特徴としており、ダイヤモンド状炭素被膜中におけるケイ素含有量は、３原子％以上であることが好ましく、スパッタリング法により形成することができる。 （もっと読む）