【課題】発光膜中のＯ含有量を十分に低減することができるＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】
水蒸気バリア性、特に高湿度下での耐水蒸気ガスバリア性に優れた積層フィルムを提要する。
【解決手段】
フィルム基材（Ａ）の少なくとも片面に、不飽和カルボン酸化合物の金属塩であって、その金属塩を構成する金属化合物が９５モル％〜３０モル％の二価以上の金属化合物及び５モル％〜７０モル％の一価の金属化合物である不飽和カルボン酸化合物の金属塩から得られる重合体層（Ｃ）が形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。あるいは、フィルム基材（Ａ）の片面に無機薄膜層（Ｂ）、上記重合体層（Ｃ）が順次形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】電子伝導度が低く、全固体型リチウム二次電池の固体電解質に用いた場合に、電池の自己放電を抑制することができるLi₂S‐P₂S₅系固体電解質、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S_5-αO_βN_γ（α＝β＋(3γ/2)、但しβ又はγは0を含む）。また、第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、化学量論組成より硫黄を0モル％超10モル％以下の範囲で過剰に含有しており、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S₅‐S。これら第一及び第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、電子伝導度が1×10^-10S/cm以下である。 （もっと読む）

【課題】成膜対象物の最内周から最外周に向かって均一な膜厚分布を実現することができるスパッタリング装置、及び、それを用いた光記録媒体の製造方法、並びに、光記録媒体を提供すること目的とする。
【解決手段】スパッタターゲットと円形の成膜対象物との間に、前記スパッタターゲットから前記成膜対象物に射出される粒子の一部を遮蔽する遮蔽部材を設けたスパッタリング装置であって、前記遮蔽部材の遮蔽率は、前記成膜対象物の中心を基準とする第１の半径領域では外周側に行くほど上昇し、第１の半径領域よりも外周側の第２の半径領域では外周側に行くほど下降し、第２の半径領域よりも外周側の第３の半径領域では外周側に行くほど第２の半径領域よりも大きな下降率で下降することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】最表面の硬度が高く耐磨耗性に優れると共に、反射率が低い反射防止膜、及び透光部材、並びに反射防止膜の形成方法を提供する。
【解決手段】反射防止膜は、可視光が透過可能な部材の表面に形成された反射防止膜であって、反射防止膜の最表面を構成する膜が、Ｓｉ又はＦを添加したＡｌ₂Ｏ₃であるＳｉ−Ａｌ₂Ｏ₃膜又はＦ−Ａｌ₂Ｏ₃膜である。反射防止膜の形成方法は、可視光が透過する部材の表面に反射防止膜を形成する反射防止膜の形成方法であって、反射防止膜の最表面を構成する膜として、Ｓｉ又はＦを添加したＡｌ₂Ｏ₃であるＳｉ−Ａｌ₂Ｏ₃膜又はＦ−Ａｌ₂Ｏ₃膜を形成する最表面形成工程を有し、当該最表面形成工程において、Ｓｉ−Ａｌ₂Ｏ₃膜又はＦ−Ａｌ₂Ｏ₃膜を、ＥＣＲプラズマ励起方式を用いたＥＣＲプラズマスパッタ装置によって形成する。 （もっと読む）

【課題】可視光の透過率が低く、反射明度および反射彩度が十分に大きい金属光沢を有し、光吸収機能の得られる光吸収層を備える光学薄膜積層体を提供する。
【解決手段】基材２上に、光学薄膜層３が設けられ、光学薄膜層３が、高屈折率薄膜層４，７と低屈折率薄膜層５と純金属薄膜層６から選択される少なくとも一種からなる光吸収層を備えていることを特徴とする光学薄膜積層体１とする。 （もっと読む）

【課題】光透過における写像性に優れた、彩色、および金属光沢を有する光学薄膜積層体およびそれを用いた加飾成形品を提供することを課題とする。
【解決手段】基材上に薄膜積層体を備える光学薄膜積層体であって、該薄膜積層体が高屈折率薄膜層、低屈折率薄膜層を各１層以上交互に積層した薄膜積層体であり、且つ、前記光学薄膜積層体が光透過における写像性を有することを特徴とする光学薄膜積層体とする。また、前記光学薄膜積層体表面に対して鉛直線方向から測定光を前記光学薄膜積層体に入射したときの光透過法による像鮮明度（ＪＩＳ Ｋ ７１０５に準拠）が、光学くし幅０．１２５ｍｍにおいて８５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の光学薄膜積層体とする。 （もっと読む）

【課題】あらかじめ決められた化合物、たとえば蛍光体の薄膜を基板上に成膜する方法。
【解決手段】その化合物は、３元、４元またはより高次の化合物、特に周期表のグループIIAおよびIIBの少なくとも１つの元素のチオアルミン酸塩、チオ没食子酸塩およびチオインデートからなるグループから選ばれた化合物である。実施例において、この方法は、少なくとも１つの硫化物のペレットを第１のソースの上に置き、少なくとも１つの硫化物のペレットを第２のソースの上に置き、１つのペレットに不純物が含まれているものである。基板への蒸着は各々別の電子ビームを使って実施する。硫化物の蒸発率は各々別に遮断された膜率モニタで監視する。基板上に化合物を生成するためにソースの温度を制御する。この方法は、とくにエレクトロルミネセントディスプレイにおいて、ほぼ不透明の基板上に３元または４元の蛍光体を成膜するために使用される。 （もっと読む）

水蒸気及び気体に対する良好な透過遮断硬化を有する無機の遮断層を備え、プラスチック成形された包装要素であって、この包装要素には、所望の透過遮断硬化を有する材料を使用して真空中で生成されたコーティングが付与される。この真空コーティングには、磨耗及び腐蝕に対する保護及び機械的安定性の改良のために、オーバーラッカーを施す。 （もっと読む）

【課題】 内部抵抗を低減した全固相薄膜電池、その製造方法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 固体電解質層３を気相プロセスにより形成する工程、正極層２を気相プロセスにより形成する工程、および負極層４を気相プロセスにより形成する工程を備え、気相プロセスの間の各非処理時間中、全固体薄膜電池の中間品を、真空引きの雰囲気中に保持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり９０％以上の高密度を備えた硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．６の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】ピストンリングへのアルミニウム凝着現象を効果的に防止しうるピストンリングを提供すること。
【解決手段】ピストンリング本体と、該ピストンリング本体の上面または下面のどちらか一方、または該ピストンリングの上面と下面の両方に形成される表面皮膜とからなるピストンリングにおいて、前記表面皮膜を耐熱樹脂と略球状の銅系粉末とから構成する。 （もっと読む）

【課題】 高屈折率薄膜層と低屈折率薄膜積層体を基材上に順次各１層以上積層することで、金属光沢と彩色と透明性とを併せ持つ光学薄膜積層体およびそれを用いた加飾成形品を提供する。
【解決手段】 基材の一方の面上に、少なくとも高屈折率薄膜層と低屈折率薄膜層とを各１層以上交互に積層してなる薄膜積層体を有する光学薄膜積層体であって、高屈折率薄膜層の光の波長５５０ｎｍでの屈折率が１．７５以上２．４以下であり、消衰係数が０．５以下であり、低屈折率薄膜層の光の波長５５０ｎｍでの屈折率が１．３以上１．７５未満であり、消衰係数が０．５以下であり、光学薄膜積層体のＪＩＳ Ｋ ７１３６に準拠し測定したヘイズが５％以下である。 （もっと読む）

【課題】薄膜自体が電気抵抗率が低くて導電性を有するＺｎＳ系透明導電性薄膜、薄膜自体が電気抵抗率が低くて導電性を有するＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜、および、これらの薄膜の成膜用のスパッタリングターゲット材料を提供する。
【解決手段】(1) Ｚｎ及びＳを主成分として含有し、更にＣｕを含有するＺｎＳ系透明導電性薄膜であって、Ｚｎの含有量：４４〜６９at％、Ｃｕの含有量：４．０〜１１．０at％であることを特徴とするＺｎＳ系透明導電性薄膜、(2) Ｚｎ及びＳを主成分として含有し、さらにＣｕ及びＭｎを含有するＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜であって、Ｚｎの含有量：４４〜６９at％、Ｃｕの含有量：４．０〜１１．０at％、Ｍｎの含有量：０．０５〜２．０at％であることを特徴とするＺｎＳ系透明導電性蛍光体薄膜等。 （もっと読む）

ガラスシート上に半導体材料をコーティングするためのシステム（２０）および方法が、真空チャンバ（２４）を含むハウジング（２２）を有するシステム（２０）を通って、ガラスシートの上端で垂直方向に懸架されたガラスシートを搬送することによって実行される。シャトル（４２）上で搬送されるガラスシートは、入口ロードロックステーション（２６）を通って、ハウジング真空チャンバ（２４）に入り、ハウジング（２２）にある加熱ステーション（３０）および少なくとも１つの堆積ステーション（３２、３４）を通って、冷却ステーション３６へ向かった後、出口ロードロックステーション（２８）を通ってシステムから出る。結果的に得られる半導体コーティングされたガラスシート（Ｇ）は、コーティング処理中に形成されたトングマーク（４４’）を有する。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリングによって膜を形成する際に、スパッタ時に発生するパーティクルやノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり９０％以上の高密度を備えた硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該ターゲットの製造方法を得る。
【解決手段】 硫化亜鉛を主成分とし、さらに導電性酸化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．６の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン伝導度の高いアモルファス状の無機固体電解質層を効率的に形成する方法を提供することである。
【解決手段】基材上にリチウム元素、リン元素及び硫黄元素を含む無機固体電解質からなる薄膜を形成する方法であって、気相成長法又は化学気相蒸着法（ＣＶＤ法）を用い、かつ基材を２５℃未満に冷却することを特徴とする無機固体電解質層の形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜半導体薄膜の製造及び光電変換素子の製造に際し、ＣＩＧＳ系薄膜等の半導体薄膜の製膜過程におけるセレン原料の浪費を防止することを課題とする。
【解決手段】 Ｉｂ族元素とＩＩＩｂ族元素とＳｅを含むＶＩｂ族元素とからなるカルコパイライト構造の半導体薄膜の製造方法であって、上記半導体薄膜は製膜過程において、プラズマによってクラッキングされてラジカル化したセレンを用いたことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】複合材料からなる膜を成膜する成膜装置において、気体粒子生成温度が異なる複数の気体粒子生成部の温度制御性を改善する。
【解決手段】成膜装置１０は、真空チャンバー１１内に、第１気体粒子生成部２０と、第２気体粒子生成部２１と、第１，第２気体粒子生成部２０，２１の間にそれぞれ配置された２つの仕切り部材２５と、被加工基板Ｄが保持されている成膜部３０とを配置して構成されている。仕切り部材２５は冷媒によって冷却され、高温側の第２気体粒子生成部２１からの輻射熱による第１気体粒子生成部２０の温度上昇を抑制している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体ターゲット材料の超高速パルスレーザ融除を利用して、選択したサイズのナノ粒子を生成し、これを基板表面上に堆積させるためのワンステップ工程を提供する。
【解決手段】このシステムはパルスレーザ、光学系、及び真空室を含む。パルスレーザは数フェムト秒から数十ピコ秒までの多様なパルス時間を有する。光学系は、ビームを適切な平均エネルギー密度および適切なエネルギー密度分布にてターゲット表面上に集束できるようにレーザビームを成形する。真空室の内部にはターゲットと基板が設置され、バックグラウンドガスとその圧力が適切に調整される。 （もっと読む）